專利名稱：半導體器件的形成方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導體器件的形成方法。
背景技術(shù)：
高頻等離子體CVD(即，化學氣相沉積)法容易大面積化和低溫形成，具有加工生產(chǎn)能力高的優(yōu)點。作為硅系列薄膜的形成方法，高頻等離子體CVD法是有力的手段。
若將太陽能電池作為具有由硅系列薄膜構(gòu)成的半導體結(jié)的半導體器件的例子來考慮，則與已有的利用了礦物燃料的能量相比，雖然使用了硅系列薄膜的太陽能電池的優(yōu)點在于，能源無窮盡，發(fā)電過程清潔，但是為了推進普及，就需要進一步降低每一發(fā)電電量的單價。因此，實現(xiàn)低成本化的生產(chǎn)技術(shù)的確立、用于提高光電轉(zhuǎn)換效率的技術(shù)的確立、與用于進一步穩(wěn)定形成具有期望特性的半導體器件的均勻性有關(guān)的技術(shù)、用于提高考慮了多數(shù)設(shè)置在屋外的實際使用條件的耐環(huán)境性的技術(shù)，都成為重要的技術(shù)課題。
作為具有由硅系列薄膜構(gòu)成的半導體結(jié)的半導體器件的生產(chǎn)方法，已知有用單一的半導體形成容器依次形成所需的導電型的半導體層的方法、為了防止混入雜質(zhì)氣體而用獨立的半導體形成容器形成p層、i層、n層的稱作間歇方式的方法等。此外，作為防止混入雜質(zhì)和實現(xiàn)低成本化的生產(chǎn)方法，在美國專利4,400,409號中公開了采用卷裝進出(Roll to Roll)方式的連續(xù)等離子體CVD法。另外，對于一些特性和生產(chǎn)率的提高，特開2002-170973中公開了一種半導體器件的形成方法，其特征是具有使半導體界面暴露在氧氣氣氛中的工序。
作為半導體器件的形成方法，已公開的高頻等離子體法是優(yōu)秀的，但在包含多個pin結(jié)的情況和p層、i層、n層為多層結(jié)構(gòu)的情況下，所需的半導體形成容器的數(shù)量就增加。在半導體器件的形成工序中，在連續(xù)連結(jié)所有的半導體形成容器、連續(xù)形成半導體層的情況下，在每次需要對一部分半導體形成容器進行維護、檢查、修理等時，就需要使裝置全體運轉(zhuǎn)都停下來。此外，還取決于在半導體形成中途取出到大氣中的情況、沉積條件、環(huán)境條件、保管條件，但有時還認為取決于各批間的特性的偏差，特別是光電轉(zhuǎn)換效率的偏差。
本發(fā)明的目的在于提供一種能夠高效率地形成具有層疊了許多硅系列薄膜的結(jié)構(gòu)的半導體器件的形成方法，另外，提供一種批間特性的偏差少、具有更優(yōu)良的均勻性和特性的半導體器件的形成方法，及一種緊密性和耐環(huán)境性等優(yōu)良的半導體器件。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供了一種利用高頻等離子體CVD法形成半導體器件的方法，所述半導體器件在襯底上具有由硅系列薄膜構(gòu)成的多個pin結(jié)，其特征在于，按下述順序進行如下工序形成第一半導體層的工序；用包含0.01～0.5重量％的水分的部件接觸并覆蓋上述第一半導體層的表面的工序；除掉上述部件的工序；在上述第一半導體層上形成第二半導體層的工序。
在本發(fā)明中，上述部件最好用10g/cm2至100g/cm2的壓力與上述第一半導體表面接觸。20g/cm2至80g/cm2更好。
在本發(fā)明中，最好在用上述部件使上述第一半導體表面被接觸覆蓋的工序中，上述第一半導體表面的溫度高于除掉上述部件工序中的上述第一半導體表面的溫度，其間使溫度緩慢下降。
在本發(fā)明中，最好在從用上述部件使上述第一半導體表面被接觸覆蓋的工序至除掉上述部件的工序中的至少一部分中把所述器件保持在大氣中的工序。最好在真空中進行用上述部件進行接觸覆蓋的工序，之后，把所述器件保存在大氣中，再在真空中進行除掉上述部件的工序。但也可以在大氣中進行用上述部件進行接觸覆蓋的工序和除掉上述部件的工序。此外，最好把所述器件保持在干燥的氮氣氣氛中。而且，最好在密閉空間中保持。
