專利名稱：放射線檢測(cè)器、放射線攝影裝置及放射線檢測(cè)器制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及放射線檢測(cè)器、放射線攝影裝置以及放射線檢測(cè)器制造方法。
背景技術(shù)：
近年來(lái)，F(xiàn)PD (平板檢測(cè)器)已經(jīng)投入了實(shí)際使用，在FPD中，在TFT (薄膜晶體管) 有源矩陣基板上設(shè)置有放射線敏感層，并且FPD檢測(cè)照射的如X放射線等的放射線并將放射線直接轉(zhuǎn)換成表示所照射的放射線量的分布的放射線圖像數(shù)據(jù)，并接著輸出該數(shù)據(jù)。還投入使用了包含諸如FPD等的平板型放射線檢測(cè)器、包括圖像存儲(chǔ)器的電子電路以及電源部的放射線攝影裝置(下面，還稱作電子盒(cassette)，該放射線攝影裝置將從放射線檢測(cè)器輸出的放射線圖像數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在圖像存儲(chǔ)器中。因?yàn)殡娮雍芯哂袃?yōu)異的便攜性，所以，可以拍攝靜臥在擔(dān)架上或者床上的被檢查者的圖像，并且還可以通過(guò)改變電子盒的位置來(lái)輕松地調(diào)整要拍攝的區(qū)域。因此，甚至可以靈活地處理要拍攝不能移動(dòng)的被檢查者的圖像的情況。已經(jīng)針對(duì)上述放射線圖像檢測(cè)器提出了各種結(jié)構(gòu)。例如，已知一種間接轉(zhuǎn)換型放射線圖像檢測(cè)器，其一旦在閃爍體層將所照射的放射線轉(zhuǎn)換成光，就再次通過(guò)光檢測(cè)基板將從閃爍體層放出的光轉(zhuǎn)換成電荷并積蓄電荷。由于間接轉(zhuǎn)換型放射線圖像檢測(cè)器的模式，例如，存在這樣一種方法，其中，利用粘合劑或自粘劑把在支承基板(反射基板)上淀積的由CsI:Tl等形成的閃爍體的結(jié)構(gòu)粘接至光檢測(cè)基板。另外，還存在將CsI:Tl等形成的閃爍體直接淀積在光檢測(cè)基板上并且在需要時(shí)在閃爍體上淀積反射層的直接淀積方法、將由GOS(Gd2AS = Tb)等形成的閃爍體涂敷在光檢測(cè)基板上的方法、以及將在支承基板上涂敷的由GOS形成的閃爍體層的結(jié)構(gòu)粘接在光檢測(cè)基板上的方法。然而，金屬板(一般為Al基板)在上述粘接方法中被用作閃爍體的支承基板。因此，在將光檢測(cè)基板粘接至閃爍體層之后，如果將放射線檢測(cè)器與保持原樣的金屬板一起使用，則可能因光檢測(cè)基板和金屬板的熱膨脹系數(shù)的差異而出現(xiàn)翹曲。而且，同樣對(duì)于上述直接轉(zhuǎn)換方法和涂覆方法來(lái)說(shuō)，類似地，當(dāng)在閃爍體層上生成反射層時(shí)，可能因光檢測(cè)基板和反射層的熱膨脹系數(shù)的差異而出現(xiàn)翹曲。作為針對(duì)這種翹曲的措施，日本專利No. 4451843和日本專利申請(qǐng)?zhí)亻_(JP-A) No. 2005-172511公開了從具有支承基板和反射層的閃爍體層剝離支承基板的方法。然而，在日本專利No. 4451843和JP-A No. 2005-172511中，因?yàn)楣鈾z測(cè)基板被粘接至閃爍體層，所以反射層和閃爍體層以及光檢測(cè)基板構(gòu)成整體并且熱膨脹，從而可能因光檢測(cè)基板與反射層的熱膨脹系數(shù)的差異而出現(xiàn)翹曲。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于上述情況做出本發(fā)明，并且本發(fā)明的目的是提供一種抑制光檢測(cè)基板的翹曲的放射線檢測(cè)器、放射線攝影裝置以及制造放射線檢測(cè)器的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明的第側(cè)面提供了一種放射線檢測(cè)器，該放射線檢測(cè)器包括光檢測(cè)基板，其將光轉(zhuǎn)換成電荷；閃爍體層，其面對(duì)所述光檢測(cè)基板并將照射的放射線轉(zhuǎn)換成光；以及反射部，其向著所述光檢測(cè)基板反射在所述閃爍體層轉(zhuǎn)換的光，并且所述反射部被設(shè)置為面對(duì)所述閃爍體層并且能夠沿面內(nèi)方向與所述閃爍體層相對(duì)移位。這里，所述“面內(nèi)方向，，表示所述光檢測(cè)基板的面內(nèi)方向。按這種結(jié)構(gòu)，即使光檢測(cè)基板和反射部在面內(nèi)方向的熱膨脹量(移位量)不同，但因?yàn)榉瓷洳亢烷W爍體層被設(shè)置得彼此面對(duì)并且能夠在面內(nèi)方向上相對(duì)移位，即，可以彼此不受限制地移位，所以可以抑制由于反射部與光檢測(cè)基板的熱膨脹量的差異而造成的光檢測(cè)基板的翹曲。本發(fā)明的第二方面提供了根據(jù)第側(cè)面的放射線檢測(cè)器，其中，所述反射部與所述閃爍體層面接觸。根據(jù)這種結(jié)構(gòu)，反射部或閃爍體層可以在接觸面處得到支承。本發(fā)明的第三方面提供了根據(jù)第二方面的放射線檢測(cè)器，其中，所述反射部或所述閃爍體層的接觸面經(jīng)受滑動(dòng)處理。