專利名稱:發(fā)光二極管芯片的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種發(fā)光二極管芯片，包括第一類型半導(dǎo)體層、發(fā)光層、第二類型半導(dǎo)體層、一個(gè)第一電極及x個(gè)第二電極，所述發(fā)光層和第二類型半導(dǎo)體層劃分為x個(gè)相互電隔離的發(fā)光區(qū)（x為大于等于2的正整數(shù)），所述第一電極與所述第一類型半導(dǎo)體層連接；所述x個(gè)第二電極分別與x個(gè)發(fā)光區(qū)的第二類型半導(dǎo)體層連接，所述x個(gè)發(fā)光區(qū)共用所述第一電極，并通過設(shè)于各個(gè)發(fā)光區(qū)上的x個(gè)第二電極獨(dú)立控制各個(gè)發(fā)光區(qū)的電流注入，實(shí)現(xiàn)各個(gè)發(fā)光區(qū)獨(dú)立發(fā)光或者同時(shí)發(fā)光。本實(shí)用新型所述的發(fā)光二極管芯片可以實(shí)現(xiàn)芯片級(jí)白光照明和紫外光消毒的功能，并且照明顏色可根據(jù)實(shí)際需要進(jìn)行設(shè)計(jì)，應(yīng)用前景高；避免傳統(tǒng)LED照明燈和紫外LED消毒燈分開設(shè)計(jì)制造所產(chǎn)生的額外工藝和成本。
【專利說明】
發(fā)光二極管芯片
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本實(shí)用新型屬于LED制造技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種發(fā)光二極管芯片。
【背景技術(shù)】
[0002]發(fā)光二極管(LED)照明燈、紫外LED消毒燈以其綠色環(huán)保且優(yōu)越的性能，已經(jīng)越來越多地應(yīng)用于人們的日常生活中、醫(yī)院等公共場所中、以及工礦企業(yè)中。但是，目前的LED照明燈和紫外LED消毒燈通常是分開設(shè)計(jì)制造的，或者是在一承載基板上分別設(shè)置可見光LED芯片組和紫外光LED芯片組來實(shí)現(xiàn)LED照明和紫外LED消毒的功能，這樣會(huì)造成生產(chǎn)成本高、組裝成本高、安裝成本高。因此，有必要設(shè)計(jì)一種新型的發(fā)光二極管芯片來解決以上問題。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0003]本實(shí)用新型的目的為:設(shè)計(jì)一種可以同時(shí)具有照明和紫外消毒功能的發(fā)光二極管芯片。
[0004]本實(shí)用新型的技術(shù)方案為:發(fā)光二極管芯片，包括第一類型半導(dǎo)體層、發(fā)光層、第二類型半導(dǎo)體層、一個(gè)第一電極及X個(gè)第二電極，所述發(fā)光層和第二類型半導(dǎo)體層劃分為X個(gè)相互電隔離的發(fā)光區(qū)，其中X為大于等于2的正整數(shù)，所述第一電極與所述第一類型半導(dǎo)體層連接;所述X個(gè)第二電極分別與X個(gè)發(fā)光區(qū)的第二類型半導(dǎo)體層連接，所述X個(gè)發(fā)光區(qū)共用所述第一電極，并通過設(shè)于各個(gè)發(fā)光區(qū)上的X個(gè)第二電極獨(dú)立控制各個(gè)發(fā)光區(qū)的電流注入，實(shí)現(xiàn)各個(gè)發(fā)光區(qū)獨(dú)立發(fā)光或者同時(shí)發(fā)光。
[0005]進(jìn)一步地，所述發(fā)光層發(fā)射紫外光，所述X個(gè)相互電隔離的發(fā)光區(qū)的第一個(gè)發(fā)光區(qū)直接發(fā)射紫外光，第i個(gè)發(fā)光區(qū)發(fā)射可見光，其中X多i>2。
[0006]進(jìn)一步地，所述第i個(gè)發(fā)光區(qū)發(fā)射的可見光為藍(lán)光、綠光、黃光、紅光、白光或其任意組合，波長范圍為380?770 nm。
