專利名稱：消除晶片邊緣剝離的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明有關(guān)一種半導(dǎo)體的制程，特別是關(guān)于一種防止在金屬導(dǎo)線制程后發(fā)生晶片邊緣剝離的方法。
(2)背景技術(shù)金屬導(dǎo)線制程在半導(dǎo)體制程中扮演著相當(dāng)重要的角色。以銅導(dǎo)線制程為例，特別是當(dāng)半導(dǎo)體制程進入深次微米領(lǐng)域之后，以銅導(dǎo)線制程配合使用低介電常數(shù)(low K)的材料來作為金屬間的介電層的設(shè)計，可以發(fā)揮有效的降低RC時間延遲(Resistance Capacitance Time Delay；RC delay)及改善電子遷移(electro-migration)的特性。
圖1是一已有技術(shù)中的銅導(dǎo)線制程的流程圖。參照圖1，首先，形成一銅導(dǎo)線層于一晶片上，如步驟120所示。上述的銅導(dǎo)線層可以藉由諸如電化學(xué)電鍍法(electro-chemical plating；ECP)之類常見的技術(shù)來形成。接著，以化學(xué)機械研磨法(chemical mechanical polishing；CMP)，或是其他的技術(shù)來平坦化銅導(dǎo)線層的表面并移除晶片上多余的銅負載層(overburden layer)，如步驟140所示。然后，參見步驟160，進行一晶片清洗與干燥的步驟。接下來，即可進入下一道制程，如步驟180所示。
在金屬導(dǎo)線制程中，常使用具有降低離子擴散效應(yīng)之類的材料來作為阻障層(barrier layer)，以防止金屬擴散至其他的結(jié)構(gòu)中，如在銅金屬導(dǎo)線制程中常用Ta、TaN薄膜作為阻障層的材料。然而，因為阻障層對于諸如硅底材的附著能力較差，且因位在晶片邊緣未形成金屬層圖案的區(qū)域，其阻障層會因金屬層的去除而裸露，并隨后續(xù)重復(fù)的金屬層制程而堆疊，使應(yīng)力也因此累積，所以，常會在后續(xù)的制程中發(fā)生位于晶片邊緣，甚至晶片背面未被金屬層覆蓋的部份的阻障層連同形成于阻障層上方的結(jié)構(gòu)發(fā)生剝離，進而產(chǎn)生缺陷。上述阻障層剝離的現(xiàn)象，輕則造成半導(dǎo)體制程的良率降低，嚴(yán)重的會造成晶片的報廢。而且，上述阻障層剝離的現(xiàn)象更會造成機臺的污染。
因此，有鑒于已有技術(shù)中關(guān)于晶片邊緣發(fā)生剝離現(xiàn)象所衍生出的各種缺失，如何提供一種可以有效解決晶片邊緣剝離的現(xiàn)象以提高良率并避免機臺被污染的方法已是一項刻不容緩的研究課題。
(3)發(fā)明內(nèi)容鑒于上述的發(fā)明背景中，已有技術(shù)在消除晶片邊緣剝離方面所產(chǎn)生的諸多缺點，本發(fā)明的一主要目的為提供一消除晶片邊緣剝離的方法，藉由在金屬導(dǎo)線制程中加入一道移除位于晶片邊緣的薄膜的步驟，以避免在后續(xù)的制程中因為晶片邊緣發(fā)生剝離而產(chǎn)生已有技術(shù)中的各種缺陷。
本發(fā)明的另一目的為提供一消除晶片邊緣剝離的方法。根據(jù)本發(fā)明的設(shè)計，可藉由在形成金屬導(dǎo)線后加入一道移除晶片邊緣薄膜的步驟，以提高晶片的良率。
本發(fā)明的又一目的為提供一消除晶片邊緣剝離的方法。上述消除晶片邊緣剝離的方法可藉由在形成金屬導(dǎo)線后加入一道移除晶片邊緣薄膜的步驟，以降低機臺因為晶片邊緣的剝離而被污染的機率。
