專利名稱：顯示面板的制造方法及顯示面板的制作方法
技術(shù)區(qū)域本發(fā)明涉及每一像素中具有顯示元件及控制該顯示元件與電源線的連接的薄膜晶體管(以下稱為TFT)的主動矩陣型顯示面板的制造，特別是涉及缺陷像素的處理。
背景技術(shù)：
現(xiàn)在，有機電場發(fā)光(Electro Luminescence；EL)顯示面板作為平面顯示面板的一種而為人所知。該有機EL顯示面板，不同于液晶顯示面板(LCD)，屬于自發(fā)光型面板，做為一種明亮且視覺性好的平面顯示面板，其普及備受期待。
該有機EL顯示器，以有機EL元件作為像素，并將多個的有機EL元件配置成矩陣狀而構(gòu)成。此外，該有機EL元件的驅(qū)動方法，與LCD相同有被動方式與主動方式，但與LCD一樣以采用主動矩陣方式為優(yōu)選。即，在每一像素中設(shè)置開關(guān)用元件，并控制該開關(guān)用元件而控制各像素的顯示的主動矩陣方式，相較每一像素中不具有開關(guān)用元件的被動方式，更能夠?qū)崿F(xiàn)高精細畫面，故較為理想。
此外，LCD的情況，使用一個開關(guān)元件(TFT)，并將該開關(guān)元件直接連接在像素電極，而有機EL面板的情形，則是使用兩個TFT與一個電容，在圖3中，顯示現(xiàn)在的利用薄膜晶體管(TFT)的有機EL面板中的像素電路的構(gòu)成例。有機EL面板，將圖中所示的像素配置成矩陣而構(gòu)成。
在行方向延伸的柵極線，有可由柵極線選擇的本身為n溝道薄膜晶體管的第一TFT 10的柵極連接于其上。該第一TFT 10的漏極則與在列方向延伸的數(shù)據(jù)線DL連接，其源極則與保持電容CS連接，該保持電容CS被連接至電容線SL，該電容線SL的另一端為低電壓電源。此外，第一TFT 10的源極與保持電容CS的連接點，被連接至為p溝道薄膜晶體管的第二TFT 40的柵極。此外，該第二TFT 40的源極被連接至電源線VL，其漏極則與有機EL元件EL連接。另外，有機EL元件EL的另一端被連接至陰極電源CV。
因此，當柵極線GL為H電位時第一TFT 10會導通，此時的數(shù)據(jù)線DL的數(shù)據(jù)即由保持電容CS所保持。于是，第二TFT 40的電流會對應于該保持電容CS所保持的數(shù)據(jù)(電荷)而受到控制，且根據(jù)該第二TFT40的電流，有電流流入有機EL元件而使有機EL元件發(fā)光。
而且，當?shù)谝籘FT 10導通時，會有與該像素對應的視頻信號供給到數(shù)據(jù)線DL上。因此，會根據(jù)供給至數(shù)據(jù)線DL的視頻信號而使保持電容CS充電，因此第二TFT 40會使對應的電流流通，以進行有機EL元件EL的亮度控制。即，控制第二TFT 40的柵極電位以控制流入有機EL元件的電流而進行各像素的灰度顯示。
在如上所述的有機EL面板中，會有設(shè)置于各像素的TFT 1或TFT 2中產(chǎn)生缺陷的情形。當這些TFT 1、TFT 2中出現(xiàn)缺陷時，該像素便會形成亮點或暗點，并有因發(fā)生短路而影響到所連接的數(shù)據(jù)線DL，而發(fā)生線缺陷的情形。因此，必須針對該缺陷部份，將TFT 1、TFT 2等的缺陷部份從數(shù)據(jù)線DL切離，以進行修復來恢復正常。
通過上述修復，雖會產(chǎn)生一定數(shù)量的暗點，但這樣的有機EL面板在成為制品上已不成問題，且通過將亮點暗點化可達成品率的大幅提升。
此處的修復，通過使連接至缺陷部份的配線斷掉而進行。即，與LCD的情形相同，可考慮通過YAG激光等的激光照射，切斷TFT 2與電源線或是像素電極的配線。
由此，將缺陷部份從配線切離，即可達到減少化，并解決整體顯示中的問題。
但是，進行利用該YAG激光的修復處理，會產(chǎn)生較深的凹洞。例如在各像素的TFT已形成的階段，如進行利用YAG激光的配線的切斷，則配線及其下層都會被除掉而在該處形成較深的凹洞。在有機EL面板的情況，會在這之后形成有機層、陰極，但因這些層的厚度極薄，而無法覆蓋該凹洞。因此，有機EL元件的有機層，其側(cè)面會直接暴露在陰極的上方空間。因此，容易因水分的侵入導致有機層的劣化等，且有使缺陷像素擴大的問題。
