專利名稱：刻蝕劑煙排出裝置的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種濕法刻蝕系統(tǒng)，更具體來說，涉及一種刻蝕劑煙排出裝置，其安裝在用于制造液晶顯示裝置的刻蝕過程中所用的刻蝕系統(tǒng)中，以將氣態(tài)和液態(tài)的刻蝕劑排出所述系統(tǒng)，從而避免對該刻蝕系統(tǒng)的污染和腐蝕。
背景技術：
隨著近來半導體器件制造工業(yè)中技術的快速發(fā)展，已經(jīng)生產(chǎn)出更薄、更亮的改進的液晶顯示(LCD)裝置產(chǎn)品。直至現(xiàn)在，CRT(陰極射線管)仍廣泛用于顯示裝置，其具有功能和價格上的優(yōu)點，但同時也具有許多缺點，包括在小型化和便攜性方面的困難。
相反，與CRT相比，LCD裝置有許多優(yōu)點，尤其對于移動設備而言。這些優(yōu)點包括可以將所述裝置小型化，所述裝置相對較輕，以及所述裝置具有相對較低的功耗。LCD裝置變得如此普通，以至于其正在取代傳統(tǒng)的CRT裝置，尤其當LCD裝置克服了CRT的上述問題時?，F(xiàn)在，在幾乎所有需要顯示裝置的信息處理系統(tǒng)中，都使用了LCD裝置。
同時，LCD裝置的一個驅動原理是其液晶材料的光學各向異性和極化屬性。由于液晶材料的結構薄而且長，根據(jù)施加到具有特定的取向和極化的液晶材料上的電場，可以調(diào)節(jié)液晶材料的分子排列方向。
因此，通過任意地調(diào)節(jié)所述排列方向，根據(jù)由液晶材料的光學各向異性所致的液晶分子的排列方向，可以透過光或阻礙光，從而顯示色彩和圖像。
典型地，LCD裝置包括第一基板(薄膜晶體管基板)和第二基板(濾色器基板)，二者被分離開來并彼此面對面地布置。
LCD裝置的第一基板的制備過程的一個示例說明如下。
首先，將金屬層淀積在一透明玻璃基板上，并通過刻蝕執(zhí)行第一掩模工藝，以形成選通總線和柵電極。接著，通過循序淀積柵絕緣層、非晶硅層和摻雜的非晶硅層，來執(zhí)行第二掩模工藝以形成溝道層。
然后，通過在其上形成有溝道層的基板上淀積源/漏金屬層，并且接著通過刻蝕以形成源/漏電極和數(shù)據(jù)總線，來執(zhí)行第三掩模工藝。進一步，淀積用于保護裝置元件的防護層，并且執(zhí)行第四掩模工藝以形成接觸孔。接著，在其上形成有防護層的基板上淀積ITO透明金屬層，并且通過刻蝕，執(zhí)行第五掩模工藝以形成像素電極。
如上所述，通過在透明的玻璃基板上交替地淀積或涂覆金屬層和絕緣層，來執(zhí)行構圖工藝。對于金屬層，采用濕法刻蝕來刻蝕所述金屬層；對于絕緣層，采用等離子體分子束法來進行干法刻蝕。
在刻蝕過程中，根據(jù)被刻蝕的對象來控制刻蝕室中的壓力和等離子體的離子分子濃度的條件。
進一步，在所述濾色器基板的透明的上基板上形成格子狀的黑底(black matrix)。接著，在該黑底上形成紅(R)、綠(G)、藍(B)濾色器層，以完成該濾色器基板。
進一步，在所述黑底的形成中，例如，通過真空淀積，在所述基板上形成諸如鉻的金屬層，并且在其上形成光敏樹脂。接著，通過光刻進行構圖，并且接著刻蝕鉻。
因而，薄膜晶體管基板和濾色器基板的制備中包括濕法刻蝕工藝。這種濕法刻蝕工藝分成有源限定工藝的PSL(多間隔LOCOS)或STI(淺槽隔離)結構和通孔環(huán)繞(via round)刻蝕工藝等。濕法刻蝕工藝中所用的刻蝕劑可以大致分為二元組和三元組化合物。
