專利名稱：電致發(fā)光器件及其制造技術(shù)
方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及可以在平板顯示器中使用的電致發(fā)光(EL)器件。
背景技術(shù)：
本領(lǐng)域公知的，可以以像素矩陣的形式在平板上使用發(fā)光材料，以提供顯示?？梢允褂玫挠袡C(jī)發(fā)光材料，例如聚亞苯基次亞乙烯(PPV)，其配置在給有機(jī)材料注入電子和空穴的以陽極和陰極形式的下電極和上電極之間，其中電子和空穴結(jié)合并產(chǎn)生光子。PCT/WO90/13148和US4,539,507中描述了有機(jī)發(fā)光材料的實(shí)例。在GB-A-2,347,015，PCT/WO01/39272和PCT/WO02/41400中描述了現(xiàn)有的EL矩陣顯示器的實(shí)例。
EL器件可以在與像素相關(guān)的薄膜晶體管(TFT)的控制下工作，該薄膜晶體管獨(dú)立地開關(guān)像素，例如在EP-A-0717446中描述的實(shí)例。
典型地，在EL器件中，在基板上沉積由氧化銦鈦(ITO)形成的陽電極。然后通過例如噴墨印刷在陽極上沉積有機(jī)發(fā)光聚合物，然后例如通過濺射在有機(jī)聚合物上沉積陰極。該設(shè)置的問題是不能通過常規(guī)的硅光刻和蝕刻技術(shù)來處理有機(jī)聚合物，因?yàn)樗鼍酆衔锊牧蠈?duì)于在常規(guī)的光刻中使用的化學(xué)藥品沒有抵抗性，并且通過暴露于水而剝蝕。
因此，一般地，為了使所述陰極與平板上的電路連接，需要在每個(gè)像素的邊緣或行或列處設(shè)置專門制作的互連。因?yàn)槠溥^度地使電路復(fù)雜化，所以是不利的。例如在共同未決的GB0130411.2中，描述了一種設(shè)置，其中對(duì)于單個(gè)像素，多個(gè)EL顯示器件串聯(lián)。其具有減小高壓降的優(yōu)點(diǎn)，該高壓降沿像素的電源線產(chǎn)生，但具有一個(gè)缺點(diǎn)，即二極管間的串聯(lián)需要復(fù)雜的掩模和制造技術(shù)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供了器件和制造方法，其中通過有機(jī)發(fā)光材料來制作連接。
依照本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了一種EL器件，其包括基板，基板上的發(fā)光結(jié)構(gòu)，所述發(fā)光結(jié)構(gòu)包括設(shè)置在第一和第二電極層之間的有機(jī)發(fā)光材料，所述第一和第二電極層，用于將電荷載流子供給到所述有機(jī)材料中，以使其發(fā)光，所述第一和第二電極層分別位于所述有機(jī)發(fā)光材料的下面和上面，以及導(dǎo)電區(qū)域，位于基板上所述發(fā)光結(jié)構(gòu)的下面，第二上面的電極層和所述下面的導(dǎo)電區(qū)域通過有機(jī)發(fā)光材料的厚度電連接。
可以在基板上構(gòu)造晶體管，該晶體管具有與第一下面的電極連接的源極漏極通路，用于控制流過該發(fā)光結(jié)構(gòu)的電流。
所述第二電極可以以多個(gè)不同的方式與所述下面的導(dǎo)電區(qū)域連接。在一個(gè)實(shí)施例中，將所述下面的導(dǎo)電區(qū)域在其區(qū)域中以排斥所述有機(jī)發(fā)光材料的方式進(jìn)行處理，所述第二電極通過所述有機(jī)發(fā)光材料的厚度橫向延伸，以便在所處理的區(qū)域中與所述下面的導(dǎo)電區(qū)域電連接。
在另一個(gè)實(shí)施例中，形成具有導(dǎo)電性凸起的所述下面的導(dǎo)電區(qū)域由，所述凸起通過有機(jī)發(fā)光材料的厚度延伸，所述第二電極與所述凸起電連接。