根據(jù)這種結(jié)構(gòu)，通過(guò)執(zhí)行滑動(dòng)處理并減小反射部或閃爍體層的接觸面的摩擦，可以抑制因摩擦和移位而造成反射部和閃爍體層被彼此限制。本發(fā)明的第四方面提供了根據(jù)第側(cè)面的放射線檢測(cè)器，其中，所述反射部被支承， 使得在所述反射部與所述閃爍體層之間形成空氣層。根據(jù)這種結(jié)構(gòu)，在反射部處的光反射可以因所述空氣層的折射率的效果而增加。本發(fā)明的第五方面提供了根據(jù)第四方面的放射線檢測(cè)器，其中，在所述反射部與所述閃爍體層之間設(shè)置有間隔體，該間隔體使所述反射部與所述閃爍體層之間的距離恒定。根據(jù)這種結(jié)構(gòu)，反射部或閃爍體層可以被該間隔體支承。而且，空氣層可以例如形成在構(gòu)成間隔體的多個(gè)精細(xì)顆粒之間。本發(fā)明的第六方面提供了根據(jù)第側(cè)面的放射線檢測(cè)器，其中，所述閃爍體層被構(gòu)造為包括多個(gè)柱狀晶體。例如，可以使用包括柱狀晶體(舉例來(lái)說(shuō)，如CsI)的閃爍體作為閃爍體層。而且， 閃爍體層可以包括由多個(gè)非柱狀晶體形成的非柱狀晶體區(qū)，并且閃爍體層與柱狀晶體區(qū)連續(xù)。本發(fā)明的第七方面提供了根據(jù)第六方面的放射線檢測(cè)器，其中，所述多個(gè)柱狀晶體的遠(yuǎn)端面對(duì)所述光檢測(cè)基板。這里，多個(gè)柱狀晶體的遠(yuǎn)端表示在將這些柱狀晶體形成在支承基板上時(shí)與支承基板相對(duì)更遠(yuǎn)的端部。本發(fā)明的第八方面提供了根據(jù)第一到第七方面中任側(cè)面的放射線檢測(cè)器，該放射線檢測(cè)器還包括包圍并密封整個(gè)閃爍體層的密封部。根據(jù)這種結(jié)構(gòu)，可以防止水等接觸到閃爍體層，這在閃爍體層易潮解的情況下特別有效。本發(fā)明的第九方面提供了根據(jù)第側(cè)面的放射線檢測(cè)器，該放射線檢測(cè)器還包括連接所述光檢測(cè)基板和所述反射部的框架部。這里，框架架部可以是柔性部件。根據(jù)這種結(jié)構(gòu)，可以可靠地防止水等接觸到閃爍體層。而且，當(dāng)使用柔性框架部件時(shí)，光檢測(cè)基板和反射板可以不受彼此限制地移位。因此，可以抑制因光檢測(cè)基板和反射板的熱膨脹量的差異而造成的光檢測(cè)基板的翹曲。本發(fā)明的第十方面提供了一種放射線攝影裝置，該放射線攝影裝置包括夕卜殼；以及根據(jù)第側(cè)面的放射線檢測(cè)器，其被并入所述外殼內(nèi)，其中，所述放射線檢測(cè)器的所述光檢測(cè)基板是所述放射線的照射面。根據(jù)這種結(jié)構(gòu)，放射線從作為放射線的照射面的光檢測(cè)基板起按依次擊中閃爍體層和反射部。這時(shí)，在閃爍體層內(nèi)，放射線首先照射到光檢測(cè)基板側(cè)的閃爍體部分上。因此，光檢測(cè)基板側(cè)的閃爍體部分主要吸收放射線并發(fā)射光。而且，當(dāng)閃爍體層內(nèi)的主要吸收放射線并發(fā)射光的閃爍體部分在光檢測(cè)基板側(cè)時(shí)，該閃爍體部分與光檢測(cè)基板之間的距離接近，并且可以增加光檢測(cè)基板從閃爍體層接收的光量。具體來(lái)說(shuō)，在第七方面的結(jié)構(gòu)中，當(dāng)光檢測(cè)基板是放射線的照射面時(shí)，閃爍體層內(nèi)的主要吸收放射線并發(fā)射光的閃爍體部分是光檢測(cè)基板側(cè)的柱狀晶體區(qū)。因此，光散射甚至更少，并且在光檢測(cè)基板處接收的光量可以進(jìn)一步增加。本發(fā)明第十側(cè)面提供了一種放射線攝影裝置，該放射線攝影裝置包括外殼；以及根據(jù)第側(cè)面的放射線檢測(cè)器，其被并入所述外殼內(nèi)，其中，所述放射線檢測(cè)器的所述反射部在所述外殼處被支承。根據(jù)這種結(jié)構(gòu)，可以僅在反射部與閃爍體層之間形成第四方面的空氣層。因此，不需要如第五方面的間隔體。本發(fā)明的第十二方面提供了一種放射線攝影裝置，該放射線攝影裝置包括外殼和并入該外殼內(nèi)的放射線檢測(cè)器，其中，所述放射線檢測(cè)器從放射線的照射方向起依次包括光檢測(cè)基板，其將光轉(zhuǎn)換成電荷；閃爍體層，其被設(shè)置為使得所述光檢測(cè)基板與柱狀晶體的遠(yuǎn)端彼此面對(duì)，并將照射的放射線轉(zhuǎn)換成光；以及反射部，其被層積為所述柱狀晶體的與所述遠(yuǎn)端相反的端部的表面上的薄膜，并且所述反射部向著所述光檢測(cè)基板反射在所述閃爍體層轉(zhuǎn)換的光。一般來(lái)說(shuō)，反射部的移位量(熱膨脹量)與其厚度成比例。根據(jù)第十二方面的結(jié)構(gòu)，將反射部制成為薄膜，因此可以減小反射部的移位量，而且相應(yīng)地，可以抑制光檢測(cè)基板的翹曲。而且，根據(jù)這種結(jié)構(gòu)，放射線從光檢測(cè)基板起依次擊中閃爍體層和反射部。這時(shí)，在閃爍體層內(nèi)，放射線首先照射到光檢測(cè)基板側(cè)的閃爍體部分上。因此，位于光檢測(cè)基板側(cè)的閃爍體部分主要吸收放射線并發(fā)射光。而且，當(dāng)閃爍體層內(nèi)的主要吸收放射線并發(fā)射光的閃爍體部分是光檢測(cè)基板側(cè)時(shí)，該閃爍體部分與光檢測(cè)基板之間的距離接近，從而可以增加光檢測(cè)基板接收的光量。