專利名稱：攝象裝置、放射線攝象裝置和放射線攝象系統(tǒng)的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及用于醫(yī)療用X射線照相機和分析裝置、非破壞檢查裝置等的攝象裝置和放射線攝象裝置。
背景技術：
近年，在醫(yī)療用X射線照相機中，迅速地從使用膠卷的攝象方式轉移到數(shù)字圖象攝象方式。在數(shù)字方式中，由于能夠進行圖象處理，所以能夠提高診斷精度。另外，由于沒有必要進行顯像，所以能夠縮短攝象間隔，能夠在集體檢查診斷等中高效率地進行攝象。
數(shù)字方式的攝象裝置對X射線等放射線進行波長轉換成為光(例如可見光)，有將該可見光轉換為電荷等的電信號的間接方式、將放射線直接轉換為電荷等的電信號的直接方式。在間接方式中，將放射線轉換為可見光的波長轉換層(例如熒光體層)、光電轉換元件、以及TFT(薄膜晶體管)成對地構成攝象裝置。而在直接方式中，放射線攝象元件和TFT成對地構成攝象裝置。
例如，在下述專利文獻1和下述專利文獻2中，記載了以下構造在基板上形成包含第1半導體層的TFT，其上再形成包含第2半導體層的半導體轉換元件。
現(xiàn)在，在這樣的醫(yī)療用數(shù)字方式的X射線照相機中，為了得到與膠卷相同的大小、分辨率，而使用在基板上配置了數(shù)百萬個數(shù)百微米大小的像素的數(shù)十cm大小的高精度并且大面積的放射線攝象裝置。
在攝象裝置的制造過程中，會以某一概率發(fā)生因微?；蛑圃觳襟E故障造成的布線短路、斷線等缺陷。所以，在用來減少缺陷發(fā)生的工程管理、制造步驟的開發(fā)的基礎上，使用修復缺陷的地方的技術進行制造。
例如，在下述專利文獻3中，通過向缺陷像素照射激光，溶解金屬和半導體層而電切斷缺陷像素，來進行修復的技術。另外，根據(jù)各缺陷的種類，切斷的地方可以考慮TFT區(qū)域、TFT驅動布線、源·漏電極、信號布線、偏壓布線等各種地方。另外，被電切斷了的像素的坐標被存儲在數(shù)字X射線照相機的系統(tǒng)中，一般使用周圍的像素數(shù)據(jù)，進行數(shù)據(jù)補足的圖象處理。
專利文獻1美國專利第5,498,880號的說明書專利文獻2美國專利第5,619,033號的說明書專利文獻3美國專利第6,332,016號的說明書一般，在基于激光的修復中，如果在激光照射部分存在多個金屬膜，則根據(jù)條件，由于溶解時各個金屬相互短路，所以有難以進行修復的情況。特別在上述的專利文獻1、專利文獻2的構造中，由于在進行修復的TFT區(qū)域上面存在光檢測元件的下電極，如果進行修復則構成TFT的電極和布線與上述光檢測元件的下電極短路，所以難以將缺陷部分電分離出來。
另外，進而在應該切斷的布線上存在金屬膜或厚膜的高電阻半導體層的情況下，還有可能使切斷的加工精度降低，或根據(jù)情況產(chǎn)生無法切斷的故障。
如上所述，在相互不同的層中作成開關元件和半導體轉換元件的導體層的情況下，有必要重新研究適合于修復的結構。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明就是考慮到這樣的現(xiàn)有問題而提出的，其目的在于提供一種攝象裝置、放射線攝象裝置和放射線攝象系統(tǒng)，即使發(fā)生缺陷，也能夠基于缺陷部分的激光修復而穩(wěn)定地進行加工，生產(chǎn)率高。
作為解決上述問題的有效方法，是在至少配置了包含第1半導體層的開關元件、在其上層包含與第1半導體層不同的第2半導體層的半導體轉換元件的攝象裝置或放射線攝象裝置中，半導體轉換元件的電極通過除去開關元件的驅動布線、開關元件的電極和信號布線相互不重疊的區(qū)域，而具有開口。
所以，本發(fā)明相關的攝象裝置或放射線攝象裝置是以下這樣的攝象裝置在基板上，2維地配置由成對的將射入的電磁波轉換為電信號的半導體轉換元件、與上述半導體轉換元件連接的開關元件構成的多個像素，具有與排列在一個方向上的多個上述開關元件共通連接的驅動布線、與排列在與上述一個方向不同的方向上的多個上述開關元件共通連接的信號布線，上述開關元件包含第1半導體層，上述半導體轉換元件包含在形成上述開關元件后被形成的，并且在形成上述第1半導體層后形成的第2半導體層，其特征在于上述半導體轉換元件的電極通過在上述驅動布線、上述開關元件的電極和上述信號布線中的2個相互不重疊的區(qū)域中，至少除去上述驅動布線上的一部分和上述開關元件的電極上的一部分而形成。
另外，本發(fā)明是以下這樣的攝象裝置在基板上，2維地配置由成對的將射入的電磁波轉換為電信號的半導體轉換元件、與上述半導體元件連接的開關元件構成的多個像素，具有與排列在一個方向上的多個上述開關元件共通連接的驅動布線、與排列在與上述一個方向不同的方向上的多個上述開關元件共通連接的信號布線，上述開關元件包含第1半導體層，上述半導體轉換元件包含配置在上述開關元件的上層，并且與上述第1半導體層不同的第2半導體層，其特征在于上述半導體轉換元件在上述驅動布線、上述開關元件的電極和上述信號布線中的2個相互重疊區(qū)域以外的，至少在上述驅動布線上的一部分和上述開關元件的電極上的一部分上，具有開口。
通過本發(fā)明，能夠基于缺陷部分的激光修復而穩(wěn)定地進行加工，提高了生產(chǎn)率。
在本申請中，電磁波包含從紅外線等光到X射線、α射線、β射線、γ射線等放射線的波長區(qū)域的波。
本發(fā)明的其他特征及優(yōu)點將通過以下的具體實施方式
及其附圖被明確。
圖1是實施例1的攝象裝置的模型等價電路圖。
圖2是實施例1的攝象裝置的模型截面圖。
圖3是實施例1的攝象裝置的模型截面圖。
圖4是實施例1的攝象裝置的一個像素區(qū)域的模型平面圖。
圖5是實施例2的攝象裝置的模型等價電路圖。
圖6是實施例2的攝象裝置的模型截面圖。
圖7是實施例2的攝象裝置的模型截面圖。
圖8是實施例2的攝象裝置的模型截面圖。
圖9是實施例2的攝象裝置的一個像素區(qū)域的模型平面圖。
