專利名稱：有機(jī)電致發(fā)光顯示面板裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及有機(jī)電致發(fā)光顯示面板裝置及其制造方法，具體涉及一種具有高孔徑比和分辨率圖像的有機(jī)電致發(fā)光顯示面板裝置及其制造方法。
背景技術(shù)：
通常，有機(jī)電致發(fā)光裝置的發(fā)光機(jī)理都是從陰極向發(fā)射層注入電子，并從陽(yáng)極向發(fā)射層注入空穴，組合電子和空穴產(chǎn)生一個(gè)電子-空穴對(duì)，并使電子-空穴對(duì)從激發(fā)態(tài)轉(zhuǎn)變到基態(tài)。由于有機(jī)電致發(fā)光裝置是自身發(fā)光的，并且不需要額外的光源，與液晶顯示裝置相比，有機(jī)電致發(fā)光裝置尺寸小而且重量輕。有機(jī)電致發(fā)光裝置還具有功耗低、亮度高和響應(yīng)時(shí)間短的優(yōu)點(diǎn)。因此，有許多消費(fèi)類電子產(chǎn)品都采用了有機(jī)電致發(fā)光裝置，例如有蜂窩電話、汽車導(dǎo)航系統(tǒng)(CNSs)、個(gè)人數(shù)字助理(PDAs)、便攜式攝像機(jī)和掌上PCs。另外，有機(jī)電致發(fā)光裝置還因其制造工藝簡(jiǎn)單而能夠降低制造成本。
按照裝置的驅(qū)動(dòng)方式可以將有機(jī)電致發(fā)光裝置劃分成無(wú)源矩陣型和有源矩陣型。與有源矩陣型相比，無(wú)源矩陣型有機(jī)電致發(fā)光裝置具有更加簡(jiǎn)單的結(jié)構(gòu)，并且其制造工藝進(jìn)一步簡(jiǎn)化。然而，無(wú)源矩陣型有機(jī)電致發(fā)光裝置的功耗較高，不宜在大面積顯示器中的使用。此外，在無(wú)源矩陣型有機(jī)電致發(fā)光裝置中，孔徑比隨電線數(shù)量的增多而降低。因此，無(wú)源矩陣型有機(jī)電致發(fā)光裝置一般是用在小尺寸顯示裝置中。與此相反，有源矩陣型有機(jī)電致發(fā)光裝置被普遍用于大尺寸顯示裝置，這是因?yàn)樗陌l(fā)光效率高，并能提供高分辨率圖像。
圖1是按照現(xiàn)有技術(shù)的一種有機(jī)電致發(fā)光顯示面板裝置的截面圖。在圖1中，有機(jī)電致發(fā)光裝置10包括彼此面對(duì)并間隔一預(yù)定空間的第一基板12和第二基板28。在第一基板12的內(nèi)表面上形成多個(gè)薄膜晶體管T和多個(gè)第一電極16，其中每個(gè)第一電極16分別連接到各個(gè)薄膜晶體管T。而且，在第一電極16和薄膜晶體管T上形成有機(jī)發(fā)光層18，并在有機(jī)發(fā)光層18上形成一個(gè)第二電極20。一個(gè)象素區(qū)P內(nèi)的有機(jī)發(fā)光層18按三色即紅(R)、綠(G)、藍(lán)(B)之一發(fā)光，并且一般是通過(guò)對(duì)有機(jī)材料構(gòu)圖而形成的。
在第二基板28的內(nèi)表面上形成一種干燥劑22，用來(lái)消除可能會(huì)滲入第一和第二基板12和28之間的外界潮濕空氣。對(duì)第二基板28的內(nèi)表面構(gòu)圖形成溝槽，將干燥劑22設(shè)置在溝槽內(nèi)并且用膠帶25固定。
在第一和第二基板12和28之間形成一種密封劑26，包圍諸如薄膜晶體管T、第一電極16、有機(jī)發(fā)光層18和第二電極20等陣列元件。密封劑26將第一和第二基板12和28粘結(jié)一起并形成一密封空間，保護(hù)元件與外界潮濕空氣隔絕。
圖2是圖1中有機(jī)電致發(fā)光顯示面板裝置的一個(gè)象素的平面圖。圖2中的象素包括一個(gè)開(kāi)關(guān)薄膜晶體管(TFT)TS、一個(gè)驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管(TFT)TD和一個(gè)存儲(chǔ)電容CST。另外，在用透明材料例如是玻璃和塑料形成的第一基板12上形成柵極線32和數(shù)據(jù)線34，柵極線32和數(shù)據(jù)線34彼此交叉來(lái)限定該象素區(qū)P。電源線35與數(shù)據(jù)線34平行地形成。
開(kāi)關(guān)TFT TS包括柵極36、有源層40、源極46和漏極50。驅(qū)動(dòng)TFT TD包括柵極38、有源層42、源極48和漏極52。具體來(lái)說(shuō)，開(kāi)關(guān)TFT TS的柵極36連接到柵極線32，而開(kāi)關(guān)TFT TS的源極46連接到數(shù)據(jù)線34。開(kāi)關(guān)TFT TS的漏極50通過(guò)第一接觸孔54連接到驅(qū)動(dòng)TFT TD的柵極38，而驅(qū)動(dòng)TFT TD的的源極48通過(guò)第二接觸孔56連接到電源線35。驅(qū)動(dòng)TFT TD的漏極52連接到象素區(qū)P內(nèi)的第一電極16。電容電極15與電源線35重疊而構(gòu)成一個(gè)存儲(chǔ)電容CST，它是由攙雜的多晶硅制成的，并且連接到開(kāi)關(guān)TFT TS的漏極50。