此外，LCD在通過激光切斷配線時，經(jīng)激光照射的部份在去除配線之外，也會去除其它層而形成凹洞。因此，會使各層的側(cè)面露出，而成為導致劣化等的原因或微細像素裝置中的配向混亂的原因。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明鑒于上述問題而作出發(fā)明，其目的在提供一種顯示面板的減少化方法，不僅可控制像素的劣化，同時可有效進行利用激光的缺陷像素的減少化。
本發(fā)明提供每一像素中具有顯示元件、及控制該顯示元件與電源線的連接的薄膜晶體管的主動矩陣型顯示面板的制造方法，其特征在于，具有在基板上形成薄膜晶體管的工序；以及于該薄膜晶體管形成后積層多個層，而完成顯示元件的工序，其中，在積層前述多個層的工序中，至少包含一個形成層厚較厚的絕緣性平坦化絕緣膜的工序，且在該至少一個形成平坦化絕緣膜的工序前的工序中，設(shè)置針對不良像素，切斷前述顯示元件與電源線的連接的工序。
如上述，根據(jù)本發(fā)明，在顯示元件完成前，針對缺陷像素進行配線的切斷，而實施該像素的暗點化。因此，可在之后的絕緣層的形成工序中，修復因切斷配線而產(chǎn)生的凹洞，避免水分等從凹洞侵入完成后的顯示面板中。
此外，本發(fā)明提供每一像素中具有顯示元件、及控制該顯示元件與電源線的連接的薄膜晶體管的主動矩陣型顯示面板的制造方法，其特征在于，具有在基板上形成前述薄膜晶體管的工序；形成該薄膜晶體管的柵極電極及其配線的工序；形成前述薄膜晶體管的源極、漏極電極以及用來連接這些電極的其中一方的電極與電源線的配線的工序；將電源連接至前述電源線，并控制對前述薄膜晶體管的柵極電極的信號施加，再響應前述薄膜晶體管的開關(guān)動作檢出前述電極的狀態(tài)而進行導通檢查的工序；根據(jù)該檢查結(jié)果，針對被判定為有缺陷的像素，切斷經(jīng)由前述薄膜晶體管的前述顯示元件與前述電源線的配線的工序，其中，在前述顯示元件完成前進行前述導通檢查以及配線的切斷。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明在顯示元件的完成前進行前述導通檢查，并針對缺陷線像素，例如利用激光進行配線的切斷，而實施該像素的暗點化。因此，可在之后的絕緣層等的形成工序中，修復因激光等而產(chǎn)生的凹洞，避免水分等從凹洞侵入完成后的顯示面板中。
此外，前述導通檢查，最好在形成前述顯示元件的一個電極后進行。
此外，最好包含在前述導通檢查以及配線的切斷后，形成平坦性好的絕緣膜的工序，并通過該絕緣膜修復切斷配線時產(chǎn)生的凹部。
此外，前述配線的切斷，最好通過激光照射而進行。
此外，前述顯示元件，最好為有機EL元件。
此外，本發(fā)明涉及通過上述方法而制成的顯示面板。


圖1顯示像素部的構(gòu)造的圖。
圖2(a)至(c)用來說明利用激光進行的修復的圖。
圖3顯示像素電路的構(gòu)造的圖。
符號說明10第一TFT；30玻璃基板；36第一平坦化絕緣層；40第二TFT；40a主動層；40c柵極電極；40d源極電極；40e漏極電極；50陽極；52空穴輸送層；54有機發(fā)光層；56電子輸送層；58陰極；60第二平坦化絕緣膜；CS保持電容；CV陰極電源；DL數(shù)據(jù)線；GL柵極線；EL有機EL元件；VL電源線。
具體實施例方式
以下，根據(jù)

本發(fā)明的實施方式。
圖1用來說明本實施方式的顯示裝置的制造的圖。首先，在玻璃基板30上形成TFT。即，形成由低溫多晶硅所構(gòu)成的主動層40a，再于其表面形成氧化硅的柵極氧化膜，并形成柵極電極40c。接著，以柵極電極40c作為屏蔽，在主動層40a中注入雜質(zhì)，以形成源極漏極區(qū)域。然后，形成層間絕緣膜34并覆蓋TFT后，形成接觸孔，再形成源極電極40d、漏極電極40e。接著，形成平坦化絕緣膜36，并于該平坦化絕緣層36中形成與源極電極40d連接的接觸孔，再于平坦化絕緣膜36上形成由氧化銦錫(Indium Tin Oxide；ITO)構(gòu)成的陽極50。