二元組化合物包括HF和去離子水(DIW)，其中，溶解在DIW中的HF被離解成少量的HF2以刻蝕氧化層。三元組化合物被稱作SBOE(表面活化劑緩沖的氧化物刻蝕劑)，由HF、NH4F、DIW和負離子表面活化劑組成。在這種SBOE組刻蝕劑中，DIW中全部的HF都由添加的NH4F離解成了HF2。
在LCD裝置的制備過程中，將諸如上述的多種化合物混合起來作為刻蝕劑使用。圖1示出了典型的刻蝕系統(tǒng)中所用的刻蝕劑供給裝置的結構。圖1是典型的刻蝕系統(tǒng)中的刻蝕劑供給裝置的示意圖。
如圖1中所示，刻蝕劑供給裝置100包括第一刻蝕劑罐110a和第二刻蝕劑罐110b，二者容納上面所述的刻蝕劑化合物?？涛g劑供給裝置100還包括泵150，其用于將來自第一刻蝕劑罐110a和第二刻蝕劑罐110b的刻蝕劑提供到供給管130。
此外，在刻蝕劑供給裝置100的上部設置有刻蝕劑煙排出單元120a、120b，用于將氣態(tài)的刻蝕劑排出所述刻蝕系統(tǒng)。再者，刻蝕工藝完成后，所設置的返回管線140可以將刻蝕工藝中所用的刻蝕劑返回到第一刻蝕劑罐110a和第二刻蝕劑罐110b中。
雖然沒有在圖中示出，例如，刻蝕劑供給裝置100還包括自循環(huán)單元；過濾單元，用于過濾被返回的刻蝕劑；以及，冷卻劑供給部分。
更具體地來講，結構如上的刻蝕劑供給裝置100利用泵150的運動來混合第一刻蝕劑罐110a和第二刻蝕劑罐110b中所容納的刻蝕劑化合物，并將混合好的刻蝕劑提供給刻蝕工藝所用的刻蝕室(未示出)。接著，當在LCD裝置的薄膜晶體管基板和濾色器基板的制備中進行刻蝕工藝時，刻蝕劑供給裝置100將所述混合好的刻蝕劑提供給要被刻蝕處理的基板。
刻蝕工藝完成后，刻蝕工藝中所用的刻蝕劑通過刻蝕劑供給裝置100的返回管線140回到第一刻蝕劑罐110a和第二刻蝕劑罐110b中。此外，當對基板執(zhí)行另一刻蝕工藝時，刻蝕劑供給裝置100利用泵150的運動將刻蝕劑提供給所述刻蝕室。
在所述刻蝕系統(tǒng)的刻蝕劑供給裝置100中，向所述刻蝕室供給刻蝕劑和從所述刻蝕室返回刻蝕劑都要重復進行。在如上所述的刻蝕劑的重復供給和返回過程中，易揮發(fā)的刻蝕劑會變成氣體并飄到刻蝕劑供給裝置100上方。因此，在刻蝕劑供給裝置100的上部設置了刻蝕劑煙排出單元120a、120b，用于將氣態(tài)的刻蝕劑排出所述系統(tǒng)。
圖2是傳統(tǒng)刻蝕系統(tǒng)中所安裝的刻蝕劑煙排出裝置的結構示意圖。
如圖2中所示，在該刻蝕劑排出裝置中設置了排出風道200。該排出風道200位于所述刻蝕劑供給裝置的上部，并被配置得穿透所述裝置100，這樣，就可通過該排出風道200將向上升的氣態(tài)刻蝕劑從所述裝置100排出。
當氣態(tài)刻蝕劑通過排出風道200排出時，上升的刻蝕劑通常會在所述排出風道200中重新液化。這種重新液化的刻蝕劑會從排出風道200返回到裝置100中，下滴的刻蝕劑會落在所述刻蝕系統(tǒng)上。這會對裝置100中的刻蝕設備造成污染和腐蝕。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的一個實施例就涉及一種刻蝕劑煙排出裝置，其基本上消除了由所述背景技術的局限和缺點所導致的一個或更多個問題。
本發(fā)明的一個實施例提供了一種刻蝕劑煙排出裝置，其通過將在LCD裝置的制備過程中用于濕法刻蝕工藝的氣化或液化刻蝕劑完全排出，防止了所述刻蝕劑對刻蝕系統(tǒng)的污染和腐蝕。
