專利名稱：互連結(jié)構(gòu)上濺射蝕刻之原位金屬阻障沉積的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明系大體而言相關(guān)于半導(dǎo)體晶圓制造。
背景技術(shù)：
增加半導(dǎo)體晶圓的密度已經(jīng)讓更多的組件被放置在晶圓表面之上，而此則已經(jīng)依次減少了組件可獲得的表面布線面積，這則導(dǎo)致了利用在晶圓上多層次金屬層堆棧的多層次金屬化組合(multilevelmetallization schemes)。一個典型的堆棧是從對硅表面的硅化(silicidation)所形成之用以在表面以及金屬層之間產(chǎn)生降低的電阻的阻障層開始。
而若鋁被作為金屬層的導(dǎo)電材質(zhì)時，則該等阻障層可以避免鋁以及硅之間的混雜(alloying)，鈦鎢(titanium-tungsten，TiW)以及氮化鈦(TiN)兩者，與其它的材質(zhì)，系典型地被用作為阻障層。
有時候，在沉積鈦鎢(TiW)之前，會先沉積一硅化鉑層于已暴露的硅之上，而鈦鎢(TiW)通常系在導(dǎo)電物質(zhì)(例如，鋁)的沉積發(fā)生之前，被濺射沉積到晶圓之上，并且進(jìn)入到開口接觸內(nèi)。而沉積在場氧化物(field oxide)之上的鈦鎢(TiW)則會在鋁蝕刻步驟期間正常的被自該表面移除，。
而氮化鈦層則可以藉由包括蒸鍍(evaporation)以及濺鍍的數(shù)種沉積技術(shù)而被置于晶圓之上。在氮化硅底下，系正常地需要一層鈦層，以提供作為與硅基板之間的高導(dǎo)電性中間物。隨著銅(Cu)的金屬化，阻障層亦為不可或缺，在硅當(dāng)中的銅會破壞裝置效能，通常所使用的阻障金屬包括氮化鈦、鉭(tantalum)以及、氮化鉭(tantalumnitride)。
一典型的晶圓系具有由一些介電質(zhì)材質(zhì)所組成的一層，即所謂的接口金屬介電層(intermetallic dielectric layer)“IDL”，其系提供在金屬層之間的電絕緣，而此層可以接受蝕刻向下達(dá)到一第一層次(first-level)金屬層的新接觸孔，即所謂的“通孔(vias)”或“栓(plugs)”，的屏蔽步驟，導(dǎo)電的栓亦可以藉由沉積導(dǎo)電材質(zhì)進(jìn)入該孔中而加以產(chǎn)生，而該第一層次金屬層則接著加以沉積以及進(jìn)行圖案化，該IDL/栓/金屬的沉積/圖案化順序系對接續(xù)的層進(jìn)行重復(fù)。
一多層次的金屬系統(tǒng)系比單層金屬系統(tǒng)的成本為高，其產(chǎn)率亦較低，并且，尚須對晶圓表面以及中間層的平面化施以更多的注意力，以產(chǎn)生良好的電流攜帶導(dǎo)線(current-carrying leads)。而部分由于此所需較多的注意力，已經(jīng)有一些程序加以發(fā)展出來以移除生長在晶圓上的污染氧化物(“原生氧化物”)。
因此，半導(dǎo)體制造會牽涉到形成在介電晶圓上之一或更多程序，通常會在一互連結(jié)構(gòu)已經(jīng)被圖案化至介電質(zhì)層(“硬屏蔽”)之后。典型地，金屬系被沉積至該晶圓之上，并且，被選擇性的蝕刻移除，而接續(xù)的金屬層及半導(dǎo)體或介電層會在半導(dǎo)體晶圓上形成電性組件。
在金屬沉積之前，該晶圓之表面系需要清除原生氧化物。傳統(tǒng)上，如此之清洗系在一與金屬沉積分開的濺鍍反應(yīng)室中，將晶圓自一個沉積反應(yīng)室移至另一個反應(yīng)室將使晶圓遭受周圍環(huán)境污染的機(jī)會增加，并且，因為需要至少兩個反應(yīng)室，也會增加制造成本。
