專利名稱：薄膜晶體管與其制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種薄膜晶體管與其制作方法，尤其涉及一種可避免源極/漏極漏電流的非晶硅薄膜晶體管與其制作方法。
背景技術(shù)：
隨著液晶顯示技術(shù)的快速發(fā)展，液晶顯示面板已廣泛地應(yīng)用于各式電子產(chǎn)品的顯示裝置與平面薄型電視產(chǎn)品等。由于液晶顯示面板需利用一背光模組作為光源，因此必須使用具透光性質(zhì)的襯底來制作，其中又以玻璃襯底最常見。然而由于玻璃無法耐高溫，因此使用玻璃襯底的液晶顯示面板往往使用工藝溫度較低的非晶硅層作為薄膜晶體管的半導(dǎo)體層材質(zhì)。
請參考圖1，圖1為一現(xiàn)有非晶硅薄膜晶體管10的示意圖。如圖1所示，非晶硅薄膜晶體管10包含有一襯底12、一柵極電極14設(shè)置于襯底12的表面、一柵極絕緣層16設(shè)于襯底12上并覆蓋柵極電極14、一非晶硅層18位于柵極絕緣層16的表面、一重摻雜非晶硅層20位于非晶硅層18的上表面的二相對側(cè)邊，以及一源極電極22與一漏極電極24分別位于重摻雜非晶硅層20上。其中柵極電極14、源極電極22與漏極電極24是由金屬材質(zhì)所組成，且非晶硅層18包含有一溝道區(qū)域26。非晶硅層18與重摻雜非晶硅層20一般稱為島狀結(jié)構(gòu)，且設(shè)置于非晶硅層18的溝道區(qū)域26二相對側(cè)邊上表面的重摻雜非晶硅層20的作用在于改善源極電極22以及漏極電極24與非晶硅層18之間的歐姆式接觸。另外，現(xiàn)有非晶硅薄膜晶體管10的島狀結(jié)構(gòu)為一內(nèi)島狀(island-in)結(jié)構(gòu)，亦即非晶硅層18的尺寸小于柵極電極14的尺寸，由此避免非晶硅薄膜晶體管10于實際操作時因受到位于襯底12下方的液晶顯示器背光源(圖未示)的照射產(chǎn)生光漏電流，進而影響開關(guān)特性。
如圖1所示，現(xiàn)有非晶硅薄膜晶體管10的源極電極22和漏極電極24是與非晶硅層18的側(cè)壁部分直接接觸，而由于源極電極22與漏極電極24是由金屬材質(zhì)所構(gòu)成，因此與非晶硅層18的結(jié)28會產(chǎn)生肖特基接觸(schottky contact)。在此狀況下，當一負偏壓施加于柵極電極12時，空穴會向柵極電極12方向聚集，此時若漏極電極24具有一正偏壓，則累積的空穴會由漏極電極24透過結(jié)28流入非晶硅層18并由源極電極22流出，形成漏電流。由于漏極電極24與像素電極電連接，因此此漏電流會造成像素中的儲存電荷流失，導(dǎo)致像素的灰階值產(chǎn)生變化。
有鑒于此，申請人根據(jù)此缺點及依據(jù)多年從事薄膜晶體管制造的相關(guān)經(jīng)驗，悉心觀察且研究，而提出改良的本發(fā)明，可有效抑制漏電流產(chǎn)生，確保薄膜晶體管的開關(guān)特性。

發(fā)明內(nèi)容
因此本發(fā)明的主要目的在于提供一種薄膜晶體管及其制作方法，以避免現(xiàn)有技術(shù)無法克服的難題。
根據(jù)本發(fā)明的一優(yōu)選實施例，揭露了一種薄膜晶體管與其制作方法。上述薄膜晶體管包含有一襯底、一柵極電極設(shè)于該襯底上、一柵極絕緣層設(shè)于該柵極電極上、一內(nèi)島狀結(jié)構(gòu)設(shè)于該柵極絕緣層上，以及一源極電極與一漏極電極分別設(shè)于該內(nèi)島狀結(jié)構(gòu)上方的二相對側(cè)邊。