本發(fā)明的其他優(yōu)點和特征將在下面的說明中部分地加以闡述，并且對于那些具有本領域內(nèi)的普通技術水準的人而言，通過閱讀下述內(nèi)容，將部分地變得清楚；或者也可以從本發(fā)明的實施中獲悉這些優(yōu)點和特征。借助在書面說明和其權利要求以及附圖中所具體指出的結構，可以了解并實現(xiàn)本發(fā)明的優(yōu)點。
為實現(xiàn)這些以及其他優(yōu)點，根據(jù)本發(fā)明，如在這里所具體實現(xiàn)和概述的那樣，在一個實施例中，在一刻蝕系統(tǒng)中安裝了刻蝕劑煙排出裝置，用于排出在所述刻蝕系統(tǒng)中生成的氣態(tài)刻蝕劑。該刻蝕劑煙排出裝置包括排出風道，其提供了用于排出氣態(tài)刻蝕劑的通道；排出盤，設置其用于收集來自所述排出風道的液化刻蝕劑；支撐部件，其將所述排出盤和所述排出風道連接起來；以及，排出管線，其與所述排出盤相連，收集在所述排出盤中的液化刻蝕劑通過該排出管線被從所述排出盤除去。所述排出風道可以是空心的圓柱形。
可以按下述方式形成所述排出盤的上表面，即，使由與所述排出風道最接近的上表面第一端形成的開孔的寬度大于由與所述排出風道最遠離的上表面第二端形成的開孔的寬度。在此情況下，所述上表面的第一端與第二端之間的排出盤上表面的斜度可以是一定值。
所述排出風道和所述排出盤之間的空間可以用來提供一路線，通過該路線，在所述刻蝕系統(tǒng)中生成的氣態(tài)刻蝕劑被導引到了所述排出風道中。
所述支撐部件可以形成為基本圓錐臺的形狀，其中，最接近所述排出風道的支撐部件寬度小于最遠離所述排出風道的支撐部件寬度。
設置所述排出管線，以使在排出管線中的液化刻蝕劑被從所述排出裝置中除去或在刻蝕系統(tǒng)中重新利用。
在本發(fā)明的另一方面中，刻蝕系統(tǒng)包括刻蝕劑供給裝置，其用于供給刻蝕劑；刻蝕室，在其中使用由所述刻蝕劑供給裝置供給的刻蝕劑來進行刻蝕；以及，刻蝕劑煙排出裝置，其設置在刻蝕劑供給裝置的上部。所述刻蝕劑煙排出裝置包括排出風道，其提供了用于排出氣態(tài)刻蝕劑的通道；排出盤，設置其用于收集已經(jīng)冷凝成液化刻蝕劑并從所述排出風道滴落的氣態(tài)刻蝕劑；支撐部件，其將所述排出盤和所述排出風道連接起來；以及，排出管線，其與所述排出盤相連，并除去收集在所述排出盤中的液化刻蝕劑。
和上面的裝置類似，所述排出風道可以是空心的圓柱形?？梢园聪率龇绞叫纬伤雠懦霰P的上表面，即，使由與所述排出風道最接近的上表面第一端形成的開孔的寬度大于由與所述排出風道最遠離的上表面第二端形成的開孔的寬度。在此情況下，所述上表面的第一端與第二端之間的排出盤上表面的斜度可以是一定值。所述排出風道和所述排出盤之間的空間可以用來提供一路線，通過該路線，在所述刻蝕系統(tǒng)中生成的氣態(tài)刻蝕劑被導引到了所述排出風道中。所述支撐部件可以形成為基本圓錐臺的形狀，其中，最接近所述排出風道的支撐部件寬度小于最遠離所述排出風道的支撐部件寬度。設置所述排出管線，以使在排出管線中的液化刻蝕劑被從所述排出裝置中除去或在刻蝕系統(tǒng)中重新利用。
另一實施例是一種減少在刻蝕劑煙排出裝置中的凝結刻蝕劑與刻蝕系統(tǒng)中的設備之間的接觸的方法。該方法包括提供一通道，通過該通道，排出在所述刻蝕系統(tǒng)中生成的氣態(tài)刻蝕劑，并且在該通道中，氣態(tài)刻蝕劑冷凝成凝結刻蝕劑；以及，在所述凝結刻蝕劑與所述設備之間發(fā)生接觸前，將從所述通道中漏出的凝結刻蝕劑收集在一收集站中，從而防止所述凝結刻蝕劑接觸所述設備。