根據(jù)以上所述的目的，本發(fā)明提供了一消除晶片邊緣剝離的方法。上述的消除晶片邊緣剝離的方法可應(yīng)用于一金屬導(dǎo)線制程中。根據(jù)本發(fā)明的設(shè)計，在形成一包含金屬導(dǎo)線層的結(jié)構(gòu)后，可加入一道清理晶片邊緣的步驟，以移除位于晶片邊緣且可能在后續(xù)制程中發(fā)生剝離的結(jié)構(gòu)或薄膜。上述移除晶背及晶片邊緣的易剝落薄膜的步驟可以藉由諸如晶邊清除(edge bevel removal；EBR)技術(shù)，或是晶邊研磨的技術(shù)來移除位于晶片邊緣的易剝落薄膜，以避免在后續(xù)制程中因為剝離現(xiàn)象而衍生出的各種問題。
相較于已有技術(shù)，本發(fā)明可有效的防止上述剝離現(xiàn)象的發(fā)生。根據(jù)本發(fā)明的設(shè)計，藉由在形成金屬導(dǎo)線層于晶片上之后所加入的一道步驟，來移除諸如阻障層的類位于晶片邊緣且可能發(fā)生剝離的薄膜或其上的未完全圖案化金屬層，以達到避免因為發(fā)生剝離現(xiàn)象而導(dǎo)致的良率下降或機臺污染等問題。因此，根據(jù)本發(fā)明的設(shè)計，不僅可以有效的防止已有技術(shù)中的剝離現(xiàn)象的發(fā)生，更可以有效的提高半導(dǎo)體制程的良率。此外，根據(jù)本發(fā)明的設(shè)計更可以有效的降低機臺被污染的機會。
為進一步說明本發(fā)明的上述目的、結(jié)構(gòu)特點和效果，以下將結(jié)合附圖對本發(fā)明進行詳細的描述。
(4)


圖1為一根據(jù)已有技術(shù)的銅導(dǎo)線制程的流程圖；圖2為一根據(jù)本發(fā)明的消除晶片邊緣剝離的方法的流程圖；圖3A為另一根據(jù)本發(fā)明的消除晶片邊緣剝離的方法的流程圖；圖3B為又一根據(jù)本發(fā)明的消除晶片邊緣剝離的方法的流程圖；圖3C為再一根據(jù)本發(fā)明的消除晶片邊緣剝離的方法的流程圖。
(5)具體實施方式
本發(fā)明的一些實施例會詳細描述如下。然而，除了詳細描述外，本發(fā)明還可以廣泛地在其他的實施例施行，且本發(fā)明的范圍不受限定，其以之后的權(quán)利要求所限定的范圍為準(zhǔn)。
本發(fā)明的一較佳實施例是一種消除晶片邊緣發(fā)生剝離的方法。在金屬導(dǎo)線制程中，為了防止所使用的金屬擴散至底材或是其他位于金屬導(dǎo)線層下方的結(jié)構(gòu)中，通常在形成金屬導(dǎo)線層之前，會先形成一層薄膜于底材或是其他位于金屬導(dǎo)線層下方的結(jié)構(gòu)上以作為阻障層(barrier layer)。上述的薄膜可以藉由薄膜沉積方法來形成，例如氣相物理沉積(Physical VaporDeposition)。根據(jù)本實施例的設(shè)計，在形成金屬導(dǎo)線層之后，于晶片邊緣的部份阻障層將會因為其上金屬導(dǎo)線層的去除而以薄膜的方式裸露，此可以藉由一道清理晶片邊緣的步驟來移除可能在后續(xù)制程中發(fā)生剝離的薄膜，例如在晶片邊緣或是晶片背面所殘留的多余的阻障層，進而可以有效的克服在已有技術(shù)中因為晶片邊緣所發(fā)生的剝離而衍生的各種缺陷。
根據(jù)本實施例的方法至少包含一形成一阻障層及一金屬層結(jié)構(gòu)于一晶片上的步驟，與移除位于上述晶片邊緣的易剝落薄膜的步驟。上述移除位于晶片邊緣易剝落薄膜的步驟主要是指移除位于晶片邊緣或晶背，且未被金屬層所覆蓋的薄膜。在根據(jù)本實施例的一范例中，上述的移除位于晶片邊緣的易剝落薄膜的步驟可以藉由晶邊清除(edge bevel removal；EBR)的技術(shù)來實現(xiàn)。在本范例中，位于晶片邊緣或是晶背的易剝落薄膜可藉由在EBR的過程中，使用一酸性水溶液來移除。