[0007]進(jìn)一步地，所述X個(gè)相互電隔離的發(fā)光區(qū)的第一個(gè)發(fā)光區(qū)發(fā)射的紫外光的波長范圍為200?380 nm。
[0008]進(jìn)一步地，所述第i個(gè)發(fā)光區(qū)的第二類型半導(dǎo)體層的上表面具有光轉(zhuǎn)換層。
[0009]進(jìn)一步地，所述光轉(zhuǎn)換層為藍(lán)光轉(zhuǎn)換層、綠光轉(zhuǎn)換層、黃光轉(zhuǎn)換層、紅光轉(zhuǎn)換層或其任意組合。
[0010]本實(shí)用新型至少具備以下有益效果:可以實(shí)現(xiàn)發(fā)光二極管芯片級(jí)具有照明和紫外光消毒的功能，并且照明顏色可根據(jù)實(shí)際需要進(jìn)行設(shè)計(jì)，應(yīng)用前景高;避免傳統(tǒng)LED照明燈和紫外LED消毒燈分開設(shè)計(jì)制造所產(chǎn)生的額外工藝和成本。
【附圖說明】

[0011]附圖用來提供對本實(shí)用新型的進(jìn)一步理解，并且構(gòu)成說明書的一部分，與實(shí)用新型的實(shí)施例一起用于解釋本實(shí)用新型，并不構(gòu)成對本實(shí)用新型的限制。此外，附圖是描述概要，不是按比例繪制。
[0012]圖1為實(shí)施例所提供的發(fā)光二極管芯片的示意圖。
[0013]圖中標(biāo)示:100:襯底；101:緩沖層；102:N型AlGaN層；103:紫外MQW發(fā)光層；104:P型AlGaN層；105:隔離層；106:透明導(dǎo)電層；107:光轉(zhuǎn)換層；108:N電極；109:第一 P電極;110:第二 P電極。
【具體實(shí)施方式】
[0014]下面將結(jié)合附圖對本實(shí)用新型公開的一種發(fā)光二極管芯片的優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)行更詳細(xì)的描述。
[0015]如圖1所示，本實(shí)用新型所設(shè)計(jì)的發(fā)光二極管芯片的示意圖，包括襯底100、緩沖層101、N型AlGaN層102、紫外MQW發(fā)光層103、P型AlGaN層104、透明導(dǎo)電層106、N電極108和P電極。所述襯底100可以為GaN襯底、藍(lán)寶石襯底或SiC襯底，襯底100之上的外延層可以采用MOCVD或MBE依次生長而成;所述緩沖層101可以為GaN或AlGaN或其交替堆疊結(jié)構(gòu);所述紫外MQW發(fā)光層103可以為AlGaN、InGaN或InAlGaN交替堆疊而成；所述透明導(dǎo)電層106可以為ITO、IZO等透明導(dǎo)電氧化物。
[0016]在本實(shí)施例中，發(fā)光二極管芯片至少具有第一發(fā)光區(qū)和第二發(fā)光區(qū)，其中第一發(fā)光區(qū)與第二發(fā)光區(qū)的面積比例為1: X，其中0.01<X<100，X優(yōu)選1，所述第一發(fā)光區(qū)和第二發(fā)光區(qū)通過一隔離層105進(jìn)行隔離，隔離層105可以為Si02。其中，第一發(fā)光區(qū)上具有第一P電極109，用于發(fā)射紫外光(UV)實(shí)現(xiàn)消毒功能，所述發(fā)射紫外光的波長范圍為200?380 nm；第二發(fā)光區(qū)上具有光轉(zhuǎn)換層107和第二 P電極110，用于發(fā)射可見光實(shí)現(xiàn)照明功能，所發(fā)射的可見光可以為藍(lán)光、綠光、黃光、紅光、白光或其任意組合。第二發(fā)光區(qū)上的光轉(zhuǎn)換層107可以為藍(lán)光轉(zhuǎn)換層、綠光轉(zhuǎn)換層、黃光轉(zhuǎn)換層、紅光轉(zhuǎn)換層或其任意組合，本實(shí)施例選用藍(lán)光轉(zhuǎn)換層、綠光轉(zhuǎn)換層和紅光轉(zhuǎn)換層的組合，發(fā)射白光(W)用于室內(nèi)外照明。