在本發(fā)明中，上述部件最好由無紡布構(gòu)成。
作為本發(fā)明的最佳方式，能夠列出有由一種導電類型半導體構(gòu)成上述第一半導體層、由與該一種導電類型半導體不同的其他導電類型半導體構(gòu)成上述第二半導體層的結(jié)構(gòu)，和由相同的導電類型半導體構(gòu)成上述第一半導體層和上述第二半導體層的結(jié)構(gòu)。
作為本發(fā)明的最佳方式，上述高頻等離子體CVD法可以包括卷裝進出法。
根據(jù)本發(fā)明，能夠高效率地形成具有層疊了許多硅系列薄膜的結(jié)構(gòu)的半導體器件，還能夠形成批間特性的偏差少、具有更優(yōu)良的均勻性和特性的半導體器件。另外，還能夠提供一種緊密性和耐環(huán)境性等優(yōu)良的半導體器件。


圖1A、1B、1C、1D和1E是表示本發(fā)明的形成半導體器件的方法的示意圖。
圖2A和2B是表示本發(fā)明另一種形成半導體器件的方法的示意圖。
圖3為表示含有適用于本發(fā)明的形成方法的半導體器件的光電動勢元素的一個例子的示意剖面圖。
圖4是表示制造適用于本發(fā)明的形成方法的半導體器件的層疊膜形成裝置。
圖5為光電動勢元件的光電變換效率的分布圖。
具體實施例方式
以下說明本發(fā)明的最佳實施例，但本發(fā)明不限定于本實施方式。
在Roll to Roll法中，根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)，為了分離襯底，使用了芳香族聚酰胺紙和PET等的薄膜，但在形成半導體層的中途取出到大氣中的情況下，還取決于沉積條件、環(huán)境條件、保管條件，但有時認為取決于各批間的特性，特別是光電轉(zhuǎn)換效率的偏差。我們注重研究的結(jié)果發(fā)現(xiàn)，根據(jù)覆蓋半導體表面的部件的處理方法和滾筒的處理，在部件的水分量與光電轉(zhuǎn)換效率的偏差之間是有關(guān)聯(lián)的。我們認為這是來自分離襯底的部件的水分對半導體層的表面有影響。
因此，使用0.05mm的芳香族聚酰胺紙(Du Pont公司制造的“NOMEX”)作為部件，使用按照后述的圖1的順序改變了水分量的部件，形成半導體器件到中途，在密閉空間的干燥氮氣氣氛中放置一天，然后在剛剛連續(xù)不斷地形成了剩余的半導體器件后，就由于部件的水分量而觀察到光電轉(zhuǎn)換效率的偏差變大的區(qū)域。若水分量多于0.5％，就發(fā)現(xiàn)光電轉(zhuǎn)換效率降低的傾向，認為批間的光電轉(zhuǎn)換效率的偏差傾向于變大。此外，在水分量在0.01％以下時，能看到批間的光電轉(zhuǎn)換效率的偏差傾向于變大。
盡管光電轉(zhuǎn)換效率發(fā)生偏差的詳細原因不明，但可以認為是由半導體層界面上適度地形成的微細的氧原子層抑制了摻雜物的擴散的結(jié)果，以及因為水分向半導體層的吸附或結(jié)合而使半導體層變性的原因。只是，若上述過程進行的過度了，則半導體層的變性增大，關(guān)系到串聯(lián)電阻的增大和曲線因子(以下稱作FF)的降低，引起光電轉(zhuǎn)換效率的降低和光電轉(zhuǎn)換效率的偏差。另一方面可以認為，在水分量少的情況下，部件的下半部變強，部件與半導體表面的接觸就不均勻。因此，半導體層變性后的層的形成變得不均勻，光電轉(zhuǎn)換效率的偏差就變大。
此外，根據(jù)以上所述可知，可以認為若不均勻地接觸，就引起光電轉(zhuǎn)換效率的偏差。根據(jù)本發(fā)明者們的觀點，部件與半導體層接觸的壓力最好在10g/cm2至100g/cm2之間。
最好在使上述第一半導體表面被上述部件接觸覆蓋的工序中，上述第一半導體表面的溫度高于除掉上述部件工序中的上述第一半導體表面的溫度，其間使溫度緩慢下降。溫度高則反應容易的進行此外，由于隨著反應的進行，反應自身變慢，因此，與部件接觸之后溫度馬上就變高，之后緩慢變低，最初比較快地進行半導體層的變性，之后，由于溫度的降低和厚度的增大，就緩慢地進行，因此認為，厚度均勻，偏差變少，光電轉(zhuǎn)換效率的偏差變少。此外，由于考慮到緩和界面上的應力，因此緊密性也提高。
