專利名稱：電致發(fā)光顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電致發(fā)光顯示裝置，尤其涉及各像素具有像素選擇用晶體管、及用于電流驅(qū)動電致發(fā)光組件的驅(qū)動用晶體管的電致發(fā)光顯示裝置。
背景技術(shù)：
近幾年來，使用有機電致發(fā)光(Oganic Electro Luminescence下稱“有機EL”)組件的有機EL(電致發(fā)光)顯示裝置，作為替代CRT(陰極射線管)及LCD(液晶顯示器)的顯示裝置而受人注目。尤其是已開發(fā)出具有作為驅(qū)動有機EL組件的開關(guān)(switching)組件的薄膜晶體管(TFT)(Thin Film Transistor，以下簡稱“TFT”)，開發(fā)出有機EL顯示裝置。
圖4表示有機EL顯示面板內(nèi)的一像素的等效電路圖。唯于有機EL顯示面板的中，是將該像素多個配置成n列m行的矩陣，供應(yīng)柵極信號Gn的柵極信號線10，與供應(yīng)顯示信號Dm的漏極信號線11相互交叉。
再在該兩信號線交叉點附近，配置有機EL組件12及驅(qū)動該有機EL組件12的驅(qū)動用薄膜晶體管(TFT)13，及用于選擇像素的像素選擇用薄膜晶體管(TFT)14。
在驅(qū)動用薄膜晶體管(TFT)13的源極13s，是由電源線15而供應(yīng)正電源電壓PVdd。將該漏極13d連接在有機EL組件12的陽極，且在有機EL組件12的陰極，供應(yīng)負(fù)電源電壓CV。
對像素選擇用薄膜晶體管(TFT)14的柵極，是由連接于該柵極的柵極信號線10而供應(yīng)柵極信號Gn，且于該漏極14d連接漏極信號線11，而供應(yīng)顯示信號Dm。像素選擇用薄膜晶體管(TFT)14的源極14s是連接于驅(qū)動用薄膜晶體管(TFT)13的柵極13g。此時，該柵極信號Gn是由未附圖的垂直驅(qū)動電路輸出。顯示信號Dm即由未附圖的水平驅(qū)動電路輸出。
再在驅(qū)動用薄膜晶體管(TFT)13的柵極13g，連接保持電容器Cs。由該保持電容器Cs保持對應(yīng)于顯示信號Dm的電荷，為保持1圖場(field)期間的顯示像素的顯示信號而設(shè)。
下面說明上述構(gòu)成的EL顯示裝置的動作，當(dāng)柵極信號Gn于一水平期間為“高”電平時、像素選擇用薄膜晶體管(TFT)14即導(dǎo)通。由此，顯示信號Dm從漏極信號線11經(jīng)由像素選擇用薄膜晶體管(TFT)14施加于驅(qū)動用薄膜晶體管(TFT)13的柵極13g。
然后，對應(yīng)于供應(yīng)至柵極13g的顯示信號Dm，驅(qū)動用薄膜晶體管(TFT)13的電導(dǎo)(conductance)變化，而將對應(yīng)于此的驅(qū)動電流經(jīng)由驅(qū)動用薄膜晶體管(TFT)13供于有機EL組件12，使有機EL組件12燃亮。對應(yīng)供應(yīng)至該柵極13g的顯示信號Dm，在驅(qū)動用薄膜晶體管(TFT)13為斷開狀態(tài)時，因驅(qū)動用薄膜晶體管(TFT)13中沒有電流流動，而有機EL組件12熄滅。
現(xiàn)在，像素選擇用薄膜晶體管(TFT)14，以N溝道型構(gòu)成，且將驅(qū)動用薄膜晶體管(TFT)13則以P溝道型構(gòu)成。
該相關(guān)的現(xiàn)有技術(shù)文獻，例如有以下的專利文獻1。
專利文獻特開2002-175029號公報。
現(xiàn)有就像素選擇用薄膜晶體管(TFT)14，為防止由斷開(off)時所流動的泄漏電流而使柵極13g電位變動，為減低相關(guān)泄漏電流，多采用LDD低濃度摻雜漏極(Lightly Doped Drain)構(gòu)造。關(guān)于驅(qū)動用薄膜晶體管(TFT)13，則通常是采用高濃度的源·漏極構(gòu)造。