在根據(jù)本實施例的另一范例中，上述位于晶片邊緣或是位于晶背的易剝落薄膜可藉由一邊緣研磨(edge polishing)的方法來移除。在上述邊緣研磨的步驟中，可使用一堿性的研磨液以協(xié)助移除上述的不必要結(jié)構(gòu)。
本發(fā)明的另一較佳實施例是一種消除晶片邊緣剝離的方法。在本實施例中，可藉由在形成金屬導(dǎo)線層至下一道半導(dǎo)體制程之間加入一道移除晶背及晶片邊緣阻障層的步驟，以防止上述易剝落薄膜在后續(xù)的半導(dǎo)體制程中發(fā)生剝離，進而造成后續(xù)制程上的困擾與晶片的缺陷。
圖2是一根據(jù)本實施例的金屬導(dǎo)線制程的流程圖。參照圖2，首先，形成一金屬導(dǎo)線層于一晶片上，如步驟220所示。上述的金屬導(dǎo)線層的組成可以包含銅、鋁或是其他的金屬導(dǎo)線材料。上述的金屬導(dǎo)線層可以藉由一常見的方法來形成，例如電化學(xué)電鍍法(electro-chemical plating；ECP)。然后，對上述的金屬導(dǎo)線層進行一平坦化的步驟以移除晶片上多余的金屬負載層(overburden layer)，如步驟240所示。上述進行一平坦化的步驟可以藉由CMP之類常見的方式來完成。
接下來，如步驟260所示，移除位于晶片邊緣或是晶片背面上易剝落的薄膜，例如多余的阻障層。其中，上述薄膜包含可能在后續(xù)制程中發(fā)生剝離的阻障層和其上的金屬層結(jié)構(gòu)。在根據(jù)本實施例的一范例中，上述的步驟260可藉由EBR的技術(shù)來完成。在本范例中，上述的EBR可使用一酸性溶液分別噴洗晶片邊緣與晶片背面，以去除多余的阻障層或是其他易剝落結(jié)構(gòu)。上述酸性溶液的配方之一可以是至少包含硝酸(HNO3)與氫氟酸(HF)的水溶液。在上述水溶液中，硝酸的濃度介于5~45％，氫氟酸的濃度介于0.1~5％。上述EBR的操作溫度約為20~70℃。
在根據(jù)本實施例的另一范例中，位于晶片邊緣的多余的阻障層或是其他結(jié)構(gòu)也可藉由一晶邊研磨的方式來移除。根據(jù)本范例，可以使用一堿性的研磨液來進行晶邊研磨以達到移除位于晶片邊緣的薄膜的目的，其中上述薄膜包含可能在后續(xù)制程中發(fā)生剝離的阻障層或是其上的金屬層結(jié)構(gòu)。在上述晶邊研磨的過程中，所使用的堿性研磨液可以是一堿性的Silica研磨液。上述堿性的Silica研磨液的pH值為7~12。值得注意的是，在本實施例中所敘述的酸性溶液與堿性溶液的組成，比例，及其他的參數(shù)僅是各較佳范例的實施說明，并非用以限制本發(fā)明的范圍。
上述的晶片在經(jīng)過上述移除晶背及晶片邊緣薄膜的步驟(步驟260)后，即可進入下一道半導(dǎo)體制程，如步驟280所示。在根據(jù)本發(fā)明的另一范例中，在上述移除晶背及晶片邊緣薄膜的步驟260與進行下一道半導(dǎo)體制程的步驟280之間，也可以加入一道清洗與干燥晶片的步驟(未顯示于圖2中)以移除晶片表面的殘余物。
本發(fā)明的另一較佳實施例為一種消除晶片邊緣剝離的方法。圖3A至圖3C分別是三種根據(jù)本實施例的消除晶片邊緣剝離的方法。參照圖3A，在一金屬導(dǎo)線制程中，通常至少包含形成一金屬導(dǎo)線層于一晶片上的步驟(如步驟320)，一回火步驟(如步驟340)，使用諸如化學(xué)機械研磨(CMP)或是其他的技術(shù)來進行金屬導(dǎo)線層表面的平坦化并移除晶片上多余的金屬導(dǎo)線層(如步驟360)，之后再進入下一道制程(如步驟380)。其中，上述的金屬導(dǎo)線層可以是由銅，鋁，或是其他的金屬所組成。上述的金屬導(dǎo)線層可以諸如電化學(xué)電鍍法之類常見的方法來形成。