如此，即可形成到達有機EL元件EL的陽極50的電路。然后于此階段進行數(shù)組測試。該數(shù)組測試，在將預定的電源電壓施加在電源線VL的狀態(tài)下，對柵極線GL、數(shù)據(jù)線DL供給預定的信號，再檢測出此時保持電容CS以及第二TFT 40的寄生電容Cdtr的蓄積電荷。即，當?shù)诙FT 40的寄生電容為預定值時，即可得知第二TFT 40為正常。因此，可通過計測蓄積于第二TFT 40的電荷，進行第一TFT 10以及第二TFT 40雙方的檢查。
此外，第一TFT、電容CS、以及周邊的驅(qū)動電路，也與第二TFT 40同時形成，可利用這些電路進行測試用信號的供給。
此外，通過該數(shù)組測試，發(fā)現(xiàn)缺陷像素時，可針對該像素，切斷第二TFT 40與電源線VL或陽極50(例如，切斷接觸部(contact)的周圍)的連接。即，有因TFT的異常等原因?qū)е掳l(fā)生短路等缺陷時，可將該異常部分予以電性切離來恢復正常。
即，如圖2(a)所示，在TFT已形成、第一平坦化絕緣膜36已形成、且其上也已形成陽極50(省略圖標)的階段，進行數(shù)組測試。接著，針對缺陷像素，通過照射激光將配線切斷，而將各像素從矩陣電路切離。激光的照射，可從圖中的上方照射，也可透過玻璃基板30而從下方照射。因此，如圖2(b)所示，通過激光除去各層，并形成凹洞。在本例中，切斷電源線VL與驅(qū)動晶體管40之間的配線。
接著，通過形成第二平坦化絕緣膜60，而如圖2(c)所示，將因激光照射而形成的凹洞填補起來。
接著，在除去第二平坦化絕緣膜60在陽極50上方的部份后，根順次積層空穴輸送層52、有機發(fā)光層54、電子輸送層56、陰極58，而完成元件基板。然后，將周邊部分附著形成有密封材料的密封基板接著在元件基板上即完成有機EL面板。此外，在圖1中，雖顯示有機發(fā)光層54只存在于陽極50上，而其它層則形成于整面，但電子輸送層56有含有三(8-喹啉)鋁[Tris-(8-quinolinolato)aluminum；Alq3]等發(fā)光材料，且電子輸送層56也與有機發(fā)光層54一樣，僅限定于發(fā)光部的情形較多。
此外，激光中使用YAG激光等，YAG激光方面，一般利用1064nm或533nm的激光。具上述波長時，即可透過TFT主動層的多晶硅等，切斷形成于其上層的配線層。
如上述一般，根據(jù)本實施方式，在陽極50已形成的階段，進行數(shù)組測試，并通過激光切除缺陷像素的配線，而實施該像素的暗點化。本有機EL顯示裝置，在陽極50形成后還有形成層厚較厚的第二平坦化絕緣膜60的工序，因激光修復而產(chǎn)生的凹洞可通過之后的第二平坦化絕緣膜60加以填補起來，而有效地修復激光照射所造成的傷痕。
此外，在形成漏極、源極兩電極后，進行激光修復，可在第一平坦化膜以后的膜形成工序中填補激光所產(chǎn)生的凹洞。
特別是在有機EL面板的情況下，形成有機EL元件的由空穴輸送層52、有機發(fā)光層54、電子輸送層56所構(gòu)成的有機層，形成約200nm程度的薄度，故無法通過有機層填補因激光而形成的凹洞，但根據(jù)本實施方式則可通過第二平坦化絕緣膜而有效地填補凹洞。
因此，除了可修復TFT的缺陷等所導致的配線的缺陷，大幅提升有機EL面板的成品率外，還可通過絕緣材料填補因激光照射而形成的凹洞，而可有效地防止隨著之后的使用，水分或氧氣等經(jīng)由凹洞侵入至有機層，使有機層劣化而形成黑點的情形。
此外，使用于數(shù)組測試的數(shù)組檢測機，由于對有機層形成前的TFT形成基板(元件基板)進行檢測，因此可直接利用用于LCD測試的部分。此外，在照射激光而切斷配線的激光修復裝置方面，也可直接利用LCD的制造中所使用的部分。
此外，在LCD中，構(gòu)成TFT基板的電極前的過程，幾乎相同。即，于玻璃基板上，針對每一像素形成第一TFT與輔助電容后，形成像素電極，在此階段中，可進行數(shù)組測試，并針對不良像素進行利用激光的修復。