圖10是實施例2的攝象裝置的一個像素區(qū)域的模型平面圖。
圖11是實施例2的攝象裝置的一個像素區(qū)域的模型平面圖。
圖12是實施例2的攝象裝置的一個像素區(qū)域的模型平面圖。
圖13是實施例2的攝象裝置的一個像素區(qū)域的模型平面圖。
圖14是實施例2的攝象裝置的一個像素區(qū)域的模型平面圖。
圖15是實施例2的攝象裝置的模型截面圖。
圖16是實施例2的攝象裝置的模型截面圖。
圖17是實施例3的攝象裝置的一個像素區(qū)域的模型平面圖。
圖18是實施例3的攝象裝置的一個像素區(qū)域的模型平面圖。
圖19是實施例4的放射線攝象裝置的模型等價電路圖。
圖20是實施例4的放射線攝象裝置的模型截面圖。
圖21是實施例4的放射線攝象裝置的一個像素區(qū)域的模型平面圖。
圖22是實施例5的攝象裝置的模型等價電路圖。
圖23A、23B是本發(fā)明的放射線(X射線)攝象裝置的實際例子的模型結構圖和模型截面圖。
圖24是展示本發(fā)明的放射線攝象裝置的X射線診斷系統(tǒng)的應用例子的圖。
具體實施例方式參照圖1～4，說明在本實施例中，使用了由TFT構成的開關元件6、在其上層形成的由PIN型光電二極管構成半導體轉換元件4(光電轉換元件)所構成的像素的攝象裝置的例子。
在圖1中，展示了本實施例的模型等價電路圖。
在圖1中，TFT1的共通驅動布線(TFT驅動布線)201與控制TFT1的開、關的門驅動器2連接。進而，TFT1的源或漏電極與共通的信號布線203連接，信號布線203與放大器IC3連接。另外，驅動PIN型半導體轉換元件4的偏壓布線204與共通電極驅動器5連接。
在圖2、圖3中，展示了本實施例的模型截面圖。
在圖2中，除了與TFT1對應的區(qū)域的金屬膜108和n型半導體層109，還形成開口120。在圖3中，除了與TFT1對應的區(qū)域的第2半導體層110和p型半導體層111，還形成開口120。
利用圖2、圖3說明本實施例的攝象裝置的層結構的一個例子。
首先，在玻璃基板上通過噴濺法形成第1導電層101(例如AlNd/Mo，2500)的膜，接著進行布線，形成TFT驅動布線201(突出部分成為柵電極)。下面，在其上通過CVD法連續(xù)依次形成膜第1絕緣層102(例如SiN，3000)、第1半導體層103(例如a-Si，500)、第2絕緣層(溝道保護層)104(例如SiN，2000)，接著使用通過背面曝光和掩膜曝光形成的記錄像(未圖示)，進行蝕刻使TFT的溝道上和TFT驅動布線上只殘留第2絕緣層104。
在此，由于提高了TFT的傳送能力，所以為了減小因TFT部分的信號布線側電極與TFT驅動布線的重疊而產(chǎn)生的寄生電容，理想的是使用背面曝光形成蝕刻停止型的TFT。
下面，通過CVD法形成膜電阻接觸層105(例如n+型a-Si，200)，在其上通過噴濺法形成膜第2導電層106(例如AlNd/Mo，4000)，接著，通過濕式蝕刻法進行布線，形成TFT的各源、漏電極和信號布線。然后，接著通過干式蝕刻法，進行電阻接觸層105的源·漏間的分離、以及第1半導體層103的元件間的分離。
下面，作為平坦化膜堆積第3絕緣層107(例如有機膜BCB和PI(聚酰亞胺))，并在TFT的電極上形成接觸孔。然后，通過噴濺法形成膜第3導電層108(例如AlNd/Mo，2000)，經(jīng)由接觸孔與TFT接觸，并且形成光電二極管的下電極(像素電極)。
TFT的漏電極被形成到光電二極管的下電極為止，經(jīng)由接觸孔連接。
光電二極管的下電極被配置得至少除去TFT驅動布線(突出得部分成為柵電極)、TFT源·漏電極、信號布線中的2個相互重疊的區(qū)域以外的，TFT驅動布線(包含柵電極)上的至少一部分和TFT的源·漏電極上的至少一部分。在此，除去信號布線、TFT構成部分、TFT驅動布線和信號布線的重疊部分(交叉部分)以及其周圍區(qū)域的光電二極管的下電極。在其周圍區(qū)域，至少通過驅動布線、TFT的源·漏電極，能夠用激光切斷驅動布線、TFT的源·漏電極。但是，也可以在TFT驅動布線和信號布線重疊的區(qū)域、以及TFT柵電極和源·漏區(qū)域重疊的區(qū)域殘留光電二極管的下電極。即，也可以為了能夠進行如后所述的修復，而除去光電二極管的下電極。
然后，如圖2所示，在像素間只分離第1n型半導體層109的情況下，在形成膜第1n型半導體層109(例如n+型a-Si，5000)后，在像素間進行分離，接著，通過CVD法連續(xù)依次形成2層膜第2半導體層110(例如i型a-Si，5000)、第1p型半導體層111(例如p型a-Si，1000)。進而，通過噴濺法形成膜第4導電層112(例如Mo/Al/Mo，4000)，形成光電二極管的偏壓布線。
進而，如果在p型半導體層111的像素分離后，接著通過半蝕刻對TFT區(qū)域上面的第2半導體層110進行薄膜化，則更能夠理想地使基于激光修復的加工性穩(wěn)定。接著，形成保護層113(例如SiN和有機膜)，進行電氣檢查，根據(jù)需要進行缺陷部分的激光修復。然后，在本實施例中，在放射線的射入面形成作為波長轉換層的熒光體層119。作為熒光體層119配置將X射線等放射線轉換為可見光的Gd2O2S、CsI等的熒光體層。在此，熒光體層119直接形成在保護層113上，但也可以將熒光體層形成在膜上，經(jīng)由粘接層將該膜粘貼在保護層113上。
另外，如圖3所示，不只對n型半導體層109進行像素分離，也可以對包含第2半導體層110、p型半導體層111在內(nèi)的層進行像素分離。在這種情況下，光電二極管的下電極被配置得除去TFT驅動布線(突出的部分成為柵電極)、TFT源·漏電極、信號布線中的2個相互重疊的區(qū)域以外的，TFT驅動布線(包含柵電極)上的至少一部分和TFT的源·漏電極上的至少一部分。