在形成金屬導(dǎo)線層之前，為了避免所使用的金屬擴散至位于金屬導(dǎo)線層下方的其他結(jié)構(gòu)，例如硅底材和介電層(dielectric layer)，通常會先使用可降低離子擴散效應(yīng)的材料(諸如Ta，TaN，TiN和TiW)于晶片上形成一阻障層。然而，上述的阻障層與某些材質(zhì)的結(jié)構(gòu)，例如裸晶硅(bare Si)，之間的附著能力較差，所以，位于晶片邊緣的阻障層在形成金屬導(dǎo)線層之后的制程中有可能會發(fā)生剝離并衍生出許多問題。
為了解決已有技術(shù)中因為晶片邊緣的阻障層剝離而產(chǎn)生的各種問題，本實施例的設(shè)計是在形成金屬導(dǎo)線層后(如步驟320)，至進行下一道制程(如步驟380)之前，加入一道移除易剝離薄膜的步驟(如步驟400)。其目的是移除位于晶片邊緣或晶片背面，且未形成圖案的多余阻障層或是其他結(jié)構(gòu)(如阻障層上所形成的未完全圖案化金屬層結(jié)構(gòu))，以避免在后續(xù)的制程中因為上述的多余阻障層或是其他結(jié)構(gòu)發(fā)生剝離而產(chǎn)生的各種問題。
參照圖3A，在根據(jù)本發(fā)明的一范例中，可在進行回火步驟(步驟340)之前，先進行上述移除易剝離薄膜的步驟(步驟400)。在上述移除易剝離薄膜的步驟中，可藉由EBR的技術(shù)，以一酸性溶液來噴洗并移除位于晶片邊緣或是晶片背面，未形成圖案的阻障層或是其他結(jié)構(gòu)。其中，上述的酸性溶液可以是包含硝酸(約5~45％)與氫氟酸(約0.1~5％)的水溶液。
除了使用EBR的技術(shù)之外，上述位于晶片邊緣或是晶片背面的阻障層或是其他結(jié)構(gòu)也可以藉由一使用堿性研磨液的晶邊研磨技術(shù)來移除。其中，上述的堿性研磨液可以是一pH值為7~12的Silica研磨液。
在另一范例中，上述移除不必要的形成物的步驟(步驟400)也可以在上述進行金屬導(dǎo)線層表面的平坦化并移除晶背及晶片邊緣多余金屬導(dǎo)線層步驟(步驟360)之前執(zhí)行，如圖3B所示。如上文中所述，在上述移除易剝離薄膜的步驟中(步驟400)，位于晶片邊緣或是晶片背面且未形成圖案的阻障層或是其他結(jié)構(gòu)可以藉由EBR的噴洗方式以酸性溶液來去除，或是以使用堿性研磨液的晶邊研磨技術(shù)來移除。
在根據(jù)本實施例的另一范例中，上述移除易剝離薄膜的步驟(步驟400)也可以在進行金屬導(dǎo)線層表面的平坦化并移除晶背及晶片邊緣多余金屬導(dǎo)線層的步驟(如步驟360)之后執(zhí)行，如圖3C所示。同樣的，對于位在晶片邊緣或晶片背面的阻障層或是其他結(jié)構(gòu)可以藉由諸如使用酸性溶液EBR噴洗方式，或是使用堿性研磨液的晶邊研磨之類的技術(shù)來移除。
值得注意的是，在本實施例中，上述關(guān)于酸性溶液與堿性溶液的成分，比例，及其他的參數(shù)的敘述僅作為本發(fā)明的較佳實施例的說明用，并非用以限制本發(fā)明的范圍。
在已有技術(shù)的金屬導(dǎo)線制程中，為了防止所使用的金屬擴散至其他的結(jié)構(gòu)中，通常會在形成金屬導(dǎo)線層之前先形成一層阻障層于晶片之上。但是，有部分位于晶片邊緣的阻障層將會因為金屬導(dǎo)線層的去除而被曝露出來。由于阻障層與某些晶片上的結(jié)構(gòu)層(例如裸晶硅)之間的附著力較差，所以，上述位于晶片邊緣，甚至因為某些原因而形成于晶片背面的阻障層極可能會在后續(xù)的制程中發(fā)生剝離。上述阻障層的剝離將會造成晶片的缺陷。剝離程度較輕的會造成良率的降低，而剝離程度較嚴(yán)重的甚至?xí)斐删膱髲U。而且，所剝離下來的碎片更會造成機臺的污染。值得注意的是，上述的剝離現(xiàn)象在已有技術(shù)中并沒有妥善的解決方案，特別是在銅導(dǎo)線制程中，上述的問題仍無法被妥善的解決。