內(nèi)島狀結(jié)構(gòu)由下而上包含有一半導(dǎo)體層、一下重摻雜半導(dǎo)體層與一上重摻雜半導(dǎo)體層，半導(dǎo)體層、下重摻雜半導(dǎo)體層與上重摻雜半導(dǎo)體層的材料可為非晶硅，其中半導(dǎo)體層包含有一溝道區(qū)域，下重摻雜半導(dǎo)體層設(shè)于該半導(dǎo)體層的該溝道區(qū)域的相對兩側(cè)的上表面，上重摻雜半導(dǎo)體層設(shè)于該下重摻雜半導(dǎo)體層上，且上重摻雜半導(dǎo)體層包覆下重摻雜半導(dǎo)體層相對于溝道區(qū)域外的兩側(cè)壁與半導(dǎo)體層相對兩側(cè)的側(cè)壁。源極電極與漏極電極，分別位于溝道區(qū)域相對兩側(cè)的上重摻雜半導(dǎo)體層上，且源極電極與漏極電極未與半導(dǎo)體層直接相連。此外，本發(fā)明制作薄膜晶體管的方法是先提供一襯底，接著于襯底的表面形成一柵極電極，并于襯底與柵極電極的表面依序形成一柵極絕緣層、一半導(dǎo)體層與一下重摻雜半導(dǎo)體層。隨后進行一黃光暨光刻工藝，去除部分下重摻雜半導(dǎo)體層與半導(dǎo)體層，以于柵極絕緣層上形成一內(nèi)島狀結(jié)構(gòu)(island)，且內(nèi)島狀結(jié)構(gòu)包含有一溝道區(qū)域。然后于內(nèi)島狀結(jié)構(gòu)與柵極絕緣層上依序形成一上重摻雜半導(dǎo)體層與一導(dǎo)電層，并進行另一黃光暨光刻工藝，去除部分導(dǎo)電層以于上重摻雜半導(dǎo)體層相對于內(nèi)島狀結(jié)構(gòu)的溝道區(qū)域外的二相對側(cè)邊上形成不相連的一源極電極與一漏極電極。最后再去除未被源極電極與漏極電極覆蓋的上重摻雜半導(dǎo)體層與下重摻雜半導(dǎo)體層，且上重摻雜半導(dǎo)體層包覆下重摻雜半導(dǎo)體層相對于內(nèi)島狀結(jié)構(gòu)的溝道區(qū)域外的二相對側(cè)邊與內(nèi)島狀結(jié)構(gòu)的溝道區(qū)域外的二相對側(cè)邊，其中半導(dǎo)體層、下重摻雜半導(dǎo)體層與上重摻雜半導(dǎo)體層的材料可為非晶硅。
為了讓本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉優(yōu)選實施例，并配合附圖，作詳細說明如下。然而如下的優(yōu)選實施例與附圖僅供參考與說明用，并非用來對本發(fā)明加以限制。


圖1為一現(xiàn)有非晶硅薄膜晶體管的示意圖；圖2為本發(fā)明第一優(yōu)選實施例的非晶硅薄膜晶體管的示意圖；圖3至圖6為制作圖2所示的本發(fā)明第一優(yōu)選實施例的非晶硅薄膜晶體管的方法示意圖；圖7為本發(fā)明第二優(yōu)選實施例的非晶硅薄膜晶體管的示意圖；圖8至圖12為制作圖7所示的本發(fā)明第二優(yōu)選實施例的非晶硅薄膜晶體管的方法示意圖；圖13為本發(fā)明第三優(yōu)選實施例的非晶硅薄膜晶體管的示意圖；圖14至圖17為制作圖13所示的本發(fā)明第三優(yōu)選實施例的非晶硅薄膜晶體管的方法示意圖。
具體實施例方式
請參考圖2，圖2為本發(fā)明第一優(yōu)選實施例的非晶硅薄膜晶體管30的示意圖。如圖2所示，非晶硅薄膜晶體管30包含有一襯底32、一柵極電極34設(shè)置于襯底32上、一柵極絕緣層36設(shè)于襯底32上并包覆柵極電極34、一非晶硅層38位于柵極絕緣層36的表面、一重摻雜非晶硅層40位于非晶硅層38的上表面的二相對側(cè)邊且包覆非晶硅層38的二相對側(cè)壁，以及一源極電極42與一漏極電極44分別位于重摻雜非晶硅層40上。其中襯底32為一玻璃襯底，但不限于此。柵極電極34、源極電極42與漏極電極44是由金屬材質(zhì)所組成，例如鋁。