圖3是圖1中有機(jī)電致發(fā)光顯示面板的布局圖。在圖3中，顯示區(qū)被限定在第一基板12的中心區(qū)。數(shù)據(jù)焊盤部分E形成在第一基板12的上邊，而第一柵極焊盤部分F1和第二柵極焊盤部分F2分別形成在第一基板12的左、右兩側(cè)。在基板12的下邊形成一個(gè)公共電極39。公共電極39對(duì)形成在顯示區(qū)上方并作為陰極的第二電極20施加一個(gè)公共電壓并維持該公共電壓。
圖4A是沿著圖2中IVA-IVA線提取的截面圖。在圖4A中，驅(qū)動(dòng)TFT TD形成在第一基板12上，并且包括柵極38、有源層42、以及源極和漏極48和52。存儲(chǔ)電容CST形成在基板12上方，并且并聯(lián)連接到驅(qū)動(dòng)TFT TD。存儲(chǔ)電容CST包括分別作為第一電容電極和第二電容電極的電容電極15和電源線35。電容電極15是用多晶硅制成的。一個(gè)絕緣層57覆蓋驅(qū)動(dòng)TFT TD和存儲(chǔ)電容CST，并在絕緣層57上形成與漏極52電連接的第一電極16。在第一電極16上形成發(fā)射一種顏色光的有機(jī)發(fā)光層18，并在有機(jī)層18上形成第二電極20。
圖4B是沿圖3中IVB-IVB線提取的截面圖。在圖4B中，公共電極39形成在基板12的一邊，對(duì)第二電極20(圖4A)施加一公共電壓。這一公共電極39可以用與驅(qū)動(dòng)TFT TD的柵極38相同的材料制造。用穿透絕緣層的第一公共接觸孔60和第二公共接觸孔62暴露出公共電極39。第二電極20連接到公共電極39。來(lái)自外部的輸入線(未表示)可以通過(guò)第二公共接觸孔62連接到公共電極39。
有機(jī)電致發(fā)光裝置的產(chǎn)量取決于薄膜晶體管和有機(jī)層的產(chǎn)量。特別是有機(jī)電致發(fā)光裝置的產(chǎn)量會(huì)因形成厚度約為1000的有機(jī)層的步驟中有雜質(zhì)而改變。因此，現(xiàn)有技術(shù)中有機(jī)電致發(fā)光裝置的產(chǎn)量會(huì)因雜質(zhì)而降低，導(dǎo)致薄膜晶體管制造成本和原材料的損失。
再有，現(xiàn)有技術(shù)的有機(jī)電致發(fā)光裝置是一種具有穩(wěn)定性并且制造工藝靈活的底部發(fā)光型裝置。然而，底部發(fā)光型裝置具有小的孔徑比。因此，底部發(fā)光型有機(jī)電致發(fā)光裝置難以被用做高孔徑比的裝置。
而另一方面，頂部發(fā)光型有機(jī)電致發(fā)光裝置具有高孔徑比，并且易于制造。然而，在頂部發(fā)光型有機(jī)電致發(fā)光裝置中，由于陰極一般是設(shè)置在有機(jī)層上面，可供選擇用來(lái)制造陰極的材料受到限制。因此，光透射比受到限制，并且發(fā)光效率降低。另外，為了改善光透射比需要將鈍化層制成薄膜，不能完全阻擋外界潮濕空氣。

發(fā)明內(nèi)容
為此，本發(fā)明旨在提出一種有機(jī)電致發(fā)光顯示面板裝置及其制造方法，能夠基本上消除因現(xiàn)有技術(shù)的局限和缺點(diǎn)造成的這些問(wèn)題。
本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種具有高孔徑比和高分辨率圖像的有機(jī)電致發(fā)光顯示面板裝置及其制造方法。
本發(fā)明的另一目的是提供一種有機(jī)電致發(fā)光顯示面板裝置及其制造方法，能夠提高產(chǎn)量和生產(chǎn)率。
本發(fā)明的再一目的是提供一種可靠的有機(jī)電致發(fā)光顯示面板裝置及其制造方法。
以下要說(shuō)明本發(fā)明的附加特征和優(yōu)點(diǎn)，有些內(nèi)容可以從說(shuō)明書(shū)中看出，或者是通過(guò)對(duì)本發(fā)明的實(shí)施來(lái)學(xué)習(xí)。采用說(shuō)明書(shū)及其權(quán)利要求書(shū)和附圖中具體描述的結(jié)構(gòu)就能實(shí)現(xiàn)并達(dá)到本發(fā)明的目的和其他優(yōu)點(diǎn)。
為了按照本發(fā)明的意圖實(shí)現(xiàn)上述目的和其他優(yōu)點(diǎn)，以下要具體和概括地說(shuō)明，一種有機(jī)電致發(fā)光裝置，包括彼此面對(duì)并分開(kāi)的第一和第二基板，所述第一和第二基板具有一個(gè)包括許多象素的顯示區(qū)和處在顯示區(qū)一側(cè)的第一外圍區(qū)；設(shè)在第一基板內(nèi)表面上的第一外圍區(qū)上的第一公共電極；設(shè)在第一基板內(nèi)表面上的各個(gè)象素區(qū)上的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管，所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管包括有源層、柵極以及源極和漏極；連接到各個(gè)象素區(qū)上驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的漏極的第一連接電極；連接到第一外圍區(qū)上的第一公共電極的第二連接電極；第二基板整個(gè)內(nèi)表面上的第一電極；在第一電極上對(duì)應(yīng)著象素區(qū)之間各自邊界的隔離圖形；在第一電極上的第一外圍區(qū)上對(duì)應(yīng)著第二連接電極的第一絕緣圖形；隔離圖形上的間隔壁；第一電極上處在各個(gè)象素區(qū)內(nèi)的有機(jī)發(fā)光層；有機(jī)發(fā)光層上在各個(gè)象素區(qū)處連接到第一連接電極的第二電極；在第一絕緣圖形上接觸到第一電極的第一接觸電極；以及粘結(jié)第一和第二基板的一種密封劑。