然后，通過CVD法連續(xù)形成膜n型半導體層109(例如n型a-Si，1000)、第2半導體層110(例如i型a-Si，5000)、p型半導體層111(例如p型a-Si，1000)。進而，通過噴濺法形成膜第4導電層112(例如Mo/Al/Mo，4000)，形成光電二極管的偏壓布線。然后，在由p型半導體層111、i型半導體層110、n型半導體層109構成的光電二極管上，通過干式蝕刻法，除去TFT的源·漏電極、信號布線中的2個相互重疊的區(qū)域以外的，TFT驅動布線(包含柵電極)上的至少一部分和TFT的源·漏電極上的至少一部分上面的膜，形成開口。在圖3的結構的情況下，理想的是通過用有機材料等的填充層121埋入開口部分直接在保護層113上形成熒光體層。
下面，說明修復方法。
使用如圖3的模型截面圖所示那樣的除去TFT區(qū)域上的金屬膜、第2半導體層而形成的結構，來說明該修復方法。
在圖4中，1是TFT，9是光電轉換元件的下電極，10是接觸孔，203是信號布線，201是TFT1的驅動布線，204是偏壓布線，11是修復的圖象，12是缺陷(因異物產(chǎn)生泄露的地方)的圖象。在圖4中，展示了發(fā)生光電二極管4的泄露、信號布線203和TFT驅動布線201間的泄露的缺陷(缺陷圖12)的情況，展示了通過激光切斷TFT的漏電極、源電極以及TFT驅動布線與信號布線交叉的交叉部分的兩側的合計共4處進行修復的例子。
在修復光電二極管4的泄露、TFT的泄露、驅動布線201間的泄露等缺陷的情況下，為了電切斷各信號布線203、TFT驅動布線201、偏壓布線204，理想的是主要在TFT區(qū)域中進行布線的切斷。
TFT驅動布線201通過在兩側配置門驅動器，則即使在1條線上產(chǎn)生一個地方的斷線，而能夠控制TFT。同樣，通過在偏壓布線204上也設置冗余布線等，從兩側進行連接(全線連接)，能夠控制光電二極管。
對此，舉例說明在切斷信號布線203時，在信號處理中發(fā)生故障，或處理變得復雜，而在本實施例中切斷信號布線203以外的布線進行修復的例子。但是，如果能夠將放大器IC配置在信號布線的兩側，則即使發(fā)生1條線中的1個地方的斷線，也能夠進行信號輸出，在該情況下，也可以除去信號布線上的光電二極管的下電極，切斷信號布線。
如上所述，在基于激光的修復中，如果在激光照射部分存在多個金屬膜，則由于根據(jù)條件，在溶解時這些金屬會短路，所以理想的是在2個以上布線不重疊的部分進行修復，如果在進行修復的布線部分存在金屬膜(第3導電層)和厚膜的Si膜(第2半導體層)，則會發(fā)生切斷的加工精度降低，或不能確定那樣的故障。
在本實施例中，為了穩(wěn)定地進行修復，如圖4中的粗線(光電二極管的下電極9)和虛線(第2半導體層的配置區(qū)域)所示的那樣，在TFT區(qū)域、TFT驅動布線和信號布線的重疊部分(交叉部分)和其周圍的上面具有開口。
另外，在圖4中，在TFT區(qū)域以外也對第2半導體層進行開口，每個像素都成為分離的形狀，但如果對像素分離光電二極管的下電極和n型半導體層，則也可以只在TFT區(qū)域對第2半導體層和p型半導體層進行開口，而使像素間連接。
另外如圖4所示，如果半導體形成區(qū)域比像素電極還大，則理想的是進一步減少短路的概率。
通過本實施例，在至少具有多個具有包含第1半導體層的TFT、第2半導體層、包含電極的半導體轉換元件的像素的攝象裝置中，能夠減少半導體轉換元件的元件內(nèi)的短路，使以TDT短路等為代表的缺陷部分的基于激光修復的加工變得穩(wěn)定。
利用圖5～圖14說明在本實施例中，具有由TFT構成的開關元件和MIS型半導體轉換元件(光電轉換元件)構成的像素的攝象裝置的例子。
圖5是本實施例的模型等價電路圖。
在圖5中，TFT1的共通驅動布線201與控制TFT1的開、關的門驅動器2連接。進而，TFT1的源或漏電極與共通的信號布線203連接，信號布線203與放大器IC3連接。另外，驅動MIS型半導體轉換元件4的偏壓布線204與共通電極驅動器5連接。
在圖6～圖8中展示了本實施例的模型截面圖。
在圖6中，除去與TFT1對應的區(qū)域上面的金屬膜108，形成開口120。在圖7中，再除去與TFT1對應的區(qū)域上面的透明導電膜117、第2電阻接觸層116、第2半導體層110、第4絕緣層115，形成開口120。
在圖8中，除去與TFT1對應的區(qū)域上面的金屬膜108，在除了源·漏間的活性區(qū)域(溝道)的TFT驅動布線和源·漏電極成為不重疊部分，除去透明導電膜117、第2電阻接觸膜116、第2半導體層110、第4絕緣層115，形成開口120。
利用圖6～圖8說明本實施例的攝象裝置的層結構的一個例子。
通過噴濺法在基板100上形成膜第1導電層101(例如AlNd/Mo，2500)，形成TFT驅動布線，在其上通過CVD法連續(xù)形成膜第1絕緣層102(例如SiN，3000)、第1半導體層103(例如a-Si，500)、第2絕緣層(溝道保護)104(例如SiN，2000)，使用通過背面曝光形成的記錄像(未圖示)，進行蝕刻而在TFT驅動布線上只剩下第2絕緣層(溝道保護)104。
在此，由于提高了TFT的傳送能力，所以為了減少因TFT部分的信號布線側電極和TFT驅動布線的重疊產(chǎn)生的寄生電容，而使用背面曝光形成蝕刻停止型的TFT。
接著，通過CVD法形成膜第1電阻接觸膜105(例如n型a-Si，200)，在其上通過噴濺法形成膜第2導電層106(例如AlNd/Mo，4000)，接著，通過干式蝕刻法進行布線，形成TFT的各源、漏電極和信號布線。然后，通過濕式蝕刻法，進行第1電阻接觸層105的源·漏間的分離、第1半導體層103的元件分離。
下面，作為平坦化膜堆積第3絕緣層107(例如有機膜BCB和PI(聚酰亞胺))，并在TFT的電極上形成接觸孔。接著，然后，通過噴濺法形成膜第3導電層108(例如AlNd/Mo，2000)，經(jīng)由接觸孔與TFT連接，并且形成光電轉換元件的下電極。TFT的漏電極被形成到光電二極管的下電極為止，經(jīng)由接觸孔連接。
