專(zhuān)利名稱(chēng)：普通玻璃基材上的平鋪硅薄膜及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明為關(guān)于制造大型主動(dòng)-矩陣液晶顯示器，更特定言之為用于形成一硅薄膜于一玻璃基材表面的方法與設(shè)備。
背景技術(shù)：
許多一般電子裝置使用液晶顯示器(LCD)顯示影像或文字。液晶顯示器因?yàn)榫哂谐狡渌@示技術(shù)的數(shù)項(xiàng)優(yōu)點(diǎn)，已逐漸流行。舉例言之，液晶顯示器與陰極射線(xiàn)管屏幕相比，一般較薄、較輕且消耗較少電力。此外，液晶顯示器不會(huì)有關(guān)于色收斂度的問(wèn)題，且影像可以低更新頻率顯示但不會(huì)有影像閃爍問(wèn)題產(chǎn)生。
一般平板液晶顯示器用于只需顯示重復(fù)相同影像的簡(jiǎn)易用途。舉例言之一般平板液晶顯示器通常是作為電子手表與微波爐計(jì)時(shí)器之用。電腦、電視與其他需要復(fù)雜影像顯示能力的相似裝置，一般則使用被動(dòng)-矩陣或主動(dòng)-矩陣液晶顯示器。
被動(dòng)-矩陣液晶顯示器使用簡(jiǎn)單柵極以對(duì)于屏幕上特定像素充電。柵極一般藉由覆蓋透明傳導(dǎo)材料，舉例言之，銦錫氧化物，于兩玻璃基材上形成。在一基材上，透明導(dǎo)電材料以行狀排列；另一基材，透明導(dǎo)體材料為以列狀排列。上述行與列與集成電路連接，以控制電荷何時(shí)傳送至特定行或列。液晶材料為夾于兩玻璃基材間，偏光膜則位于于每一基材外層。為了使像素作用，集成電路發(fā)送電荷至一基材上適當(dāng)行，并于另一基材上適當(dāng)列處接地。列與行于指定像素處交會(huì)，交會(huì)面積上的電壓場(chǎng)會(huì)使位于像素處的液晶不產(chǎn)生扭轉(zhuǎn)現(xiàn)象。
被動(dòng)-矩陣液晶顯示器亦有缺點(diǎn)。舉例言之，反應(yīng)時(shí)間或顯示影像時(shí)的更新頻率一般均較慢。因此，當(dāng)顯示內(nèi)容需快速改變時(shí)，舉例言之，撥放連續(xù)影像或顯示快速鼠標(biāo)移動(dòng)時(shí)，因?yàn)轱@示器無(wú)法跟上顯示內(nèi)容變化，會(huì)產(chǎn)生模糊影像。此外，不精確的電壓控制會(huì)使被動(dòng)-矩陣液晶顯示器難以在不影響鄰近像素下控制單一像素。舉例言之，目的為使單一像素產(chǎn)生非扭轉(zhuǎn)現(xiàn)象的施加電壓亦會(huì)造成附近像素產(chǎn)生部分非扭轉(zhuǎn)現(xiàn)象，結(jié)果導(dǎo)致影像模糊不清，對(duì)比不銳利與于相同行列上不作用像素處產(chǎn)生鬼影。此外，隨著屏幕尺寸與像素增加，會(huì)因?yàn)楦唠娙菖c電極的有限傳導(dǎo)性，導(dǎo)致對(duì)顯示參數(shù)產(chǎn)生不良影響。
在主動(dòng)-矩陣液晶顯示器中，像素定址是于液晶薄膜后方產(chǎn)生。當(dāng)于前方基材后表面刻畫(huà)像素后，于上覆蓋一連續(xù)透明薄膜。薄膜式電晶體(TFT)，至少包含小型開(kāi)關(guān)電晶體與電容，以對(duì)屏幕上特定像素施加電壓。薄膜式電晶體一般為于石英或玻璃基材上以矩陣方式形成。為了將特定像素加以定址，需將適當(dāng)列開(kāi)啟，并將電荷發(fā)送到正確行處。因?yàn)樗衅渌c行交錯(cuò)的列為關(guān)閉狀態(tài)，僅有位于指定像素的電容可接收電荷，該電容并設(shè)計(jì)為直至下一更新周期前可保持電荷。故使用薄膜式電晶體可避免被動(dòng)-矩陣液晶顯示器中低反應(yīng)速度與鬼影問(wèn)題。此外主動(dòng)-矩陣液晶顯示器可藉由控制提供給特定像素的額外電壓，產(chǎn)生更高灰階范圍。舉例言之，主動(dòng)-矩陣液晶顯示器上的個(gè)別像素可提供256或更高程度的亮度。因?yàn)樾苌系母倪M(jìn)，主動(dòng)-矩陣液晶顯示器目前以用于幾乎所有可攜帶，屏幕尺寸為2-15英寸的電子應(yīng)用裝置上。
主動(dòng)-矩陣彩色液晶顯示器上每一像素為由三子像素與紅、綠、藍(lán)彩色濾光片組成。每一子像素與薄膜式電晶體連接以控制子像素上液晶活動(dòng)。故構(gòu)成液晶顯示器顯示影像的每一像素上紅、綠、藍(lán)元素強(qiáng)度，可藉由控制對(duì)于每一子像素上施加電壓加以獨(dú)立調(diào)整。舉例言之，藉由控制薄膜式電晶體對(duì)于每一子像素的電壓輸出，故每一子像素的強(qiáng)度可以有256種色度。子像素的組合可得到約有16.8百萬(wàn)種顏色的色盤(pán)。上述顯示方式需要大量薄膜式電晶體。舉例言之，一般筆記型電腦若要配備具有1024×768解析度的主動(dòng)-矩陣彩色液晶屏幕，需要2,356,296個(gè)薄膜式電晶體。
過(guò)去，薄膜式電晶體一般以非晶形硅(a-Si)藉等離子體輔助化學(xué)氣相沉積(PE-CVD)工藝形成。使用非晶形硅的優(yōu)點(diǎn)為可于較便宜的玻璃基材上以較低工藝溫度形成。但非晶形硅薄膜式電晶體缺點(diǎn)在具有許多已知的限制。
舉例言之，是否具有高電子移動(dòng)性為增加薄膜式電晶體效能的關(guān)鍵因素。但非晶形硅薄膜式電晶體有限的電子移動(dòng)性導(dǎo)致其有限的頁(yè)面更新速率與像素密度。高非晶形硅薄膜式電晶體效能可以使用高效能驅(qū)動(dòng)電路達(dá)成，但因此產(chǎn)生的高能量消耗對(duì)于可攜式電子裝置為不利因素。