按照另一方面，一種有機(jī)電致發(fā)光裝置的制造方法，包括在具有一個(gè)包括多個(gè)象素區(qū)的顯示區(qū)和處在顯示區(qū)一側(cè)的第一外圍區(qū)的第一基板上形成一個(gè)絕緣層；在絕緣層上的各個(gè)象素區(qū)上形成一個(gè)驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管，所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管包括有源層、柵極、以及源極和漏極；在絕緣層上的第一外圍區(qū)上形成第一公共電極；形成第一連接電極和第二連接電極，所述第一連接電極連接到漏極，所述第二連接電極連接到第一公共電極；在第二基板上形成第一電極；在第一電極上形成隔離圖形和第一絕緣圖形，所述隔離圖形對(duì)應(yīng)著象素區(qū)之間各自的邊界，第一絕緣圖形設(shè)在第一外圍區(qū)上；在隔離圖形上形成間隔壁；在第一電極上的各個(gè)象素區(qū)內(nèi)形成一個(gè)有機(jī)發(fā)光層；在有機(jī)發(fā)光層上形成第二電極；在第一絕緣圖形上形成接觸到第一電極的第一接觸電極；以及用一種密封劑將第一和第二基板粘結(jié)在一起，使第一連接電極接觸到第二電極，而第二連接電極接觸到第一接觸電極。
按照再一方面，一種有機(jī)電致發(fā)光裝置的制造方法，包括在具有一個(gè)包括多個(gè)象素區(qū)的顯示區(qū)和處在顯示區(qū)一側(cè)的第一外圍區(qū)的第一基板上形成第一絕緣層；在各個(gè)象素區(qū)處的第一絕緣層上形成一個(gè)有源層，所述有源層包括多晶硅，所述有源層具有源極和漏極區(qū)；在有源層上形成第二絕緣層；在有源層上方的第二絕緣層上形成柵極；在柵極上形成第三絕緣層，所述第三絕緣層具有第一和第二接觸孔，第一接觸孔暴露出源極區(qū)，而第二接觸孔暴露出漏極區(qū)；在第三絕緣層上形成源極和漏極以及第一公共電極，所述源極通過(guò)第一接觸孔連接到源極區(qū)，所述漏極通過(guò)第二電極連接到漏極區(qū)，所述第一公共電極設(shè)置在外圍區(qū)；在源極和漏極以及第一公共電極上形成第四絕緣層，所述第四絕緣層具有第三、第四和第五接觸孔，第三接觸孔暴露出漏極，第四和第五接觸孔暴露出第一公共電極；在第四絕緣層上形成第一和第二連接電極，所述第一連接電極通過(guò)第三接觸孔連接到漏極，所述第二連接電極通過(guò)第四接觸孔連接到第一公共電極；在第二基板上形成第一電極；在第一電極上形成隔離圖形和第一絕緣圖形，所述隔離圖形對(duì)應(yīng)著象素區(qū)之間的各自邊界，第一絕緣圖形設(shè)在第一外圍區(qū)上，并在隔離圖形上形成間隔壁；在第一電極上的各個(gè)象素區(qū)內(nèi)形成一個(gè)有機(jī)發(fā)光層；在有機(jī)發(fā)光層上形成第二電極；在第一絕緣圖形上形成接觸到第一電極的第一接觸電極；以及用一種密封劑將第一和第二基板粘結(jié)在一起，使第一連接電極接觸到第二電極，而第二連接電極接觸到第一接觸電極。
應(yīng)該意識(shí)到以上對(duì)本發(fā)明的概述和下文的詳細(xì)說(shuō)明都是解釋性的描述，都是為了進(jìn)一步解釋所要求保護(hù)的發(fā)明。


所包括的用來(lái)便于理解本發(fā)明并且作為本申請(qǐng)一個(gè)組成部分的附圖表示了本發(fā)明的實(shí)施例，連同說(shuō)明書(shū)一起可用來(lái)解釋本發(fā)明的原理。
在附圖中圖1是按照現(xiàn)有技術(shù)的一種有機(jī)電致發(fā)光顯示面板裝置的截面圖；圖2是圖1中有機(jī)電致發(fā)光顯示面板裝置的一個(gè)象素的平面圖；圖3是圖1中有機(jī)電致發(fā)光顯示面板裝置的布局圖；圖4A是沿著圖2中IVA-IVA線截取的截面圖；
圖4B是沿著圖3中IVB-IVB線截取的截面圖；圖5是按照本發(fā)明的一示例性有機(jī)電致發(fā)光顯示面板裝置的截面圖；圖6A是圖5中區(qū)域H的截面圖；圖6B是圖5中區(qū)域I的截面圖；圖7A到7C是表示本發(fā)明的一示例性有機(jī)電致發(fā)光裝置的第一基板象素區(qū)的制造工藝的截面圖；圖8A到8C是表示本發(fā)明的一示例性有機(jī)電致發(fā)光裝置的第一基板外圍區(qū)的制造工藝的截面圖；圖9A到9D是表示本發(fā)明的一示例性有機(jī)電致發(fā)光裝置的第二基板顯示區(qū)的制造工藝的截面圖；圖10A到10D是表示本發(fā)明的一示例性有機(jī)電致發(fā)光裝置的第二基板外圍區(qū)的制造工藝的截面圖；以及圖11是按照本發(fā)明的另一示例性有機(jī)電致發(fā)光裝置的截面圖。
具體實(shí)施例方式
以下要具體描述本發(fā)明的最佳實(shí)施例，在附圖中表示了這些例子。