光電轉換元件的下電極(像素電極)如圖6～圖8所示的那樣，被配置得至少除去與TFT驅動布線(突出的部分成為柵電極)、TFT的源·漏電極、信號布線中的2個相互重疊的區(qū)域以外的，TFT驅動布線(包含柵電極)上的至少一部分和TFT的源·漏電極上的至少一部分。在此，除去信號布線、TFT構成部分、TFT驅動布線和信號布線的重疊部分(交叉部分)以及其周圍的光電二極管的下電極。在其周圍區(qū)域，至少通過了TFT的源·漏電極，能夠通過激光切斷驅動布線、TFT的源·漏電極。但是，也可以在TFT驅動布線和信號布線重疊的區(qū)域、TFT的柵電極和源·漏區(qū)域的重疊區(qū)域中殘留光電二極管。即，也可以為了能夠進行后述的修復，而除去光電二極管的下電極。
然后，通過CVD法連續(xù)依次形成膜第4絕緣層115(例如SiN，2000)、第2半導體層110(例如a-Si，5000)、第2電阻接觸層116(例如n+型a-Si，500)。進而，通過噴濺法形成膜第4導電層112(例如Mo/Al/Mo，4000)，形成光電轉換元件的偏壓布線。
進而，作為光電轉換元件的上電極，通過噴濺法形成膜透明導電膜117(例如ITO，300)。由此，完成圖6所示的結構的攝象裝置。
另外，作為本實施例的其他形式，如圖7所示，也可以對應于光電轉換元件的下電極形成第2電阻接觸層116、第2半導體層110、第4絕緣層115。使用干式和濕式蝕刻法除去膜，使得所有第2電阻接觸層116至少不覆蓋在TFT區(qū)域得TFT驅動布線和TFT得源·漏電極、信號布線不重疊的部分的上面。
另外，也可以保留TFT區(qū)域上面的第4絕緣層115，或通過用半蝕刻阻止第2高電阻半導體層110進行薄膜化，來穩(wěn)定激光修復時的加工。
進而，如圖8所示，在TFT區(qū)域中，只在源·漏間的活化區(qū)域保留透明電極層117、第2電阻接觸層116、第2半導體層110、第4絕緣層115的情況下，與圖6、圖7一樣，在能夠穩(wěn)定地進行激光修復地加工的同時，更理想的是通過在TFT源·漏間的活化區(qū)域以原有的厚度保留光吸收率高的第2半導體層110，來降低TFT的因光造成的泄露量(噪音)，提高性能。
接著，形成保護層113(例如SiN和有機膜)，進行電氣檢查，根據(jù)需要實施缺陷部分的激光修復。然后，在本實施例中，在放射線的射入面形成作為波長轉換層的熒光體層。作為熒光體層，配置將X射線等放射線轉換為可見光的Gd2O2S、CsI等熒光體層。在此，熒光體層直接形成在保護層113上，但也可以在膜上形成熒光體層，經(jīng)由粘接層將該膜粘貼到保護層113上。在圖7的結構的情況下，理想的是通過用有機材料等的填充層埋入開口部分來直接在保護層113上形成熒光體層。
下面說明修復方法。利用除去圖7所示那樣的TFT區(qū)域上的金屬膜、第2半導體層而形成的結構進行說明。
在圖9～圖14中，1是TFT，9是光電轉換元件的下電極，10是接觸孔，203是信號布線，201是TFT1的驅動布線，204是偏壓布線，11是修復的圖象，12是缺陷(因異物造成的發(fā)生了泄露的地方)的圖象。
在修復光電轉換元件的泄露、TFT1的泄露、信號布線203和TFT驅動布線201間的泄露等缺陷的情況下，為了電切斷各信號布線203、TFT驅動布線201、偏壓布線204，理想的是主要在TFT區(qū)域切斷布線。在圖9、圖12中，展示了產(chǎn)生了光電轉換元件的泄露、TFT1的泄露、信號布線203和TFT驅動布線間的泄露的缺陷的情況，展示了通過激光切斷TFT的漏電極、源電極以及TFT驅動布線與信號布線交叉的交叉部分的兩側的合計共4處進行修復的例子。在圖10、圖14中，展示了發(fā)生光電轉換元件的泄露、TFT1的泄露、信號布線203和TFT驅動布線201間的泄露的缺陷、偏壓布線和TFT驅動布線間的泄露的情況，展示了通過激光切斷TFT的漏電極和源電極、TFT驅動布線與信號交叉的交叉部分的兩側、偏壓布線與TFT驅動布線交叉的交叉部分的兩側的合計6處進行修復的例子。在圖11中，展示了發(fā)生光電轉換元件的泄露、TFT1的泄露、信號布線203和TFT驅動布線201間的泄露的缺陷的情況，展示了通過激光切斷TFT的漏電極和源電極、TFT驅動線(柵電極)、TFT驅動布線與信號布線交叉的交叉部分的兩側的合計5個地方來進行修復的例子。在圖13中，展示了發(fā)生了光電轉換元件的泄露、TFT1的泄露的缺陷的情況，展示了通過激光切斷TFT的漏電極、TFT驅動布線與信號布線交叉的交叉部分的兩側的合計3個地方進行修復的例子。另外，在圖10、圖11和圖14的結構中，展示了光電轉換元件不與TFT驅動布線重疊的例子。
TFT驅動布線201即使在1個線中發(fā)生一個地方的斷線，也能夠通過在兩側配置柵驅動器，來進行TFT的控制。同樣，通過對偏壓布線204也設置冗余布線等，通過從兩側進行連接(全線連接)，能夠進行光電轉換元件的控制。
對此，列舉如果切斷信號布線203，則信號處理會發(fā)生故障，或者由于處理變得復雜，所以在本實施例中切斷信號布線203以外的地方進行修復的例子。但是，如果能夠在信號布線的兩側配置放大器IC，則即使在1個線中發(fā)生一個地方的斷線，也能夠進行信號輸出。在該情況下，可以除去信號布線上的光電二極管的下電極，切斷信號布線。
如上所述，在基于激光的修復中，如果在激光照射部分存在多個金屬膜，則由于根據(jù)條件，在溶解、蒸發(fā)時這些金屬會短路，所以理想的是在2個以上的布線不重疊的部分進行修復。如果在進行修復的布線部分存在金屬膜(第3導電層)和厚膜的Si膜(第2半導體層)，則會降低切斷的加工精度，或發(fā)生不能切斷那樣的故障。
在本實施例中，為了進行穩(wěn)定的修復，而如圖9～圖14的粗線(光電轉換元件的下電極9)和虛線(第2半導體層的配置區(qū)域)所示的那樣，在TFT的修復地方(多個布線重疊的區(qū)域)的上面具有開口。
在圖9中，光電轉換元件的下電極9對TFT區(qū)域進行開口，另外，由此同時進行像素分離，然后不進行每個像素的分離，而在TFT區(qū)域形成第2半導體層，并只在TFT驅動布線201和源·漏電極、信號布線203不重疊的區(qū)域進行開口。
由此，在發(fā)生光電轉換元件的泄露、TFT1的泄露、信號布線203和TFT驅動布線201的重疊部分泄露等缺陷的時候，可以進行TFT驅動布線201、源·漏電極的切斷。