傳統(tǒng)的方向性氬轟擊(directional argon bombardment)(“氬濺鍍”)系為在將金屬阻障層以及種子層(seed layer)沉積到互連結(jié)構(gòu)上的期間所普遍使用的程序，氬濺鍍程序系同時用于金屬沉積以及作為一“清洗”。
濺鍍沉積(一般而言)是能將任何金屬沉積至任何基板的程序，其系廣泛的用于涂覆服裝用的珠寶以及在玻璃及透鏡上放上光學(xué)涂層。濺鍍系在真空中發(fā)生，并且是一物理而非化學(xué)的程序，其有時亦指物理氣相沉積。前面有關(guān)濺鍍沉積的敘述是一概括性的敘述，并不意欲于排除濺鍍程序如何操作或任何特殊的濺鍍設(shè)備的其它理論。
濺鍍沉積傳統(tǒng)上發(fā)生在真空反應(yīng)室(沉積反應(yīng)室)中，在其中，系為一所需用于沉積之材質(zhì)的固體平板，即所謂的“濺鍍靶(target)”，而該濺鍍靶系為電接地，然后，氬氣體系被導(dǎo)入《沉積反應(yīng)室中，并加以離子化而為帶正電荷，而帶正電荷的氬原子(實(shí)際上是“離子”)系會受到接地濺鍍靶的吸引并加速朝向該濺鍍靶，在加速期間，其會獲得作為力量的動量并攻擊該濺鍍靶，而在該濺鍍靶，則發(fā)生所謂的動量轉(zhuǎn)移，正如在撞球臺上，白球?qū)⑵淠芰哭D(zhuǎn)移至其它球而造成它們分散一樣，氬離子攻擊所需材質(zhì)的平板，也會造成其粒子的分散，因此，氬原子從該濺鍍靶將原子及分子撞掉而進(jìn)入沉積反應(yīng)室的真空中，這就是濺鍍活動。而在沉積反應(yīng)室中分散之已濺鍍原子或分子系會有一些停住而留在該晶圓之表面。
濺鍍系為將物質(zhì)沉積至晶圓上之階梯式且較有利的方法，而在此系需要一平坦的涂層。材質(zhì)系以廣泛范圍之角度到達(dá)晶圓以涂覆晶圓表面，如此“階梯式”的覆蓋可以藉由旋轉(zhuǎn)或加熱該晶圓而獲得更進(jìn)一步的改善。
需要干凈且干燥的氬(或氖)以維持薄膜(涂層)之組成特征，而且，低濕度系可以避免不需要的沉積薄膜氧化。沉積反應(yīng)室系裝載晶圓，并且，壓力系藉由幫浦(抽取下降)而降低至大約1×10-9torr，氬系被導(dǎo)入并且離子化，而對于氬進(jìn)入反應(yīng)室的量的控制是不可或缺的，因為其會造成反應(yīng)室壓力的上升，隨著氬以及被濺鍍材質(zhì)置入沉積反應(yīng)室中，壓力上升至大約1×10-3torr，因此，沉積反應(yīng)室系為有關(guān)于購買、操作以及維持之高成本的精確設(shè)備，而且，傳統(tǒng)之沉積反應(yīng)室需要仔細(xì)地且浪費(fèi)時間的設(shè)定以及操作。
傳統(tǒng)氬濺鍍清洗的意圖是將金屬將要沉積于其上之晶圓表面的原生氧化物移除，然而，該氬濺鍍清洗亦可以執(zhí)行在已圖案化之介電質(zhì)或金屬層上，只是發(fā)現(xiàn)到，氬濺鍍清洗的轟擊總是會造成一些潛在的問題。
當(dāng)傳統(tǒng)的氬濺鍍清洗執(zhí)行在一已圖案化之晶圓上時，損害可能會發(fā)生在晶圓上，在第2圖的晶圓剖面示意圖中，在200之前，以及200’之后，氬濺鍍系加以執(zhí)行，該晶圓200、200’包括數(shù)個特征(features)，其包括一硬屏蔽201、一IDL 202、以及一金屬203，在傳統(tǒng)之氬濺鍍清理之后，該晶圓200’可能已經(jīng)具有對硬屏蔽201’或者是對IDL 202’的損害，改變亦有可能發(fā)生在蝕刻剖面輪廓204’以及發(fā)生在側(cè)壁206’，更甚者，在底下的金屬會潑濺到甚至穿透IDL 205’。