圖5是按照本發(fā)明的一示例性有機(jī)電致發(fā)光顯示面板裝置的截面圖。在圖5中，有機(jī)電致發(fā)光裝置包括彼此面對(duì)并分開(kāi)的第一基板100和第二基板200?？梢杂妹芊鈩?00將第一和第二基板100和200粘結(jié)在一起。第一和第二基板100和200可以包括構(gòu)成顯示區(qū)的多個(gè)象素區(qū)P和設(shè)置在顯示區(qū)一側(cè)的外圍區(qū)A。另外，還可以在第一基板100內(nèi)表面上，分別形成與多個(gè)象素區(qū)P相鄰的多個(gè)薄膜晶體管T，其中用薄膜晶體管T作為有機(jī)電致發(fā)光裝置的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管。盡管圖中沒(méi)有表示，還可以在第一基板100內(nèi)表面上形成多個(gè)開(kāi)關(guān)薄膜晶體管和陣列線。
可以在第二基板200內(nèi)表面上形成多個(gè)第一輔助電極202，并在第二基板200整個(gè)內(nèi)表面上形成第一電極204來(lái)覆蓋第一輔助電極202。用第一電極204作為注入空穴的陽(yáng)極，并能接收公共電壓。另外，可以通過(guò)沉積并對(duì)絕緣材料構(gòu)圖在第一電極204上形成多個(gè)隔離圖形206。進(jìn)而，在多個(gè)隔離圖形206上形成多個(gè)間隔壁210，使隔離圖形206和間隔壁210對(duì)應(yīng)著象素區(qū)P之間的邊界。在相鄰的間隔壁210之間，可以在第一電極204上按順序形成多個(gè)有機(jī)發(fā)光層212和多個(gè)第二電極214。用多個(gè)第二電極214作為注入電子的陰極。各個(gè)第二電極214可以通過(guò)第一連接電極130電連接到各個(gè)薄膜晶體管T?？梢允紫仍诘谝换?00的內(nèi)表面上形成第一連接電極130，然后用密封劑300將第一基板100粘結(jié)到第二基板200上，使得第一連接電極130分別接觸到第二電極214。
另外，還可以在外圍區(qū)A中第一基板100的內(nèi)表面上方形成一個(gè)公共電極126。在形成第一電極204之前可以在外圍區(qū)A中第二基板200的內(nèi)表面上形成第二輔助電極203，使第一電極204覆蓋第二輔助電極203。制造第二輔助電極203的材料與第一輔助電極202可以相同。進(jìn)而，在第二輔助電極203上方的第一電極204上形成一個(gè)絕緣圖形208，并可以在絕緣圖形208上形成一個(gè)接觸電極216，直接連接到第一電極204。制造絕緣圖形208的材料與隔離圖形206可以相同，并可以在形成隔離圖形206的步驟中同時(shí)形成絕緣圖形208。而且，制造接觸電極216的材料同樣與第二電極214相同，并可以在形成第二電極214的步驟中同時(shí)形成接觸電極216。接觸電極216可以通過(guò)第二連接電極132電連接到公共電極126。
這樣就能用第一和第二連接電極130和132維持象素區(qū)P和外圍區(qū)A中的均勻間隙，從而防止通過(guò)第二連接電極132提供給第一電極204公共電壓變差。
圖6A是圖5中區(qū)域H的截面圖，而圖6B是圖5中區(qū)域I的截面圖。在圖6A中，第一輔助電極202、第一電極204、隔離圖形206、間隔壁210、有機(jī)發(fā)光層212和第二電極214形成在第二基板200的內(nèi)表面上。圖5中的第一連接電極130要接觸到第二基板200的第一部分J可以僅僅包括第一電極204、隔離圖形206、有機(jī)發(fā)光層212和第二電極214。在圖6B中，圖5中第二連接電極132要接觸到第二基板200的第二部分K可以僅僅包括第二輔助電極203、第一電極204、絕緣圖形208和接觸電極216。第一和第二輔助電極202和203的厚度范圍約在500到3,000之內(nèi)。第一電極204的厚度范圍約在1,000到2,000之內(nèi)。隔離圖形206和絕緣圖形208的厚度范圍約在500到3,000之內(nèi)。有機(jī)發(fā)光層212的厚度范圍約在1,000到2,000之內(nèi)，而第二電極214和接觸電極216的厚度范圍約在500到3,000之內(nèi)。這樣，第一部分J的各層具有的第一厚度約在3,000到10,000范圍之內(nèi)，而第二部分K的各層具有的第二厚度約在2,500到11,000范圍之內(nèi)。也就是第一厚度和第二厚度彼此接近。
圖7A到7C是表示本發(fā)明的一示例性有機(jī)電致發(fā)光裝置的第一基板象素區(qū)的制造工藝的截面圖。圖8A到8C是表示本發(fā)明的一示例性有機(jī)電致發(fā)光裝置的第一基板外圍區(qū)的制造工藝的截面圖。圖7A到7C具體對(duì)應(yīng)著沿圖2中IVA-IVA線截取的截面圖，而圖8A到8C對(duì)應(yīng)著沿圖3中IVB-IVB線截取的截面圖。在圖7A和8A中，第一基板100包括象素區(qū)P、驅(qū)動(dòng)區(qū)D、存儲(chǔ)區(qū)C和外圍區(qū)A。通過(guò)沉積一種氮化硅(SiNx)和氧化硅(SiO2)在第一基板100的整個(gè)表面上形成一個(gè)緩沖層102作為第一絕緣層?？梢栽诰彌_層102上分別在驅(qū)動(dòng)和存儲(chǔ)區(qū)D和C內(nèi)形成第一多晶硅圖形104和第二多晶硅圖形105。例如可以通過(guò)在沉積非晶硅之后采用加熱的脫氫工藝和結(jié)晶工藝形成第一和第二多晶硅圖形104和105。通過(guò)攙雜雜質(zhì)可以用第二多晶硅圖形105作為存儲(chǔ)電容的第一電極。可以按順序在第一多晶硅圖形104的中心部位上形成作為第二絕緣層的柵極絕緣層106和柵極108?？梢栽诘谝换?00的整個(gè)表面上形成柵極絕緣層106，同樣可以用一種氮化硅(SiNx)和氧化硅(SiO2)來(lái)制造。