在進(jìn)一步的實(shí)施例中，所述有機(jī)發(fā)光材料在覆蓋所述第二導(dǎo)電區(qū)域的區(qū)域中被損害，且所述第二電極通過所述損害的區(qū)域與所述下面的導(dǎo)電區(qū)域電連接。
本發(fā)明能使發(fā)光結(jié)構(gòu)在例如單個(gè)像素內(nèi)串聯(lián)。在依照本發(fā)明的具有第一和第二所述發(fā)光結(jié)構(gòu)的器件中，可以設(shè)置所述連接以便于對(duì)于第一發(fā)光結(jié)構(gòu)，第二上面的電極層與第一下面的導(dǎo)電區(qū)域連接，而對(duì)于第二發(fā)光結(jié)構(gòu)，所述第一下面的電極層與所述第一下面的導(dǎo)電區(qū)域連接。
本發(fā)明還包括一種制造EL器件的方法，包括在基板上制造發(fā)光結(jié)構(gòu)，所述發(fā)光結(jié)構(gòu)包括設(shè)置在第一和第二電極層之間的有機(jī)發(fā)光材料，所述第一和第二電極層用于將電荷載流子供給到所述有機(jī)材料中，以使其發(fā)光，所述第一和第二電極層分別位于所述有機(jī)發(fā)光材料的下面和上面，以及導(dǎo)電區(qū)域，在基板上所述發(fā)光結(jié)構(gòu)的下面，在第二上面的電極層和所述下面的導(dǎo)電區(qū)域之間通過有機(jī)發(fā)光材料的厚度形成電連接。


為了更全面地理解本發(fā)明，現(xiàn)在將通過參照附圖舉例的方式描述其實(shí)施例，其中圖1是依照本發(fā)明的EL器件的示意性平面圖；圖2是圖1中所示的器件像素的示意性電路圖；圖3是圖2中所示的所述像素的示意性平面圖；圖4是沿圖3的線A-B的示意性截面視圖；圖5A-D示出了制造圖3和4中所示的器件的步驟；圖6示出了使圖4器件的子像素互連的第一可選擇方式；以及圖7示出了在子像素間形成連接的第二可選擇方式。
具體實(shí)施例方式
參照?qǐng)D1和2，有源矩陣EL器件包括形成在基板1上的像素Px，y的矩形陣列，該基板1包括透明玻璃片或塑料材料的基板。在示意性示出的y驅(qū)動(dòng)器電路2的控制下，該像素被提供以來自列導(dǎo)體y0，y1，...的數(shù)據(jù)。通過行地址線a0，a1，...可以單獨(dú)尋址像素的單個(gè)行。行供給線s0，s1，...給像素的行提供電流供給。通過示意性示出的x驅(qū)動(dòng)器電路3來驅(qū)動(dòng)行線。為了簡便，圖1中僅僅示出了一些像素，而在實(shí)際中存在幾百個(gè)像素的行和列。
圖2中更加詳細(xì)地示出了單個(gè)像素P0，0，其將理解為陣列的其它像素為相類似的構(gòu)造。該像素包含在晶體管T1的控制下充電的電容器C。電容器C上的電荷控制晶體管T2的工作，該晶體管T2具有與三個(gè)發(fā)光二極管LED1，2和3串聯(lián)的源極/漏極通路，三個(gè)發(fā)光二極管本身在電源線s0和地線之間串聯(lián)。
使用時(shí)，將數(shù)據(jù)一行一行地寫入單個(gè)像素的電容器C。考慮到像素P0，0，給行地址線a0施加行地址信號(hào)，其接通晶體管T1的源極/漏極通路，以致電容器C根據(jù)列線y0上的數(shù)據(jù)值充電到一定水平。晶體管T2用作電流源，以致電流通過串聯(lián)的發(fā)光二極管LED1，2和3從電源線s0流到地，所述電流是由電容器C存儲(chǔ)的電荷水平的函數(shù)。當(dāng)刷新電容器C上的電荷時(shí)，LED保持發(fā)光直到隨后的行地址周期。
在每個(gè)像素中具有串聯(lián)的LED其優(yōu)點(diǎn)在于，與單個(gè)LED相比減小了通過它們汲取的電流，其減小了沿電源線s發(fā)生的電壓降，由此提高了跨過其矩陣的單個(gè)像素的光輸出的均勻性。單個(gè)LED1，2，3可以都產(chǎn)生相同的顏色，如原色，例如紅色光，并且相鄰的像素可以含有產(chǎn)生不同原色的串聯(lián)的LED，以致通過混合它們不同顏色的輸出可以控制所產(chǎn)生光的顏色。