根據(jù)本發(fā)明，在真空中等減壓的狀態(tài)下進行保管達到了更穩(wěn)定的條件，同時就需要維持成真空環(huán)境的裝置等。由于在從使上述第一半導體表面與上述部件接觸覆蓋的工序至除掉上述部件的工序中的至少一部分中，插入了把器件保持在大氣中的工序，因此，也能用不進行維護的裝置，根據(jù)需要制作半導體器件的一部分pin結(jié)，并進行保管，因此，能提高總的生產(chǎn)率。此外，通過準備多臺半導體形成裝置，通過用更多的半導體形成裝置來形成維護頻率高的半導體層，就能夠進一步提高生產(chǎn)率。此外，這時，通過在干燥的氮氣氣氛中和密閉空間中保持器件，由于溫度等環(huán)境條件更穩(wěn)定，故光電轉(zhuǎn)換效率的偏差變少。從而，器件保持在干燥氮氣氣氛中較好，而保持在密閉空間中更好。
上述部件最好是無紡布，例如纖維狀的無紡布，由能使用聚乙烯、聚酯、PET、聚酰亞胺、聚酰胺等的樹脂類等、并能適度地保持水分的原材料構(gòu)成的無紡布。
在用p層或者n層等一種導電類型半導體形成上述第一半導體層，用n層或者p層等與一種導電類型半導體不同的其他導電型構(gòu)成的半導體形成上述第二半導體層的情況下，由于在該界面上成為反向結(jié)而具有整流性，就關(guān)系到光電轉(zhuǎn)換效率的降低。因此，使電流流過盡可能多的缺陷等很重要，并且，為了維持作為導電型層的特性，就需要減少過剩的雜質(zhì)的相互擴散。在本發(fā)明中，由于形成半導體變性后的層，故雜質(zhì)的相互擴散變少，并且在界面上存在許多缺陷，其效果特別佳。
在用由相同的導電型構(gòu)成的半導體來形成上述第一半導體層和上述第二半導體層的情況下，在導電型層之間，利用水分能得到半導體層變性后的層，即使在pn界面?zhèn)劝训诙雽w層提高到最佳摻雜物濃度，也能夠抑制摻雜物向第一半導體層側(cè)的擴散。此外，通過在內(nèi)部形成半導體層變性后的層，謀求寬帶隙化，能夠抑制入射光的吸收，故最好。此外，由于半導體層變性后的層具有使入射光散射的效果，因此能期待光吸收層的入射光的吸收量增加。
作為本發(fā)明的最佳適用例，例舉有卷裝進出法。
圖1示出了形成本發(fā)明的半導體器件的方法的一例。在圖1中，101是襯底，102是部件。在本發(fā)明中，按以下順序進行形成。
(a)形成到第一半導體層。(圖1A)(b)使部件102與形成到第一半導體層的襯底101接觸后進行覆蓋。(圖1B)(c)以使部件102與形成到第一半導體層的襯底101接觸的狀態(tài)保存。(圖1C)(此時，在圖1C中，襯底101和部件102疊層在一起進行保存。)(d)從形成到第一半導體層的襯底101上除掉部件102。(圖1D)(e)在形成到第一半導體層的襯底101上形成第二半導體層。(圖1E)圖2中示出使用了撓性襯底的情況的一例。
圖2A示出了用部件進行覆蓋的工序。
由部件送出器204送出部件203，與撓性襯底201相互卷繞在卷繞軸202上。這時，撓性襯底201受拉伸應力卷起，部件203被撓性襯底201上的壓力壓著附著在襯底上。這時，卷起撓性襯底的壓力P用P＝f/r/d表示。在此，f是拉伸應力，r是半徑，d是襯底寬。
同樣地，圖2B示出了除掉部件的工序。
部件203從與撓性襯底201交替卷起來的送出軸205卷繞在部件卷繞器206上，從撓性襯底201上除掉部件203。送出撓性襯底。
作為最佳使用于本發(fā)明的形成方法的半導體器件，可以舉出特開2002-170973中說明的光電器件。
(實施例)在以下的實施例中，作為半導體器件，以太陽能電池為例具體地說明了本發(fā)明，但這些實施例都不限制本發(fā)明的內(nèi)容。
(實施例1)使用圖4中示出的沉積膜形成裝置401，按以下的順序形成了圖3中示出的光電器件。圖3是示出本發(fā)明的具有硅系列薄膜的光電器件301的一例的示意剖面圖。圖中的302是襯底，303是反射層，304是具有第一pin結(jié)的光電器件，305是具有第二pin結(jié)的光電器件，306是透明電極。