主動(dòng)-矩陣液晶顯示器制造成本中最大影響因素之一為外部驅(qū)動(dòng)電路。一般主動(dòng)-矩陣顯示器使用非晶形硅薄膜式電晶體，每一像素為獨(dú)立與圍繞于顯示區(qū)域周?chē)挠∷㈦娐钒?PCB)上個(gè)別邏輯晶片驅(qū)動(dòng)裝置連接。于是液晶顯示器面板與印刷電路板間需要大量外部連接器，導(dǎo)致高制造成本。將印刷電路板圍繞于顯示區(qū)域周?chē)嘞拗屏艘壕э@示器外殼的造型。
液晶顯示器的亮度部分由像素的開(kāi)口率，或通過(guò)每一像素的光線(xiàn)相對(duì)于通過(guò)像素全區(qū)域面積的光線(xiàn)的比率與相關(guān)電子裝置所決定。較高開(kāi)口率可使更多的光線(xiàn)通過(guò)像素，導(dǎo)致液晶顯示器可顯示更亮的影像。一般非晶形硅主動(dòng)-矩陣液晶顯示器具有約0.3厘米的點(diǎn)距，相對(duì)應(yīng)的彩色子像素尺寸則為0.1厘米或100微米。上述屏幕中薄膜式電晶體與導(dǎo)線(xiàn)連接器一般占據(jù)通道中10微米的寬度。此外，非晶形硅薄膜式電晶體的性質(zhì)會(huì)因?yàn)椴牧媳┞队诠馀c熱而改變，故非晶形硅薄膜式電晶體必須與外界光源隔絕以保持穩(wěn)定性，但如此一來(lái)會(huì)導(dǎo)致開(kāi)口率下降。于是使用非晶形硅薄膜式電晶體的主動(dòng)-矩陣顯示器一般需要更強(qiáng)的背光，導(dǎo)致更高的能源消耗。
硅晶體，舉例言之，多晶硅(p-Si)與單晶硅，與非晶形硅相比較，具有較高電子移動(dòng)性。于是，使用結(jié)晶硅材料，可使頁(yè)面更新速率、像素密度與開(kāi)口率得以上升。此外因使用結(jié)晶硅薄膜式電晶體，使驅(qū)動(dòng)電路與環(huán)繞電子設(shè)備納為液晶顯示器整體一部份，故可降低制造屏幕所需元件與在相同機(jī)殼設(shè)計(jì)下，納入更大尺寸的液晶顯示器。
目前、多晶硅薄膜式電晶體已用于小型主動(dòng)-矩陣投影液晶顯示器中。多晶硅可以直接藉化學(xué)氣相沉積(CVD)工藝，于高于攝氏590度下，進(jìn)行沉積。但因?yàn)楦吖に嚋囟龋嗑Ч璩练e一般需要使用昂貴的石英材料。使用金屬誘發(fā)結(jié)晶可克服上述困難，使工藝溫度可在約攝氏450度進(jìn)行。
使用形成于石英材料上的多晶硅薄膜式電晶體的小型投影液晶顯示器，因?yàn)槠湫〕叽?，一般?duì)角線(xiàn)長(zhǎng)小于2英跡靡砸越暇梅絞街圃臁5所要制造的尺寸增加，石英材料的成本會(huì)快速增加，故若要使用單片石英材料，制造更大，廣視角液晶顯示器，成本上并不可行。
目前，部分制造者期望藉由使用準(zhǔn)分子雷射使非晶形硅產(chǎn)生熱轉(zhuǎn)換以于大型傳統(tǒng)玻璃材質(zhì)上形成多晶硅。使用上述工藝，n-型硅的電子游動(dòng)性可達(dá)到10-500，與結(jié)晶硅形成的裝置所可達(dá)到的相同。但準(zhǔn)分子雷射熱轉(zhuǎn)換工藝并不足以使p-型硅的電子游動(dòng)性提升至可供互補(bǔ)式金屬氧化半導(dǎo)體裝置，例如液晶顯示器外部驅(qū)動(dòng)電路中所用的靜態(tài)隨機(jī)存取記憶體。
其他制造者已經(jīng)發(fā)展出使二種或二種以上的主動(dòng)-矩陣液晶顯示器拼接以形成鋪排平板顯示器的工藝。已有數(shù)種不同處理方式應(yīng)用于上述方法。一方式為兩顯示板拼接時(shí)故意留下可見(jiàn)接縫，所顯示影像則為連續(xù)跨越延伸于各顯示板與接縫。上述方式已為Clarity與Pioneer與其他廠商采用于其可堆疊式電視墻顯示產(chǎn)品中。其他方式中則隱藏個(gè)別顯示器板間接縫，在一般情形下，使接縫不為肉眼察知。位于Endicott，New York的Rainbow DisplayIncorporated已發(fā)展出像素點(diǎn)距小于1厘米，兩顯示板間可以無(wú)縫方式拼接形成單一平板顯示裝置的技術(shù)。但無(wú)縫平板顯示器在制造上有其難度。舉例言之，在縫間要保持連續(xù)相同點(diǎn)距，且顯示板拼接必須精準(zhǔn)以符合敏銳的視覺(jué)上標(biāo)準(zhǔn)。此外必須于接縫間統(tǒng)一顯示板發(fā)光與色差狀況。因此無(wú)縫顯示板一般需要完備光學(xué)管理與數(shù)位訊號(hào)處理技術(shù)。
于是，因上述原因，具有可于低溫工藝中于傳統(tǒng)玻璃基材上形成結(jié)晶硅，例如多晶硅與單晶硅的需求。

發(fā)明內(nèi)容
以下所述為使用絕緣層基材設(shè)備，制造本發(fā)明中所述的主動(dòng)-矩陣液晶顯示器。硅絕緣層上可包含待處理基材與數(shù)個(gè)與待處理基材鍵結(jié)的結(jié)晶硅供體部分(crystalline silicon donor portions)。藉由多種供體基材，并于每一供體基材內(nèi)形成分離層，結(jié)晶硅供體部分可與待處理基材鍵結(jié)。供體基材可跨越待處理基材表面加以配置，并與待處理基材產(chǎn)生鍵結(jié)。供體基材之后可于個(gè)別分離層處斷裂，并自待處理基材移除，但每一供體基材的供體部分則仍黏附于待處理基材。


本發(fā)明雖以實(shí)施例加以說(shuō)明，但并不為所附的圖示所限制。
圖1為一表格，描述數(shù)種于不同點(diǎn)距下的標(biāo)準(zhǔn)解析度顯示尺寸。
圖2為待處理基材的橫截面。
圖3為繪示制備待處理基材方法的流程圖。
圖4為繪示制備供體基材方法的示意圖。
圖5為繪示制備供體基材方法的示意圖。
圖6為供體基材的橫截面。
圖7為制備供體基材方法的示意圖。
圖8為繪示待處理基材上供體基材陣列的示意圖。
圖9為繪示以經(jīng)控制斷裂工藝處理供體基材的示意圖。