現(xiàn)在將參照?qǐng)D3和4更加詳細(xì)地描述LED1，2和3之間的串聯(lián)。
參照?qǐng)D3，在平面圖中示出了像素P0，0位于數(shù)據(jù)列線y0，y1與地址線和電源線a0，s0和a1，s1之間。像素P0，0包含晶體管T1和T2，電容器C和三個(gè)發(fā)光二極管LED1-3。如在之后更詳細(xì)描述的，發(fā)光二極管由所謂的“圍場”(paddo)4所限制。
晶體管T1具有以本領(lǐng)域中公知的方式形成在多晶硅跡線5中的源極S1和漏極D1。晶體管的柵極G1耦合到地址線a0。多晶硅跡線5與導(dǎo)電金屬跡線6相連，該導(dǎo)電金屬跡線可以由鋁(1％)T1形成，通過光刻和蝕刻來確定。跡線6形成了晶體管T2的柵極G2，還提供了與電容器C的連接。
圖4的截面圖示出了對(duì)于像素P0，0，LED1，2和3與晶體管T2的源極/漏極通路之間的串聯(lián)。所述像素形成在玻璃基板1上，其通過常規(guī)的PECVD技術(shù)沉積氮化硅7的層至100nm的厚度來制備。之后，該二氧化硅層8生長到300-400nm的厚度。
通過一般常規(guī)的技術(shù)在基板上形成薄膜晶體管T2。晶體管T2包含通過常規(guī)的光刻和蝕刻確定的多晶硅溝道9。如本領(lǐng)域中公知的，溝道可以是40nm量級(jí)的厚度，最初沉積為非晶硅層，其隨后例如通過使用準(zhǔn)分子激光退火，以將其轉(zhuǎn)變?yōu)槎嗑Ч璨⑻峁┚w管的源極/漏極溝道。溝道9由絕緣二氧化硅層10覆蓋，其形成了厚度例如為40-150nm的柵絕緣體。然后以本領(lǐng)域熟練技術(shù)人員公知的方式，形成金屬柵極G2，并注入和激活源極和漏極區(qū)域。由沉積厚度為200-500nm的另一層二氧化硅11覆蓋柵極氧化層10。
二氧化硅層11由ITO層12覆蓋至100-200nm的厚度，并通過常規(guī)的光刻和蝕刻技術(shù)適當(dāng)構(gòu)圖，以形成提供串聯(lián)的發(fā)光二極管LED1，2和3之間互連的分離的接觸焊盤12-1，12-2和12-3。所述接觸焊盤12a通過孔13與晶體管T2的漏極區(qū)域D2連接?？蛇x擇地，可使用金屬帶(沒有示出)來連接D2至ITO區(qū)域12-1。類似的孔14提供了電源導(dǎo)軌s0和晶體管源極S2之間的連接。電源線s0由金屬形成，以提供充分的導(dǎo)電通路，并且前述的帶可以作為與電源線相同的沉積步驟的一部分形成。
ITO接觸區(qū)域12由串聯(lián)的LED所覆蓋，其形成在例如沉積厚度為500-1000nm的二氧化硅的支撐材料層15的凹口內(nèi)。
LED包含發(fā)光材料層16的單個(gè)部分。層16可以包括PPV，但是也可以使用本領(lǐng)域熟練技術(shù)人員熟知的其它有機(jī)發(fā)光材料。實(shí)際上，所述層16可以包括雙子層，也就是覆蓋ITO層12的PEDOT聚合物，其本身由PPV所覆蓋。該P(yáng)EDOT增加了來自ITO層12的空穴注入。該P(yáng)EDOT是水溶性的。單個(gè)LED的陰極由反射導(dǎo)電材料層17形成，為了良好的電子注入，通常為高功函數(shù)金屬?？梢允褂免}，鋇和鋁/鋇合金。理想的是提供透明的陰極，以使光可以向上發(fā)射，在該情形中陰極可以包括頂端具有ITO的薄金屬。通過濺射或物理汽相沉積(PVD)沉積所述陰極。LED通過前述的“圍場”4彼此間電隔離，其包括由光致抗蝕劑或確定的聚合物制成的電絕緣阻擋層。如圖4中所示，圍場4形成在支撐層15上，以具有提高高度的厚度。(圍場是蘑菇的荷蘭語單詞，可以認(rèn)為是描述阻擋層4一般特性的技術(shù)術(shù)語，如在后面將會(huì)更加詳細(xì)地解釋)。
因此，二極管LED1包括下面的陽極區(qū)域12-1，有機(jī)發(fā)光材料的區(qū)域16-1和由金屬層17形成的上面的陰極17-1。
