專利名稱:氣密性雙腔封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型提供了一種在陶瓷基板上實(shí)現(xiàn)特定芯片封裝的氣密性雙腔封裝結(jié)構(gòu)。該結(jié)構(gòu)在基板上、下均開有凹槽，上凹槽外覆蓋第一金屬蓋板，上凹槽與第一金屬蓋板形成上腔體；下凹槽外覆蓋第二金屬蓋板，下凹槽與第二金屬蓋板形成下腔體；上腔體和下腔體之間通過開窗連通；芯片粘結(jié)在上腔體內(nèi)，芯片中間區(qū)域的I/O焊盤朝下對(duì)應(yīng)開窗，下腔體內(nèi)開窗周圍具有鍵合指，芯片的I/O焊盤由穿過開窗的鍵合引線連接到所述鍵合指。本封裝結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)了特定芯片高性能、小體積氣密封裝的目的。
【專利說明】氣密性雙腔封裝結(jié)構(gòu)

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本實(shí)用新型涉及芯片的一種氣密性雙腔封裝結(jié)構(gòu)，屬于集成電路封裝【技術(shù)領(lǐng)域】。

【背景技術(shù)】
[0002]在集成電路封裝中為滿足不同應(yīng)用和性能需求，制造好的電路芯片需要采用不同形式和結(jié)構(gòu)進(jìn)行封裝。目前大多數(shù)芯片的I/o引出端位置分布于芯片邊緣四周，引線鍵合封裝時(shí)可以做到鍵合引線盡可能的短，滿足芯片的性能要求。但對(duì)于少數(shù)芯片，在芯片設(shè)計(jì)階段考慮到電特性要求，版圖布局放置I/o時(shí)將其分布于芯片中間區(qū)域，此布局芯片性能測試好。傳統(tǒng)封裝將芯片安裝在基板一個(gè)腔體內(nèi)，向位于芯片四邊基板焊盤引線鍵合，這種I/o布局封裝鍵合引出線時(shí)向四邊引出，因此鍵合引線長，影響電路電特性，且封裝后的電路尺寸較大，不滿足電路小型化的應(yīng)用需求。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本實(shí)用新型的目的在于克服傳統(tǒng)封裝鍵合引出線向四邊引出所造成的缺點(diǎn)，提供一種氣密性雙腔封裝結(jié)構(gòu)，利用上下雙腔、中間開窗的封裝結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)芯片最短鍵合引線的氣密性封裝。
[0004]按照本實(shí)用新型提供的技術(shù)方案，所述氣密性雙腔封裝結(jié)構(gòu)在基板上、下均開有凹槽，上凹槽外覆蓋第一金屬蓋板，上凹槽與第一金屬蓋板形成上腔體；下凹槽外覆蓋第二金屬蓋板，下凹槽與第二金屬蓋板形成下腔體；上腔體和下腔體之間通過開窗連通;芯片粘結(jié)在上腔體內(nèi)，芯片中間區(qū)域的I/o焊盤朝下對(duì)應(yīng)開窗，下腔體內(nèi)開窗周圍具有鍵合指，芯片的I/o焊盤由穿過開窗的鍵合引線連接到所述鍵合指。
[0005]具體的，所述芯片通過粘結(jié)材料粘結(jié)到基板上腔體底部。
[0006]具體的，所述第一金屬蓋板和第二金屬蓋板與基板之間使用合金焊料熔封實(shí)現(xiàn)氣密性封裝。
[0007]具體的，所述鍵合引線通過上腔體與下腔體間開窗實(shí)現(xiàn)芯片PAD與鍵合指連接。
[0008]具體的，所述基板為陶瓷基板。
[0009]本實(shí)用新型具有以下優(yōu)點(diǎn):本實(shí)用新型實(shí)現(xiàn)了特定芯片氣密性封裝的目的，能顯著地縮小封裝體積和改善電特性:對(duì)于I/O PAD (焊盤)位于芯片正中間區(qū)域的封裝，通過基板中間開窗露出鍵合PAD，然后進(jìn)行引線鍵合，可以有效減小引線長度和封裝體積，有利于提高電性能的同時(shí)節(jié)約組裝空間，提高封裝密度。