圖10為繪示鍵結(jié)與經(jīng)控制斷裂工藝的示意圖。
圖11為繪示跨越待處理基材的供體部分陣列的示意圖。
圖12A為繪示一般拼排陣列的示意圖。
圖12B為繪示偏差拼排陣列的示意圖。
圖13為繪示于玻璃基材上制備多晶硅的工藝示意圖。
圖14為基材制備系統(tǒng)的上視示意圖。
圖15為圖14所繪示的進(jìn)料腔前視示意圖。
圖16為繪示待處理基材與供體基材通過(guò)圖14所繪示的制備系統(tǒng)的流程圖。
具體實(shí)施例方式
下列敘述中，數(shù)種特定細(xì)節(jié)，舉例言之，特定材料、機(jī)械與方法為用來(lái)對(duì)于本發(fā)明有一徹底了解。但一熟悉技藝人士可不需實(shí)作本發(fā)明，即了解下述詳細(xì)說(shuō)明內(nèi)容。在其他范例中，眾所皆知的設(shè)備特征與工藝并未加以過(guò)度詳述，以避免難以對(duì)本發(fā)明有適當(dāng)了解。
根據(jù)本發(fā)明，一請(qǐng)求數(shù)量的硅供體基材為與分離層一同制備。供體基材以經(jīng)對(duì)準(zhǔn)的陣列方式跨越配置于待處理基材表面，并與待處理基材間藉由低溫鍵結(jié)工藝產(chǎn)生鍵結(jié)。之后，供體基材是由待處理基材上移除，但供體基材的供體部分則仍黏附于待處理基材上?？沙练e一過(guò)濾材料于待處理基材上相鄰供體部分的間隙中。待處理基材表面之后可加以平坦化、回火，以待進(jìn)一步處理。
本發(fā)明為用于將數(shù)個(gè)單晶硅或多晶硅基材板鍵結(jié)于玻璃基材，以跨越玻璃基材表面形成結(jié)晶硅薄膜。之后，薄膜式電晶體可形成于硅薄膜上，以供大尺寸電子應(yīng)用使用，舉例言之，主動(dòng)-矩陣液晶顯示器。
硅供體工藝使用待處理基材與數(shù)個(gè)硅供體基材，以根據(jù)本發(fā)明的具體實(shí)施例形成硅絕緣層(SOI)基材。供體基材為提供所要轉(zhuǎn)移的硅供體部分。待處理基材一般為至少包含非傳導(dǎo)性材料的基材，可接受由供體基材轉(zhuǎn)移的硅供體部分。完成轉(zhuǎn)移工藝后，待處理基材即形成為硅絕緣層。
圖13繪示根據(jù)本發(fā)明的具體實(shí)施例，形成硅絕緣體基材的流程圖。于步驟200，制備所需量的硅供體基材與分離層。于步驟205，一起制備待處理基材與阻障層，可選擇性包含調(diào)節(jié)層與鍵結(jié)層。于步驟210，于步驟200制備的硅供體基材可以以跨越于步驟205中制備的待處理基材加以配置，且可于待處理基材與硅供體基材間產(chǎn)生鍵結(jié)。于步驟215中，于步驟210中與待處理基材產(chǎn)生鍵結(jié)的供體基材，自于在步驟200形成的分離層處產(chǎn)生斷裂。于步驟220，于步驟215中斷裂的供體基材部分可以由待處理基材移除，僅使供體基材的供體部分仍鍵結(jié)于待處理基材上。于步驟225，待處理基材表面上相鄰供體部分間的間隙可以沉積材料加以填充，藉此形成橫跨于待處理基材表面的連續(xù)供體部分層。于步驟230，供體部分層可加以平坦化。于步驟235待處理基材與供體部分層可加以回火處理。于步驟240。待處理基材可以進(jìn)行更進(jìn)一步工藝。
供體基材供體基材可提供所要轉(zhuǎn)移給待處理基材的硅供體部分的基材。圖7繪示形成供體基材的實(shí)施例流程圖。步驟90，為提供供體基材。步驟95為于供體基材中進(jìn)行摻雜以得到所需導(dǎo)電性型態(tài)與程度。于步驟100，為于供體基材進(jìn)行離子布植工藝，以于供體基材主體形成分離層，藉以定義供體基材的供體部分。
目前集成電路制造工藝一般使用直徑為200厘米至300厘米的單晶硅晶片基材。因此，商業(yè)上可得的直徑為200厘米與300厘米單晶硅晶片可以作為具成本效益的供體基材。其他商業(yè)上可得的標(biāo)準(zhǔn)直徑硅基材，舉例言之直徑為6、5、4英寸的單晶硅晶片，亦可作為具成本效益的供體基材。
其他具體實(shí)施例中，單晶硅供體基材可以藉由修改標(biāo)準(zhǔn)直徑單晶硅梨型晶體或晶片制備。舉例言之，參照?qǐng)D4，硅供體基材55可以由已研磨至所需橫截面形狀50，舉例言之正方形或方形的標(biāo)準(zhǔn)直徑單晶硅晶片晶錠45制備，之后橫向切開(kāi)。
或者，標(biāo)準(zhǔn)直徑單晶硅晶片可以使用標(biāo)準(zhǔn)晶片制備技術(shù)修整為所需橫截面形狀。舉例言之，參照?qǐng)D5，標(biāo)準(zhǔn)直徑單晶硅基材65可以使用雷射或鉆石刀切割工藝修整以形成正方形供體基材60。使用上述工藝，可以由直徑200厘米單晶單晶硅晶片或梨型晶體形成面積為140平方厘米供體基材，可以由直徑300厘米單晶硅晶片與梨型晶體形成面積為210平方厘米供體基材。更小型的正方形供體基材可以由直徑為6、5、4英寸的單晶硅晶片與梨型晶體形成。
于其他具體實(shí)施例中，供體基材可以形成其他多邊形構(gòu)型，舉例言之但不限于，三角形、五角形、六角形與八角形。此外，供體基材可以進(jìn)行摻雜以達(dá)到所需傳導(dǎo)性形式與程度。于一具體實(shí)施例中，供體基材可以p-型與n-型雜質(zhì)摻雜至1E16-1E18個(gè)原子/立方厘米的程度，但也可以不進(jìn)行摻雜。
參照?qǐng)D6，每一供體基材70可以進(jìn)行離子布植工藝以于基材結(jié)晶結(jié)構(gòu)中產(chǎn)生差排75。差排75可以于每一供體基材主體內(nèi)形成分離層80，藉此可定義每一供體基材的供體部分85。供體基材70可以，舉例言之，氫原子或惰性氣體舉例言的氬(Ar)或氦(He)加以布植。