當(dāng)傳統(tǒng)氬濺鍍執(zhí)行在金屬層時，晶圓亦可能受到損害，在第3A圖之晶圓示范性剖面示意圖中，傳統(tǒng)性氬濺鍍清理系在300之前或300’之后執(zhí)行，該晶圓300、300’包括一硬屏蔽301、一IDL 302、以及一金屬303，在傳統(tǒng)的氬濺鍍清理之后，該晶圓其所具有之已經(jīng)沉積在場(field)307，、溝渠底部302，、以及逐漸變細(xì)的側(cè)壁306’的金屬可能會被移除，而對硬屏蔽301’以及IDL 302’與對蝕刻剖面輪廓304’的損害亦可能發(fā)生，再一次，位于底下的金屬可能會潑濺至該IDL 302’以及沉積之金屬305’之上。

發(fā)明內(nèi)容
因此，有使金屬沉積以及濺鍍清理程序不需要使用超過一個反應(yīng)室之一最小化制程反應(yīng)室數(shù)目的半導(dǎo)體制造程序的需要存在。
亦有可避免或最小化對硬屏蔽或?qū)DL之損害，并且不會對蝕刻剖面輪廓有重大的改變或是將在底下之金屬潑濺至IDL上之執(zhí)行在介電質(zhì)層上之氣體濺鍍清理程序的需要存在。
本發(fā)明系提供一種在一單一沉積反應(yīng)室中制造半導(dǎo)體裝置之方法，而其中該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)系為一介電結(jié)構(gòu)，而在該介電質(zhì)結(jié)構(gòu)之上系為使用微影以及蝕刻技術(shù)而被選擇性地圖案化之互連結(jié)構(gòu)。初始金屬層可被沉積或不被沉積在該已圖案化之介電結(jié)構(gòu)之上，接著，在不將該已圖案化晶圓移動至一濺鍍反應(yīng)室的情況下，原生氧化物系藉由方向性氣體轟擊而加以移除，并且在此同時執(zhí)行中性金屬的沉積。
本發(fā)明較佳地是包括，沉積在該介電結(jié)構(gòu)上之該一或多初始金屬層的厚度范圍系介于10埃至500埃之間。
根據(jù)一實(shí)施例，一或多個另一材質(zhì)可被沉積至該介電結(jié)構(gòu)之上，這些材質(zhì)系較佳地包括襯墊材質(zhì)或種子層材質(zhì)，例如，選自氮化鉭(TaN)、鉭(Ta)、鈦(Ti)、氮(硅)化鈦(Ti(Si)N)、鎢(W)、以及銅(Cu)其中之一或多材質(zhì)。
亦有將一氣體濺鍍清洗程序執(zhí)行在一金屬層上之需要的存在，以進(jìn)而避免或最小化對于硬屏蔽或?qū)DL之損害，且不會對蝕刻剖面輪廓有重大的改變，也可最小化對位于場(field)、溝渠底部、以及逐漸變細(xì)之側(cè)壁之所沉積之金屬的移除，更不會將底下金屬潑濺到該IDL之上或潑濺到沉積之金屬之上，以及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)不需要自先前步驟所使用之反應(yīng)室移動到不同之程序反應(yīng)室。
本發(fā)明較佳地是提供一種原位沉積中性金屬以在用于移除半導(dǎo)體裝置之金屬表面上之原生氧化物的一方向性氣體轟擊期間保護(hù)結(jié)構(gòu)特征之方法。較佳地是，該半導(dǎo)體裝置之方向性氣體轟擊系與中性金屬的沉積同時進(jìn)行。
在一較佳實(shí)施例中，該中性金屬可以是與該濺鍍靶相同之材質(zhì)，或是包括選自鉭(Ta)、鈦(Ti)、以及鎢(W)的其它材質(zhì)。


第1圖其系顯示根據(jù)本發(fā)明一較佳實(shí)施例之半導(dǎo)體晶圓制造方法各個觀點(diǎn)的流程圖；第2圖其系顯示已知技術(shù)在執(zhí)行氬濺鍍于半導(dǎo)體晶圓之介電質(zhì)層上所受到之限制的剖面示意圖；第3A圖其系顯示已知技術(shù)在執(zhí)行氬濺鍍于半導(dǎo)體晶圓之金屬層上所受到之限制的剖面示意圖；第3B圖其系顯示利用已知程序以及本發(fā)明之示范性實(shí)施例兩者所準(zhǔn)備之晶圓的側(cè)壁、硬屏蔽、以及蝕刻輪廓特征的樣品剖面輪廓顯微照相圖；第3C圖其系顯示利用已知程序所準(zhǔn)備之晶圓的側(cè)壁、硬屏蔽、以及蝕刻輪廓特征的樣品剖面輪廓顯微照相圖；第4