二氧化硅層15還包含使LED1的陰極17-1與下面的LED2的陽極12-2在接觸區(qū)域19-1中電接觸的凹口18-1，以建立二極管LED1和LED2之間的串聯(lián)連接。
二極管LED2和LED3類似地串聯(lián)。二極管的各個(gè)組件在圖4中分別用下標(biāo)2和3示出，所以LED2包括陽極12-2，PPV區(qū)域16-2和陰極17-2，LED3包括陽極12-3，PPV區(qū)域16-3和陰極17-3。
現(xiàn)在將參照?qǐng)D5詳細(xì)描述制造所述器件的方法。參照?qǐng)D5A，如前述的通過PECVD工序沉積氮化硅層7和上面的二氧化硅層8來制備基板1。然后，通過PECVD沉積非晶硅層9，然后例如通過準(zhǔn)分子激光退火，以將層9轉(zhuǎn)變?yōu)槎嗑Ч?。通過常規(guī)的光刻和蝕刻將層9構(gòu)圖，以確定溝道區(qū)域9。然后，生長二氧化硅層10到40-150nm的厚度。對(duì)于進(jìn)一步的細(xì)節(jié)，直接參照S.D.Brotherton，J.D.McCulloch，1997年11月15日的J.Appl.Phys.82(8)。
之后，通過濺射沉積將Al(1％)T1層6沉積到0.5-1μm的厚度。然后使用常規(guī)的光刻和蝕刻技術(shù)將所產(chǎn)生的金屬層構(gòu)圖，以確定圖5A中所示的柵極區(qū)域G2。
柵極區(qū)域G2可以用作自對(duì)準(zhǔn)掩模，以本身公知的方式使n+摻雜物沉積在溝道9的源極和漏極區(qū)域S2，D2中。
參照?qǐng)D5B，通過PECVD來沉積二氧化硅層11，并通過常規(guī)的光刻和蝕刻形成孔13，14。
然后如圖5C中所示的，沉積ITO層12以覆蓋層11，且還延伸到孔13中，以提供漏極連接。此外，沉積電源線s0以延伸到孔14c中，以提供源極連接。
然后用層20涂覆層12，其對(duì)層16的的材料是排斥的，即PEDOT和PPV。在該實(shí)例中，排斥層20包括不容易氧化的金屬薄膠邊(thinflash)，例如通過PVD或本領(lǐng)域中其它公知的技術(shù)沉積的銀或金。然后通過常規(guī)的光刻和蝕刻將ITO層12和排斥層20構(gòu)圖，以提供單個(gè)的接觸區(qū)域12-1，12-2和12-3。
然后通過PECVD沉積氧化物層15，并通過常規(guī)的光刻和蝕刻構(gòu)圖，從而包含如圖5D中所示的凹口21-25。在兩個(gè)分別的組中蝕刻凹口21-25。最初，形成凹口21，23和25，并通過蝕刻工序在每個(gè)凹口的基底暴露接觸區(qū)域12-1，12-2和12-3。凹口21，23和25中暴露的接觸區(qū)域具有對(duì)發(fā)光層16排斥的材料20的涂層。然而，將該有機(jī)發(fā)光層16施加到凹口21，23和25中，并因此需要將其制備以接收該發(fā)光材料。為此，通過常規(guī)的蝕刻技術(shù)除掉凹口21，23和25底部處的排斥涂層的暴露區(qū)域20-1，20-3和20-5。
此外，處理凹口21，23和25的側(cè)壁，以便通過隨后施加的層構(gòu)造16來提高潤濕性。通過涂覆底料，例如HMDS(六甲基二硅胺)，氧氣等離子體曝光或UV臭氧(UVO)曝光來執(zhí)行所述的潤濕性提高。
施加沒有示出的抗蝕劑以便保護(hù)凹口21，23和25，然后將凹口22和24蝕刻到二氧化硅層15中。所述蝕刻暴露了對(duì)層16排斥的涂層20的區(qū)域20-2和20-4。在形成凹口22，24之后除去所述抗蝕劑。然后，通過PECVD沉積SiO2和選擇性的蝕刻，圍繞形成圖5D中所示和圖3平面圖中所示的形成LED1和LED2區(qū)域的周邊，形成圍場4。
然后在凹口21，23和25中形成LED1，2和3，現(xiàn)在將說明在凹口22和24中制作二極管之間的串聯(lián)陰極連接。