氫離子布植可于供體基材70內(nèi)分離層80產(chǎn)生內(nèi)部富含氫層。離子布植峰的深度可決定之后由給于體基材70移除的供體85厚度。于一具體實(shí)施例中，使用10-30千電子伏特(KeV)離子布植工藝，氫離子可以50-500奈米的深度布植于供體基材70中，相當(dāng)于供體部分85具有約50-500奈米厚度。于另一具體實(shí)施例中，薄層扭轉(zhuǎn)硅化鍺(SiGe)層亦可布植于分離層80中。硅鍺層可以降低控制下述斷裂工藝所需的斷裂能。
于一具體實(shí)施例中，基材70可以藉浸入式等離子體離子布植工藝進(jìn)行離子布植，藉以形成差排75與分離層80。浸入式等離子體離子布植工藝，為藉施加高負(fù)偏壓于每一供體基材70以加速離子往供體基材表面移動(dòng)。浸入式等離子體離子布植工藝可于供體基材70全表面進(jìn)行布植。由位于Campbell，California的Silicon Genesis Corporation發(fā)展的P-III離子布植系統(tǒng)，可以用于浸入式等離子體離子布植工藝。此外離子布植亦可使用，舉例言之，由Applied Material、Eaton Corporation、Varian或其他公司所制造的粒子束離子布植設(shè)備。
于另一具體實(shí)施例中，供體部分85可以沉積于供體基材70的表面上。舉例言之，供體部分85可至少包含藉由多晶硅沉積工藝沉積于供體基材70表面的多晶硅層。于是，額外多晶硅可以連續(xù)的在每一供體部分移轉(zhuǎn)工藝之后，加入供體基材70，于供體基材70上重新產(chǎn)生供體部分85并使供體基材70有更長(zhǎng)久的生命期。因此供體部分85的成本即主要與多晶硅沉積工藝成本相關(guān)。此外藉由于供體基材70上長(zhǎng)成多晶硅供體部分85，可以更精確控制供體基材70上n-型、p-型硅摻雜劑密度。另一具體實(shí)施例中，硅合金舉例言的硅化鍺可以于供體基材70表面成長(zhǎng)。
待處理基材待處理基材一般為至少包含非導(dǎo)電材料的基材，可接受由供體基材移轉(zhuǎn)的硅供體部分。圖3為繪示一于待處理基材上形成阻障層、調(diào)節(jié)層與鍵結(jié)層的工藝流程實(shí)施例。步驟25為提供待處理基材。于步驟30，阻障層可以沉積于待處理基材表面。于步驟35，調(diào)節(jié)層可以沉積于位于待處理基材表面頂部的阻障層。于步驟40，鍵結(jié)層可沉積于位于待處理基材表面頂部的調(diào)節(jié)層。在某些具體實(shí)施例中，可不包含調(diào)節(jié)層，鍵結(jié)層可直接形成于位于待處理基材表面的阻障層上。
圖2繪示待處理基材5的橫截面。阻障層10可以形成于待處理基材5的表面以避免雜質(zhì)由基材5擴(kuò)散進(jìn)入已移轉(zhuǎn)的硅供體部分。于一具體實(shí)施例中，阻障層10可以至少包含一約500奈米厚的氮化硅(SiN)層。阻障層10可以藉一般眾所皆知的技術(shù)，舉例言之，化學(xué)氣相沉積(CVD)或物理氣相沉積(PVD)形成于待處理基材5表面上。
一鍵結(jié)層20可以形成于阻障層10上，以促進(jìn)由供體基材移轉(zhuǎn)的已轉(zhuǎn)移供體部分的低溫黏附反應(yīng)。于一具體實(shí)施例中，鍵結(jié)層20可以至少包含約100奈米厚的二氧化硅(SiO2)層。于另一具體實(shí)施例中，鍵結(jié)層20可至少包含一非晶形硅層。數(shù)種其他材料亦可以作為鍵結(jié)層，例如的數(shù)種形式的二氧化硅。舉例言之，氟硅玻璃或二氧化硅。鍵結(jié)層20可以藉由一般眾所皆知的沉積技術(shù)形成于阻障層10頂部。舉例言之。一非晶形硅鍵結(jié)層可以使用等離子體輔助化學(xué)氣相沉積(PE-CVD)技術(shù)形成。
于另一具體實(shí)施例中，調(diào)節(jié)層15可于沉積鍵結(jié)層20前形成于阻障層10頂部。調(diào)節(jié)層15可以用來(lái)降低阻障層10與鍵結(jié)層20間的剪力。調(diào)節(jié)層l5可以，舉例言之，至少包含厚約10-20奈米的不同形式氧化物。數(shù)種其他材料可用來(lái)作為鍵結(jié)層，舉例言之，數(shù)種形式的二氧化硅。調(diào)節(jié)層15可以一般眾所皆知的沉積技術(shù)形成于阻障層10頂部。舉例言之，可以使用沉積技術(shù)形成氧化阻障層。
于一具體實(shí)施例中，待處理基材5可以至少包含玻璃基材，以制備大尺寸主動(dòng)-矩陣液晶顯示器。舉例言之，待處理基材5可以由，舉例言之康寧1737、康寧2000F或其他相類(lèi)似用于制備大尺寸平面液晶顯示器的材料制造。待處理基材5較佳為由可以抵抗高至攝氏600度工藝溫度的材料形成。
圖1繪示數(shù)種在點(diǎn)距為0.28厘米、0.30厘米與0.363厘米時(shí)，為屬不同解析度的視頻圖形陣列(VGA)、超高解析度視頻圖形陣列(SVGA)、擴(kuò)充圖形陣列(XGA)、寬屏幕(WS)與其相對(duì)應(yīng)的顯示器尺寸對(duì)照表。視頻圖形陣列顯示器的基準(zhǔn)點(diǎn)距為0.33，其相對(duì)應(yīng)的原始顯示器尺寸對(duì)角線(xiàn)為264厘米(10.4”)。因此，形成點(diǎn)距為0.33的視頻圖形陣列顯示器的待處理基材，所需尺寸為211.2厘米×158.4厘米。上述實(shí)施例，僅為供作說(shuō)明之用，本發(fā)明可直接適用于廣范圍待處理基材的幾何形狀。
供體基材與待處理基材間鍵結(jié)與斷裂工藝圖10繪示一供鍵結(jié)數(shù)個(gè)供體基材于待處理基材，之后并于供體基材進(jìn)行斷裂工藝的工藝流程實(shí)施例。于步驟100，以低溫等離子體處理每一供體基材與待處理基材。于步驟105，每一供體基材配置于待處理基材。于步驟110，每一供體基材鍵結(jié)于待處理基材。于步驟115供體部分于分離層處自每一供體基材處斷裂，僅使數(shù)個(gè)供體部分仍鍵結(jié)于待處理基材。