另外，非晶硅層38及重摻雜非晶硅層40的材質(zhì)也可為其它常用的半導(dǎo)體材質(zhì)，本實施例是以非晶硅為例。非晶硅層38包含有一溝道區(qū)域46，且非晶硅層38與重摻雜非晶硅層40一般稱為島狀結(jié)構(gòu)。此外，由于本實施例的非晶硅薄膜晶體管30的非晶硅層38的尺寸小于柵極電極34的尺寸，因此為一內(nèi)島狀(island-in)結(jié)構(gòu)。內(nèi)島狀結(jié)構(gòu)的優(yōu)點在于可避免非晶硅薄膜晶體管30于實際操作時因受到位于襯底32下方的液晶顯示器背光源(未圖示)的照射產(chǎn)生光漏電流，進而影響開關(guān)特性。重摻雜非晶硅層40的作用在于改善源極電極42以及漏極電極44與非晶硅層38之間的歐姆式接觸，其中值得注意的是本發(fā)明非晶硅薄膜晶體管30的重摻雜非晶硅層40除覆蓋于非晶硅層38的溝道區(qū)域46外的上表面兩側(cè)邊位置外，同時向外側(cè)延伸而包覆非晶硅38二相對側(cè)壁，由此使源極電極42與漏極電極44不致直接與非晶硅層38接觸而產(chǎn)生肖特基接觸。如此一來，當柵極電極34接受到一負偏壓且漏極電極44接受到一正偏壓時，本發(fā)明非晶硅薄膜晶體管30便不致產(chǎn)生漏極電極44與源極電極42之間的漏電流。
請參考圖3至圖6，圖3至圖6為制作圖2所示的本發(fā)明第一優(yōu)選實施例的非晶硅薄膜晶體管30的方法示意圖，其中為方便說明，圖3至圖6中使用與圖2相同的標號。如圖3所示，首先提供一襯底32，并于襯底32表面形成一柵極電極34，其中襯底32為一玻璃襯底，但不限于此而可為石英襯底或其他用于制作薄膜晶體管的襯底。柵極電極34是由導(dǎo)電性良好的材質(zhì)，如金屬或多晶硅等，并利用黃光暨蝕刻等方式形成于襯底32上。
如圖4所示，接著于襯底32與柵極電極34的表面依序形成一柵極絕緣層36與一非晶硅層38，其中柵極絕緣層36是由氮化硅、氧化硅或氮氧化硅等材質(zhì)構(gòu)成，用以隔絕柵極電極34與非晶硅層38。如圖5所示，進行一黃光暨蝕刻工藝，去除部分非晶硅層38而保留位于柵極電極34上方的非晶硅層38，且非晶硅層38的尺寸是略小于柵極電極34的尺寸，以形成一內(nèi)島狀結(jié)構(gòu)。隨后于非晶硅層38上依序形成一重摻雜非晶硅層40與一金屬層41。
如圖6所示，接著進行另一黃光暨蝕刻工藝，于金屬層41中形成一缺口43，由此于非晶硅層38的二相對側(cè)邊的上方分別形成一源極電極42與一漏極電極44，并同時去除未被源極電極42與漏極電極44覆蓋的重摻雜非晶硅層40，完成非晶硅薄膜晶體管30的制作，其中缺口43所對應(yīng)的非晶硅層38即為溝道區(qū)域46。另外，去除重摻雜非晶硅層40的步驟可利用形成源極電極42與漏極電極44的掩模層(圖未示)進行蝕刻，或待源極電極42與漏極電極44形成后去除掩模層(圖未示)，并直接利用源極電極42與漏極電極44作為掩模進行蝕刻。
請參考圖7，圖7為本發(fā)明第二優(yōu)選實施例的非晶硅薄膜晶體管50的示意圖。如圖7所示，非晶硅薄膜晶體管50包含有一襯底52、一柵極電極54設(shè)置于襯底52上、一柵極絕緣層56設(shè)于襯底52上并包覆柵極電極54、一非晶硅層58位于柵極絕緣層56的表面且對應(yīng)柵極電極54、一蝕刻停止圖案60覆蓋于非晶硅層58的溝道區(qū)域62的表面、一重摻雜非晶硅層64位于非晶硅層58的溝道區(qū)域62以外的表面上二相對側(cè)邊且包覆蝕刻停止圖案60與非晶硅層58的二相對側(cè)壁，以及一源極電極66與一漏極電極68分別位于重摻雜非晶硅層64的表面。其中襯底52為一玻璃襯底，但不限于此。