因此，即使驅(qū)動用薄膜晶體管(TFT)13是由該柵極電壓而設(shè)定為斷開狀態(tài)，仍有由電源線15僅有的微小驅(qū)動電流(泄漏電流)流通，使有機EL組件12發(fā)出微弱光線，而造成微亮度顯示的問題。該泄漏電流是產(chǎn)生于柵極13g與漏極13d間，或柵極13g與源極13s間。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明鑒于上述問題作出發(fā)明，提供一種EL顯示裝置，此裝置具備多個像素，且在各像素中，具有對應(yīng)于柵極信號選擇各像素的像素選擇用晶體管；電致發(fā)光組件，及對應(yīng)于經(jīng)由上述像素選擇用晶體管供應(yīng)的顯示信號驅(qū)動上述電致發(fā)光組件的驅(qū)動用晶體管，且將上述驅(qū)動用晶體管以LDD構(gòu)造形成。
根據(jù)本發(fā)明的有機EL裝置，將驅(qū)動設(shè)于各像素內(nèi)的有機EL組件的驅(qū)動用晶體管以LDD構(gòu)造形成，因而，該驅(qū)動用晶體管為斷開狀態(tài)時的泄漏電流減少，因此，能夠解決有機EL組件的微弱發(fā)光、微亮度顯示的問題。


圖1為有關(guān)本發(fā)明實施方式的電致發(fā)光顯示裝置的圖案布局圖。
圖2表示驅(qū)動用TFT構(gòu)造的剖面圖。
圖3表示驅(qū)動用TFT構(gòu)造的剖面圖。
圖4為現(xiàn)有例的電致發(fā)光顯示裝置的等效電路圖。
符號說明10柵極信號線；11漏極信號線；12有機EL組件；13驅(qū)動用TFT；13g柵極；13s源極；13d漏極；14像素選擇用薄膜晶體管(TFT)；14g柵極；14s源極；14d漏極；15電源線；20主動層；21，22柵極；21b柵極；22接觸點；23保持電容線；24鋁配線；25接觸孔；26接觸孔；30陽極；31電穴輸送層；32發(fā)光層；33電子輸送層；34陰極；100絕緣基板；101主動層；102柵極絕緣層；103層間絕緣層；104平坦化絕緣膜。
具體實施例方式
將有關(guān)本發(fā)明實施方式的有機EL顯示裝置，參照該附圖等詳細(xì)說明如下圖1為表示該有機EL顯示裝置的一像素圖案布局例的圖(平面圖)。圖2及圖3為圖1中沿X-X線的剖面圖。該有機EL裝置的等效電路是與圖4一樣。
供給柵極信號Gn的柵極信號線10向行方向延伸，而供給顯示信號Dm的漏極信號線11向列方向延伸。這些信號線相互形成立體交叉。柵極信號線10是由鉻層或鉬層等形成，而漏極信號線11由其上層的鋁層等所成。
像素選擇用薄膜晶體管(TFT)14為N溝道型多晶硅TFT。該像素選擇用薄膜晶體管(TFT)14構(gòu)造為在玻璃基板等透明絕緣性基板100上形成的多晶硅層構(gòu)成的主動層20上形成柵極絕緣層，而于該柵極絕緣層上，形成由柵極信號線10延伸的兩柵極電極21、21，由此構(gòu)成雙柵極構(gòu)造。
而該像素選擇用薄膜晶體管(TFT)14的漏極14d，是經(jīng)由接觸點22與漏極信號線11連接。構(gòu)成像素選擇用薄膜晶體管(TFT)14的源極14s的多晶硅層，即延伸于保持電容區(qū)域，而該上層的保持電容線23，通過電容絕緣膜而重迭，且在該重迭部分形成保持電容量Cs。
然后，由像素選擇用薄膜晶體管(TFT)14的源極14s延伸的多晶硅層，經(jīng)由鋁配線24連接于驅(qū)動用TFT13的柵極13g。
驅(qū)動用TFT13為P溝道型多晶硅TFT，具有LDD構(gòu)造。關(guān)于該驅(qū)動用TFT13的構(gòu)造，參照第2及圖3細(xì)說明。首先，說明圖2所示的驅(qū)動用TFT13的構(gòu)造。
在玻璃基板等的透明的絕緣性基板100上形成的由多晶硅層構(gòu)成的主動層101上，形成柵極絕緣層102。柵極絕緣層102是在主動層101上形成氧化硅膜(SiO2)及氮化硅膜(SiNx)依序?qū)臃e而成。例如，該氧化硅膜的膜厚為80nm，而氮化硅膜的膜厚是40nm。