在圖10中，形成光電轉換元件的下電極9、第2半導體層，而對TFT區(qū)域進行開口，進而偏壓布線204和TFT驅動布線201的交叉部分也成為開口部分。
由此，在發(fā)生光電轉換元件的泄露、TFT1的泄露、信號布線203和TFT1驅動布線201的重疊部分的泄露、以及偏壓布線204和TFT驅動布線201的重疊部分的泄露等缺陷的時候，可以切斷TFT驅動布線201、源·漏電極、偏壓布線204。
在圖1中，使之開口地形成光電轉換元件的下電極9、至少配置了第2半導體層的區(qū)域、TFT區(qū)域，進而通過以窄寬度形成TFT源·漏電極、信號布線203、TFT驅動布線201的一部分，而能夠使激光照射區(qū)域變窄，更高精度地進行修復。
如圖12所示，也可以在TFT驅動布線201上形成TFT1。
圖13是將TFT1作為溝道蝕刻型地情況的形狀。在此，對光電轉換元件的下電極9、至少配置了第2半導體層的區(qū)域、TFT區(qū)域進行大的開口，但也可以與圖9～圖11一樣，只在最低限度的區(qū)域進行開口。
由此，在發(fā)生光電轉換元件的泄露、TFT1的泄露、信號布線203和TFT驅動布線201的重疊部分的泄露等缺陷的時候，可以切斷TFT驅動布線201、源·漏電極。
圖14是在圖8所示那樣的TFT的源·漏間的活化區(qū)域至少殘留第2半導體層的情況下的形狀。在此，殘留的第2高電阻半導體層也可以原樣地與光電轉換元件連接，也可以同樣地配置光電轉換元件的下電極9使之延伸到活化區(qū)域。另外，在各個布線重疊部分，比其他地方細地形成一方的布線。
通過本實施例，在至少由包含第1半導體層的TFT、其上面的第2半導體層、包含電極的光電轉換元件構成的放射線檢測裝置中，能夠穩(wěn)定地進行以光電轉換元件內(nèi)的泄露、TFT短路等為代表的缺陷部分的激光修復的加工，能夠提高生產(chǎn)率。
在本實施例中，使用圖15～圖18說明具有由TFT構成的開關元件和MIS型半導體轉換元件(光電轉換元件)構成的像素的攝象裝置的例子。
本實施例的模型等價電路圖與實施例2的圖5一樣。在圖15、圖16中展示了本實施例的攝象裝置的模型截面圖。
在圖15中，除去與TFT1對應的區(qū)域上面的金屬膜108、透明導電膜117、第2電阻接觸層116、第2半導體層110，形成開口120。
在圖16中，除去與TFT1對應的區(qū)域上面的金屬膜108、透明導電膜117、第2電阻接觸層116，形成開口120，進而，進行薄膜化使第2半導體層110的與TFT1對應的區(qū)域中的膜厚比其他地方薄。
使用圖15、圖16說明本實施例的攝象裝置的層結構的一個例子。首先，在玻璃基板100上通過噴濺法形成膜第1導電層101(例如AlNd/Mo，2500)，形成TFT驅動布線201，在其上通過CVD法連續(xù)形成膜第1絕緣層102(例如SiN，3000)、第1半導體層103(例如a-Si，500)、第2絕緣層(溝道保護)104(例如SiN，2000)，用通過背面曝光形成的記錄像進行蝕刻，只在TFT驅動布線上保留第2絕緣層(溝道保護)104。
在此，為了提高傳送能力，降低因TFT部分的信號布線側電極和TFT驅動布線重疊引起的寄生電容，理想的是使用背面曝光形成蝕刻停止型的TFT。
接著，通過CVD法形成膜第1電阻接觸層105(例如n+型a-Si，200)，通過噴濺法形成第2導電層106(例如AlNd/Mo，4000)，通過干式蝕刻法，形成光電轉換元件的下電極和TFT的各源·漏電極和信號布線，接著，使用相同的記錄像通過濕式蝕刻，分離第1電阻接觸層105的源·漏以及蝕刻第1高電阻半導體層103，進行元件分離。
接著，通過CVD法連續(xù)形成膜第3絕緣層107(例如SiN，2000)、第2半導體層110(例如a-Si，5000)、第2電阻接觸層116(例如n+型a-Si，500)。進而，通過噴濺法形成膜第3導電層108(例如Mo/Al/Mo，4000)，形成光電轉換元件的偏壓布線。
進而，作為光電轉換元件的上電極，通過噴濺法形成膜透明導電膜117(例如ITO，300)。
然后，通過干式蝕刻法或濕式蝕刻法除去透明導電膜117、第2電阻接觸層116和第2半導體層110，使得除去TFT驅動布線(突出得部分成為柵電極)、TFT的源·漏電極、信號布線中的2個相互重疊的區(qū)域以外的、TFT驅動布線(包含柵電極)上的至少一部分(在此除去TFT驅動布線上的全部)。另外，也可以蝕刻到第3絕緣層為止。
另外，在圖16中，對TFT區(qū)域上面的第2半導體層進行薄膜化，使之比其他地方薄，例如不全部進行蝕刻，而通過半蝕刻進行薄膜化，由此，使基于激光修復的加工穩(wěn)定。
接著，形成保護層113(例如SiN和有機膜)，進行電氣檢查，實施缺陷部分的激光修復。然后，在本實施例中，在放射線的射入面形成作為波長轉換層的熒光體層。作為熒光體層，配置將X射線等放射線轉換為可見光的Gd2O2S、CsI等熒光體層。在此，熒光體層直接在保護層113上形成，但也可以在膜上形成熒光體層，經(jīng)由粘接層將該膜粘貼在保護層113上。
下面，說明修復方法。利用圖15的模型截面圖所示的除去TFT區(qū)域上的金屬膜、第2半導體層而形成的結構，說明修復方法。
在圖17、如18中，1是TFT，9是光電轉換元件的下電極，203是信號布線，201是TFT1的驅動布線，204是偏壓布線，11是修復的圖象，12是缺陷(因異物產(chǎn)生泄露的地方)的圖象。在圖17中，展示了發(fā)生了光電轉換元件的泄露、信號布線203和TFT驅動布線201間的泄露的缺陷、偏壓布線和TFT驅動布線間的泄露的情況，展示了通過激光切斷TFT的漏電極和源電極、TFT驅動布線與信號布線交叉的交叉部分的兩側、偏壓布線與TFT驅動布線交叉的交叉部分的兩側合計6個地方進行修復的例子。在圖18中，展示了發(fā)生光電轉換元件的泄露、TFT1的泄露的缺陷的情況，展示了通過激光切斷TFT的漏電極、TFT驅動布線與信號布線交叉的交叉部分的兩側合計3個地方的例子。