柵極電極54、源極電極66與漏極電極68由金屬材質(zhì)所組成，例如鋁。非晶硅層58的材質(zhì)也可為其它常用的半導(dǎo)體材質(zhì)，本實施例是以非晶硅為例。另外，本發(fā)明非晶硅薄膜晶體管50的非晶硅層58與重摻雜非晶硅層64為一內(nèi)島狀(island-in)結(jié)構(gòu)。蝕刻停止圖案60的作用在于避免于制作重摻雜非晶硅層64的圖案時造成非晶硅層58的損傷，而重摻雜非晶硅層64的作用在于改善源極電極66以及漏極電極68與非晶硅層58之間的歐姆式接觸，且重摻雜非晶硅層64可部分覆蓋于蝕刻停止圖案60的表面。值得注意的是本發(fā)明非晶硅薄膜晶體管50的重摻雜非晶硅層64除覆蓋于非晶硅層58的溝道區(qū)域62以外的上表面兩側(cè)邊位置外，同時向外側(cè)延伸而包覆非晶硅58二相對側(cè)壁，由此使源極電極66與漏極電極68不致直接與非晶硅層58接觸而產(chǎn)生肖特基接觸。如此一來，當柵極電極54接受到一負偏壓且漏極電極68接受到一正偏壓時，本發(fā)明非晶硅薄膜晶體管50將不致產(chǎn)生漏極電極68與源極電極66之間的漏電流。
請參考圖8至圖12。圖8至圖12為制作圖7所示的本發(fā)明第二優(yōu)選實施例的非晶硅薄膜晶體管50的方法示意圖，其中為方便說明圖8至圖12中使用與圖7相同的標號。如圖8所示，首先提供一襯底52，并于襯底52表面形成一柵極電極54，其中襯底52為一玻璃襯底，但不限于此而可為石英襯底或其他用于制作薄膜晶體管的襯底。柵極電極54是由導(dǎo)電性良好的材質(zhì)，如金屬或多晶硅等，并利用黃光暨蝕刻等方式形成于襯底52上。
如圖9所示，接著于襯底52與柵極電極54的表面依序形成一柵極絕緣層56與一非晶硅層58，其中柵極絕緣層56是由氮化硅、氧化硅或氮氧化硅等材質(zhì)構(gòu)成，用以隔絕柵極電極54與非晶硅層58。如圖10所示，進行一黃光暨蝕刻工藝，去除部分非晶硅層58而保留位于柵極電極54上方的非晶硅層58，且非晶硅層58的尺寸是略小于柵極電極54的尺寸，以形成一內(nèi)島狀結(jié)構(gòu)。隨后于非晶硅層58上形成一蝕刻停止圖案60，用以避免非晶硅層58于后續(xù)制作重摻雜非晶硅層64的圖案時受損。如圖11所示，接著于柵極絕緣層56、非晶硅層58與蝕刻停止圖案60的表面依序形成一重摻雜非晶硅層64與一金屬層65。
如圖12所示，接著進行另一黃光暨蝕刻工藝，于金屬層65中形成一缺口67，由此于非晶硅層58的二相對側(cè)邊的上方分別形成一源極電極66與一漏極電極68，并同時去除未被源極電極66與漏極電極68覆蓋的重摻雜非晶硅層64，完成非晶硅薄膜晶體管50的制作，其中缺口67所對應(yīng)的非晶硅層58即為溝道區(qū)域62。另外，去除重摻雜非晶硅層64的步驟可利用形成源極電極66與漏極電極68的掩模層(未圖示)進行蝕刻，或待源極電極66與漏極電極68形成后去除掩模層(未圖示)，并直接利用源極電極66與漏極電極68作為掩模進行蝕刻。
請參考圖13，圖13為本發(fā)明第三優(yōu)選實施例的非晶硅薄膜晶體管70的示意圖。如圖13所示，非晶硅薄膜晶體管70包含有一襯底72、一柵極電極74設(shè)置于襯底72的表面、一柵極絕緣層76設(shè)于襯底72上并包覆柵極電極74、一非晶硅層78相對于柵極電極74設(shè)置于柵極絕緣層76上、一下重摻雜非晶硅層80位于非晶硅層78的溝道區(qū)域82以外的表面上二相對側(cè)邊、一上重摻雜非晶硅層84設(shè)于下重摻雜非晶硅層80的上表面，并同時向外側(cè)延伸而包覆下重摻雜非晶硅層80的側(cè)壁與非晶硅層78的側(cè)壁，以及一源極電極86與一漏極電極88分別位于上重摻雜非晶硅層84的表面。