本方法可以進一步包括從所述收集站除去所述凝結刻蝕劑。本方法可以進一步包括從所述排出裝置除去收集的凝結刻蝕劑，或者在所述刻蝕系統(tǒng)中重新利用所收集的凝結刻蝕劑。本方法可以進一步包括將所述氣態(tài)刻蝕劑導引到所述通道與所述收集站之間的空間中。
本方法可以進一步包括將所述收集站的內(nèi)表面加工成錐形，以便撞擊所述內(nèi)表面后彈起的凝結刻蝕劑相對于該凝結刻蝕劑撞擊所述內(nèi)表面的角度成一傾斜角度運動；本方法還可以包括將所述內(nèi)表面的主要部分加工成一錐形，使所述內(nèi)表面的該主要部分的斜度為定值。
本方法可以進一步包括在所述凝結刻蝕劑接觸所述收集站之前，截接從所述通道向所述收集站運動的至少一部分凝結刻蝕劑。在此情況下，可以通過將截接所述凝結刻蝕劑的部分的截接器加工成錐形，使得所述截接器距所述通道的距離越遠、截接器的寬度越寬，從而增加被截接的凝結刻蝕劑的量。
應該理解，本發(fā)明的前述綜合說明和下面的具體說明都是示例和解釋性的，用于對如權利要求所述的本發(fā)明提供進一步的解釋。


所包含的附圖用于提供對本發(fā)明的深入理解，并且被并入本申請并構成申請的一部分，所述附圖示出了本發(fā)明的實施例，并且和說明書一起用來闡釋本發(fā)明的原理。圖中圖1是傳統(tǒng)刻蝕系統(tǒng)中的刻蝕劑供給裝置的示意圖；圖2是傳統(tǒng)刻蝕系統(tǒng)中所安裝的刻蝕劑煙排出裝置的結構示意圖；圖3是根據(jù)本發(fā)明的實施例的安裝在刻蝕系統(tǒng)中的刻蝕劑煙排出裝置的結構示意圖；圖4(a)和4(b)分別是根據(jù)本發(fā)明的實施例的排出盤的俯視圖和橫截面視圖。
具體實施例方式
下面將具體說明本發(fā)明的實施例，其示例示出在附圖中。
典型的刻蝕系統(tǒng)中所安裝的刻蝕劑供給裝置的結構與圖1中的相類似。圖1示意性地示出了一典型的刻蝕系統(tǒng)中的刻蝕劑供給裝置。
圖1中所示的典型的刻蝕系統(tǒng)的說明與背景技術中的說明類似，因此，下文中將簡要地引述背景技術。
如圖1中所示的刻蝕劑供給裝置100利用泵150的運動來混合第一刻蝕劑罐110a和第二刻蝕劑罐110b中所容納的刻蝕化合物，并將混合好的刻蝕劑提供給在其中進行刻蝕工藝的刻蝕室。當在LCD裝置的薄膜晶體管基板和濾色器基板的制備過程中進行刻蝕時，刻蝕劑供給裝置100將混合好的刻蝕劑提供給進行刻蝕加工的基板。
刻蝕工藝完成后，刻蝕工藝中所用的刻蝕劑通過刻蝕劑供給裝置100的返回管線140回到第一刻蝕劑罐110a和第二刻蝕劑罐110b中。此外，當對基板執(zhí)行另一刻蝕工藝時，刻蝕劑供給裝置100利用泵150的運動將刻蝕劑提供給所述刻蝕室。雖然沒有在圖中示出，刻蝕劑供給裝置100還包括自循環(huán)單元；過濾單元，用于過濾被返回的刻蝕劑；以及，冷卻劑供給部分。
在所述刻蝕系統(tǒng)的刻蝕劑供給裝置100中，將刻蝕劑提供給所述刻蝕室和從所述刻蝕室返回刻蝕劑都要重復進行。在如上所述的刻蝕劑的重復供給和返回過程中，易揮發(fā)的刻蝕劑會變成氣態(tài)并飄到刻蝕劑供給裝置100上方。因此，在刻蝕劑供給裝置100的上部設置了刻蝕劑煙排出單元120a、120b，用于將氣態(tài)的刻蝕劑排出所述系統(tǒng)。
下面，參考圖3來說明本發(fā)明的刻蝕劑煙排出裝置。圖3是根據(jù)本發(fā)明的安裝在所述刻蝕系統(tǒng)中的刻蝕劑煙排出裝置的結構示意圖。
如圖3中所示，本發(fā)明的刻蝕劑煙排出裝置包括排出風道300、支撐部件301、排出盤303，以及排出管線305。下面，將詳細說明每個組成元素。