在形成柵極108之后，對(duì)第一多晶硅圖形104攙雜諸如硼(B)或磷(P)等雜質(zhì)以限定一個(gè)對(duì)應(yīng)著柵極108的溝道區(qū)104a，以及處在溝道區(qū)104a兩側(cè)的源極和漏極區(qū)104b和104c。第二多晶硅圖形105也可以攙雜雜質(zhì)。柵極108是用鋁(Al)、鋁(Al)合金、銅(Cu)、鎢(W)、鉭(Ta)和鉬(Mo)之一制成的?？梢栽诘谝换?00的整個(gè)表面上形成一個(gè)作為第三絕緣層的層間絕緣層110來(lái)覆蓋柵極108。層間絕緣層110可以用氮化硅(SiNx)和氧化硅(SiO2)之一來(lái)制作?？梢酝ㄟ^(guò)沉積鋁(Al)、鋁(Al)合金、銅(Cu)、鎢(W)、鉭(Ta)和鉬(Mo)中之一并且對(duì)其構(gòu)圖在存儲(chǔ)區(qū)C內(nèi)的層間絕緣層110上形成一個(gè)電容電極112。電容電極112可以是電源線(未表示)的一部分。第二多晶硅圖形105和與第二多晶硅圖形105重疊的電容電極112構(gòu)成一個(gè)存儲(chǔ)電容，層間絕緣層110介于二者之間。
在圖7B和8B中，可以在第一基板100的整個(gè)表面上形成第四絕緣層114來(lái)覆蓋電容電極112?？梢栽诘谒慕^緣層114上形成第一、第二和第三接觸孔116、118和120，分別暴露出漏極區(qū)104c、源極區(qū)104b和電容電極112。
在圖7C和8C中，可以通過(guò)沉積鉻(Cr)、鉬(Mo)、鉭(Ta)和鎢(W)中之一并對(duì)其進(jìn)行構(gòu)圖，在第四絕緣層114上形成源極和漏極124和122。源極124通過(guò)第二接觸孔118接觸到源極區(qū)104b，而漏極122可以通過(guò)第一接觸孔116接觸到漏極區(qū)104c。還可以在外圍區(qū)A內(nèi)的第四絕緣層114上形成一個(gè)公共電極126?？梢栽诘谝换?00的整個(gè)表面上形成第五絕緣層128來(lái)覆蓋源極和漏極124和122以及公共電極126?？梢栽诘谖褰^緣層128內(nèi)形成第四、第五和第六接觸孔134、136和138，分別暴露出漏極122和公共電極126的兩側(cè)。然后通過(guò)沉積一種導(dǎo)電金屬材料并對(duì)其進(jìn)行構(gòu)圖，在第五絕緣層128上形成第一和第二連接電極130和132。第一連接電極130可以通過(guò)象素區(qū)P內(nèi)的第四接觸孔134接觸到漏極122。第二連接電極132可以通過(guò)第五接觸孔136接觸到公共電極126。
圖9到9是表示本發(fā)明的一示例性有機(jī)電致發(fā)光裝置的第二基板顯示區(qū)的制造工藝的截面圖。圖10A到10D是表示本發(fā)明的一示例性有機(jī)電致發(fā)光裝置的第二基板外圍區(qū)的制造工藝的截面圖。在圖9和10A中，第二基板200可以包括處在顯示區(qū)內(nèi)的多個(gè)象素P和處在顯示區(qū)一側(cè)的一個(gè)外圍區(qū)A。可以通過(guò)沉積一種具有低電阻的金屬材料并且對(duì)其進(jìn)行構(gòu)圖在第二基板200上形成多個(gè)第一輔助電極202。多個(gè)第一輔助電極202的電阻比后面要在其上形成的第一電極的電阻要低。例如，如果第一電極是用銦錫氧化物制成的，就可以用鉻、鉬、鋁和鋁合金中之一來(lái)制造多個(gè)第一輔助電極202。可以在外圍區(qū)A內(nèi)的第二基板200上形成第二輔助電極203。第一輔助電極202可以采用格狀(lattice form)。由于第一輔助電極202可以用不透明金屬材料制作，將第一輔助電極202設(shè)置在不發(fā)光的區(qū)域上，也就是顯示圖像的象素區(qū)P之外。第一輔助電極202和第二輔助電極203可以在一定位置上用電路連接。
可以在第二基板200的整個(gè)表面上形成第一電極204，覆蓋第一輔助電極202和第二輔助電極203。第一電極204可以作為陽(yáng)極向此后在其上形成的有機(jī)發(fā)光層中注入空穴。例如，第一電極204可以包括透明并具有高功函的銦錫氧化物(ITO)或銦鋅氧化物(IZO)。第一電極204可以通過(guò)圖8C中處在外圍區(qū)A的第二連接電極132接收公共電壓。
在圖9和10B中，可以用絕緣材料在第一輔助電極202上方的第一電極204上形成多個(gè)隔離圖形206。隔離圖形206的平面圖構(gòu)成格狀。還可以在外圍區(qū)A內(nèi)第二輔助電極203上方的第一電極204上形成與隔離圖形206相同材料制成的島狀絕緣圖形208?？梢栽诟綦x圖形206上形成同為格狀的多個(gè)間隔壁210。制作多個(gè)間隔壁210的絕緣材料包括光敏有機(jī)材料。多個(gè)間隔壁210使得多個(gè)有機(jī)發(fā)光層和多個(gè)第二電極在下述工藝中由象素區(qū)P分開(kāi)形成。
在圖9和10C中，可以在象素區(qū)P內(nèi)的第一電極204上形成多個(gè)有機(jī)發(fā)光層212。有機(jī)發(fā)光層212發(fā)射紅、綠、藍(lán)色的一種顏色對(duì)應(yīng)于各個(gè)象素區(qū)P。有機(jī)發(fā)光層212具有單層或多層。如果有機(jī)發(fā)光層212有多層，有機(jī)發(fā)光層212就包括接觸到第一電極204的空穴傳輸層(HTL)212a、HTL212a上的有機(jī)發(fā)光層212b和有機(jī)發(fā)光層212b上的電子傳輸層(ETL)212c。