理想的是在修復光電轉換元件的泄露、TFT1的泄露、信號布線203和TFT驅動布線201間的泄露等缺陷的情況下，為了電切斷各信號布線203、TFT驅動布線201、偏壓布線204，而主要在TFT區(qū)域進行布線的切斷。
TFT驅動布線201即使在1個線中發(fā)生1個地方的斷線，通過在兩側配置柵驅動器，也能夠進行TFT的控制。同樣，通過對偏壓布線204也設置冗余布線等，進行連接(全線連接)，能夠進行光電轉換元件的控制。
對此，舉以下這樣的例子由于切斷信號布線203時信號處理發(fā)生故障，或者處理變得復雜，所以在本實施例中切斷信號布線203以外的地方，進行修復。但是，如果能夠在信號布線的兩側配置放大器IC，則即使在1個線中發(fā)生1個地方的斷線，也能夠進行信號輸出。在該情況下，可以除去信號布線上的光電二極管的下電極，切斷信號布線。
如上所述，在基于激光的修復中，如果在激光照射部分存在多個金屬膜，則由于根據(jù)條件，溶解時這些金屬會短路，所以理想的是在2個以上布線重疊的部分進行修復。如果在進行修復的布線部分存在金屬膜(第3導電層)和厚膜的Si膜(第2半導體層)，則會降低切斷的加工精度，發(fā)生無法切斷的故障。
在本實施例中，為了進行穩(wěn)定的修復，而如圖17、圖18的粗線(光電轉換元件的下電極9)和虛線(配置了第2半導體層的配置區(qū)域)所示的那樣，在TFT區(qū)域的修復的地方(多個布線不重疊的區(qū)域)上面具有開口。
在圖17中，在發(fā)生光電轉換元件的泄露、TFT1的泄露、信號布線203和TFT驅動布線201的重疊部分的泄露、偏壓布線204和TFT驅動布線201的重疊部分的泄露等缺陷的時候，可以切斷TFT驅動布線201、源·漏電極、偏壓布線204。
圖18是將TFT1作為溝道蝕刻型的情況下的形狀。在此，對TFT區(qū)域進行大的開口，但也可以只對信號布線203和TFT驅動布線201的不重疊的部分進行開口。
由此，在發(fā)生光電轉換元件的泄露、TFT1的泄露、信號布線203和TFT驅動布線201的重疊部分的泄露等缺陷的時候，可以切斷TFT驅動布線201、源·漏電極。
通過本實施例，在至少由包含第1半導體層的TFT、其上面的第2半導體層、包含電極的光電轉換元件構成的攝象裝置中，能夠穩(wěn)定地進行以光電轉換元件內(nèi)的短路、TFT短路等為代表的缺陷部分的基于激光修復的加工。
在本實施例中，使用圖19～圖21說明組合了由TFT構成的開關元件、以a-Se為代表的半導體元件的直接型放射線攝象裝置的例子。
在圖19中展示了本實施例的放射線攝象裝置的模型等價電路圖。
使用圖19說明本實施例的動作。向被檢測體射入的放射線由于被檢測體而衰減地透過，向半導體轉換元件7(例如由a-Se構成)射入。射入的放射線在a-Se層內(nèi)，被直接轉換為與射入的放射線能量對應的電子·正電子對的電荷。如果通過與共通電極驅動器5連接的偏壓布線204向a-Se層的兩端施加數(shù)百伏特的電壓，則產(chǎn)生的電荷沿電場聚集，蓄積在配置在絕緣基板上的蓄積用電容器8。該蓄積的電荷經(jīng)由TFT1被傳送到信號布線203，并通過放大器IC3讀出到外部。
另外，TFT1的共通的驅動布線201與控制TFT1的開、關的柵驅動器2連接。
在圖20中，展示了本實施例的放射線攝象裝置的模型截面圖。
使用圖20說明本實施例的放射線攝象裝置的層結構。
首先，在玻璃基板100上通過噴濺法形成膜第1導電層101(例如AlNd/Mo，2500)，形成TFT驅動布線201、蓄積用電容器8的下電極，接著在其上通過CVD法連續(xù)形成膜第1絕緣層102(例如SiN，3000)、第1半導體層103(例如a-Si，500)、第2絕緣層(溝道保護)104(例如SiN，2000)，用通過背面曝光和掩膜曝光形成的記錄像(未圖示)進行蝕刻，只在TFT驅動布線上保留第2絕緣層(溝道保護)104。
在此，為了提高TFT的傳送能力，降低因TFT部分的信號布線側電極和TFT驅動布線重疊引起的寄生電容，理想的是使用背面曝光形成蝕刻停止型的TFT。
接著，通過CVD法形成膜第1電阻接觸層105(例如n+型a-Si，200)，在其上通過噴濺法形成第2導電層106(例如AlNd/Mo，4000)，接著通過濕式蝕刻法進行布線，形成蓄積電容的上電極、TFT的各源·漏電極和信號布線，接著，通過干式蝕刻法，分離第1電阻接觸層105的源·漏，以及分離第1半導體層103的元件間。
下面，作為平坦化膜堆積第3絕緣層107(例如有機膜BCB和PI(聚酰亞胺))，并在蓄積電容的上電極上形成接觸孔。然后，通過噴濺法形成膜第3導電層108(例如AlNd/Mo，2000)，經(jīng)由接觸孔與蓄積電容的上電極連接，形成半導體轉換元件的下電極。
在本實施例中，半導體轉換元件的下電極被配置得至少除去TFT驅動布線(突出的部分成為柵電極)、TFT源·漏電極、信號布線中的2個相互重疊的區(qū)域以外的，TFT驅動布線(包含柵電極)上的至少一部分和TFT的源·漏電極上的至少一部分。在此，除去信號布線、TFT構成部分、TFT驅動布線和信號布線的重疊部分(交叉部分)以及其周圍區(qū)域的半導體轉換元件的下電極。在其周圍區(qū)域，至少通過了驅動布線、TFT的源·漏電極，能夠通過激光切斷驅動布線、TFT的源·漏電極。
進而，在其上作為直接轉換材料118形成a-Se。再通過噴濺法形成膜第4導電層112(例如AlNd/Mo，2500)，只將TFT區(qū)域作為開口形狀的偏壓布線204。然后，在上面形成保護層113(例如SiN和有機膜)，進行電氣檢查，根據(jù)需要進行缺陷部分的激光修復。
下面說明修復方法。使用圖20的模型截面圖所示的那樣的除去TFT區(qū)域上的金屬膜而形成的結構，說明修復方法。
在圖21中，1是TFT，13是直接型半導體轉換元件的下電極，10是接觸孔，203是信號布線，201是TFT的驅動布線，11是修復的圖象，12是缺陷(因異物而發(fā)生泄露的地方)的圖象。