本發(fā)明的第十三方面提供了一種制造根據(jù)第八方面的放射線檢測(cè)器的方法，該方法包括以下步驟在支承基板上形成構(gòu)成所述密封部的第一密封膜；在所述第一密封膜上形成所述閃爍體層；形成構(gòu)成所述密封部的第二密封膜，以覆蓋所述閃爍體層和所述第一密封膜；將所述光檢測(cè)基板粘接在所述第二密封膜上；以及從所述第一密封膜去除所述支承基板，其中，在形成所述第一密封膜之前，或者在形成所述第一密封膜之后形成所述閃爍體層之前，對(duì)所述支承基板或所述第一密封膜執(zhí)行表面處理，使得所述支承基板與所述第一密封膜之間的粘合強(qiáng)度低于所述第一密封膜與所述閃爍體層之間的粘合強(qiáng)度。根據(jù)這種方法，在從第一密封膜去除支承基板時(shí)，可以容易地去除支承基板，而第一密封膜不會(huì)從閃爍體層剝離。本發(fā)明的第十四方面提供了一種制造根據(jù)第八方面的放射線檢測(cè)器的方法，該方法包括以下步驟在支承基板上形成構(gòu)成所述密封部的第一密封膜；在所述第一密封膜上形成所述閃爍體層；形成構(gòu)成所述密封部的第二密封膜，以覆蓋所述閃爍體層和所述第一密封膜；將所述光檢測(cè)基板粘接在所述第二密封膜上；在形成所述第二密封膜之后粘接所述光檢測(cè)基板之前，或者在粘接所述光檢測(cè)基板之后，在所述支承基板的面外方向上切斷處于所述閃爍體層的外周側(cè)的所述第一密封膜和所述第二密封膜；以及從所述第一密封膜去除所述支承基板，其中，在形成所述第一密封膜之前，對(duì)所述支承基板執(zhí)行表面處理，使得所述支承基板與所述第一密封膜的處于所述閃爍體層的形成區(qū)域的外周側(cè)的部分之間的粘合強(qiáng)度高于所述支承基板與所述第一密封膜的處于所述閃爍體層的形成區(qū)域下面的部分之間的粘合強(qiáng)度。根據(jù)這種方法，在形成閃爍體層時(shí)，支承基板與處于閃爍體層的形成區(qū)域的外周側(cè)的第一密封膜之間的粘合強(qiáng)度高于支承基板與處于閃爍體層的形成區(qū)域下面的第一密封膜的之間的粘合強(qiáng)度。因此，例如，可以防止第一密封膜和閃爍體層從支承基板剝離。而且，在從第一密封膜去除支承基板時(shí)，由于在支承基板的面外方向切斷處于閃爍體層的外周側(cè)并且粘合強(qiáng)度較高的第一密封膜和第二密封膜，因此能夠僅從處于閃爍體層的形成區(qū)域下面的第一密封膜去除支承基板。這里，支承基板與處于閃爍體層的形成區(qū)域下面的第一密封膜之間的粘合強(qiáng)度低于支承基板與處于閃爍體層的形成區(qū)域外周側(cè)的第一密封膜之間的粘合強(qiáng)度。因此，可以容易地去除支承基板。根據(jù)本發(fā)明，可以提供一種抑制光檢測(cè)基板的翹曲的放射線檢測(cè)器、放射線攝影裝置，以及制造放射線檢測(cè)器的方法。


將基于下列附圖對(duì)本發(fā)明的示例性實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)描述，其中圖1是示出在拍攝放射線圖像時(shí)電子盒的布置的示意圖；圖2是示出電子盒的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的立體圖；圖3是示出電子盒的電路圖的圖；圖4是示出電子盒的截面結(jié)構(gòu)的截面圖；圖5是示出涉及本發(fā)明第一示例性實(shí)施方式的放射線檢測(cè)器的截面結(jié)構(gòu)的截面圖；圖6是示出涉及本發(fā)明第二示例性實(shí)施方式的放射線檢測(cè)器的截面結(jié)構(gòu)的截面圖；圖7是示出涉及本發(fā)明第三示例性實(shí)施方式的放射線檢測(cè)器的截面結(jié)構(gòu)的截面圖；圖8是示出涉及本發(fā)明第四示例性實(shí)施方式的放射線檢測(cè)器的截面結(jié)構(gòu)的截面圖；圖9A到圖9D是涉及本發(fā)明第五示例性實(shí)施方式的制造放射線檢測(cè)器的方法的工藝圖；以及圖10是涉及本發(fā)明第六示例性實(shí)施方式的制造放射線檢測(cè)器的方法的說(shuō)明圖。
具體實(shí)施例方式第一示例性實(shí)施方式下面，將參照附圖對(duì)涉及第一示例性實(shí)施方式的放射線檢測(cè)器、放射線攝影裝置以及制造放射線檢測(cè)器的方法進(jìn)行具體描述。應(yīng)注意，在圖中，具有相同或?qū)?yīng)功能的部件 (結(jié)構(gòu)性元件)用相同附圖標(biāo)記指示，并且適當(dāng)?shù)芈匀チ藢?duì)它們的描述。放射線攝影裝置的總體結(jié)構(gòu)首先，對(duì)涉及本發(fā)明第一示例性實(shí)施方式的電子盒的結(jié)構(gòu)進(jìn)行描述，該電子盒用作其中包含有放射線檢測(cè)器的放射線攝影裝置的示例。電子盒是便攜式的放射線攝影裝置，其檢測(cè)來(lái)自放射線源并穿過(guò)被檢查者的放射線，并且生成由檢測(cè)到的放射線表示的放射線圖像的圖像信息，并且可以存儲(chǔ)所生成的圖像信息。具體來(lái)說(shuō)，該電子盒構(gòu)造如下。注意，電子盒可以是不存儲(chǔ)所生成的圖像信息的結(jié)構(gòu)。