于一本發(fā)明的具體實(shí)施例中，待處理基材5的鍵結(jié)層20與每一供體基材70的鍵結(jié)表面90可暴露于低溫等離子體。低溫等離子體可活化鍵結(jié)層20與鍵結(jié)表面90，因此可以于低溫下(舉例言之，室溫)滿(mǎn)足高鍵結(jié)能的能量需求。
經(jīng)低溫等離子體處理后，如圖8所繪示，每一供體基材70以使鍵結(jié)表面90面向待處理基材5的鍵結(jié)層20方向配置?？蓧浩裙w基材與待處理基材堆疊以使鍵結(jié)表面90與鍵結(jié)層20間更穩(wěn)固。將鍵結(jié)介面以等離子體活化可以使其具有足夠鍵結(jié)強(qiáng)度以進(jìn)行之后的斷裂工藝。
在其他具體實(shí)施例中，待處理基材5的鍵結(jié)層20與供體基材70的鍵結(jié)表面90可以一內(nèi)含微量金屬的非晶形硅薄膜覆蓋。待處理基材5與供體基材70之后可以加熱到攝氏550度以活化金屬誘發(fā)的結(jié)晶鍵結(jié)。使用上述工藝，非晶形硅層會(huì)埋于相對(duì)來(lái)說(shuō)較厚的已轉(zhuǎn)移結(jié)晶硅的下方。于是，非晶形硅即不太可能影響之后的薄膜式電晶體制造工藝。
經(jīng)鍵結(jié)工藝后，供體基材70由待處理基材5移除，供體基材70可以由待處理基材5使用舉例言之，經(jīng)控制的斷裂工藝移除。經(jīng)控制的斷裂工藝可以使每一供體基材70的供體部分85仍黏附于待處理基材5。如圖9所繪示，供體基材70的供體部分85為自分離層80處與供體基材70主體斷裂或分離。
于本發(fā)明的一具體實(shí)施例中，室溫控制斷裂工藝室溫控制斷裂工藝可以用于自供體基材70斷裂供體部分85。室溫控制斷裂工藝可以于供體基材70邊緣一點(diǎn)于分離層80開(kāi)始產(chǎn)生分離裂面95，并經(jīng)由機(jī)械工具跨越供體基材70繼續(xù)產(chǎn)生分離裂面95。舉例言之，可藉由對(duì)準(zhǔn)分離層80邊緣的氮?dú)饬骺缭焦w基材70繼續(xù)產(chǎn)生分離裂面95。斷裂工藝之后，每一供體基材70的供體部分85仍鍵結(jié)于待處理基材5上。其中供體基材70為單晶硅晶片且待處理基材5為玻璃基材，藉此形成硅玻璃基材。
需了解的是數(shù)種形成硅絕緣層基材的技術(shù)與方法已經(jīng)由數(shù)制造商所發(fā)展，舉例言之Silicon Genesis Corporation，Canon Corporation，Ibis Corporation，Soi-Tec Corporation。于是亦可用其他鍵結(jié)技術(shù)將供體基材70鍵結(jié)于待處理基材5，與將供體部分85自供體基材70斷裂。
上述鍵結(jié)與斷裂工藝可以用于轉(zhuǎn)移每一供體基材70的供體部分85至待處理基材5。上述轉(zhuǎn)移工藝可以用來(lái)制造硅玻璃基材。供體部分85的厚度為由用于制造供體晶片內(nèi)差排75的布植工藝深度決定。
拼排供體基材參照?qǐng)D11，數(shù)個(gè)供體部分85可以跨越待處理基材5以經(jīng)排列的陣列方式配置，以于玻璃基材上形成大尺寸單晶硅或多晶硅?？墒褂脭?shù)種圖案于待處理基材上拼排數(shù)個(gè)供體部分。參照?qǐng)D12A，待處理基材可以標(biāo)準(zhǔn)陣列拼排供體部分85，其中供體部分四角為配置于幾乎相同位置。參照?qǐng)D12B，待處理基材亦可以偏移拼排圖案排列供體部分，其中供體部分兩角與供體部分的邊緣為位于幾乎相同位置。偏移拼排圖案可以降低位于相鄰供體部分85的間隙120上的供體部分薄膜剪力。上述拼排圖案僅為例示，本發(fā)明可以容納其他拼排圖案。
為了使待處理基材5上像素有均一點(diǎn)距，供體部分85可以以高精確度配置于待處理基材5，以使位于相鄰供體部分85間的間隙120可以較所欲制造的液晶顯示器像素點(diǎn)距為小。舉例言之，點(diǎn)距為0.33厘米的液晶顯示器，間隙120位置只可以容許15-20微米的偏差以避免屏幕上產(chǎn)生不均一像素點(diǎn)距。此外位于相鄰供體部分85間的間隙120以與之后將制備于待處理基材5上的薄膜式電晶體像素位置錯(cuò)開(kāi)的方式配置。供體基材70可，舉例言之，以與待處理基材5表面的光學(xué)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記標(biāo)示定位所以可以有高精確度位置。相鄰供體部分85間的間隙120可以于待處理晶片全表面緩解剪力，因此后續(xù)工藝步驟中可有較高工藝自由性。位于待處理基材5上相鄰供體部分85間的間隙120一般為25微米或更窄。
雖可有數(shù)種拼排圖案，但所有拼排的目的為將間隙降低到5微米或更低。圖12A繪示一經(jīng)排列的陣列圖案，圖12B則繪示偏差陣列圖案。12B圖所繪示的偏差陣列圖案目的為使相鄰拼排塊間接合點(diǎn)的拼排塊邊緣數(shù)目由四邊降到3邊。
于一具體實(shí)施例中，供體部分85可以由經(jīng)直徑200厘米硅晶片形成的面積為140平方厘米供體基材或經(jīng)直徑300厘米硅晶片形成的面積為210平方厘米供體基材斷裂。在部分具體實(shí)施例中，供體部分85可以為均一尺寸與形狀。但在其他具體實(shí)施例中，供體基材85可以為非均一尺寸與形狀。舉例言之，需要使用多晶硅玻璃基材制造的為寬屏幕解析度，點(diǎn)距0.33厘米的液晶顯示器，其尺寸為422厘米×338厘米。一面積為140平方厘米3×3陣列供體部分，其尺寸約為420厘米×420厘米或比所需待處理基材長(zhǎng)度長(zhǎng)82厘米。于是，面積為140平方厘米供體部分的3×2陣列可配置于尺寸為140厘米×82厘米供體部分的3×1陣列旁以覆蓋尺寸為422厘米×338米的待處理基材表面。