圖4是示出制造本發(fā)明的硅系列薄膜和光電器件的沉積膜形成裝置的一例的示意剖面圖。襯底送出容器408、半導體形成用真空容器410～413、襯底卷繞容器409，通過氣門414結(jié)合，構(gòu)成了圖4中示出的沉積膜形成裝置401。在該沉積膜形成裝置401上，貫穿各容器和各氣門，放置帶狀的導電性襯底402。帶狀的導電性襯底402從設(shè)置在襯底送出容器408上的送出軸404卷出，在襯底卷繞容器409中，被卷繞在卷繞軸405上。這時，從部件卷取器406上把部件403重卷到送出軸404上。用部件送出器407將部件403重卷繞在卷繞軸405上。半導體形成用真空容器410～413分別具有形成等離子體發(fā)生區(qū)域的沉積室。此外，具有加熱襯底402用的加熱器416。
在未作圖示的高頻導入部中，通過從未作圖示的高頻電源施加高頻功率，使其產(chǎn)生輝光放電，這樣，分解原料氣體，使半導體層沉積在導電性襯底402上。此外，與各半導體形成用真空容器410～413連接著用于導入原料氣體和稀釋氣體的氣體導入管415。此外，連接著未作圖示的排氣系統(tǒng)。
首先，充分地脫脂和清洗由不銹鋼(SUS430BA)構(gòu)成的帶狀襯底(寬50cm、長1500m、厚0.125mm)，裝在未作圖示的連續(xù)濺射裝置上，將Ag電極作為靶，濺射鍍覆厚100nm的Ag薄膜。另外，使用ZnO靶，在Ag薄膜上濺射鍍覆厚2.0μm的ZnO薄膜，形成了帶狀的導電性襯底402。
接著，在襯底送出容器408上裝上已卷起了導電性襯底402的送出軸404，通過搬入側(cè)的空氣閥門414、半導體形成用真空容器410～413、搬出側(cè)的氣門414，將導電性襯底402送到襯底卷繞容器409，用80kg施加拉伸應力，使得帶狀的導電性襯底402不松弛下墜。若半徑漸漸增大的話，則壓力也要變化，但用約20至60g/cm2的壓力就能卷起來。
這時，在部件送出器407上放置已調(diào)整了水分量的厚度為0.05mm的芳香族聚酰胺紙(Du Pont公司制造的“NOMEX”)，與襯底402共同卷繞在了卷繞軸405上。利用由未作圖示的真空泵構(gòu)成的抽真空系統(tǒng)，充分地把襯底送出容器408、半導體形成用真空容器410～413、襯底卷繞容器409抽真空，直到等于小于6.7×10-4pa(5×10-6Torr)。在130℃干燥機中進行干燥，在干燥時間中調(diào)整了部件的水分量。
設(shè)置水分量，使得部件等于1.0g，用Karl Fischer水分計(京都電子制造MKC-510)測定并決定其水分量。表1中示出其結(jié)果。
一面使抽真空系統(tǒng)工作，一面從氣體導入管415向半導體形成用真空容器411、412、413供給了原料氣體和稀釋氣體。同時，從未作圖示的各閥門氣體供給管向各氣門414供給500sccm的H2氣體，作為閥門氣體。在該狀態(tài)下調(diào)整抽真空系統(tǒng)的排氣能力，將半導體形成用真空容器411、412、413內(nèi)的壓力調(diào)整成規(guī)定的壓力。形成條件如表2所示。
在半導體形成用真空容器411、412、413內(nèi)的壓力剛剛穩(wěn)定后，就開始從襯底送出容器408向襯底卷繞容器409的方向移動導電性襯底402。
接著，在半導體形成用真空容器411、412、413內(nèi)的沉積室內(nèi)產(chǎn)生輝光放電，在導電性襯底402上形成非晶態(tài)n型半導體層、微晶i型半導體層、微晶p型半導體層，形成了底部單元的pin結(jié)。在形成了p層之后，不進行強制性冷卻地使部件與之接觸，卷繞在卷繞軸405上。
若底部單元的pin結(jié)的形成結(jié)束，就打開襯底卷繞容器409，取出導電性襯底402，在干燥的氮氣氣氛中和密閉環(huán)境中保存24小時，直到沉積膜形成裝置401準備好了為止。