圖1是示出在拍攝放射線圖像時(shí)電子盒的布置的示意圖。在拍攝放射線圖像時(shí)，電子盒10被按照該電子盒10與用作生成放射線X的放射線源的放射線生成部12之間的間隔放置。放射線生成部12與電子盒10之間的區(qū)域在此時(shí)是用于定位充當(dāng)被檢查者的病人14的拍攝位置。在指示拍攝放射線圖像時(shí)，放射線生成部12照射放射線X，所照射的量與預(yù)先給出的拍攝條件等相對(duì)應(yīng)。由于從放射線生成部12 照射的放射線X穿過(guò)位于拍攝位置處的病人14，因而放射線X攜帶圖像信息，并且此后，放射線被照射到電子盒10上。圖2是示出電子盒10的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的示意性立體圖。電子盒10由透射放射線X的材料形成，并且具有被形成為平板并具有預(yù)定厚度的外殼16。檢測(cè)已穿過(guò)病人14的放射線X的放射線檢測(cè)器20以及控制放射線檢測(cè)器20的控制基板22從外殼16的其上被照射放射線X的照射面18側(cè)起按次序設(shè)置在外殼16內(nèi)部。圖3是示出電子盒10的電路圖的圖。放射線檢測(cè)器20具有其上二維地設(shè)置有多個(gè)像素的光檢測(cè)基板30。各個(gè)像素28 都被構(gòu)造成包括傳感器部M和用于讀出在傳感器部M中積蓄的電荷的TFT (薄膜晶體管) 開關(guān)沈，該傳感器部M具有上電極、半導(dǎo)體層及下電極，并且傳感器部M接收光并積蓄電荷。在光檢測(cè)基板30處，按彼此交叉的方式設(shè)置有用于接通和斷開TFT開關(guān)沈的多條掃描線32和用于讀出在傳感器部M中積蓄的電荷的多條信號(hào)線34。在涉及本發(fā)明第一示例性實(shí)施方式的放射線檢測(cè)器20處，閃爍體層36被粘接到光檢測(cè)基板30正面。閃爍體層36將照射的諸如X放射線等的放射線X轉(zhuǎn)換成光。傳感器部M接收從閃爍體層36照射的光并且積蓄電荷。由于連接至信號(hào)線34的TFT開關(guān)沈中的任一個(gè)被接通，表示放射線圖像的電信號(hào)(圖像信號(hào))根據(jù)在傳感器部M中積蓄的電荷量而流向信號(hào)線34。而且，多個(gè)連接用的連接器38沿信號(hào)線34的方向被排成一行地設(shè)置在放射線檢測(cè)器20的一端。多個(gè)連接器40被排成一行地設(shè)置在掃描線32的方向上的一端。相應(yīng)的信號(hào)線34連接至連接器38，并且相應(yīng)的掃描線32連接至連接器40。柔性電纜42的一端電連接至連接器38。而且，柔性電纜44的一端電連接至連接器40。這些柔性電纜42和柔性電纜44接合至控制基板22。在控制基板22上設(shè)置有控制部46，該控制部46對(duì)放射線檢測(cè)器20的攝影操作執(zhí)行控制并對(duì)關(guān)于流向相應(yīng)信號(hào)線34的電信號(hào)的信號(hào)處理執(zhí)行控制?？刂撇?6具有信號(hào)檢測(cè)電路48和掃描信號(hào)控制電路50。多個(gè)連接器52設(shè)置在信號(hào)檢測(cè)電路48處。柔性電纜42的另一端電連接至這些連接器52。信號(hào)檢測(cè)電路48針對(duì)每一條信號(hào)線34都包含放大被輸入的電信號(hào)的放大電路。由于這種結(jié)構(gòu)，信號(hào)檢測(cè)電路48通過(guò)放大電路來(lái)放大從相應(yīng)的信號(hào)線34輸入的電信號(hào)并檢測(cè)這些信號(hào)，并由此檢測(cè)出在相應(yīng)的傳感器部M中積蓄的電荷量，作為構(gòu)成圖像的相應(yīng)像素觀的信息。另一方面，多個(gè)連接器M設(shè)置在掃描信號(hào)控制電路50處。柔性電纜44的另一端電連接至這些連接器54。掃描信號(hào)控制電路50可以向相應(yīng)的掃描線32輸出用于接通和斷開TFT開關(guān)沈的控制信號(hào)。當(dāng)在這種結(jié)構(gòu)中執(zhí)行放射線圖像的拍攝時(shí)，已透射穿過(guò)病人14的放射線X照射到放射線檢測(cè)器20上。照射的放射線X在閃爍體層36被轉(zhuǎn)換成光，接著光被照射到傳感器部M上。傳感器部M接收從閃爍體層36照射的光并積蓄電荷。在讀出圖像時(shí)，從掃描信號(hào)控制電路50經(jīng)由掃描線32向放射線檢測(cè)器20的TFT 開關(guān)26的柵極連續(xù)地施加接通信號(hào)(+IOV至20V)。由此，放射線檢測(cè)器20的TFT開關(guān)沈連續(xù)接通，從而使與傳感器部M中積蓄的電荷量相對(duì)應(yīng)的電信號(hào)由此流出至信號(hào)線34?；谝蚜鞒鲋练派渚€檢測(cè)器20的信號(hào)線34的電信號(hào)，信號(hào)檢測(cè)電路48檢測(cè)在相應(yīng)的傳感器部M中積蓄的電荷量，作為構(gòu)成圖像的相應(yīng)像素觀的信息。由此，獲得了表示以照射到放射線檢測(cè)器20上的放射線表示的圖像的圖像信息。