【附圖說明】

[0010]圖1為本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0011]以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型做進(jìn)一步說明。
[0012]本實(shí)用新型設(shè)計(jì)了一種帶開窗的雙腔封裝基板，在基板上、下兩面制作腔體，并在兩個(gè)腔體中間開窗，將芯片粘結(jié)在上腔體，芯片的中間區(qū)域I/o焊盤露出在腔體開窗位置，鍵合引線穿過窗口在下腔體進(jìn)行引線鍵合，實(shí)現(xiàn)芯片與基板的最短引線互連，滿足芯片電性能和封裝尺寸小型化的要求。
[0013]如圖1所示，我們采用陶瓷基板實(shí)現(xiàn)電氣互連和機(jī)械支撐，在基板I上、下均開有凹槽，上凹槽外覆蓋第一金屬蓋板6,上凹槽與第一金屬蓋板6形成上腔體7 ;下凹槽外覆蓋第二金屬蓋板5，下凹槽與第二金屬蓋板5形成下腔體8 ;上腔體7和下腔體8之間通過開窗9連通；芯片2粘結(jié)在上腔體7內(nèi)，芯片2中間區(qū)域的I/O焊盤朝下對(duì)應(yīng)開窗9，下腔體8內(nèi)開窗9周圍具有鍵合指，芯片2的I/O焊盤由穿過開窗9的鍵合引線4連接到所述鍵合指。
[0014]其中芯片2通過粘結(jié)材料3粘結(jié)到基板I上腔體7底部，鍵合引線4穿過開窗9與下腔體8內(nèi)鍵合指鍵合，實(shí)現(xiàn)芯片2中間區(qū)域I/O與基板I的電氣連接。第一金屬蓋板6和第二金屬蓋板5材質(zhì)米用柯伐合金,利用合金焊料將第一金屬蓋板6和第二金屬蓋板5與陶瓷基板I熔封實(shí)現(xiàn)氣密性封裝。
【權(quán)利要求】
1.氣密性雙腔封裝結(jié)構(gòu)，包括基板(1)，其特征在于，所述基板(I)上、下均開有凹槽，上凹槽外覆蓋第一金屬蓋板(6),上凹槽與第一金屬蓋板(6)形成上腔體(7);下凹槽外覆蓋第二金屬蓋板(5)，下凹槽與第二金屬蓋板(5)形成下腔體(8);上腔體(7)和下腔體(8)之間通過開窗(9)連通；芯片(2)粘結(jié)在上腔體(7)內(nèi)，芯片(2)中間區(qū)域的I/O焊盤朝下對(duì)應(yīng)開窗(9)，下腔體(8)內(nèi)開窗(9)周圍具有鍵合指，芯片(2)的I/O焊盤由穿過開窗(9)的鍵合引線(4)連接到所述鍵合指。2.如權(quán)利要求1所述的氣密性雙腔封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述芯片(2)通過粘結(jié)材料(3)粘結(jié)到基板(I)上腔體底部。3.如權(quán)利要求1所述的氣密性雙腔封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一金屬蓋板(6)和第二金屬蓋板(5)與基板(I)之間使用合金焊料熔封實(shí)現(xiàn)氣密性封裝。4.如權(quán)利要求1所述的氣密性雙腔封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述基板(I)為陶瓷基板。5.如權(quán)利要求1所述的氣密性雙腔封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述鍵合引線(4)通過上腔體與下腔體間開窗(9)實(shí)現(xiàn)芯片PAD與鍵合指連接。
【文檔編號(hào)】H01L23-043GK204289421SQ201420766700
【發(fā)明者】蔣長順 [申請(qǐng)人]無錫中微高科電子有限公司