圖其系顯示用于根據(jù)本發(fā)明之程序中之示范性晶圓的剖面輪廓塊狀圖；第5圖其系顯示用于根據(jù)本發(fā)明之程序中，在初始襯金屬層沉積之后之示范性晶圓的剖面輪廓塊狀圖；第6圖其系顯示用于根據(jù)本發(fā)明之程序中，以中性金屬原位(insitu)氣體濺鍍之后之示范性晶圓的剖面輪廓塊狀圖；第7圖其系顯示用于根據(jù)本發(fā)明之程序中，在更進(jìn)一步之襯層或種子層材質(zhì)沉積之后之示范性晶圓的剖面輪廓塊狀圖；第8A圖其系顯示分別使用已知技術(shù)方法(左邊)以及本發(fā)明實(shí)施例(右邊)所產(chǎn)生之兩個示范性晶圓之效能的樣品I-V測試結(jié)果；以及第8B圖其系顯示分別使用已知技術(shù)方法(左邊)以及本發(fā)明實(shí)施例(右邊)所產(chǎn)生之兩個示范性晶圓之效能的樣品TDDB測試結(jié)果。
具體實(shí)施例方式
根據(jù)本發(fā)明之實(shí)施例，氣體濺鍍清理程序系加以提供以執(zhí)行在一已圖案化之晶圓上，而該程序系可避免或最小化對硬屏蔽或?qū)DL之損害，并且不會對蝕刻剖面輪廓有重大的改變或是將在底下之金屬潑濺至IDL之上。
另外，根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例系提供具有優(yōu)勢地利用單一沉積反應(yīng)室之半導(dǎo)體裝置制造方法。
正如第1圖中流程圖10所示，該程序系開始于一半導(dǎo)體裝置(晶圓)(未顯示)，其系具有一介電質(zhì)層，而在該介電質(zhì)層之上系有選擇性地利用微影或是蝕刻技術(shù)11而加以蝕刻的一互連結(jié)構(gòu)，如此之微影以及蝕刻系在已知技術(shù)領(lǐng)域中所熟知，此晶圓系被放置到一沉積反應(yīng)室(未顯示)中。
接著，則決定初始金屬層是否要進(jìn)行沉積12，若不需要任何初始金屬層，則該晶圓可以不經(jīng)任何程序而在該沉積反應(yīng)室中，否則，一或多層的金屬層會被沉積到該介電結(jié)構(gòu)之上13，雖然亦可以使用其它材質(zhì)，但是襯墊材質(zhì)較佳地是氮化鉭、鉭、鈦、氮化鈦或鎢。
然后，在不將該晶圓移動至一濺鍍反應(yīng)室的情形下，原生氧化物系利用以中性金屬沉積執(zhí)行之原位(in situ)氣體濺鍍而加以移除14。
在移除該原生氧化物之后，較佳地是決定是否要進(jìn)行額外材質(zhì)之沉積15。若沒有額外的材質(zhì)需要被沉積，則整個程序終止17，并且，可將晶圓移開。
否則，更進(jìn)一步的材質(zhì)可以被沉積到該晶圓上16，這些材質(zhì)較佳地是包括襯層或是種子層材質(zhì)，例如，氮化鉭、鉭、鈦、氮(硅)化鈦(Ti(Si)N)、鎢、銅、或任何其它適合的材質(zhì)。
決定是否有額外之材質(zhì)需要被沉積之步驟15以及沉積更進(jìn)一步材質(zhì)之步驟16系較佳地在不將該晶圓移出該沉積反應(yīng)室的情形下加以重復(fù)進(jìn)行，直到?jīng)]有額外的材質(zhì)需要再被沉積為止。雖然在氣體濺鍍以及中性金屬沉積之后該晶圓可能需要在沉積反應(yīng)室外的額外處理程序，但較佳也較有利的是在該沉積反應(yīng)器內(nèi)執(zhí)行盡可能多的操作。
第4圖系描述使用于根據(jù)本發(fā)明之程序中之示范性晶圓的剖面輪廓圖。一互連結(jié)構(gòu)系利用一微影以及蝕刻技術(shù)而加以圖案化在該介電結(jié)構(gòu)上，該互連結(jié)構(gòu)系可包括線(溝渠結(jié)構(gòu))、通孔結(jié)構(gòu)、以及其它在已知技術(shù)中已知的結(jié)構(gòu)(路徑，path)。