拼排、鍵結(jié)與斷裂工藝序列本發(fā)明中拼排、鍵結(jié)與斷裂工藝可以數(shù)種序列為之。于一具體實(shí)施例中，供體基材70可以個(gè)別與待處理基材5鍵結(jié)之后并斷裂。舉例言之，第一供體基材可以與待處理基材5鍵結(jié)，且于第2供體基材鍵結(jié)于待處理基材5前，進(jìn)行經(jīng)控制的斷裂工藝。于另一具體實(shí)施例中，數(shù)個(gè)供體基材70則可以與待處理基材5鍵結(jié)并同時(shí)斷裂。舉例言之，于數(shù)個(gè)供體基材70與待處理基材5鍵結(jié)之后，每一鍵結(jié)供體基材70可進(jìn)行經(jīng)控制的斷裂工藝。
于一具體實(shí)施例中，經(jīng)控制的斷裂工藝完成后，可再沉積硅于每一供體基材70的表面。舉例言之，供體基材70可以加以平坦化，且多晶硅供體部分85可以沉積于供體基材70表面。供體基材70可以藉化學(xué)機(jī)械研磨(CMP)或其他蝕刻工藝加以平坦化。多晶硅供體部分85可以藉由多晶硅沉積工藝沉積于供體基材70表面。于是硅可以于每一供體轉(zhuǎn)移工藝之后連續(xù)沉積于每一供體基材70。因此使供體基材70的供體部分85得以再生，并使每一供體基材70的生命期更長(zhǎng)。因此供體部分85的成本主要與多晶硅沉積工藝成本有關(guān)。此外，于每一供體基材70上成長(zhǎng)多晶硅沉積薄膜可更精確控制供體基材70上n-型、p-型硅摻雜劑密度。于其他具體實(shí)施例中，硅合金例如硅化鍺可以于供體基材70表面成長(zhǎng)。
斷裂處理后的待處理基材工藝經(jīng)過(guò)上述拼排、鍵結(jié)與經(jīng)控制斷裂工藝后，可于待處理基材5上進(jìn)行后續(xù)工藝。位于待處理基材5上鄰近供體部分85間之間隙120可以填充材料填充，以跨越待處理基材表面5形成連續(xù)供體部分層。舉例言之，非晶形硅或二氧化硅可以沉積于待處理基材5上，以填充位于鄰近供體部分85間之間隙120。填充間隙120后，待處理基材5可以平坦化工藝處理以使待處理基材5的供體部分層平滑化。舉例言之，于待處理基材5上可使用化學(xué)機(jī)械研磨(CMP)工藝或氫氣/氯化氫蝕刻工藝，以使供體部分層平滑化。于一具體實(shí)施例中，待處理基材5可經(jīng)回火處理，以使鍵結(jié)與沉積硅層可重新結(jié)晶。之后可于待處理基材5上進(jìn)行后續(xù)工藝以形成電子裝置。
本發(fā)明可用于于大尺寸玻璃基材上形成單晶硅或多晶硅薄膜。之后薄膜式電晶體可形成于結(jié)晶硅薄膜上，以用于大面積電子應(yīng)用中，舉例言之主動(dòng)-矩陣液晶顯示器。
工藝系統(tǒng)圖14為制造系統(tǒng)125的上視圖，可于其中實(shí)作本發(fā)明方法。制造系統(tǒng)125可以，舉例言之，為位于Santa Clara，Claifornia的Applied MaterialsIncorporated制造的AKT1600，4300或5500制造系統(tǒng)，該制造系統(tǒng)包含有上述斷裂工藝設(shè)備。
參照?qǐng)D14，于待處理基材5上形成多晶硅的制造系統(tǒng)125可包含常壓操作卡匣式進(jìn)料站130、雙進(jìn)料鎖定腔114、116；工藝室118、121、122、124、126，與轉(zhuǎn)移室127。工藝室118、121、122、124與126可至少包含拼排/鍵結(jié)工藝室，物理氣相沉積(PVD)腔、化學(xué)氣相沉積(CVD)腔、蝕刻腔與/或預(yù)熱腔。進(jìn)料鎖定腔114可用于裝盛待處理基材5，而進(jìn)料鎖定腔116則可用于裝盛供體基材70。
常壓操作卡匣式進(jìn)料站130可包含常壓操作轉(zhuǎn)移機(jī)械臂136與包含經(jīng)處理與未處理基材的基材卡匣128、129、132與134?；目ㄏ?28、129可以用于裝盛待處理基材5，而基材卡匣132、134則可裝盛供體基材70。轉(zhuǎn)移室127可以包含真空操作轉(zhuǎn)移機(jī)械臂138以將待處理基材5與供體基材70移進(jìn)或移出進(jìn)料鎖定腔114、116與工藝室18-26。其他腔體，舉例言的冷卻腔，如有需要可附加于轉(zhuǎn)移室127。
操作時(shí)，卡匣式進(jìn)料站130為保持于大氣壓下，每一工藝室118、121、122、124與126為保持于低于大氣壓力。當(dāng)基材移進(jìn)或移出進(jìn)料站130，進(jìn)料鎖定腔114、116的壓力保持于大氣壓力，但當(dāng)基材為移進(jìn)或移出轉(zhuǎn)移室127時(shí)，進(jìn)料鎖定腔114、116為保持于低于大氣壓力。大氣式轉(zhuǎn)移機(jī)械臂136可以沿卡匣式進(jìn)料站130內(nèi)的直線(xiàn)軌道前后滑動(dòng)。常壓操作轉(zhuǎn)移機(jī)械臂136可包含三節(jié)式轉(zhuǎn)移主軸137，沿樞軸的三軸方向旋轉(zhuǎn)，以將待處理基材5或供體基材70精確置放于進(jìn)料鎖定腔114、116。轉(zhuǎn)移主軸137并可以如圖15中雙箭頭方向垂直上下移動(dòng)。常壓操作轉(zhuǎn)移機(jī)械臂136的位置與方向可以加以記錄并以?xún)?nèi)含微處理器的控制器135加以控制。