參照?qǐng)D5E，所述層16可以由例如本領(lǐng)域中公知的旋轉(zhuǎn)涂布和噴墨印刷來涂覆。如前面所解釋的，這可以包括上面的PEDOT和PPV子層。
圍場4將層16分為分別對(duì)于二極管LEDl，2和3的單個(gè)區(qū)域16-1，16-2和16-3。區(qū)域16-1，16-2和16-3彼此電絕緣。通過前述潤濕性的提高，區(qū)域16-1覆蓋了凹口21的壁，但由于排斥涂層20的區(qū)域20-2的排斥作用，沒有覆蓋凹口22的壁，結(jié)果，接觸區(qū)域19-1沒有被層區(qū)域16-1覆蓋。類似地，通過潤濕性的提高，層區(qū)域16-2覆蓋了凹口23的壁，但由于區(qū)域20-4的排斥作用，沒有覆蓋接觸區(qū)域19-2。通過前述潤濕性的提高，層區(qū)域16-3覆蓋了凹口25的側(cè)壁。
之后，例如通過濺射或PVD來涂覆金屬層17，從而獲得了圖4中所示的構(gòu)造。圍場4的作用是打斷層17的連續(xù)性，以圍繞二極管LED1和LED2的周邊設(shè)置電絕緣阻擋層壁。如此構(gòu)造所述圍場，即其上表面比其基底寬，結(jié)果，沉積層17在其覆蓋圍場的地方斷裂，并且圍場壁的橫截面形狀抑制了連續(xù)層的形成，由此在層17中產(chǎn)生了斷裂，且區(qū)域17-1，2和3彼此電隔離。對(duì)于使用圍場的實(shí)例的進(jìn)一步細(xì)節(jié)，直接參照2002年5月23日公開的我們的WO02/41400 A1。
因此，從圖4可以看出，陰極區(qū)域17-1覆蓋了LED1中的PPV區(qū)域16-1，并跨過PPV區(qū)域16-1的厚度還延伸進(jìn)凹口18-1中，并在接觸區(qū)域19-1中形成了與下面的ITO區(qū)域12-2的電接觸。因此，陰極17-1形成了與LED2的下面的陽極區(qū)域19-1的接觸，由此，在兩個(gè)二極管之間提供了串聯(lián)。類似地，LED2與二極管LED3串聯(lián)，這是因?yàn)樯厦娴年帢O17-2LED2跨過PPV區(qū)域16-2的厚度橫向延伸進(jìn)凹口18-2中，以致在區(qū)域19-2中形成了與LED3的下面的陽極12-3的電接觸。將會(huì)理解到，因?yàn)闈櫇駝┩扛驳綀D5E中所示的凹口21和23，所以PPV區(qū)域不會(huì)粘附到接觸區(qū)域19-1，19-2，以致當(dāng)涂覆陰極層17時(shí)，其形成了通過PPV區(qū)域16-1，16-2厚度的連接，從而提供了二極管之間的串聯(lián)。
可以使用防止PPV層17進(jìn)入凹口21和23的可選擇的方法，圖6示出了第一個(gè)可選擇的方案。接觸區(qū)域19-1的表面以放大的比例示出。處理ITO接觸區(qū)域12-2，以提供表面粗糙度，從而使一系列凸起25形成在ITO層中。在器件的制作過程中，不需要使用排斥層，發(fā)光材料層16-1可以在凹口21的內(nèi)表面上方延伸。然而，凸起26通過層16-1延伸，并形成了與金屬陰極17-1的電連接?？赏ㄟ^使例如200-500nm厚度的厚ITO層12粗糙化，并僅在凹口18-1中將其蝕刻來產(chǎn)生凸起26。適宜的濕蝕刻劑是氯化鐵和鹽酸混合物，盡管還可以使用干蝕刻HCL/HBr混合物。粗糙化的另一個(gè)方法是在ITO層12上沉積金屬，例如鋁，并在凹口的區(qū)域中對(duì)其構(gòu)圖。這將是非常顆粒狀的和粗糙的，且在沉積氧化層15的過程中或通過300-400℃的熱處理來成為刺或小丘。
圖7中示出了另一個(gè)可選擇的方案，其中不使用排斥，但代替地，在凹口18-1中來處理層16-1，從而在區(qū)域27中成為導(dǎo)電性的，以致上面的陰極17-1形成了與接觸凹口18-1的電連接，從而在區(qū)域27中成為導(dǎo)電性的，以致上面的陰極17-1形成了通過導(dǎo)電區(qū)域26與接觸區(qū)域19-1的電連接。