沉積完初始金屬層后之結(jié)果的例子系呈現(xiàn)于第5圖中。在程序順序中的第一個步驟系將介電結(jié)構(gòu)(晶圓)中之氣體去除，一初始襯金屬層501或一系列的層系可沉積于該已圖案化之介電質(zhì)之上。
該層501或該等層系典型地且較佳地包括氮化鉭、鉭、鈦、氮化鈦、鎢、或其它適合的材質(zhì)。
這些層的厚度系較佳地為介于10至500埃間的任何厚度，其系取決于特殊結(jié)構(gòu)以及技術(shù)的需要。
緊接在該初始金屬薄膜沉積之后，該晶圓系較佳也較有利的留在相同的沉積反應(yīng)室中，并同時開始方向性氣體轟擊以及中性金屬沉積。此步驟的結(jié)果如第6圖所示。
因為場(field)、溝渠底部、以及逐漸變細(xì)的側(cè)壁比起該通孔底部有較高的中性金屬沉積率，因此在這些區(qū)域的負(fù)蝕刻率可以達(dá)成，同時也可以維持在通孔底部601之正蝕刻率。所以，該氣體濺鍍移除了在底下之金屬表面的原生氧化物，卻不會損害其它的區(qū)域，例如，場(field)、溝渠底部、以及逐漸變細(xì)的側(cè)壁。
緊接在執(zhí)行于已圖案化之晶圓上之氣體濺鍍之后，更進(jìn)一步之襯層或種子層材質(zhì)系進(jìn)行沉積，而該材質(zhì)系可包括氮化鉭、鉭、鈦、氮化鈦、鎢、銅、或其它適合的材質(zhì)703。此顯示于第7圖中。
正如第6圖所示的一樣，在通孔底部704之正蝕刻率可以被達(dá)成，而同時也可將第二材質(zhì)(中性金屬)702沉積于位在其它區(qū)域(例如，場(field)、溝渠底部、以及逐漸變細(xì)的側(cè)壁)之第一材質(zhì)的頂部。較佳地是，此程序系將對第一金屬層以及底下IDL的損害減到最小，因而造成在逐漸變細(xì)的通孔周圍較平坦及較佳的金屬覆蓋。
第8A圖系為描述分別使用已知技術(shù)方法(左邊)以及本發(fā)明實(shí)施例(右邊)所產(chǎn)生之兩個示范性晶圓之效能的實(shí)際I-V沖撞(rmping)測試結(jié)果，而第8A圖系為描述分別使用已知技術(shù)方法(左邊)以及本發(fā)明實(shí)施例(右邊)所產(chǎn)生之兩個示范性晶圓之效能的實(shí)際時間相依介電崩潰(time-dependent dielectric breakdown，TDDB)測試結(jié)果。第8A圖以及第8B圖系舉例說明了，本發(fā)明實(shí)施例所產(chǎn)生之晶圓的介電崩潰行為要較好的抗性。
第3B圖系為描述分別使用已知技術(shù)方法(左邊)以及本發(fā)明實(shí)施例(右邊)所準(zhǔn)備之晶圓的側(cè)壁、硬屏蔽、以及蝕刻輪廓特征的樣品剖面輪廓顯微照相圖。使用已知技術(shù)(左邊、箭頭)所準(zhǔn)備之逐漸變細(xì)的側(cè)壁系受到重大的損害，而使用根據(jù)本發(fā)明之一實(shí)施例(右邊、箭頭)所準(zhǔn)備之逐漸變細(xì)的側(cè)壁則顯示出其受到的損害少了相當(dāng)多，并且外觀上也較平滑。
雖然本發(fā)明在此系以特殊實(shí)施例做為參考而加以敘述，但是可以了解的是，這些僅是本發(fā)明之原則以及應(yīng)用的舉例說明，因此可以了解的是，對于實(shí)施例眾多的修飾以及其它排列的設(shè)計都將不脫所附權(quán)利要求所定義之本發(fā)明的精神及范圍。
權(quán)利要求
1.一種在一單一沉積反應(yīng)室中制造一半導(dǎo)體裝置的方法，其中該半導(dǎo)體裝置系具有一介電結(jié)構(gòu)，該制造方法包括下列步驟(a)圖案化該介電結(jié)構(gòu)，以形成一暴露一底下金屬導(dǎo)體表面之開口；(b)于該已圖案化之介電結(jié)構(gòu)之上，選擇性地沉積一或多初始金屬層；以及(c)透過一濺鍍蝕刻程序而移除原生氧化物以及同時沉積中性金屬。