相較于上述已有技術(shù)中的缺點，在本發(fā)明的設(shè)計中，可藉由在形成金屬導(dǎo)線之后加入一道移除晶背及晶片邊緣的阻障層或其他結(jié)構(gòu)的步驟，以防止上述剝離現(xiàn)象的發(fā)生。換言之，在根據(jù)本發(fā)明的設(shè)計中，藉由在形成金屬導(dǎo)線層于晶片上之后所加入的一道步驟，來移除位于晶片邊緣且可能發(fā)生剝離的薄膜或結(jié)構(gòu)，例如上述未被金屬導(dǎo)線層所覆蓋的阻障層，以避免因為發(fā)生剝離現(xiàn)象而導(dǎo)致的良率下降或機臺污染等問題。因此，根據(jù)本發(fā)明的設(shè)計，不僅可以有效的提高良率，更可以降低機臺被污染的機會。
綜合上述，本發(fā)明提供了一消除晶片邊緣剝離的方法，其中上述的方法可以應(yīng)用于一金屬導(dǎo)線制程中。上述消除晶片邊緣剝離的方法至少包含形成包含一阻障層和一金屬導(dǎo)線層的結(jié)構(gòu)于一晶片上的步驟，與移除位于晶片邊緣或晶背的易剝離薄膜的步驟。上述移除位于晶片邊緣或晶背的易剝離薄膜的步驟包含移除未被上述金屬導(dǎo)線層所覆蓋，且可能發(fā)生剝離的薄膜(例如阻障層)或其上的金屬層結(jié)構(gòu)。上述的移除位于晶片邊緣或晶背的易剝離薄膜的步驟可以藉由一EBR技術(shù)，或是藉由晶邊研磨的技術(shù)來移除。因此，藉由本發(fā)明的設(shè)計不僅可以避免已有技術(shù)中因為剝離現(xiàn)象所造成的各種缺陷，更可以大幅提高晶片的良率。更好的是，根據(jù)本發(fā)明的設(shè)計更可以大幅降低機臺被污染的機會。
雖然本發(fā)明已參照當(dāng)前的具體實施例來描述，但是本技術(shù)領(lǐng)域中的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)認識到，以上的實施例僅是用來說明本發(fā)明，應(yīng)理解其中可作各種變化和修改而在廣義上沒有脫離本發(fā)明，所以并非作為對本發(fā)明的限定，只要在本發(fā)明的實質(zhì)精神范圍內(nèi)，對以上所述實施例的變化、變形都將落在本發(fā)明權(quán)利要求書的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種消除晶片邊緣剝離的方法，包含形成一薄膜于晶片上；形成一圖形化金屬結(jié)構(gòu)于晶片上；平坦化晶片表面以移除晶片上多余的該圖形化金屬結(jié)構(gòu)，其中該平坦化步驟暴露出晶片邊緣的部份該薄膜；及移除暴露出的部份該薄膜。
2.如權(quán)利要求1所述的消除晶片邊緣剝離的方法，其特征在于該薄膜包含用以防止金屬離子擴散的一阻障層。
3.如權(quán)利要求2所述的消除晶片邊緣剝離的方法，其特征在于該阻障層的材料選自于Ta、TaN、TiN或TiW。
4.如權(quán)利要求1所述的消除晶片邊緣剝離的方法，其特征在于所述薄膜的形成方法包含以薄膜沉積方法均勻地形成薄膜的方法。
5.如權(quán)利要求1所述的消除晶片邊緣剝離的方法，其特征在于所述圖形化金屬層結(jié)構(gòu)包含一金屬導(dǎo)線層。
6.如權(quán)利要求5所述的消除晶片邊緣剝離的方法，其特征在于所述圖形化金屬導(dǎo)線層的材料選自于銅或鋁。
7.如權(quán)利要求1所述的消除晶片邊緣剝離的方法，其特征在于所述的平坦化步驟包含使用蝕刻與化學(xué)機械研磨方法。
8.如權(quán)利要求1所述的消除晶片邊緣剝離的方法，其特征在于所述的移除步驟包含移除該平坦化步驟后的殘留的該圖形化金屬結(jié)構(gòu)。