電子盒10的結(jié)構(gòu)接下來(lái)，對(duì)電子盒10的結(jié)構(gòu)進(jìn)行更具體的描述。圖4是示出電子盒10的截面結(jié)構(gòu)的截面圖。如圖4所示，控制基板22、基座56以及涉及本發(fā)明第一示例性實(shí)施方式的放射線檢測(cè)器20按此順序在與其上被照射了放射線X的照射面18相反的一側(cè)被包含在電子盒10 的外殼16的內(nèi)部。基座56經(jīng)由支承腿58放置在外殼16內(nèi)部的底面上。控制基板22固定至基座56 的底面。放射線檢測(cè)器20經(jīng)由上述柔性電纜42和柔性電纜44連接至控制基板22。注意，下面，在這些實(shí)施方式中，為便于說(shuō)明，“上”指示從控制基板22側(cè)朝向放射線檢測(cè)器20側(cè)的方向，而“下”指示從放射線檢測(cè)器20側(cè)朝向控制基板22側(cè)的方向。然而，定義這些是為了理解位置關(guān)系，而不是限制下面描述的相應(yīng)方向。涉及本發(fā)明第一示例性實(shí)施方式的放射線檢測(cè)器20被形成為矩形平板，并且如上所述，該放射線檢測(cè)器20檢測(cè)由已穿過(guò)病人的放射線X表示的放射線圖像。放射線檢測(cè)器20固定至外殼16的頂面(天花板)，并且主要具有連接至柔性電纜42和柔性電纜44的另一端的光檢測(cè)基板30、粘接至光檢測(cè)基板30的閃爍體層36以及放置在基座56頂面上的反射板60 (用作反射部)。下面，對(duì)放射線檢測(cè)器20的相應(yīng)結(jié)構(gòu)進(jìn)行具體描述。放射線檢測(cè)器20的結(jié)構(gòu)圖5是示出涉及本發(fā)明第一示例性實(shí)施方式的放射線檢測(cè)器20的截面結(jié)構(gòu)的截面圖。放射線檢測(cè)器20的光檢測(cè)基板30是通過(guò)在未例示的基板上形成TFT開關(guān)沈和傳感器部M而構(gòu)成的。而且，光檢測(cè)基板30是放射線X在放射線檢測(cè)器20處的照射面。 放射線X從放射線檢測(cè)器20的沒有粘接閃爍體層36的背面進(jìn)行背面照射。光檢測(cè)基板30的基板材料的示例包括諸如YSZ(釔穩(wěn)定氧化鋯 (yttria-stabilized zirconia)、玻璃等的無(wú)機(jī)材料，并且除此以外，還包括有機(jī)材料，諸如飽和聚酯樹脂、聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(polyethylene terephthalate) (PET)樹脂、聚萘二甲酸乙二醇酯(polyethylene naphthalate) (PEN)樹脂、聚對(duì)苯二甲酸丁二醇酉旨(polybutylene terephthalate)豐對(duì)月旨、聚苯乙 (polystyrene)、 聚環(huán)烯烴(polycycloolefin)、降冰片烯(norbornene)樹脂、聚環(huán)三氟乙烯 (poly (cyclotrifluoroethylene)) > 交聯(lián)富馬酸二月旨(cross-linked fumaric acid diester)樹脂、聚碳酸酯(polycarbonate) (PC)樹脂、聚醚砜(polyethersulfone) (PES) 樹脂、聚砜(polysulfone) (PSF, PSU)樹脂、多芳基化合物(polyarylate) (PAR)樹脂、碳酸烯丙基二甘醇酯樹脂(allyl diglycol carbonate)、環(huán)聚烯烴(cyclic polyolefin) (COP、C0C)樹脂、纖維素樹脂、聚酰亞胺(polyimide) (PI)樹脂、聚酰胺-酰亞胺 (polyamide-imide) (PAI)樹脂、順丁烯二酰亞胺烯烴(maleimide-olefin)樹脂、聚酰胺 (Pa)樹脂、丙烯酸樹脂、含氟樹脂、環(huán)氧樹脂、硅樹脂膜、聚苯并二啞唑(polybenzazole)樹脂、合成環(huán)硫化物、液晶聚合物(LCP)、氰酸鹽(cyanate)樹脂、芳族醚(aromatic ether)樹脂等。另外，還可以使用由氧化硅顆粒制成的合成塑料材料、由金屬納米顆粒、無(wú)機(jī)氧化物納米顆粒、無(wú)機(jī)氮化物納米顆粒等制成的合成塑料材料、由金屬或無(wú)機(jī)納米纖維和/或微纖維制成的合成塑料材料、由碳纖維或碳納米管制成的合成塑料材料、由玻璃鱗片、玻璃纖維或玻璃珠制成的合成塑料材料、由粘土礦物或具有云母晶體結(jié)構(gòu)的顆粒制成的合成塑料材料、由于具有至少一個(gè)接合界面的層壓塑料材料或在薄玻璃與前述單一有機(jī)材料之間交替層壓的無(wú)機(jī)層(例如，Si02、Al203、Si0xNy)和由前述材料形成的有機(jī)層而展示阻隔性能并且具有至少一個(gè)或更多個(gè)接合界面的合成材料、不生銹或其中層壓了不生銹和不同類型金屬的材料、以及鋁基板或具有氧化物覆蓋膜的鋁基板(通過(guò)在其表面上執(zhí)行氧化處理(例如，陽(yáng)極氧化處理)而改進(jìn)了其表面的絕緣能力)。當(dāng)使用前述有機(jī)材料中的任一種時(shí)，優(yōu)選地使用具有優(yōu)異尺寸穩(wěn)定性、耐溶劑性、電絕緣性、機(jī)械加工性、低透氣性、低吸濕性等的有機(jī)材料。還可以將生物納米纖維用作光檢測(cè)基板30的基板材料。