2.根據(jù)權(quán)利要求第1項所述之方法，其中沉積在該介電結(jié)構(gòu)上之該一或多初始金屬層系包括選自氮化鉭(TaN)、鉭(Ta)、鈦(Ti)、氮(硅)化鈦(Ti(Si)N)、以及鎢(W)其中之一或多材質(zhì)。
3.根據(jù)權(quán)利要求第1項所述之方法，其中該濺鍍蝕刻程序系使用選自氬(Ar)、氦(He)、氖(Ne)、氙(Xe)、氮(N2)、氫(H2)、氨(NH3)以及聯(lián)胺(N2H2)的氣體。
4.根據(jù)權(quán)利要求第1項所述之方法，其中沉積在該介電結(jié)構(gòu)上之該一或多初始金屬層的厚度范圍系介于10至500埃之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求第1項所述之方法，其更包括在該介電結(jié)構(gòu)上沉積一或多另一材質(zhì)。
6.根據(jù)權(quán)利要求第5項所述之方法，其中沉積在該介電結(jié)構(gòu)上之該一或多另一材質(zhì)系包括襯墊材質(zhì)。
7.根據(jù)權(quán)利要求第5項所述之方法，其中沉積在該介電結(jié)構(gòu)上之該一或多另一材質(zhì)系包括種子層材質(zhì)。
8.根據(jù)權(quán)利要求第5項所述之方法，其中沉積在該介電結(jié)構(gòu)上之該一或多另一材質(zhì)系包括選自氮化鉭(TaN)、鉭(Ta)、鈦(Ti)、氮(硅)化鈦(Ti(Si)N)、鎢(W)、以及銅(Cu)其中之一或多材質(zhì)。
9.根據(jù)權(quán)利要求第1項所述之方法，其中該濺鍍蝕刻程序系進(jìn)行實(shí)質(zhì)上與該金屬導(dǎo)體之頂部表面相同之深度。
10.根據(jù)權(quán)利要求第1項所述之方法，其中該開口系為一通孔或一溝渠。
11.根據(jù)權(quán)利要求第1項所述之方法，其更包括以銅填滿該開口之步驟。
12.根據(jù)權(quán)利要求第1項所述之方法，其中該濺鍍蝕刻程序系進(jìn)行較該底下金屬導(dǎo)體之表面為深之深度。
13.一種于一濺鍍靶上沉積中性金屬的方法，包括下列步驟在用于移除在底下金屬導(dǎo)體表面上之原生氧化物的一方向性氣體轟擊期間，原位(in situ)沉積該中性金屬。
14.根據(jù)權(quán)利要求第13項所述之方法，其中該中性金屬可以是與該靶相同之材質(zhì)，或是包括選自鉭(Ta)、鈦(Ti)、以及鎢(W)其中之一或多材質(zhì)。
15.根據(jù)權(quán)利要求第13項所述之方法，其中該金屬導(dǎo)體系為選自銅、鎢以及鋁其中之一者。
全文摘要
本發(fā)明系提供一種在一單一沉積反應(yīng)室中制造半導(dǎo)體裝置之方法，而其中該半導(dǎo)體裝置系具有一介電結(jié)構(gòu)，而在該介電結(jié)構(gòu)之上系為使用微影以及蝕刻技術(shù)而被選擇性地圖案化之互連結(jié)構(gòu)。在濺鍍蝕刻程序之前，該介電結(jié)構(gòu)系可藉由擴(kuò)散阻障材質(zhì)而被選擇性地加以覆蓋。此濺鍍蝕刻程序系用于移除在底下之金屬導(dǎo)體表面的原生氧化物，并且包括同時執(zhí)行之方向性氣體轟擊以及中性金屬沉積。擴(kuò)散阻障材質(zhì)亦可以被沉積進(jìn)入該圖案之中。
文檔編號H01L21/768GK1601702SQ200410032489
公開日2005年3月30日 申請日期2004年4月9日 優(yōu)先權(quán)日2003年4月9日
發(fā)明者K·川恩達(dá), L·柯利文格爾, A·考利, 方隼飛, S·格利高, A·H·西蒙, T·斯布恩爾, 王允愈, 楊智超 申請人:因芬尼昂技術(shù)股份公司, 國際商業(yè)機(jī)器公司, 聯(lián)華電子股份有限公司