圓柱形的排出風道300設置在刻蝕劑供給裝置100的上部，以將氣態(tài)的刻蝕劑導引到其中并排出裝置100。此外，在排出風道300內(nèi)設置有一通道，其基本上垂直于排出風道300所貫穿的材料，以使所述氣體可以從中通過。
排出盤303設置在圓柱形的排出風道300的下方。這樣，位于刻蝕劑供給裝置300的上部中的氣態(tài)刻蝕劑就被導引到排出風道300與排出盤303之間的空間中。
設置排出盤303以接收從排出風道300滴下的刻蝕劑，這部分刻蝕劑是在氣態(tài)刻蝕劑通過排出風道300被排出所述裝置100時，由于溫度降低而冷凝成的。如圖所示，排出盤303的頂部至少與排出風道300一樣寬(并且可以比排出風道300寬)，以收集來自排出風道300的幾乎全部的凝結(或重新液化的)刻蝕劑。
此外，排出盤303的中心與支撐部件301的一端相連，支撐部件301的另一端(未示出)被以下述方式固定到排出風道300的內(nèi)部，即，其基本不阻礙來自裝置100通過排出盤303的氣態(tài)刻蝕劑的流動(例如，使用一根或更多根與支撐部件301的端部和排出風道300的內(nèi)部相連的桿)。支撐部件301、排出盤303和排出風道300，以及將這些連接起來的連接件，可由不被所述刻蝕劑明顯腐蝕的一種或多種材料形成。如圖所示，支撐部件301被形成為基本圓錐臺的形狀，其向著排出風道300逐漸變細。這種形狀使得接觸支撐部件301的凝結刻蝕劑由于表面張力作用附著到了支撐部件301上，并且沿著支撐部件301朝著排出盤303向下流。由于所述凝結刻蝕劑沿支撐部件301向下流，最后相對較輕地接觸排出盤303，這種重新液化的刻蝕劑就不會濺在排出盤303的表面上。此外，當支撐部件301的寬度隨著接近排出盤303而增加時，將增加接觸支撐部件301的凝結刻蝕劑的量，并降低重新液化的刻蝕劑濺到排出盤303的表面上的可能性。
此外，排出管線305與排出盤303的底部相連，該排出管線305將收集從排出風道300滴到排出盤303上的重新液化的刻蝕劑。排出管線305也可由一種或多種不被刻蝕劑明顯腐蝕的材料形成。
如圖4(a)和4(b)中所示，排出盤303的上表面304朝向排出盤303的中心呈錐形(逐漸縮小)。圖4(a)和4(b)分別是排出盤303的俯視圖和沿線I-I所截接的排出盤303的橫截面視圖。如圖所示，排出盤303的上表面可以朝排出盤303的最接近于下方設備的一端以一定值斜度傾斜(盡管該斜度不需是定值)，從而由上表面304所接收的凝結刻蝕劑通過排出管線305被收集起來并輸送，而不會溢出。因此，排出盤303可以形成為一基本圓柱的形狀，而其內(nèi)表面304可以形成為一基本圓錐臺的形狀。
排出盤303本身也可以形成為基本圓錐臺的形狀。如上所述，這種形狀的一個優(yōu)點是，凝結刻蝕劑可以濺在排出盤303的上表面304上。如果重新液化的刻蝕劑從足夠高的高度滴到上表面304上，它可能會彈起超過排出盤303的邊沿并落在下面的設備上，從而造成對所述設備的腐蝕和污染。然而，如果將上表面304錐形化，不僅重新液化的刻蝕劑會向下滴流到排出管線305中，而且彈起來的重新液化的刻蝕劑在到達排出盤303的邊沿前也必須運行更遠的距離。這增加了彈起的刻蝕劑接觸上表面304的可能性，從而降低了彈起的刻蝕劑落在下面的設備上的可能性。