在圖9和10D中，可以在有機(jī)發(fā)光層212上形成多個(gè)第二電極214。各個(gè)第二電極214對(duì)應(yīng)著各個(gè)象素區(qū)P，并且被間隔壁210彼此隔開(kāi)。另外，間隔壁210下面的隔離圖形206能夠防止第二電極214與第一電極204發(fā)生電接觸?？梢杂枚鄠€(gè)第二電極214作為陰極向有機(jī)發(fā)光層212內(nèi)注入電子。在形成第二電極214的步驟中可以在外圍區(qū)A內(nèi)的絕緣圖形208上同時(shí)形成一個(gè)接觸電極216。接觸電極216可以接觸到第一電極204。接觸電極216可以連接到圖8C中的第二連接電極132，并且通過(guò)圖8C中的公共電極126和第二連接電極132向第一電極204提供公共電壓。第二電極214和接觸電極216可以包括單層的鋁(Al)、鈣(Ca)或鎂(Mg)，或是包括多層的氟化鋰(LiF)或是鋁(Al)。多個(gè)第二電極214的功函比第一電極204要低。
可以用一種密封劑來(lái)粘結(jié)按圖6A到10D的制造工藝形成的第一和第二基板100和200，就制成了一種有機(jī)電致發(fā)光裝置。
圖11是按照本發(fā)明的另一示例性有機(jī)電致發(fā)光裝置的截面圖。在圖11中，可以用密封劑500將第一和第二基板300和400粘結(jié)到一起，二者之間留有預(yù)定的空間。第一和第二基板300和400可以有構(gòu)成顯示區(qū)的多個(gè)象素區(qū)P和設(shè)置在顯示區(qū)兩側(cè)的外圍區(qū)A。可以在第一基板300內(nèi)表面上形成多個(gè)薄膜晶體管T和多條陣列線(未表示)。特別是各個(gè)薄膜晶體管T可以與各個(gè)象素區(qū)P相鄰地設(shè)置。
可以在第二基板400內(nèi)表面上形成多個(gè)第一輔助電極402，并在第二基板400的整個(gè)內(nèi)表面上形成第一電極404來(lái)覆蓋第一輔助電極402。用第一電極404作為注入空穴的陽(yáng)極。還可以在第一電極404上形成多個(gè)由絕緣材料制成的隔離圖形406，并在多個(gè)隔離圖形406上對(duì)應(yīng)著薄膜晶體管T和象素區(qū)P之間的邊界形成多個(gè)間隔壁410。在相鄰的間隔壁410之間，可以在第一電極404上形成多個(gè)有機(jī)發(fā)光層412和多個(gè)第二電極414。用多個(gè)第二電極414作為注入電子的陰極。各個(gè)第二電極414可以通過(guò)第一連接電極330電連接到各個(gè)薄膜晶體管T。可以首先在第一基板300的內(nèi)表面上形成多個(gè)第一連接電極330，然后將第一基板300粘結(jié)到第二基板400上，使得第一連接電極330分別接觸到第二電極414。
可以在外圍區(qū)A中第一基板300的內(nèi)表面上面形成公共電極326a和326b。還可以在外圍區(qū)A內(nèi)第二基板400的內(nèi)表面上形成第二輔助電極403a和403b，使第一電極404覆蓋第二輔助電極403a和403b。制造第二輔助電極403a和403b的材料與第一輔助電極402相同。進(jìn)而在第二輔助電極403a和403b上方的第一電極404上形成絕緣圖形408a和408b，并可以在絕緣圖形408a和408b上形成接觸電極416a和416b，直接連接到第一電極404?？梢栽谛纬啥鄠€(gè)第二電極414的步驟中同時(shí)形成接觸電極416a和416b。接觸電極416a和416b可以通過(guò)第二連接電極332a和332b的電路分別連接到公共電極326a和326b。
這樣，第一和第二連接電極330、332a和332b就能同時(shí)在象素區(qū)P和外圍區(qū)A中維持均勻的間隙。由于這種有機(jī)電致發(fā)光裝置是頂部發(fā)光型裝置，還能獲得高孔徑比。進(jìn)而，由于包括薄膜晶體管和有機(jī)發(fā)光層的陣列圖形是獨(dú)立形成在單獨(dú)的基板上，能夠避免因有機(jī)發(fā)光層制造工藝的不利影響，從而提高產(chǎn)量。另外，由于第二連接圖形是形成在外圍區(qū)上而接觸到第一焊盤和第一電極的，因此能夠防止因信號(hào)畸變帶來(lái)的危害，從而進(jìn)一步提高產(chǎn)量。
顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員無(wú)需脫離本發(fā)明的原理和范圍還能對(duì)本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光顯示面板裝置及其制造方法作出各種各樣的修改和變更。因此，本發(fā)明的意圖是要覆蓋權(quán)利要求書(shū)及其等效物范圍內(nèi)的修改和變更。
權(quán)利要求