生物納米纖維是其中合成了制造細(xì)菌(醋酸菌(acetic acid bacterium)、木醋桿菌(Acetobacter Xylinum))的纖維素微纖絲束(細(xì)菌纖維素)和透明樹脂的纖維素微纖絲束的纖維。纖維素微纖絲束具有50nm的寬度，該寬度是可見光波長(zhǎng)的十分之一的尺寸，并且纖維素微纖絲束具有高強(qiáng)度、高彈性及低熱膨脹。通過(guò)將諸如丙烯酸樹脂、環(huán)氧樹脂等的透明樹脂注入到細(xì)菌纖維素中并固化，獲得了包含相當(dāng)于60%到70%的纖維并同時(shí)在500nm波長(zhǎng)下仍然展現(xiàn)出大約 90%的透光率的生物納米纖維。生物納米纖維具有相當(dāng)于硅晶體的熱膨脹系數(shù)的低熱膨脹系數(shù)(3ppm至7ppm)、與鐵相同程度的強(qiáng)度06OMPa)、高彈性(30GPa)，并且是柔性的。因此，可以將光檢測(cè)基板30形成得像玻璃基板等那樣薄。而且，還可以適于無(wú)色的、透明的芳族聚酰胺(Aramid)膜。芳族聚酰胺膜耐熱至 315°C，并且具有接近玻璃基板的熱膨脹系數(shù)。因此，芳族聚酰胺膜具有在制造之后很少翹曲和難于破裂的有利特征。在光檢測(cè)基板30的頂面處，設(shè)置有用于粘接至閃爍體層36的自粘層100?？梢詫⒈⑾鹉z或硅自粘劑用作在自粘層100中使用的自粘劑。然而，從透明度和耐久度的觀點(diǎn)來(lái)看，丙烯自粘劑是優(yōu)選的。優(yōu)選地使用主要成分為二乙基乙酯(2-ethylhexylacrylate)或η丙烯酸丁酯(n-butylacrylate)等的自粘劑作為丙烯自粘劑，并且其中，為了改進(jìn)內(nèi)聚力，共聚可以利用交聯(lián)劑變?yōu)榻宦?lián)點(diǎn)的短鏈烷基丙烯酸酯(short-chain alkyl acrylate)或甲基丙烯酸脂(methacrylate)，舉例來(lái)說(shuō)， 諸如丙烯酸甲酯(methyl acrylate)、丙烯酸乙酯(ethyl acrylate)、異丁烯酸甲酯 (methyl methacrylate),以及丙烯酸(acrylic acid)、異丁烯酸(methacrylic acid)、丙烯酰胺衍生物(acrylamide derivative)、順丁烯二酸(maleic acid)、羥乙基丙烯酸酯 (hydroxylethyl acrylate)、環(huán)氧丙烯酸酯(glycidyl acrylate)等。玻璃轉(zhuǎn)換溫度(Tg) 和交聯(lián)密度可以通過(guò)恰當(dāng)?shù)卣{(diào)節(jié)混合比率和主要成分、短鏈成分以及用于增加交聯(lián)點(diǎn)的成分的類型來(lái)改變。在自粘層100的底面處，形成有包圍并密封整個(gè)閃爍體層36的密封部102。密封部102由處于反射板60側(cè)的第一密封膜102A和處于自粘層100層側(cè)的第二密封膜102B構(gòu)成。盡管第一密封膜102A和第二密封膜102B因它們分離地形成而有區(qū)別， 但在它們的材料等方面不存在特別差異。具有阻隔大氣中的濕氣的阻隔能力的材料被用于相應(yīng)的密封膜102A、102B。使用通過(guò)諸如熱CVD、等離子CVD等的氣相聚合方法得到的有機(jī)膜作為材料。使用通過(guò)熱CVD聚對(duì)二甲苯樹脂所形成的氣相聚合物膜或由含氟合成不飽和單體烴制成的等離子聚合物膜不飽和單體烴的等離子聚合物膜作為有機(jī)膜?；蛘?，可以使用有機(jī)膜和無(wú)機(jī)膜的層壓結(jié)構(gòu)。 氮化硅(SiNx)膜、氧化硅(SiOx)膜、氮氧化硅(SiOxNy)膜、Al2O3等適于作為無(wú)機(jī)膜的材料。被密封部102包圍的閃爍體層36具有柱狀結(jié)構(gòu)。具體來(lái)說(shuō)，閃爍體層36由多個(gè)柱狀晶體形成。而且，閃爍體層36可以由柱狀晶體區(qū)36A和非柱狀晶體區(qū)36B形成，柱狀晶體區(qū)36A由多個(gè)柱狀晶體形成并且面對(duì)光檢測(cè)基板30，而非柱狀晶體區(qū)36B由多個(gè)非柱狀晶體形成并且與柱狀晶體區(qū)36A連續(xù)并面對(duì)反射板60。在這個(gè)柱狀晶體區(qū)36A中，能夠獲得有效發(fā)射光的柱狀晶體存在于光檢測(cè)基板30 附近，并且光被引導(dǎo)通過(guò)柱狀晶體內(nèi)部，因此抑制了由于因抑制光擴(kuò)散而造成的圖像模糊。 而且，同樣到達(dá)深部的光在反射板60處反射，因此，可以增加光檢測(cè)基板30從閃爍體層36 接收的光量。具有這種柱狀結(jié)構(gòu)的閃爍體層36的材料的示例為CsI:Tl、CSI:Na(鈉激活碘化銫 (sodium activated cesium iodide)、ZnS:Cu、CsBr 等。反射板60經(jīng)由第一密封膜102A設(shè)置在閃爍體層36的非柱狀晶體區(qū)36B的下方。反射板60向著光檢測(cè)基板30側(cè)反射已在閃爍體層36轉(zhuǎn)換的光，并且反射板60 被設(shè)置為面對(duì)閃爍體層36，以能夠沿面內(nèi)方向P相對(duì)移位。注意，當(dāng)圖5中的垂直方向是平面外方向S時(shí)，面內(nèi)方向P為水平方向。前述“以能夠相對(duì)移位”表示能夠彼此不受限制地移位。