因此，從排出風道300滴下的液化刻蝕劑將進入排出盤303中，并被收集在排出盤303的中心處。接著，通過朝向裝置100的底部的作為刻蝕劑通道的排出管線305，將收集在排出盤303的中心處的刻蝕劑排出裝置100。在另一實施例中，可以將刻蝕系統(tǒng)構造得使返回的刻蝕劑可以被一再加工工藝重新利用，而非被排出所述系統(tǒng)。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明的刻蝕劑煙排出裝置，防止了所述排出風道中的凝結刻蝕劑接觸所述排出風道下面的設備，而以氣態(tài)呈現(xiàn)的刻蝕劑仍將被排出所述設備。也就是說，由于液化的刻蝕劑被收集到了排出盤中，并且被重新利用或被排出所述設備，可以防止對刻蝕系統(tǒng)的污染和腐蝕。
對于那些本領域內(nèi)的熟練技術人員而言，顯然可以對本發(fā)明進行各種修改和變型。例如，可向所述排出風道施加諸如真空等壓差以幫助除去刻蝕劑。因此，本發(fā)明將覆蓋落入附加權利要求及其等同物的范圍內(nèi)的修改和變型。
權利要求
1.一種刻蝕劑煙排出裝置，其安裝在刻蝕系統(tǒng)內(nèi)，該刻蝕劑煙排出裝置包括排出風道，其提供了一通道，以排出在所述刻蝕系統(tǒng)中生成的氣態(tài)刻蝕劑；排出盤，設置其以收集來自所述排出風道的液化刻蝕劑；支撐部件，其將所述排出盤固定到所述排出風道；以及排出管線，其與所述排出盤相連，通過該排出管線，所述排出盤中的液化刻蝕劑被從所述排出盤中除去。
2.根據(jù)權利要求1所述的刻蝕劑煙排出裝置，其中，所述排出風道具有一空心圓柱的形狀。
3.根據(jù)權利要求1所述的刻蝕劑煙排出裝置，其中，所述排出盤的上表面被形成為，使由與所述排出風道最接近的上表面第一端形成的開孔的寬度大于由與所述排出風道最遠離的上表面第二端形成的開孔的寬度。
4.根據(jù)權利要求3所述的刻蝕劑煙排出裝置，其中，所述上表面的第一端與第二端之間的排出盤上表面的斜度是一定值。
5.根據(jù)權利要求1所述的刻蝕劑煙排出裝置，其中，所述排出風道與所述排出盤之間的空間提供了一路線，通過該路線，在所述刻蝕系統(tǒng)中生成的氣態(tài)刻蝕劑被導引到了所述排出風道中。
6.根據(jù)權利要求1所述的刻蝕劑煙排出裝置，其中，所述支撐部件被形成為基本圓錐臺的形狀，其中，最接近所述排出風道的支撐部件寬度小于最遠離所述排出風道的支撐部件寬度。
7.根據(jù)權利要求1所述的刻蝕劑煙排出裝置，其中，設置所述排出管線以將所述排出管線中的液化刻蝕劑從所述排出裝置除去。
8.根據(jù)權利要求1所述的刻蝕劑煙排出裝置，其中，設置所述排出管線以在所述刻蝕系統(tǒng)中重新利用所述排出管線中的液化刻蝕劑。
9.一種刻蝕系統(tǒng)，其包括刻蝕劑供給裝置，其供給刻蝕劑；刻蝕劑煙排出裝置，其設置在所述刻蝕劑供給裝置的上方，該刻蝕劑煙排出裝置包括排出風道，其提供了用于排出氣態(tài)刻蝕劑的通道；排出盤，設置其以收集已經(jīng)冷凝成液化刻蝕劑并從所述排出風道滴下的氣態(tài)刻蝕劑；支撐部件，其將所述排出盤固定到所述排出風道；以及，排出管線，其與所述排出盤相連，用于除去收集在所述排出盤中的液化刻蝕劑；以及刻蝕室，在其中，使用由所述刻蝕劑供給裝置提供的刻蝕劑進行刻蝕。
10.根據(jù)權利要求9所述的刻蝕系統(tǒng)，其中，所述排出風道具有一空心圓柱的形狀。
11.根據(jù)權利要求9所述的刻蝕系統(tǒng)，其中，所述排出盤的上表面被形成為，使由與所述排出風道最接近的上表面第一端形成的開孔的寬度大于由與所述排出風道最遠離的上表面第二端形成的開孔的寬度。