處理層16-1的一個(gè)方式是例如使其變濕，或?qū)⑵鋼诫s離子，例如用鹽溶液，例如在該表面的其余部分由抗蝕劑保護(hù)的同時(shí)，通過將在凹口底端處的層16-1浸在鹽溶液中并將其干燥，而在凹口18-1的底端處選擇性地進(jìn)行潤濕。
因此，所述處理損害了層16的發(fā)光特性，但因?yàn)檫@種損害發(fā)生在光發(fā)射對(duì)于器件的工作無關(guān)緊要的接觸區(qū)域19-1，19-2中，所以其發(fā)光特性不會(huì)退化。
通過閱讀本說明書，其它變化和修改對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說是顯而易見的。這種變化和修改涉及在包含電致發(fā)光器件和其它半導(dǎo)體器件的電子器件及其組件部分的設(shè)計(jì)，制造和使用中已經(jīng)公知的等價(jià)物和其它特征，其可以代替或附加這里已經(jīng)描述的特征使用。
權(quán)利要求
1.一種電致發(fā)光器件，包括基板(11)，在該基板上的發(fā)光結(jié)構(gòu)(LED1，2，3)，所述發(fā)光結(jié)構(gòu)包括設(shè)置在第一和第二電極層(12-1，17-1)之間的有機(jī)發(fā)光材料(16-1，16-2，16-3)，用于將電荷載流子供給到所述有機(jī)材料中以使其發(fā)光，所述第一和第二電極層分別位于所述有機(jī)發(fā)光材料的下面和上面，以及導(dǎo)電區(qū)域(12-2)位于基板上所述發(fā)光結(jié)構(gòu)的下面，所述第二上面的電極層和所述下面的導(dǎo)電區(qū)域通過所述有機(jī)發(fā)光材料的厚度電連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的器件，包含位于基板上的晶體管(T2)，其具有與第一下面的電極(12-1)連接的源極漏極通路，用于控制流過所述發(fā)光結(jié)構(gòu)的電流。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2的器件，其中所述下面的導(dǎo)電區(qū)域(12-2)在其區(qū)域(19-1)中以排斥所述有機(jī)發(fā)光材料的方式進(jìn)行處理，并且所述第二電極(17-1)通過所述有機(jī)發(fā)光材料的厚度橫向延伸，且在所述被處理的區(qū)域中與所述下面的導(dǎo)電區(qū)域電連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2的器件，其中所述下面的導(dǎo)電區(qū)域形成有導(dǎo)電性凸起(26)，其通過有機(jī)發(fā)光材料(16-1)的厚度延伸，所述第二電極(17-1)與所述凸起電連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2的器件，其中所述有機(jī)發(fā)光材料在所述第二導(dǎo)電區(qū)域(12-2)上面的其區(qū)域中受到損害，且所述第二電極通過受損害的區(qū)域與下面的導(dǎo)電區(qū)域電連接。
6.根據(jù)前述任意一項(xiàng)權(quán)利要求的器件，包含第一和第二所述發(fā)光結(jié)構(gòu)，其中對(duì)于第一發(fā)光結(jié)構(gòu)(LED1)，第二上面的電極層(17-1)與第一下面的導(dǎo)電區(qū)域(12-2)連接，且對(duì)于第二發(fā)光結(jié)構(gòu)(LED2)，第一下面的電極層(12-2)與所述第一下面的導(dǎo)電區(qū)域連接，由此發(fā)光結(jié)構(gòu)導(dǎo)電地串聯(lián)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6的器件，其中公共層(12-2)提供對(duì)于所述第一發(fā)光結(jié)構(gòu)的第一下面的導(dǎo)電區(qū)域和所述第二發(fā)光結(jié)構(gòu)的第一電極層。