在本第一示例性實(shí)施方式中，這是通過(guò)使反射板60在沒有物理地或化學(xué)地接合到閃爍體層36的狀態(tài)下與閃爍體層36 (實(shí)際上，第一密封膜102A)進(jìn)行面接觸。反射板60具有反射板主體60A和滑動(dòng)部60B。反射板主體60A被形成為矩形平板，并且優(yōu)選地由具有高反射率和優(yōu)異的尺寸穩(wěn)定性、耐熱性等的材料形成。諸如鋁、不銹鋼等的金屬材料等是反射板主體60A的材料的示例，但反射板主體60A可以是這些材料以外的其它材料。滑動(dòng)部60B是通過(guò)使反射板主體60A的表面經(jīng)受滑動(dòng)處理而形成的位置，以便于減小與第一密封膜102A的接觸面的摩擦。具體來(lái)說(shuō)，滑動(dòng)部60B由通過(guò)拋光反射板主體60A的表面而形成的結(jié)構(gòu)來(lái)構(gòu)成，或者由通過(guò)在反射板主體60A的表面上涂覆諸如氟化合物、硅化合物等的涂層劑或油等而形成的結(jié)構(gòu)等來(lái)構(gòu)成。操作如上所述，根據(jù)涉及本發(fā)明第一示例性實(shí)施方式的放射線檢測(cè)器20，即使光檢測(cè)基板30和反射板60在面內(nèi)方向P上的熱膨脹量(移位量)不同，也將反射板60和閃爍體層36設(shè)置為彼此面對(duì)，并且使得它們能夠在面內(nèi)方向P上相對(duì)移位(即，可以彼此不受限制地移位)。因此，可以抑制由于閃爍體層36和光檢測(cè)基板30的熱膨脹量的差異而造成的光檢測(cè)基板30的翹曲。而且，由于反射板60在與第一密封膜102A接觸的表面處具有滑動(dòng)部分60B，因此可以抑制反射板60、第一密封膜102A和閃爍體層36由于摩擦而造成的彼此限制和移位。
而且，柱狀晶體區(qū)36A面對(duì)光檢測(cè)基板30。因此，柱狀晶體區(qū)36A(與非柱狀晶體區(qū)36B相比，存在很少的光擴(kuò)散)與光檢測(cè)基板30之間的距離接近，并且可以增加光檢測(cè)基板30從閃爍體層36接收的光量。而且，放射線檢測(cè)器20具有包圍并密封整個(gè)閃爍體層36的密封部102。因此，可以防止水等接觸閃爍體層36，這在閃爍體層36易潮解的情況下特別有效。而且，在涉及本發(fā)明第一示例性實(shí)施方式的放射線攝影裝置10處，固定至外殼16 的光檢測(cè)基板30是放射線X的照射面。因此，放射線X從作為放射線X的照射面的光檢測(cè)基板30起依次擊中閃爍體層36和反射板60。這時(shí)，在閃爍體層36內(nèi)，放射線X首先照射到處于光檢測(cè)基板30側(cè)的閃爍體部分上。因此，在光檢測(cè)基板30側(cè)的該閃爍體部分主要吸收放射線X并發(fā)射光。而且，當(dāng)閃爍體層內(nèi)的主要吸收放射線X并且發(fā)射光的閃爍體部分在光檢測(cè)基板30側(cè)時(shí)，該閃爍體部分與光檢測(cè)基板30之間的距離接近，從而可以增加光檢測(cè)基板30從閃爍體層36接收的光量。而且，在第一示例性實(shí)施方式中，具體來(lái)說(shuō)，閃爍體層36內(nèi)的主要吸收放射線X并發(fā)射光的閃爍體部分是處于光檢測(cè)基板30側(cè)的柱狀晶體區(qū)域36A。因此，光擴(kuò)散甚至更少， 并且可以進(jìn)一步增加在光檢測(cè)基板30處接收的光量。第二示例性實(shí)施方式接下來(lái)，對(duì)涉及本發(fā)明第二示例性實(shí)施方式的放射線檢測(cè)器進(jìn)行描述。放射線檢測(cè)器的結(jié)構(gòu)圖6是涉及本發(fā)明第二示例性實(shí)施方式的放射線檢測(cè)器200的截面結(jié)構(gòu)的截面圖。涉及本發(fā)明第二示例性實(shí)施方式的放射線檢測(cè)器200具有與第一示例性實(shí)施方式的反射板60不同的反射板202。注意，其它結(jié)構(gòu)和涉及第一示例性實(shí)施方式的放射線檢測(cè)器20的結(jié)構(gòu)相同。當(dāng)前第二示例性實(shí)施方式的反射板202被放置在基座56(參見圖4)上以面對(duì)第一密封膜102A，但并不接觸第一密封膜102A。S卩，反射板202被基座56支承，使得在反射板202與第一密封膜102A(閃爍體層 36)之間形成空氣層204。從提高反射板202處光的反射系數(shù)的觀點(diǎn)來(lái)看，空氣層204的厚度優(yōu)選地薄，并且例如大約為幾μ m。利用下表1給出空氣層204的厚度的具體示例。表1示出了空氣層204的厚度(反射板202與閃爍體層36之間的距離)與靈敏度之間的關(guān)系、以及空氣層204的厚度與MTE(分辨率)之間的關(guān)系。[表1]
權(quán)利要求