12.根據(jù)權利要求9所述的刻蝕系統(tǒng)，其中，所述上表面的第一端與第二端之間的排出盤上表面的斜度是一定值。
13.根據(jù)權利要求9所述的刻蝕系統(tǒng)，其中，所述排出風道與所述排出盤之間的空間提供了一路線，通過該路線，在所述刻蝕系統(tǒng)中生成的氣態(tài)刻蝕劑被導引到了所述排出風道中。
14.根據(jù)權利要求9所述的刻蝕系統(tǒng)，其中，所述支撐部件被形成為基本圓錐臺的形狀，其中，最接近所述排出風道的支撐部件寬度小于最遠離所述排出風道的支撐部件寬度。
15.根據(jù)權利要求9所述的刻蝕系統(tǒng)，其中，設置所述排出管線以將所述排出管線中的液化刻蝕劑從所述排出裝置除去。
16.根據(jù)權利要求9所述的刻蝕系統(tǒng)，其中，設置所述排出管線以在所述刻蝕系統(tǒng)中重新利用所述排出管線中的液化刻蝕劑。
17.一種減少在刻蝕劑煙排出裝置中凝結的刻蝕劑與刻蝕系統(tǒng)中的設備之間的接觸的方法，該方法包括提供一通道，通過該通道，排出在所述刻蝕系統(tǒng)中生成的氣態(tài)刻蝕劑，并且在該通道中，所述氣態(tài)刻蝕劑冷凝成凝結刻蝕劑；以及在所述凝結刻蝕劑與所述設備之間發(fā)生接觸前，將從所述通道中漏出的凝結刻蝕劑收集在一收集站中，從而防止所述凝結刻蝕劑接觸所述設備。
18.根據(jù)權利要求17所述的方法，進一步包括從所述收集站除去所述凝結刻蝕劑。
19.根據(jù)權利要求17所述的方法，進一步包括將所述收集站的內(nèi)表面加工成錐形，以便撞擊所述內(nèi)表面后彈起的凝結刻蝕劑相對于該凝結刻蝕劑撞擊所述內(nèi)表面的角度成一傾斜角度運動。
20.根據(jù)權利要求19所述的方法，進一步包括將所述內(nèi)表面的主要部分加工成一錐形，使所述內(nèi)表面的該主要部分具有一定值斜度。
21.根據(jù)權利要求17所述的方法，進一步包括將所述氣態(tài)刻蝕劑導引到所述通道與所述收集站之間的空間中。
22.根據(jù)權利要求17所述的方法，進一步包括在所述凝結刻蝕劑接觸所述收集站之前，截接從所述通道向所述收集站運動的至少一部分凝結刻蝕劑。
23.根據(jù)權利要求22所述的方法，進一步包括通過將截接所述凝結刻蝕劑的部分的截接器加工成錐形，使得所述截接器距所述通道的距離越遠、截接器的寬度越大，從而增加被截接的凝結刻蝕劑的量。
24.根據(jù)權利要求18所述的方法，進一步包括從所述排出裝置除去所收集的凝結刻蝕劑。
25.根據(jù)權利要求18所述的方法，進一步包括在所述刻蝕系統(tǒng)中重新利用所收集的凝結刻蝕劑。
全文摘要
一種刻蝕劑煙排出裝置安裝在在LCD的制備過程中執(zhí)行刻蝕工藝的刻蝕系統(tǒng)內(nèi)。該刻蝕劑煙排出裝置通過將氣態(tài)和液態(tài)刻蝕劑都安全地排出，防止了對所述刻蝕系統(tǒng)的污染和腐蝕。該刻蝕劑煙排出裝置包括排出風道，其提供了用于排出氣態(tài)刻蝕劑的一通道；排出盤，其位于所述排出風道的下方，用于收集從所述排出風道滴下的凝結刻蝕劑；支撐部件，其將所述排出盤固定到所述排出風道；以及，排出管線，其與所述排出盤的底部相連，通過該排出管線，收集在所述排出盤中的刻蝕劑被從所述排出盤中除去。
文檔編號H01L21/00GK1511653SQ20031011347
公開日2004年7月14日 申請日期2003年11月11日 優(yōu)先權日2002年12月30日
發(fā)明者曺東烈, 東烈 申請人:Lg.飛利浦Lcd有限公司