之后，接著進行頂部單元的pin結(jié)的形成。在襯底送出容器408上裝上已卷起了導電性襯底402的軸，通過搬入側(cè)的氣門414、半導體形成用真空容器410～413、搬出側(cè)的氣門414，將導電性襯底402送到襯底卷繞容器409，用80kg施加拉伸應力，使得帶狀的導電性襯底402不松弛下墜。然后，利用由未作圖示的真空泵構(gòu)成的抽真空系統(tǒng)，對襯底送出容器408、半導體形成用真空容器410～413、襯底卷繞容器409充分地抽真空，直到小于、等于6.7×10-4pa(5×10- 6Torr)。
一面使抽真空系統(tǒng)工作，一面從氣體導入管415向半導體形成用真空容器411、412、413供給了原料氣體和稀釋氣體。同時，從未作圖示的各閥門氣體供給管向各氣門414供給了500sccm的H2氣體，作為閥門氣體。在該狀態(tài)下調(diào)整抽真空系統(tǒng)的排氣能力，將半導體形成用真空容器411、412、413內(nèi)的壓力調(diào)整成規(guī)定的壓力。形成條件如表3所示。
在半導體形成用真空容器411、412、413內(nèi)的壓力剛剛穩(wěn)定后，就開始從襯底送出容器408向襯底卷繞容器409的方向移動導電性襯底402。
接著，在半導體形成用真空容器411、412、413內(nèi)的沉積室內(nèi)產(chǎn)生輝光放電，在導電性襯底402上形成非晶態(tài)n型半導體層、微晶i型半導體層、微晶p型半導體層，形成了頂部單元的pin結(jié)。
接著，使用未作圖示的連續(xù)組件化裝置，將形成的帶狀的光電器件加工成36cm×22cm的太陽能電池組件。如此改變部件的水分量，制作了5個試樣(實施例1-A～實施例1-C、比較例1-A～比較例1-B)。就每一種試樣制作了10批，從中隨機地抽出1000片組件，使用山下電裝株式會社制的YSS-150，在用AM1.5的光譜、100mW/cm2的強度進行了光照射的狀態(tài)下，測定了電流電壓特性。根據(jù)測定到的電流電壓特性，求出了光電轉(zhuǎn)換效率η(％)。此外，在溫度85℃、濕度85％中保持30分鐘，之后，溫度經(jīng)70分鐘下降到-20℃，保持30分鐘后再經(jīng)70分鐘返回到85℃、85％，反復100次這樣的周期，之后，用正方形條帶法(切裂口的間隙間隔1mm、分量的數(shù)量100)，調(diào)查了緊密性。
將實施例1-B的平均值作為1，將光電轉(zhuǎn)換效率的分布作為相對值，在圖5中示出結(jié)果。此外，表6中集中示出結(jié)果。
結(jié)果如圖5所示，在比較例1-A中，看到了一些光電轉(zhuǎn)換效率的平均值的降低和光電轉(zhuǎn)換效率的偏差的增加。實施例1-A至實施例1-C得到了大致相同的分布。比較例1-B的平均值大致相同，但光電轉(zhuǎn)換效率的偏差有所增加。實施例1-A～實施例1-C、比較例1-A的緊密性有0到3個的剝離，與此相比，只有比較例1-B多點兒，是9個。
根據(jù)以上內(nèi)容可知，水分量在0.01至0.5％之間，得到了光電轉(zhuǎn)換效率最好且光電轉(zhuǎn)換效率的偏差小的光電器件，并且，緊密性和耐環(huán)境性優(yōu)良。
(實施例2)使用圖4中示出的沉積膜形成裝置401，按以下順序，形成了圖3中示出的光電器件。
除了按表2和表4的條件制作了以外，其它條件與實施例1相同。
表6中集中示出結(jié)果。
在比較例1-A中，看到了一些光電轉(zhuǎn)換效率的平均值的降低和光電轉(zhuǎn)換效率的偏差的增加。實施例1-A至實施例1-C得到了大致相同的分布。比較例1-B的平均值大致相同，但光電轉(zhuǎn)換效率的偏差有所增加。實施例1-A～實施例1-C、比較例1-A的緊密性有0到4個的剝離，與此相比，只有比較例1-B多點兒，是11個。
根據(jù)以上內(nèi)容可知，水分量在0.01至0.5％之間，得到了光電轉(zhuǎn)換效率最好且光電轉(zhuǎn)換效率的偏差小的光電器件，并且，緊密性和耐環(huán)境性優(yōu)良。
表1


表2


表3


表4