其中襯底72為一玻璃襯底，但不限于此。柵極電極74、源極電極86與漏極電極88是由金屬材質(zhì)所組成，例如鋁。另外，非晶硅層78、下重摻雜非晶硅層80與上重摻雜非晶硅層84構(gòu)成一內(nèi)島狀(island-in)結(jié)構(gòu)。其中下重摻雜非晶硅層80與上重摻雜非晶硅層84的作用在于改善源極電極86以及漏極電極88與非晶硅層78之間的歐姆式接觸，而本實施例非晶硅薄膜晶體管70具有二重摻雜非晶硅層的作用在于，由于下重摻雜非晶硅層80于制作時是直接利用光致抗蝕劑圖案定義，因此其表面狀況會受到微粒等因素的影響，而上重摻雜非晶硅層84是利用源極電極86與漏極電極88定義，因此其表面狀況較佳。在此狀況下，延伸至下重摻雜非晶硅層80的側(cè)壁與非晶硅層78的側(cè)壁的上重摻雜非晶硅層84可使源極電極86與漏極電極88不致直接與非晶硅層78接觸而產(chǎn)生肖特基接觸。如此一來，當柵極電極74接受到一負偏壓且漏極電極88接受到一正偏壓時，本發(fā)明非晶硅薄膜晶體管70不會產(chǎn)生漏極電極88與源極電極86之間的漏電流。
請參考圖14至圖17。圖14至圖17為制作圖13所示的本發(fā)明第三優(yōu)選實施例的非晶硅薄膜晶體管70的方法示意圖，其中為方便說明圖14至圖17中使用與圖13相同的標號。如圖14所示，首先提供一襯底72，并于襯底72表面形成一柵極電極74，其中襯底72為一玻璃襯底，但不限于此而可為石英襯底或其他用于制作薄膜晶體管的襯底。柵極電極74是由導(dǎo)電性良好的材質(zhì)，如金屬或多晶硅等，并利用黃光暨蝕刻等方式形成于襯底72上。
如圖15所示，接著于襯底72與柵極電極74的表面依序形成一柵極絕緣層76、一非晶硅層78與一下重摻雜非晶硅層80，其中柵極絕緣層76是由氮化硅、氧化硅或氮氧化硅等材質(zhì)構(gòu)成，用以隔絕柵極電極74與后續(xù)用以作為溝道的非晶硅層78。如圖16所示，進行一黃光暨蝕刻工藝，去除部分下重摻雜非晶硅層80與非晶硅層78而保留位于柵極電極74上方的非晶硅層78與下重摻雜非晶硅層80，且非晶硅層78的尺寸略小于柵極電極74的尺寸，以形成一內(nèi)島狀結(jié)構(gòu)。如圖16所示，接著于柵極絕緣層76與下重摻雜非晶硅層80的表面依序形成一上重摻雜非晶硅層84與一金屬層85。
如圖17所示，接著進行另一黃光暨蝕刻工藝，于金屬層85中形成一缺口87，由此于非晶硅層78的二相對側(cè)邊的上方分別形成一源極電極86與一漏極電極88，并同時去除未被源極電極86與漏極電極88覆蓋的上重摻雜非晶硅層84與下重摻雜非晶硅層80，完成非晶硅薄膜晶體管70的制作，其中缺口87所對應(yīng)的非晶硅層78即為溝道區(qū)域82。另外，去除上重摻雜非晶硅層84與下重摻雜非晶硅層80的步驟可利用形成源極電極86與漏極電極88的掩模層(圖未示)進行蝕刻，或待源極電極86與漏極電極88形成后去除掩模層(圖未示)，并直接利用源極電極86與漏極電極88作為掩模進行蝕刻。
上述本發(fā)明的各實施例皆以非晶硅薄膜晶體管與其制作方法來說明本發(fā)明的特點，主要是基于非晶硅薄膜晶體管容易由于金屬電極(源極電極與漏極電極)與非晶硅層(半導(dǎo)體層)的接觸而產(chǎn)生漏電流，然而本發(fā)明的應(yīng)用并不局限于此。其他材質(zhì)的半導(dǎo)體層與金屬電極的結(jié)若有如肖特基接觸等情形產(chǎn)生而導(dǎo)致漏電流的情況，皆可應(yīng)用本發(fā)明薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)以降低漏電流。