1.一種有機(jī)電致發(fā)光裝置，包括彼此面對(duì)并分開(kāi)的第一和第二基板，所述第一和第二基板具有一個(gè)包括多個(gè)象素區(qū)的顯示區(qū)和處在顯示區(qū)一側(cè)的第一外圍區(qū)；設(shè)在第一基板內(nèi)表面上的第一外圍區(qū)上的第一公共電極；設(shè)在第一基板內(nèi)表面上的各個(gè)象素區(qū)上的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管，所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管包括有源層、柵極、以及源極和漏極；連接到各個(gè)象素區(qū)上的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的漏極的第一連接電極；連接到第一外圍區(qū)上的第一公共電極的第二連接電極；第二基板整個(gè)內(nèi)表面上的第一電極；在第一電極上對(duì)應(yīng)著象素區(qū)之間各自邊界的隔離圖形；在第一電極的第一外圍區(qū)上對(duì)應(yīng)著第二連接電極的第一絕緣圖形；隔離圖形上的間隔壁；第一電極上處在各個(gè)象素區(qū)內(nèi)的有機(jī)發(fā)光層；有機(jī)發(fā)光層上在各個(gè)象素區(qū)處連接到第一連接電極的第二電極；在第一絕緣圖形上接觸到第一電極的第一接觸電極；以及粘結(jié)第一和第二基板的一種密封劑。
2.按照權(quán)利要求1的裝置，其特征在于，進(jìn)一步包括第二基板與第一電極之間的第一輔助電極和第二輔助電極，其中的第一輔助電極對(duì)應(yīng)著隔離圖形，而第二輔助電極對(duì)應(yīng)著第一絕緣圖形。
3.按照權(quán)利要求1的裝置，其特征在于，第一絕緣圖形包括與隔離圖形相同的材料。
4.按照權(quán)利要求1的裝置，其特征在于，第二連接電極包括與第一連接電極相同的材料。
5.按照權(quán)利要求1的裝置，其特征在于，第一接觸電極包括與第二電極相同的材料。
6.按照權(quán)利要求1的裝置，其特征在于，有源層包括多晶硅。
7.按照權(quán)利要求1的裝置，其特征在于，進(jìn)一步包括連接到驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的電源線。
8.按照權(quán)利要求7的裝置，其特征在于，進(jìn)一步包括與連接到存儲(chǔ)電容的電源線重疊的一電容電極。
9.按照權(quán)利要求1的裝置，其特征在于，第一電極是向有機(jī)發(fā)光層注入空穴的陽(yáng)極，而第二電極是向有機(jī)發(fā)光層注入電子的陰極。
10.按照權(quán)利要求9的裝置，其特征在于，第一電極包括銦錫氧化物(ITO)和銦鋅氧化物(IZO)中之一。
11.按照權(quán)利要求9的裝置，其特征在于，第二電極包括一種鈣(Ca)、鋁(Al)和鎂(Mg)。
12.按照權(quán)利要求1的裝置，其特征在于，第一公共電極設(shè)置在密封劑的內(nèi)部。
13.按照權(quán)利要求1的裝置，其特征在于，進(jìn)一步包括第一基板內(nèi)表面上的第二公共電極，連接到第二公共電極的第三連接電極，第一電極上的第二絕緣圖形，以及第二絕緣圖形上的第二接觸電極，其中的第二公共電極、第三連接電極、第二絕緣圖形和第二接觸電極設(shè)置在顯示區(qū)另外一側(cè)的第二外圍區(qū)內(nèi)，并且第二接觸電極接觸到第一電極并且連接到第三連接電極。
14.按照權(quán)利要求13的裝置，其特征在于，進(jìn)一步包括第二基板與第一電極之間的第一輔助電極、第二輔助電極和第三輔助電極，其中第一輔助電極對(duì)應(yīng)著隔離圖形，第二輔助電極對(duì)應(yīng)著第一絕緣圖形，而第三輔助電極對(duì)應(yīng)著第二絕緣圖形。
15.一種有機(jī)電致發(fā)光裝置的制造方法，包括在具有一個(gè)包括多個(gè)象素區(qū)的顯示區(qū)和處在顯示區(qū)一側(cè)的第一外圍區(qū)的第一基板上形成一個(gè)絕緣層；在絕緣層上的各個(gè)象素區(qū)上形成一個(gè)驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管，所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管包括有源層、柵極、以及源極和漏極；在絕緣層上的第一外圍區(qū)上形成第一公共電極；形成第一連接電極和第二連接電極，第一連接電極連接到漏極，第二連接電極連接到第一公共電極；在第二基板上形成第一電極；在第一電極上形成隔離圖形和第一絕緣圖形，隔離圖形對(duì)應(yīng)著象素區(qū)之間各自的邊界，第一絕緣圖形設(shè)在第一外圍區(qū)上；在隔離圖形上形成間隔壁；在第一電極上的各個(gè)象素區(qū)內(nèi)形成一個(gè)有機(jī)發(fā)光層；在有機(jī)發(fā)光層上形成第二電極；在第一絕緣圖形上形成接觸到第一電極的第一接觸電極；以及用一種密封劑將第一和第二基板粘結(jié)在一起，使第一連接電極接觸到第二電極，而第二連接電極接觸到第一接觸電極。
16.按照權(quán)利要求15的方法，其特征在于，進(jìn)一步包括在第二基板與第一電極之間形成第一輔助電極和第二輔助電極的步驟，其中的第一輔助電極對(duì)應(yīng)著隔離圖形，而第二輔助電極對(duì)應(yīng)著第一絕緣圖形。
17.按照權(quán)利要求16的方法，其特征在于，第一和第二輔助電極的電阻比第一電極要低。
18.按照權(quán)利要求17的方法，其特征在于，第一和第二輔助電極包括鉻(Cr)、鉬(Mo)和鎢(W)中之一。
19.按照權(quán)利要求15的方法，其特征在于，形成第一接觸電極的步驟是與形成第二電極的步驟同時(shí)執(zhí)行的。