8.根據(jù)權(quán)利要求6或7的器件，包含至少一個(gè)與所述第一和第二發(fā)光結(jié)構(gòu)串聯(lián)的另外的所述發(fā)光結(jié)構(gòu)(LED3)。
9.一種制造電致發(fā)光器件的方法，包括在基板(11)上制造發(fā)光結(jié)構(gòu)(LED1，2，3)，所述發(fā)光結(jié)構(gòu)包括設(shè)置在第一和第二電極層(12-1，17-1)之間的有機(jī)發(fā)光材料(16-1，16-2，16-3)，用于將電荷載流子供給到所述有機(jī)材料中以使其發(fā)光，所述第一和第二電極層分別位于所述有機(jī)發(fā)光材料的下面和上面，以及導(dǎo)電區(qū)域(12-2)位于基板上所述發(fā)光結(jié)構(gòu)的下面，并通過該有機(jī)發(fā)光材料的厚度在第二上面的電極層和下面的導(dǎo)電區(qū)域之間形成電連接。
10.根據(jù)權(quán)利要求9的方法，包含在其區(qū)域(20-1)中以排斥所述有機(jī)發(fā)光材料的方法來處理所述下面的導(dǎo)電區(qū)域(12-2)，并制造所述第二電極(17-1)，以使其通過所述有機(jī)發(fā)光材料(16-1)的厚度橫向延伸，且在所處理的區(qū)域中與下面的導(dǎo)電區(qū)域(12-2)電連接。
11.根據(jù)權(quán)利要求10的方法，包含使用排斥所述發(fā)光材料的材料(20)涂覆下面的導(dǎo)電區(qū)域。
12.根據(jù)權(quán)利要求11的方法，包含將涂層(20)施加到所述第一下面的電極(12-1)和所述下面的區(qū)域(12-2)，并選擇性地除去所述第一下面的電極上的排斥涂層的部分。
13.根據(jù)權(quán)利要求9到12的任一方法，包含處理所述器件的區(qū)域(21，23，25)，以提高第一電極層(12-1)上發(fā)光層(16)的潤濕性。
14.根據(jù)權(quán)利要求9的方法，包含形成具有導(dǎo)電凸起(26)的下面的導(dǎo)電區(qū)域(121-1)，其通過該有機(jī)發(fā)光材料(16-1)的厚度延伸，且電連接所述第二電極(17-1)與所述凸起。
15.根據(jù)權(quán)利要求9的方法，包含將所述第二導(dǎo)電區(qū)域上面的其區(qū)域(27)中的所述有機(jī)發(fā)光材料處理成為導(dǎo)電性的，并通過所處理的區(qū)域電連接所述第二電極與下面的導(dǎo)電區(qū)域。
16.一種電致發(fā)光器件，由權(quán)利要求9到13中任意一個(gè)所述的方法來制造。
17.一種權(quán)利要求1到8任意一個(gè)所述的電致發(fā)光器件，包含在所述基板上構(gòu)造的所述發(fā)光結(jié)構(gòu)的矩陣(Px，y)。
全文摘要
一種EL器件，包括基板(11)，在該基板上包括三個(gè)串聯(lián)的LED(LED1，2，3)的發(fā)光結(jié)構(gòu)?？紤]到二極管LED1，其包括設(shè)置在下面的ITO陽極(12－1)與上面的陰極(17－1)之間的有機(jī)發(fā)光材料(16－1)，所述下面的陰極通過所述有機(jī)發(fā)光材料(16－1)的厚度與二極管LED2的下面的陽極(12－2)導(dǎo)電性串聯(lián)。通過使用潤濕劑獲得所述連接，以阻止設(shè)置的有機(jī)發(fā)光材料(16－1)覆蓋陽極(12－2)上的接觸區(qū)域(19－1)，從而上面的陰極(17－1)可以與下面的陽極(12－2)串聯(lián)。
文檔編號(hào)H01L27/32GK1711640SQ200380103035
公開日2005年12月21日 申請(qǐng)日期2003年10月30日 優(yōu)先權(quán)日2002年11月12日
發(fā)明者N·D·楊 申請(qǐng)人:皇家飛利浦電子股份有限公司