相較于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明的非晶硅薄膜晶體管作為溝道的非晶硅層是被一重摻雜非晶硅層所包覆，因此非晶硅層并未與源極電極和漏極電極直接接觸，因此有效避免現(xiàn)有非晶硅薄膜晶體管的源極電極與漏極電極間漏電流的缺點。
以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實施例，凡依本發(fā)明權(quán)利要求所做的均等變化與修飾，皆應(yīng)屬本發(fā)明的涵蓋范圍。
權(quán)利要求
1.一種薄膜晶體管，包括一襯底；一柵極電極，形成于該襯底上；一柵極絕緣層，形成于該襯底上且覆蓋該柵極電極；一島狀結(jié)構(gòu)，設(shè)于該柵極絕緣層上，該島狀結(jié)構(gòu)包括一半導(dǎo)體層，相對于該柵極電極形成于該柵極絕緣層上，該半導(dǎo)體層包括一溝道區(qū)域；以及一上重摻雜半導(dǎo)體層，形成于該半導(dǎo)體層上并包覆該半導(dǎo)體層的該溝道區(qū)域外的相對兩側(cè)的側(cè)壁；以及一源極電極與一漏極電極，分別形成于相對該溝道區(qū)域兩側(cè)的該上重摻雜半導(dǎo)體層的上方。
2.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其中該半導(dǎo)體層的尺寸小于該柵極電極的尺寸。
3.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其中該半導(dǎo)體層包括一非晶硅層。
4.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其中該上重摻雜半導(dǎo)體層是一重摻雜非晶硅層。
5.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其中該島狀結(jié)構(gòu)還包括一蝕刻停止圖案，形成于該半導(dǎo)體層與該上重摻雜半導(dǎo)體層之間。
6.如權(quán)利要求5所述的薄膜晶體管，其中該上重摻雜半導(dǎo)體層包覆該蝕刻停止圖案的二相對側(cè)壁。
7.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其中該島狀結(jié)構(gòu)還包括一下重摻雜半導(dǎo)體層，形成于該半導(dǎo)體層與該上重摻雜半導(dǎo)體層之間且相對該溝道區(qū)域的二相對側(cè)邊。
8.如權(quán)利要求7所述的薄膜晶體管，其中該上重摻雜半導(dǎo)體層包覆該下重摻雜半導(dǎo)體層相對于該溝道區(qū)域外的兩側(cè)壁與該半導(dǎo)體層相對兩側(cè)的側(cè)壁。
全文摘要
本發(fā)明主要是提供一種薄膜晶體管，其包括有一半導(dǎo)體層、一下重摻雜半導(dǎo)體層與一上重摻雜半導(dǎo)體層構(gòu)成的內(nèi)島狀結(jié)構(gòu)。其中下重摻雜半導(dǎo)體層設(shè)于半導(dǎo)體層的溝道區(qū)域外的相對兩側(cè)的上表面，而上重摻雜半導(dǎo)體層設(shè)于下重摻雜半導(dǎo)體層上且包覆下重摻雜半導(dǎo)體層相對于溝道區(qū)域外的兩側(cè)壁與半導(dǎo)體層相對兩側(cè)的側(cè)壁，由此源極電極與漏極電極未與半導(dǎo)體層直接相連。
文檔編號H01L29/786GK1624933SQ200410011588
公開日2005年6月8日 申請日期2004年12月21日 優(yōu)先權(quán)日2004年12月21日
發(fā)明者陳紀文, 張鼎張, 劉柏村, 甘豐源 申請人:友達光電股份有限公司