1.一種放射線檢測(cè)器，該放射線檢測(cè)器包括 光檢測(cè)基板，其將光轉(zhuǎn)換成電荷；閃爍體層，其面對(duì)所述光檢測(cè)基板并將照射的放射線轉(zhuǎn)換成光；以及反射部，其向著所述光檢測(cè)基板反射在所述閃爍體層轉(zhuǎn)換的光，并且所述反射部被設(shè)置為面對(duì)所述閃爍體層并且能夠沿面內(nèi)方向與所述閃爍體層相對(duì)移位。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的放射線檢測(cè)器，其中，所述反射部與所述閃爍體層進(jìn)行面接觸。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的放射線檢測(cè)器，其中，所述反射部或所述閃爍體層的接觸面經(jīng)受滑動(dòng)處理。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的放射線檢測(cè)器，其中，所述反射部被支承，使得在所述反射部與所述閃爍體層之間形成空氣層。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的放射線檢測(cè)器，其中，在所述反射部與所述閃爍體層之間設(shè)置有間隔體，該間隔體使所述反射部與所述閃爍體層之間的距離恒定。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的放射線檢測(cè)器，其中，所述閃爍體層被構(gòu)造為包括多個(gè)柱狀晶體。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的放射線檢測(cè)器，其中，所述多個(gè)柱狀晶體的遠(yuǎn)端面對(duì)所述光檢測(cè)基板。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的放射線檢測(cè)器，該放射線檢測(cè)器還包括包圍并密封整個(gè)閃爍體層的密封部。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的放射線檢測(cè)器，該放射線檢測(cè)器還包括連接所述光檢測(cè)基板和所述反射部的框架部。
10.一種放射線攝影裝置，該放射線攝影裝置包括 外殼；以及權(quán)利要求1所述的放射線檢測(cè)器，該放射線檢測(cè)器被并入所述外殼內(nèi)， 其中，所述放射線檢測(cè)器的所述光檢測(cè)基板是放射線的照射面。
11.一種放射線攝影裝置，該放射線攝影裝置包括 外殼；以及權(quán)利要求1所述的放射線檢測(cè)器，該放射線檢測(cè)器被并入所述外殼內(nèi)， 其中，所述放射線檢測(cè)器的所述反射部被支承于所述外殼。
12.—種放射線攝影裝置，該放射線攝影裝置包括外殼和并入該外殼內(nèi)的放射線檢測(cè)器，其中，所述放射線檢測(cè)器從放射線的照射方向起按次序包括光檢測(cè)基板，其將光轉(zhuǎn)換成電荷；閃爍體層，其被設(shè)置為使得所述光檢測(cè)基板和柱狀晶體的遠(yuǎn)端彼此面對(duì)，并且所述閃爍體層將照射的放射線轉(zhuǎn)換成光；以及反射部，其被層積為所述柱狀晶體的與所述遠(yuǎn)端相反的端部的表面上的薄膜，并且所述反射部向著所述光檢測(cè)基板反射在所述閃爍體層轉(zhuǎn)換的光。
13.—種制造根據(jù)權(quán)利要求8所述的放射線檢測(cè)器的方法，該方法包括以下步驟 在支承基板上形成構(gòu)成所述密封部的第一密封膜；在所述第一密封膜上形成所述閃爍體層；形成構(gòu)成所述密封部的第二密封膜，以覆蓋所述閃爍體層和所述第一密封膜； 將所述光檢測(cè)基板粘接在所述第二密封膜上；以及從所述第一密封膜去除所述支承基板，其中，在形成所述第一密封膜之前，或者在形成所述第一密封膜之后形成所述閃爍體層之前，對(duì)所述支承基板或所述第一密封膜執(zhí)行表面處理，使得所述支承基板與所述第一密封膜之間的粘合強(qiáng)度低于所述第一密封膜與所述閃爍體層之間的粘合強(qiáng)度。
14. 一種制造根據(jù)權(quán)利要求8所述的放射線檢測(cè)器的方法，該方法包括以下步驟 在支承基板上形成構(gòu)成所述密封部的第一密封膜； 在所述第一密封膜上形成所述閃爍體層；形成構(gòu)成所述密封部的第二密封膜，以覆蓋所述閃爍體層和所述第一密封膜； 將所述光檢測(cè)基板粘接在所述第二密封膜上；在形成所述第二密封膜之后粘接所述光檢測(cè)基板之前，或者在粘接所述光檢測(cè)基板之后，沿所述支承基板的面外方向切斷處于所述閃爍體層的外周側(cè)的所述第一密封膜和所述第二密封膜；以及從所述第一密封膜去除所述支承基板，其中，在形成所述第一密封膜之前，對(duì)所述支承基板執(zhí)行表面處理，使得所述支承基板與所述第一密封膜的處于所述閃爍體層的形成區(qū)域的外周側(cè)的部分之間的粘合強(qiáng)度，高于所述支承基板與所述第一密封膜的處于所述閃爍體層的形成區(qū)域下面的部分之間的粘合強(qiáng)度。
全文摘要
本發(fā)明涉及放射線檢測(cè)器、放射線攝影裝置以及制造放射線檢測(cè)器的方法。提供了一種放射線檢測(cè)器，其包括光檢測(cè)基板，其將光轉(zhuǎn)換成電荷；閃爍體層，其面對(duì)光檢測(cè)基板并將照射的放射線轉(zhuǎn)換成光；以及反射部，其向著光檢測(cè)基板反射在閃爍體層轉(zhuǎn)換的光，并且所述反射部被設(shè)置為面對(duì)閃爍體層并且能夠沿面內(nèi)方向與閃爍體層相對(duì)移位。
文檔編號(hào)H04N5/32GK102404512SQ201110209030
公開日2012年4月4日 申請(qǐng)日期2011年7月25日 優(yōu)先權(quán)日2010年8月31日
發(fā)明者成行書史 申請(qǐng)人:富士膠片株式會(huì)社