在上述例中，使用激光光切斷配線，但除了激光之外，也可使用電子線、聚焦離子束(Focused Ion Beam；FIB)等。
如此，根據(jù)本實施方式，在像素電極50已形成的階段，即，在之后的工序中的形成較厚的絕緣膜(第二平坦化絕緣膜60)的工序前的階段中進行檢查，并針對缺陷像素進行激光的配線切斷，而實施異常短路部分的切斷及該像素的暗點化。然后，通過在必要區(qū)域形成第二平坦化絕緣膜60，即可修復因激光而產(chǎn)生的凹洞，而防止水分等由凹洞侵入完成后的顯示面板中。
此處，第二平坦化絕緣膜60圖案化為在像素電極(陽極)50的中央開口，且覆蓋像素電極的端部的狀態(tài)，但通過形成在經(jīng)過激光修復而產(chǎn)生的穴部上留有第二平坦化絕緣膜60的圖案，即可在不追加特別工序的情況下，覆蓋激光修復后所產(chǎn)生的凹洞。
如上述說明一般，根據(jù)本發(fā)明，在顯示元件完成前進行前述導通檢查，并針對缺陷像素利用激光等進行配線切斷，而實施該像素的暗點化。因此，可在之后的絕緣層等的形成工序中，修復因激光等而產(chǎn)生的凹洞，可防止水分等從凹洞侵入完成后的顯示面板中。
權(quán)利要求
1.一種顯示面板的制造方法，每一像素中具有顯示元件、及控制該顯示元件與電源線的連接的薄膜晶體管的主動矩陣型顯示面板的制造方法，具有在基板上形成薄膜晶體管的工序；以及于該薄膜晶體管形成后積層多個層，而完成顯示元件的工序，其特征在于，在積層前述多個層的工序中，至少包含一個形成層厚較厚的絕緣性平坦化絕緣膜的工序，且在該至少一個形成平坦化絕緣膜的工序前的工序中，設(shè)置針對不良像素，切斷前述顯示元件與電源線的連接的工序。
2.一種顯示面板的制造方法，每一像素中具有顯示元件、及控制該顯示元件與電源線的連接的薄膜晶體管的主動矩陣型顯示面板的制造方法，具有在基板上形成前述薄膜晶體管的工序；形成該薄膜晶體管的柵極電極及其配線的工序；形成前述薄膜晶體管的源極、漏極電極以及用來連接這些電極的其中一方的電極與電源線的配線的工序；將電源連接至前述電源線，并控制對前述薄膜晶體管的柵極電極的信號施加，再檢出響應前述薄膜晶體管的開關(guān)動作的前述電極的狀態(tài)而進行導通檢查的工序；根據(jù)該檢查結(jié)果，針對被判定為有缺陷的像素，切斷經(jīng)由前述薄膜晶體管的前述顯示元件與前述電源線的配線的工序，其中，在前述顯示元件完成前進行前述導通檢查以及配線的切斷。
3.根據(jù)權(quán)利要求2的顯示面板的制造方法，其特征在于，前述導通檢查在形成前述顯示元件的一個電極后進行。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或3的顯示面板的制造方法，其特征在于，包含在前述導通檢查以及配線的切斷后，形成平坦性好的絕緣膜的工序，并通過該絕緣膜修復切斷配線時產(chǎn)生的凹部。
5.根據(jù)權(quán)利要1至4中任何一項的顯示面板的制造方法，其特征在于，前述配線的切斷通過激光照射而進行。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項的顯示面板的制造方法，其特征在于，前述顯示元件為有機電場發(fā)光元件。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項的顯示面板的制造方法，其特征在于，由上述方法進行制造。
全文摘要
本發(fā)明提供一種顯示面板的制造方法及顯示面板。可控制像素的劣化，同時可有效進行利用激光的缺陷像素的減光化。本發(fā)明于形成面板過程中，在例如完成第二TFT(40)，且有機EL元件的陽極已形成的階段，進行數(shù)組檢查。然后，針對缺陷像素，利用激光切斷其配線。然后，在上述利用激光進行的修復工序后，形成第二平坦化絕緣膜(60)以填補激光所產(chǎn)生的凹洞。
文檔編號H01L51/50GK1551688SQ200410037989
公開日2004年12月1日 申請日期2004年5月14日 優(yōu)先權(quán)日2003年5月15日
發(fā)明者神野優(yōu)志 申請人:三洋電機株式會社