在該柵極絕緣層102上延伸有由鉻或鉬層等所形成的柵極13g。于該柵極13g上，形成層間絕緣層103，再在層間絕緣層103上，形成平坦化絕緣膜104。
在此，在主動層101形成LDD構(gòu)造的源極及漏極，即，源極13s是由相互接觸的鄰接P-層及P+層構(gòu)成。其中，P+層為例如硼摻雜濃度1×1020/cc程度的高濃度層，該P+層經(jīng)由形成于其上的接觸孔25連接在供給正電源PVdd的電源線15。如上所述，P+層是形成于觸接區(qū)域。
另一方面，P-層是由P+層向柵極13g方向延伸，硼摻雜濃度為1×1018/cc程度的低濃度層，P-層形成在對柵極13g邊緣而言離開柵極13g邊緣的位置(僅離開圖中的偏移長度OF)。而該偏移區(qū)域即為不摻雜區(qū)域。由此，得以將柵極13g與源極13s間的泄漏電流更為減低。
又因漏極13d也是由相接觸的鄰接P-層及P+層所構(gòu)成。該P+層為例如硼摻雜濃度1×1020/cc程度的高濃度層，該P+層是經(jīng)由形成于其上的接觸孔26，連接在有機EL組件12的陽極30。如上所述，P+層是形成于觸接區(qū)域。
另一方面，P-層是由P+層向柵極13g方向延伸，其硼摻雜濃度為1×1018/cc程度的低濃度層。P-層是與源極13s一樣，形成于離開柵極13g邊緣的位置(僅離開圖中的偏移長度OF)。該偏移區(qū)域也為不摻雜區(qū)域。由此，可使柵極13g與源極13s間的泄漏電流更為減低。
于有機EL組件12的陽極30上，層積電穴輸送層31、發(fā)光層32及電子輸送層33，再在其上面形成陰極34。
如上所述，圖2中的驅(qū)動用TFT13，是具有偏移區(qū)域的LDD構(gòu)造。相對與此，圖3中所示的驅(qū)動用TFT13，不具有偏移區(qū)域。在該驅(qū)動用TFT13的構(gòu)造中，P-層可由離子植入而對柵極13g的邊緣形成自動對準(zhǔn)地形成。
權(quán)利要求
1.一種電致發(fā)光顯示裝置，是具有多個像素，而各該像素是具備對應(yīng)于柵極信號選擇各像素的像素選擇用晶體管；電致發(fā)光組件，及對應(yīng)于經(jīng)由上述像素選擇用晶體管供應(yīng)的顯示信號，而驅(qū)動上述電致發(fā)光組件的驅(qū)動用晶體管，而且，上述驅(qū)動用晶體管為P溝道型，其特征在于，同時以LDD構(gòu)造形成。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電致發(fā)光顯示裝置，其特征在于，在上述驅(qū)動用晶體管的主動層設(shè)置偏移區(qū)域。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的電致發(fā)光顯示裝置，其特征在于，上述驅(qū)動用晶體管含有摻有1×1020/cc以上的P型摻雜物，以形成電極的高濃度區(qū)域，及摻有1×1018/cc以下的P型摻雜物，且配置于上述高濃度區(qū)域與溝道區(qū)域間的低濃度區(qū)域。
全文摘要
本發(fā)明提供一種電致發(fā)光顯示裝置，解決有機電場組件的微弱發(fā)光而成為亮度顯示的問題。在形成于玻璃基板等透明絕緣性基板(100)上的多晶硅層所成主動層(101)上，形成柵極絕緣層(102)，另形成在柵極絕緣層(102)上延伸的柵極(13g)于主動層(101)形成低濃度摻雜漏極構(gòu)造(LDD)的源極·漏極。源極(13s)是由相互鄰接而觸接的P
文檔編號H01L27/12GK1527105SQ20041000614
公開日2004年9月8日 申請日期2004年3月2日 優(yōu)先權(quán)日2003年3月3日
發(fā)明者米田清 申請人:三洋電機株式會社