9.如權(quán)利要求1所述的消除晶片邊緣剝離的方法，其特征在于所述暴露出的部份該薄膜是位于晶片邊緣。
10.如權(quán)利要求1所述的消除晶片邊緣剝離的方法，其特征在于所述暴露出的部份是該薄膜晶片的晶背。
11.如權(quán)利要求1所述的消除晶片邊緣剝離的方法，其特征在于所述移除步驟是使用一晶邊清除的技術(shù)。
12.如權(quán)利要求11的消除晶片邊緣剝離的方法，其特征在于所述移除步驟是使用一酸性溶液。
13.如權(quán)利要求1的消除晶片邊緣剝離的方法，其特征在于所述移除步驟是使用一晶邊研磨的技術(shù)。
14.如權(quán)利要求13的消除晶片邊緣剝離的方法，其特征在于所述移除步驟是使用一堿性研磨液。
15.如權(quán)利要求1的消除晶片邊緣剝離的方法，其特征在于還包含干燥晶片。
16.一種消除晶片邊緣剝離的方法，包含形成一阻障層于一晶片上；形成一金屬導(dǎo)線層于該阻障層上，其中，未被該金屬導(dǎo)線層覆蓋的部份該阻障層被暴露出來；移除暴露出的部份該阻障層；進行回火步驟于該晶片；及進行平坦化步驟以移除該晶片上多余的該金屬導(dǎo)線層。
17.如權(quán)利要求16所述的消除晶片邊緣剝離的方法，其特征在于所述阻障層的材料是為Ta。
18.如權(quán)利要求16所述的消除晶片邊緣剝離的方法，其特征在于所述阻障層的材料是為TaN。
19.如權(quán)利要求16所述的消除晶片邊緣剝離的方法，其特征在于所述金屬導(dǎo)線層是一銅導(dǎo)線層。
20.如權(quán)利要求16所述的消除晶片邊緣剝離的方法，其特征在于所述金屬導(dǎo)線層包含該阻障層位于晶背暴露出的部份。
21.如權(quán)利要求16所述的消除晶片邊緣剝離的方法，其特征在于還包含移除暴露出的該晶片的晶背的部份該阻障層。
22.如權(quán)利要求16所述的消除晶片邊緣剝離的方法，其特征在于所述移除步驟包含移除該阻障層上的未完全圖案化的該金屬導(dǎo)線層。
23.如權(quán)利要求16所述的消除晶片邊緣剝離的方法，其特征在于所述移除步驟包含使用一晶邊清除技術(shù)。
24.如權(quán)利要求23所述的消除晶片邊緣剝離的方法，其特征在于所述移除步驟是使用一酸性溶液。
25.如權(quán)利要求24所述的消除晶片邊緣剝離的方法，其特征在于所述的酸性溶液是一包含硝酸與氫氟酸的水溶液。
26.如權(quán)利要求16所述的消除晶片邊緣剝離的方法，其特征在于所述移除步驟包含使用一晶邊研磨技術(shù)。
27.如權(quán)利要求26所述的消除晶片邊緣剝離的方法，其特征在于所述移除步驟是使用一堿性溶液。
28.如權(quán)利要求27所述的消除晶片邊緣剝離的方法，其特征在于所述的堿性研磨液的pH值為7～12。
29.如權(quán)利要求16所述的消除晶片邊緣剝離的方法，其特征在于所述的平坦化步驟包含使用平坦化的蝕刻和化學(xué)機械研磨方法。
全文摘要
本發(fā)明是為一種消除晶片邊緣剝離而產(chǎn)生缺陷的方法。根據(jù)本發(fā)明的設(shè)計，可在形成金屬導(dǎo)線層的后加入一道清理晶片邊緣的步驟，以移除晶片邊緣可能剝離的薄膜，其中該移除薄膜包含一圖形化(Patterned)金屬層結(jié)構(gòu)。因此，根據(jù)本發(fā)明的設(shè)計可以有效的提高晶片的良率，并降低機臺被污染的機會。
文檔編號H01L21/02GK1610078SQ20031010286
公開日2005年4月27日 申請日期2003年10月22日 優(yōu)先權(quán)日2003年10月22日
發(fā)明者許嘉麟, 李書賢, 蔡蒨蒨, 呂曉玲 申請人:聯(lián)華電子股份有限公司