技術(shù)編號(hào)：6829863
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明系大體而言相關(guān)于半導(dǎo)體晶圓制造。背景技術(shù) 增加半導(dǎo)體晶圓的密度已經(jīng)讓更多的組件被放置在晶圓表面之上，而此則已經(jīng)依次減少了組件可獲得的表面布線面積，這則導(dǎo)致了利用在晶圓上多層次金屬層堆棧的多層次金屬化組合(multilevelmetallization schemes)。一個(gè)典型的堆棧是從對(duì)硅表面的硅化(silicidation)所形成之用以在表面以及金屬層之間產(chǎn)生降低的電阻的阻障層開始。而若鋁被作為金屬層的導(dǎo)電材質(zhì)時(shí)，則該等阻障層可以避免鋁以及硅之間...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。