參照?qǐng)D16，一可用于制造液晶顯示器工藝的具體實(shí)施例中，待處理基材5與供體基材70可以于下述制造系統(tǒng)125中進(jìn)行工藝。于步驟140，常壓操作轉(zhuǎn)移機(jī)械臂136可將待處理基材5由卡匣式進(jìn)料站130轉(zhuǎn)移到進(jìn)料鎖定腔114。于步驟141，進(jìn)料鎖定腔114可以降壓到約10-5托耳。于步驟142，真空操作轉(zhuǎn)移機(jī)械臂138可以將待處理基材5由進(jìn)料鎖定腔114移除，將待處理基材5經(jīng)轉(zhuǎn)移室127轉(zhuǎn)移至降壓至約10-7-10-8托耳的拼排/鍵結(jié)工藝室122。于步驟144，待處理基材5于低壓等離子體處理工藝中處理以制備將于鍵結(jié)工藝中使用的鍵結(jié)層20。
于步驟150，常壓操作轉(zhuǎn)移機(jī)械臂136可自卡匣式進(jìn)料站130轉(zhuǎn)移供體基材70至進(jìn)料鎖定腔114。于步驟151，進(jìn)料鎖定腔116可以降壓到約10-5托耳。于步驟152真空操作轉(zhuǎn)移機(jī)械臂138可自進(jìn)料鎖定站116移除供體基材70，經(jīng)轉(zhuǎn)移室127轉(zhuǎn)移至工藝室121。于步驟154，供體基材70可以低溫等離子體處理工藝處理，以制備將于鍵結(jié)工藝中使用的供體基材70的鍵結(jié)表面90。于步驟155，真空操作轉(zhuǎn)移機(jī)械臂138可以由工藝室121移除供體基材70且經(jīng)轉(zhuǎn)移室127轉(zhuǎn)移至拼排/鍵結(jié)工藝室122。
拼排/鍵結(jié)工藝室122可包含經(jīng)加熱的臺(tái)座以接收待處理基材5與供體基材70。真空操作轉(zhuǎn)移機(jī)械臂138可將供體基材70以預(yù)先定義的陣列圖案配置于位于拼排/鍵結(jié)工藝室122中的待處理基材5上，舉例言之，如第12A與12B圖繪示的圖案。拼排/鍵結(jié)工藝室122可包含顯影與對(duì)準(zhǔn)度量系統(tǒng)以導(dǎo)引真空操作轉(zhuǎn)移機(jī)械臂138配置供體基材70于待處理基材5上，藉以使鄰近供體部分85間之間隙120為最小。于一具體實(shí)施例中，供體基材70可以待處理基材5表面的光學(xué)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記標(biāo)示定位?？墒褂谜婵詹僮鬓D(zhuǎn)移機(jī)械臂138于供體基材70上施力，以于供體基材70的鍵結(jié)表面90上產(chǎn)生方向?yàn)槌虼幚砘?表面的壓力。
拼排/鍵結(jié)工藝室122可以維持于有利于待處理基材5與供體基材70間形成鍵結(jié)的溫度與壓力。于一具體實(shí)施例中，拼排/鍵結(jié)工藝室122可以維持于可使待處理基材5與供體基材70能于工藝中保持?jǐn)z氏350-450度的溫度。于上述具體實(shí)施例中，拼排/鍵結(jié)工藝室122可以于鍵結(jié)工藝中維持于10-760托耳的工藝壓力。
于一具體實(shí)施例中，拼排/鍵結(jié)工藝室122可以包含可移動(dòng)噴嘴以分離或斷裂供體基材70的供體部分85，以使供體部分85仍鍵結(jié)于待處理基材5。舉例言之，拼排/鍵結(jié)工藝室122具有瞄準(zhǔn)位于供體基材70邊緣的分離層80的可移動(dòng)氮?dú)鈬娮?。于另一具體實(shí)施例中，工藝室118、124或126可以具有可移動(dòng)噴嘴且待處理基材5進(jìn)行鍵結(jié)工藝后可以轉(zhuǎn)移到工藝室118、124或126中，于此可將供體部分85自供體基材70斷裂。
參照?qǐng)D16，進(jìn)行經(jīng)控制的斷裂工藝后，真空操作轉(zhuǎn)移機(jī)械臂138可以將供體基材70自拼排/鍵結(jié)工藝室122于步驟160中經(jīng)由轉(zhuǎn)移室127轉(zhuǎn)移到進(jìn)料鎖定腔116。于步驟165，進(jìn)料鎖定腔116可以泄壓至大氣壓力，且常壓操作轉(zhuǎn)移機(jī)械臂136可自進(jìn)料鎖定腔116轉(zhuǎn)移供體基材70至卡匣式進(jìn)料站130。于一具體實(shí)施例中，硅可以沉積于供體基材70表面。舉例言之，供體基材70藉由化學(xué)機(jī)械研磨(CMP)平滑化后，多晶硅層可以沉積于供體基材70的表面。之后于供體基材70進(jìn)行布植工藝以形成分離層80后，送返卡匣式進(jìn)料站130，以供其他待處理基材5使用。
當(dāng)供體部分85陣列已經(jīng)藉由上述鍵結(jié)與經(jīng)控制斷裂工藝鍵結(jié)于待處理基材5的表面，真空操作轉(zhuǎn)移機(jī)械臂138可以由拼排/鍵結(jié)腔122轉(zhuǎn)移待處理基材5至工藝室118、124或126其中的一以進(jìn)行更進(jìn)一步工藝。于一具體實(shí)施例中，非晶形硅可以沉積填充相鄰供體部分85間的間隙120。于另一具體實(shí)施例中，二氧化硅可以沉積填充相鄰供體部分85間的間隙120。填充間隙120后，待處理基材可以移轉(zhuǎn)到工藝室118、124或126其中之一以進(jìn)行蝕刻工藝，以于鍵結(jié)于待處理基材5上的供體部分85表面蝕刻間隙沉積填充材料。待處理基材5亦可轉(zhuǎn)移到工藝室118、124或126其中之一，并加熱至攝氏350-550度進(jìn)行回火并使硅鍵結(jié)與沉積層重新結(jié)晶。
當(dāng)待處理基材5以制造系統(tǒng)125完成所有工藝步驟，真空操作轉(zhuǎn)移機(jī)械臂138可將待處理基材5于步驟165經(jīng)由轉(zhuǎn)移室127轉(zhuǎn)移至進(jìn)料鎖定腔114。于步驟170進(jìn)料鎖定腔114可以泄壓至大氣壓力，且常壓操作轉(zhuǎn)移機(jī)械臂136可將待處理基材5由進(jìn)料鎖定腔114轉(zhuǎn)移到卡匣式進(jìn)料站130。