[0017]以上所述發(fā)光二極管芯片可以實(shí)現(xiàn)芯片級(jí)的照明和紫外光消毒的功能，并且照明顏色可根據(jù)實(shí)際需要進(jìn)行設(shè)計(jì)，應(yīng)用前景高;避免傳統(tǒng)LED照明燈和紫外LED消毒燈分開設(shè)計(jì)制造所產(chǎn)生的額外工藝和成本。
[0018]以上表示了本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例，應(yīng)該理解的是，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以修改在此描述的本實(shí)用新型，而仍然實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型的有益效果。因此，以上描述不作為對本實(shí)用新型的限制，凡依本實(shí)用新型所做的任何變更，皆屬本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.發(fā)光二極管芯片，包括第一類型半導(dǎo)體層、發(fā)光層、第二類型半導(dǎo)體層、一個(gè)第一電極及X個(gè)第二電極，其特征在于:所述發(fā)光層和第二類型半導(dǎo)體層劃分為X個(gè)相互電隔離的發(fā)光區(qū)，其中X為大于等于2的正整數(shù)，所述第一電極與所述第一類型半導(dǎo)體層連接;所述X個(gè)第二電極分別與X個(gè)發(fā)光區(qū)的第二類型半導(dǎo)體層連接，所述X個(gè)發(fā)光區(qū)共用所述第一電極，并通過設(shè)于各個(gè)發(fā)光區(qū)上的X個(gè)第二電極獨(dú)立控制各個(gè)發(fā)光區(qū)的電流注入，實(shí)現(xiàn)各個(gè)發(fā)光區(qū)獨(dú)立發(fā)光或者同時(shí)發(fā)光。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管芯片，其特征在于:所述發(fā)光層發(fā)射紫外光，所述X個(gè)相互電隔離的發(fā)光區(qū)的第一個(gè)發(fā)光區(qū)直接發(fā)射紫外光，第i個(gè)發(fā)光區(qū)發(fā)射可見光，其中X多i多2。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管芯片，其特征在于:所述X個(gè)相互電隔離的發(fā)光區(qū)的第一個(gè)發(fā)光區(qū)發(fā)射的紫外光的波長范圍為200?380 nm。4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管芯片，其特征在于:所述第i個(gè)發(fā)光區(qū)發(fā)射的可見光為藍(lán)光、綠光、黃光、紅光、白光或其任意組合，波長范圍為380?770 nm。5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管芯片，其特征在于:所述第i個(gè)發(fā)光區(qū)的第二類型半導(dǎo)體層的上表面具有光轉(zhuǎn)換層。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的發(fā)光二極管芯片，其特征在于:所述光轉(zhuǎn)換層為藍(lán)光轉(zhuǎn)換層、綠光轉(zhuǎn)換層、黃光轉(zhuǎn)換層、紅光轉(zhuǎn)換層或其任意組合。
【文檔編號(hào)】H01L33/08GK205692850SQ201620392112
【公開日】2016年11月16日
【申請日】2016年5月4日 公開號(hào)201620392112.0, CN 201620392112, CN 205692850 U, CN 205692850U, CN-U-205692850, CN201620392112, CN201620392112.0, CN205692850 U, CN205692850U
【發(fā)明人】申利瑩, 張君逸, 謝創(chuàng)宇, 林仕尉, 潘冠甫, 吳超瑜, 王篤祥
【申請人】天津三安光電有限公司