20.按照權(quán)利要求15的方法，其特征在于，第一電極是向有機(jī)發(fā)光層注入空穴的陽(yáng)極，而第二電極是向有機(jī)發(fā)光層注入電子的陰極。
21.按照權(quán)利要求20的方法，其特征在于，第一電極包括銦錫氧化物(ITO)和銦鋅氧化物(IZO)中之一。
22.按照權(quán)利要求20的方法，其特征在于，第二電極包括鈣(Ca)、鋁(Al)和鎂(Mg)中之一。
23.按照權(quán)利要求15的方法，其特征在于，進(jìn)一步包括以下步驟，形成連接到柵極的多晶硅圖形，并在多晶硅圖形上方形成構(gòu)成存儲(chǔ)電容的電容電極，所述電容電極被連接到漏極。
24.按照權(quán)利要求15的方法，其特征在于，第一公共電極設(shè)置在密封劑的內(nèi)部。
25.按照權(quán)利要求15的方法，其特征在于，進(jìn)一步包括以下步驟；在第一基板內(nèi)表面上形成第二公共電極；形成連接到第二公共電極的第三連接電極；第一電極上形成第二絕緣圖形；以及在第二絕緣圖形上形成第二接觸電極，其中的第二公共電極、第三連接電極、第二絕緣圖形和第二接觸電極設(shè)置在顯示區(qū)另外一側(cè)的第二外圍區(qū)內(nèi)，并且第二接觸電極接觸到第一電極并且連接到第三連接電極。
26.按照權(quán)利要求25的方法，其特征在于，進(jìn)一步包括以下步驟，在第二基板與第一電極之間形成第一輔助電極、第二輔助電極和第三輔助電極，第一輔助電極對(duì)應(yīng)著隔離圖形，第二輔助電極對(duì)應(yīng)著第一絕緣圖形，而第三輔助電極對(duì)應(yīng)著第二絕緣圖形。
27.一種有機(jī)電致發(fā)光裝置的制造方法，包括在具有一個(gè)包括多個(gè)象素區(qū)的顯示區(qū)和處在顯示區(qū)一側(cè)的第一外圍區(qū)的第一基板上形成第一絕緣層；在各個(gè)象素區(qū)處的第一絕緣層上形成一個(gè)有源層，有源層包括多晶硅，有源層具有源極和漏極區(qū)；在有源層上形成第二絕緣層；在有源層上方的第二絕緣層上形成柵極；在柵極上形成第三絕緣層，第三絕緣層具有第一和第二接觸孔，第一接觸孔暴露出源極區(qū)，第二接觸孔暴露出漏極區(qū)；在第三絕緣層上形成源極和漏極以及第一公共電極，源極通過(guò)第一接觸孔連接到源極區(qū)，漏極通過(guò)第二電極連接到漏極區(qū)，第一公共電極設(shè)置在外圍區(qū)；在源極和漏極以及第一公共電極上形成第四絕緣層，第四絕緣層具有第三、第四和第五接觸孔，第三接觸孔暴露出漏極，第四和第五接觸孔暴露出第一公共電極；在第四絕緣層上形成第一和第二連接電極，第一連接電極通過(guò)第三接觸孔連接到漏極，第二連接電極通過(guò)第四接觸孔連接到第一公共電極；在第二基板上形成第一電極；在第一電極上形成隔離圖形和第一絕緣圖形，隔離圖形對(duì)應(yīng)著象素區(qū)之間的各自邊界，第一絕緣圖形設(shè)在第一外圍區(qū)上；在隔離圖形上形成間隔壁；在第一電極上的各個(gè)象素區(qū)處形成一個(gè)有機(jī)發(fā)光層；在有機(jī)發(fā)光層上形成第二電極；在第一絕緣圖形上形成接觸到第一電極的第一接觸電極；以及用一種密封劑將第一和第二基板粘結(jié)在一起，使第一連接電極接觸到第二電極，而第二連接電極接觸到第一接觸電極。
28.按照權(quán)利要求27的方法，其特征在于，進(jìn)一步包括以下步驟在第一基板內(nèi)表面上形成第二公共電極；形成連接到第二公共電極的第三連接電極；在第一電極上形成第二絕緣圖形；以及在第二絕緣圖形上形成第二接觸電極，其中的第二公共電極、第三連接電極、第二絕緣圖形和第二接觸電極設(shè)置在顯示區(qū)另外一側(cè)的第二外圍區(qū)上，并且第二接觸電極接觸到第一電極并連接到第三連接電極。
29.按照權(quán)利要求28的方法，其特征在于，進(jìn)一步包括以下步驟，在第二基板與第一電極之間形成第一輔助電極、第二輔助電極和第三輔助電極，第一輔助電極對(duì)應(yīng)著隔離圖形，第二輔助電極對(duì)應(yīng)著第一絕緣圖形，而第三輔助電極對(duì)應(yīng)著第二絕緣圖形。
全文摘要
一種有機(jī)電致發(fā)光裝置包括具有象素區(qū)和外圍區(qū)的第一和第二基板，設(shè)在第一基板上的外圍區(qū)上的第一公共電極，設(shè)在第一基板上的各個(gè)象素區(qū)上的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管(TFT)，連接到TFT的漏極的第一連接電極，連接到第一公共電極的第二連接電極，第二基板上的第一電極，在第一電極上對(duì)應(yīng)著象素區(qū)之間各自邊界的隔離圖形，在第一電極上對(duì)應(yīng)著第二連接電極的第一絕緣圖形，隔離圖形上的間隔壁，第一電極上的有機(jī)發(fā)光層，有機(jī)發(fā)光層上在各個(gè)象素區(qū)處連接到第一連接電極的第二電極，以及在第一絕緣圖形上接觸到第一電極的第一接觸電極。
文檔編號(hào)H01L51/52GK1503602SQ20031011541
公開(kāi)日2004年6月9日 申請(qǐng)日期2003年11月25日 優(yōu)先權(quán)日2002年11月26日
發(fā)明者樸宰用 申請(qǐng)人:Lg.菲利浦Lcd株式會(huì)社