在修復直接型半導體轉換元件7的泄露、TFT1的泄露、信號布線203和TFT驅動布線201間的泄露、蓄積用電容器8的泄露等缺陷的情況下，為了電切斷各信號布線203、TFT驅動布線201，理想的是主要在TFT區(qū)域切斷布線。
TFT驅動布線201即使在1個線中發(fā)生1個地方的斷線，通過在兩側配置柵驅動器，也能夠進行TFT的控制。
對此，舉以下這樣的例子由于切斷信號布線203時信號處理發(fā)生故障，或者處理變得復雜，所以在本實施例中切斷信號布線203以外的地方，進行修復。
如上所述，在基于激光的修復中，如果在激光照射部分存在多個金屬膜，則由于根據(jù)條件，在溶解時這些金屬會短路，所以理想的是在2個以上布線不重疊的部分進行修復，如果在進行修復的布線部分存在金屬膜(第3導電層)，則會發(fā)生切斷的加工精度降低，或不能確定那樣的故障。
在本實施例中，為了進行穩(wěn)定的修復，而如圖21中的粗線(直接型半導體轉換元件的下電極13)所示的那樣，在TFT區(qū)域的修復的地方(多個布線不重疊的區(qū)域)上面具有開口。
在圖21中，為了使TFT區(qū)域中開口而形成半導體轉換元件的下電極13。
由此，在發(fā)生半導體轉換元件7的泄露、TFT1的泄露、蓄積用電容器的泄露、信號布線203和TFT驅動布線201的重疊部分的泄露的時候，可以切斷TFT驅動布線201、源·漏電極。
通過本實施例，在至少由包含第1半導體層的TFT、包含其上面的電極的半導體轉換元件構成的放射線攝象裝置中，能夠穩(wěn)定地進行以半導體轉換元件內(nèi)的短路、TFT短路等為代表的缺陷部分的基于激光修復的加工。
在本實施例中，使用圖22說明形成了讀出用的TFT的攝象裝置的例子，該讀出用的TFT用于讀出與在由TFT構成的開關元件、MIS型的光電轉換元件中產(chǎn)生的電荷量對應的信號。
圖22是本實施例的攝象裝置的模型等價電路圖。在圖22中，作為開關元件的TFT(在本實施例中是開關用)的共通的驅動布線201與控制TFT1的開、關的柵驅動器2連接。進而，TFT1的源或漏電極經(jīng)由讀出用TFT14與共通的信號布線203連接，信號布線203與放大器IC3連接。另外，光電轉換元件4的一個電極與未圖示的共通電極驅動器連接，另一個電極與讀出用TFT14的控制電極連接。另外，復位用的TFT15的源或漏中的一個與讀出用TFT14的控制電極連接，另一個與復位布線連接。
向被檢測體射入的放射線由于被檢測體而衰減透過，通過熒光體層被轉換為可見光，該可見光射入到光電轉換元件4，被轉換為電荷。該電荷相對于讀出用TFT14的控制電極，對應于光照射量發(fā)生電位變動。由于該電位變動，流過讀出用TFT14的電信號發(fā)生變化，能夠通過信號布線203讀出。作為開關元件的TFT1被作為向讀出用TFT14的源·漏間施加電壓的開關用而使用。另外，通過柵驅動脈沖經(jīng)由TFT1被轉送到信號布線203，通過放大器IC3被讀出到外部。信號讀出后，通過驅動復位用TFT15，通過復位布線205向與復位TFT15連接的光電轉換元件4的電極施加電壓，而能夠除去蓄積在光電轉換元件4上的電荷。
在這樣的源跟蹤型的攝象裝置中，除了包含第1半導體層的TFT、包含第2半導體層的光電轉換元件以外，還有必要配置多個晶體管(例如在本實施例中，是讀出用的TFT和復位用TFT)。另外，也可以在電路中配置電容器。在這樣的情況下，通過如上所述那樣地在層上平坦化膜和金屬膜4，能夠增加設計的效果。例如，在下層形成開關用TFT、復位用TFT、電容器，在上層形成光電轉換元件和讀出用晶體管那樣地，能夠自由地進行配置。
但是同時，在特別是在下層形成的TFT發(fā)生缺陷，而導致布線短路的情況下，是不能通過激光修復上層配置的例如光電轉換元件和讀出用TFT的。所以，下層特別是TFT區(qū)域上面，通過除去例如構成光電轉換元件和讀出用TFT的金屬膜和第2半導體層，能夠穩(wěn)定地進行基于激光的加工。
通過本實施例，在由包含第1半導體層的TFT(例如開關TFT和復位TFT)、其上面的第2半導體層、包含電極的光電轉換元件構成的放射線檢測裝置中，能夠穩(wěn)定地進行以光電轉換元件內(nèi)的短路、TFT短路等為代表的缺陷部分的基于激光修復的加工。
如以上所說明的那樣，通過本發(fā)明，在具有包含第1半導體層的開關元件、包含其上面的第2半導體層的半導體轉換元件、與該開關元件連接的驅動布線、與該轉換元件連接的信號布線的攝象裝置和放射線攝象裝置中，即使發(fā)生泄露等缺陷，也能夠穩(wěn)定地進行基于缺陷部分的激光修復的加工，能夠提供生產(chǎn)率高的攝象裝置和放射線攝象裝置。
圖23A、圖23B是本發(fā)明的放射線(X射線)攝象裝置的實際安裝例子的模型結構圖和模型截面圖。
在傳感器基板6011內(nèi)形成多個光電轉換元件和TFT，與安裝了位移寄存器SR1和檢測用集成電路IC的軟性電路基板6010連接。軟性電路基板6010的相反側與電路基板PCB1、PCB2連接。上述多個傳感器基板6011被粘接在基臺6012上，在構成大型光電轉換裝置的基臺6012的下面，安裝了用來從X射線保護處理電路6018內(nèi)的存儲器6014的鉛板6013。在傳感器基板6011上，蒸發(fā)粘接著用來將X射線轉換為可見光的例如CsI的閃爍器(熒光體層)6030。如圖23(b)所示的那樣，其整體被收容在碳纖維制的外殼6020中。
圖24是展示本發(fā)明的放射線攝象裝置的X射線診斷系統(tǒng)的應用的圖。
用X射線管6050產(chǎn)生的X射線6060透過患者或被檢查者6061的胸部6062，射入到上部安裝了閃爍器的光電轉換裝置6040(上部安裝了閃爍器的光電轉換裝置構成放射線攝象裝置)中。在該射入的X射線中包含了患者6061身體內(nèi)部的信息。對應于X射線的射入閃爍器發(fā)光，對其進行光電轉換，得到電信息。該信息被轉換為數(shù)字，通過成為信號處理裝置的圖象處理器6070進行圖象處理，能夠在成為控制室的顯示裝置的顯示器6080上進行觀察。