待處理基材5之后可以由制造系統(tǒng)125移除以進(jìn)行之后步驟。舉例言之，待處理基材5可以使用化學(xué)機(jī)械研么工藝加以平坦化，將位于鍵結(jié)于待處理基材5的供體部分85表面之間隙沉積填充材料移除。之后薄膜式電晶體可以形成于待處理基材多晶硅表面，以用于大尺寸電子應(yīng)用中舉例言的主動(dòng)式矩陣液晶顯示器。使用多晶硅薄膜式電晶體可以使電路效能達(dá)到結(jié)晶硅裝置的30-60％，其中n-型與p-型硅電子移動(dòng)性個(gè)別最低為500與300。
本發(fā)明為用于制造大尺寸平面顯示器。上述拼排方法為可適用于不同尺度，且可以應(yīng)用于未來(lái)主動(dòng)式矩陣液晶顯示器科技與改良制造方法中。
權(quán)利要求
1.一用于制備主動(dòng)-矩陣液晶顯示器的絕緣硅層基材，其至少包含一待處理基材，與數(shù)個(gè)鍵結(jié)于該待處理基材表面的結(jié)晶硅供體部分。
2.如權(quán)利要求1所述的絕緣硅層基材，其中上述的待處理基材至少包含一玻璃基材。
3.如權(quán)利要求2所述的絕緣硅層基材，其中上述的待處理基材更包含形成于該玻璃基材表面上的一阻障層。
4.如權(quán)利要求3所述的絕緣硅層基材，其中上述的阻障層至少包含厚度約為500奈米的氮化硅層。
5.如權(quán)利要求3所述的絕緣硅層基材，其中上述的待處理基材更包含形成于上述阻障層上的鍵結(jié)層。
6.如權(quán)利要求5所述的絕緣硅層基材，其中上述的鍵結(jié)層更包含厚度約為100奈米的氧化硅層。
7.如權(quán)利要求5所述的絕緣硅層基材，其中上述的待處理基材更包含形成于該阻障層與該鍵結(jié)層間的一調(diào)節(jié)層。
8.如權(quán)利要求7所述的絕緣硅層基材，其中上述的調(diào)節(jié)層至少包含厚度約為10-20奈米的氧化硅層。
9.如權(quán)利要求1所述的絕緣硅層基材，其中上述的結(jié)晶硅供體部分至少包含單晶硅。
10.如權(quán)利要求1所述的絕緣硅層基材，其中上述的結(jié)晶硅供體部分至少包含多晶硅。
11.如權(quán)利要求1所述的絕緣硅層基材，其中上述的結(jié)晶硅供體部分是以陣列方式跨越配置于待處理基材表面。
12.如權(quán)利要求11所述的絕緣硅層基材，其中上述的結(jié)晶硅供體部分為以偏移拼排圖案陣列方式跨越配置于待處理基材表面。
13.如權(quán)利要求11所述的絕緣硅層基材，其中上述位于鄰近結(jié)晶硅供體部分間的間隙是小于或等于約5微米。
14.如權(quán)利要求11所述的絕緣硅層基材，其中上述位于鄰近結(jié)晶硅供體部分間的間隙是以非晶形硅加以填充。
15.如權(quán)利要求11所述的絕緣硅層基材，其中上述位于鄰近結(jié)晶硅供體部分間的間隙是以氧化硅加以填充。
16.一種施加一薄膜以跨越待處理基材表面的方法，其至少包含提供數(shù)個(gè)供體基材；于每一供體基材內(nèi)形成一分離層；跨越待處理基材表面配置該供體基材；將該供體基材鍵結(jié)于該待處理基材表面；將該供體基材自每一與其相接的分離層上切斷；及自該待處理基材上移除該供體基材，藉以留下每一黏附于該待處理基材表面上的供體基材上的供體部分。
17.如權(quán)利要求16所述的方法，其中上述的待處理基材至少包含一玻璃基材。
18.如權(quán)利要求16所述的方法，其中上述的每一供體基材至少包含一單晶硅晶片。
19.如權(quán)利要求18所述的方法，其中上述的供體基材至少包含一形成于單晶硅晶片上的多晶硅層。
20.如權(quán)利要求16所述的方法，其中上述的分離層為以離子布植工藝形成。
21.如權(quán)利要求20所述的方法，其中上述的離子布植工藝是于每一供體基材內(nèi)布植氫離子。
22.如權(quán)利要求21所述的方法，其中上述的氫離子布植深度為100-500奈米。
23.如權(quán)利要求16所述的方法，其中上述鍵結(jié)于待處理基材上的每一供體基材供體部分厚度約為100-500奈米。
24.如權(quán)利要求16所述的方法，其中上述的供體基材為摻雜至含1015-1018個(gè)原子/立方厘米。
25.如權(quán)利要求16所述的方法，更包含沉積非晶形硅于相鄰供體部分間的間隙。
26.如權(quán)利要求25所述的方法，更包含將待處理基材平坦化，以由供體部分移除沉積的非晶形硅。
27.如權(quán)利要求16所述的方法，更包含沉積氧化硅于相鄰供體部分間的間隙。
28.如權(quán)利要求27所述的方法，更包含將待處理基材平坦化，以由供體部分移除沉積的氧化硅。
全文摘要
一絕緣層基材設(shè)備，制造本發(fā)明中所述的主動(dòng)－矩陣液晶顯示器。硅絕緣層上可包含待處理基材與數(shù)個(gè)與待處理基材鍵結(jié)的結(jié)晶硅供體部分。藉由多種供體基材，并于每一供體基材內(nèi)形成分離層，結(jié)晶硅供體部分可與待處理基材鍵結(jié)。供體基材可跨越待處理基材表面加以配置，并與待處理基材產(chǎn)生鍵結(jié)。供體基材之后可于個(gè)別分離層處斷裂，并自待處理基材移除，但每一供體基材的供體部分則仍黏附于待處理基材。
文檔編號(hào)H01L27/12GK1682152SQ03821832
公開(kāi)日2005年10月12日 申請(qǐng)日期2003年9月11日 優(yōu)先權(quán)日2002年9月12日
發(fā)明者R·A·貝許雷許, K·羅 申請(qǐng)人:應(yīng)用材料股份有限公司