表5


○對于光電轉(zhuǎn)換效率(平均值)，沒有1％以上的降低。
○對于光電轉(zhuǎn)換效率的偏差，標準偏差在0.01以下。
○對于剝離，是5個以下。
表6


○對于光電轉(zhuǎn)換效率(平均值)，沒有1％以上的降低。
○對于光電轉(zhuǎn)換效率的偏差，標準偏差在0.01以下。
○對于剝離，是5個以下。
權(quán)利要求
1.一種利用高頻等離子體CVD法形成半導體器件的方法，所述半導體器件在襯底上具有由硅系列薄膜構(gòu)成的多個pin結(jié)，其特征在于，按下述順序進行如下工序形成第一半導體層的工序；用含有0.01～0.5重量％的水分的部件接觸、覆蓋上述第一半導體層的表面的工序；除掉上述部件的工序；以及在上述第一半導體層上形成第二半導體層的工序。
2.如權(quán)利要求1所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，上述部件用10g/cm2至100g/cm2的壓力與上述第一半導體表面接觸。
3.如權(quán)利要求1所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，上述第一半導體表面在用上述部件接觸、覆蓋該第一半導體表面的工序中的溫度高于在除掉上述部件工序中的溫度，其間使溫度緩慢下降。
4.如權(quán)利要求1所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，在從用上述部件接觸、覆蓋上述第一半導體表面的工序至除掉上述部件的工序中的至少一部分中，具有把所述半導體器件保持在大氣中的工序。
5.如權(quán)利要求1所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，在上述工序中，還具有把所述半導體器件保持在干燥的氮氣氣氛中的工序。
6.如權(quán)利要求1所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，在上述工序中，還具有把所述半導體器件保持在密閉空間中的工序。
7.如權(quán)利要求1所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，上述部件由無紡布構(gòu)成。
8.如權(quán)利要求1所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，由一種導電類型半導體構(gòu)成上述第一半導體層，以及由與該一種導電類型半導體不同的其他導電類型的半導體構(gòu)成上述第二半導體層。
9.如權(quán)利要求1所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，由相同導電類型的半導體構(gòu)成上述第一半導體層和上述第二半導體層。
10.如權(quán)利要求1所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，上述高頻等離子體CVD法包括卷裝進出法。
全文摘要
一種利用高頻等離子體CVD法形成半導體器件的方法，所述半導體器件在襯底上具有由硅系列薄膜構(gòu)成的多個pin結(jié)，其特征在于，按下述順序進行如下工序形成第一半導體層的工序；用包含0.01～0.5重量％的水分的部件接觸覆蓋上述第一半導體層的表面的工序；除掉上述部件的工序；在上述第一半導體層上形成第二半導體層的工序。根據(jù)本發(fā)明，能夠高效率地形成具有層疊了許多硅系列薄膜的結(jié)構(gòu)的半導體器件，能夠形成批間特性的偏差少、具有更優(yōu)良的均勻性和特性的半導體器件，另外，能夠提供一種緊密性和耐環(huán)境性優(yōu)良的半導體器件。
文檔編號H01L31/20GK1551299SQ200410036680
公開日2004年12月1日 申請日期2004年4月28日 優(yōu)先權(quán)日2003年5月7日
發(fā)明者
川 , 東川誠 申請人:佳能株式會社