另外，該信息通過電話線路6090等傳送處理裝置能夠轉送到遠距離的地方，能夠被顯示到其他地方的醫(yī)務室等中的成為顯示裝置的顯示器6081上，或保存到光盤等記錄裝置中，遠距離的醫(yī)生能夠進行診斷。另外，能夠通過成為記錄裝置的膠片處理器6100，記錄到成為記錄介質的膠片6110中。
本發(fā)明并不僅限于上述實施例，在本發(fā)明的宗旨范圍內(nèi)，可以有各種變形，并且這些變形也包含在本發(fā)明中。
權利要求
1.一種攝象裝置，是在基板上，2維地配置由成對的將射入的電磁波轉換為電信號的半導體轉換元件、與上述半導體轉換元件連接的開關元件構成的多個像素，具有與排列在一個方向上的多個上述開關元件共通連接的驅動布線、與排列在與上述一個方向不同的方向上的多個上述開關元件共通連接的信號布線，上述開關元件包含第1半導體層，上述半導體轉換元件包含在形成上述開關元件后被形成的，并且在形成上述第1半導體層后被形成的第2半導體層的攝象裝置，其特征在于上述半導體轉換元件的電極被形成為在上述驅動布線、上述開關元件的電極和上述信號布線中的2個相互不重疊的區(qū)域中，至少除去上述驅動布線上的一部分和上述開關元件的電極上的一部分。
2.根據(jù)權利要求1所述的攝象裝置，其特征在于上述半導體轉換元件的電極還被形成為除去上述信號布線上的至少一部分。
3.根據(jù)權利要求1所述的攝象裝置，其特征在于不形成上述半導體轉換元件的電極的區(qū)域位于上述驅動布線、上述開關元件的電極、上述信號布線中的2個相互重疊的區(qū)域的周圍。
4.根據(jù)權利要求1所述的攝象裝置，其特征在于上述半導體轉換元件在其上下具有電極，其中一個電極與上述開關元件連接。
5.根據(jù)權利要求1所述的攝象裝置，其特征在于在與上述開關元件對應的區(qū)域上形成的上述第2半導體層比在上述半導體轉換元件的電極上形成的第2半導體層薄。
6.根據(jù)權利要求1所述的攝象裝置，其特征在于在與上述開關元件對應的區(qū)域上，沒有上述第2半導體層。
7.根據(jù)權利要求1所述的攝象裝置，其特征在于上述開關元件由薄膜晶體管構成。
8.根據(jù)權利要求1所述的攝象裝置，其特征在于上述半導體轉換元件是由絕緣層、半導體層、電阻接觸層、上下配置的電極層構成的MIS型半導體轉換元件。
9.根據(jù)權利要求1所述的攝象裝置，其特征在于上述半導體轉換元件是由n型半導體層、i型半導體層、p型半導體層、上下配置的電極層構成的PIN型半導體轉換元件。
10.一種攝象裝置，是在基板上，2維地配置由成對的將射入的電磁波轉換為電信號的半導體轉換元件、與上述半導體元件連接的開關元件構成的多個像素，具有與排列在一個方向上的多個上述開關元件共通連接的驅動布線、與排列在與上述一個方向不同的方向上的多個上述開關元件共通連接的信號布線，上述開關元件包含第1半導體層，上述半導體轉換元件包含配置在上述開關元件的上層，并且與上述第1半導體層不同的第2半導體層的攝象裝置，其特征在于上述半導體轉換元件在上述驅動布線、上述開關元件的電極和上述信號布線中的2個相互重疊區(qū)域以外的，至少在上述驅動布線上的一部分和上述開關元件的電極上的一部分上，具有開口。
11.根據(jù)權利要求10所述的攝象裝置，其特征在于上述開口位于上述驅動布線、上述開關元件的電極、上述信號布線中的2個相互重疊的區(qū)域的周圍。
12.根據(jù)權利要求10所述的攝象裝置，其特征在于還在上述信號布線上的至少一部分上具有上述開口。
13.一種攝象裝置，是在基板上，2維地配置由成對的將射入的電磁波轉換為電信號的半導體轉換元件、與上述半導體元件連接的開關元件構成的多個像素，具有與排列在一個方向上的多個上述開關元件共通連接的驅動布線、與排列在與上述一個方向不同的方向上的多個上述開關元件共通連接的信號布線，上述開關元件包含第1半導體層，上述半導體轉換元件包含配置在上述開關元件的上層，并且與上述第1半導體層不同的第2半導體層的攝象裝置，其特征在于至少在上述開關元件的形成區(qū)域的周圍區(qū)域、以及上述驅動布線的一部分除去上述半導體轉換元件的電極。
14.一種放射線攝象裝置，其特征在于具有權利要求1～13中的任意一個所述的攝象裝置，上述攝象裝置的上述半導體轉換元件是光電轉換元件，上述電磁波是光，在上述光電轉換元件上，具有將放射線轉換為能夠用上述光電轉換元件進行光電轉換的波長區(qū)域的上述光的波長轉換層。
15.一種放射線攝象裝置，其特征在于具有權利要求1～13中的任意一個所述的攝象裝置，上述攝象裝置的上述半導體轉換元件是將放射線直接轉換為電信號的元件，上述電磁波是放射線。
16.一種放射線攝象系統(tǒng)，其特征在于包括權利要求14或15所述的放射線攝象裝置；處理從上述放射線攝象裝置發(fā)來的信號的信號處理裝置；記錄從上述信號處理裝置發(fā)來的信號的記錄裝置；顯示從上述信號處理裝置發(fā)來的信號的顯示裝置；傳送從上述信號處理裝置發(fā)來的信號的傳送處理裝置；產(chǎn)生上述放射線的放射線源。
全文摘要
本發(fā)明的攝象裝置和放射線攝象裝置是在基板上，2維地配置由成對的將射入的電磁波轉換為電信號的半導體轉換元件、與上述半導體轉換元件連接的開關元件構成的多個像素，具有與排列在一個方向上的多個上述開關元件共通連接的驅動布線、與排列在與上述一個方向不同的方向上的多個上述開關元件共通連接的信號布線，上述開關元件包含第1半導體層，上述半導體轉換元件包含在形成上述開關元件后被形成的，并且在形成上述第1半導體層后被形成的第2半導體層，其特征在于上述半導體轉換元件的電極被形成為在上述驅動布線、上述開關元件的電極和上述信號布線中的2個相互不重疊的區(qū)域中，至少除去上述驅動布線上的一部分和上述開關元件的電極上的一部分。
文檔編號H01L27/146GK1501758SQ200310114918
公開日2004年6月2日 申請日期2003年11月13日 優(yōu)先權日2002年11月13日
發(fā)明者森井稔子, 森下正和, 渡邊實, 和 申請人:佳能株式會社