專利名稱：層組合及制造層組合之方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種層組合、及其制造方法。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體技術(shù)中的許多應(yīng)用皆需要電絕緣層，特別是在集成電路的形成期間。若是絕緣層被形成于亦包含有導(dǎo)電區(qū)域，特別是，互連，的一集成電路中時，則一耦合電容(coupling capacitance)即會產(chǎn)生于相鄰的互連以及配置于其間的一介電層之間。具有介電質(zhì)之一相對介電常數(shù)ε之電容的兩個平行互連，其相互毗鄰之表面，由A所代表，并彼此相距一距離d，系符合下式C＝εA/d方程式(1)隨著硅微電子的不斷微型化，亦即，隨著相鄰互連間之距離d的不斷減少，則會造成一高耦合電容C，特別是，若是該等彼此毗鄰之互連的該等表面A很大時，亦即，若是該等互連在集成電路中彼此平行覆蓋一相當(dāng)長的長度時。
而隨著一集成電路的不斷微型化，有關(guān)耦合電容的問題也不斷的增加。一信號在一互連中的傳播時間系會隨著耦合電容的上升而增加，這是因為，此傳播時間乃是由0hm電阻R以及電容C之乘積(已知為RC延遲)所決定.
正如可由方程式(1)看出，對于固定的結(jié)構(gòu)尺寸A，d而言，若是該絕緣材質(zhì)之相對介電常數(shù)ε被降低時，則其系有可能降低一耦合電容C，因此，其系試圖使用具有一低相對介電常數(shù)ε(其系已知為“低k材質(zhì)”)作為在集成電路中之絕緣層的材質(zhì)。
而具有一大約4.0之相對介電常數(shù)的非晶二氧化硅(SiO2)，其系通常被使用作為用于電耦合相關(guān)于彼此之金屬互連的介電質(zhì)。
但高階半導(dǎo)體芯片(0.18μm技術(shù)或更低)的效能系會不利地受到該等互連之該RC延遲之一漸增地嚴(yán)重程度的影響，因此，二氧化硅系不再適合作為未來高效能需求的介電材質(zhì)。
根據(jù)0.13μm技術(shù)生產(chǎn)以及更低，典型地具有少于3之介電常數(shù)的低k介電質(zhì)被使用地機會越來越多，這些介電質(zhì)的例子系包括，SiLKTM具有k≈2.7，OxD(oxazole dielectric，噁唑介電質(zhì))具有k≈2.5，Black DiamondTM(黑鉆石)具有k≈2.9，CoralTM(珊瑚)具有k≈2.9。
更進(jìn)一步地，其系有可能藉由在“低k材質(zhì)”中導(dǎo)入洞穴來降低電絕緣層之該相對介電常數(shù)，這是由于一(真空)洞穴在理想條件下系具有k＝1的k數(shù)值，而多孔材質(zhì)的k數(shù)值則會以形成洞穴或孔洞之體積比例之一函數(shù)的形式進(jìn)行減少。對于未來的技術(shù)生產(chǎn)而言，對于孔洞材質(zhì)的使用將會不斷地增加，例如，舉例而言，多孔SiLKTM具有k≈2.2，多孔OxD具有k≈2.1，Nanoglass(奈米玻璃)具有k≈2.2，或JSR-LKD(由JSR公司所產(chǎn)生的低k介電質(zhì))具有k≈2.2。
但即使是低k材質(zhì)也依然與理論理想值k＝1(真空或大約為空氣)相去甚遠(yuǎn)。
而由參考文獻(xiàn)[1]，[2]可知，可以在互連之間使用已知為空氣間隔(airgap)者，亦即，不具有固體材質(zhì)的中間區(qū)域，來作為中間介電質(zhì)。然而，此已知的結(jié)構(gòu)特別是在以二氧化硅之非保角(non-conformal)沉積或一CVD(化學(xué)氣相沉積)低k材質(zhì)(SiOC)作為基礎(chǔ)時具有缺點，雖然，在此方法中，其系有可能形成空氣間隔，但是二氧化硅或SiOC卻會部分地被保留住，也因此，可以達(dá)到的有效介電常數(shù)僅是稍微地低于數(shù)值k＝2。
參考文獻(xiàn)[3]系揭示一銅/空氣孔洞結(jié)構(gòu)，而其系利用一犧牲聚合物以及一氧化硅層所產(chǎn)生。
參考文獻(xiàn)[4]系揭示產(chǎn)生一半導(dǎo)體構(gòu)件之方法，而在該半導(dǎo)體構(gòu)件之中，具有孔洞之一層系被形成在形成于一基板上之互連之上，且位在該等互連之間的材質(zhì)系透過該等孔洞而加以排出。
參考文獻(xiàn)[5]系揭示一種具有在一基板上之互連以及在該等互連上之一多孔層的層組合，其中，在該等互連之間的犧牲結(jié)構(gòu)的材質(zhì)系透過該多孔層而進(jìn)行蒸發(fā)以及排放。
參考文獻(xiàn)[6]則是揭示一種在介電質(zhì)以及導(dǎo)電線路之間具有空氣孔洞的集成電路。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明之基礎(chǔ)系在于，如何提供一層組合，且在該層組合中，一有用結(jié)構(gòu)之構(gòu)件的一寄生電容系相較于習(xí)知技術(shù)而加以降低的問題。
該問題系藉由一層組合、以及藉由產(chǎn)生具有在獨立權(quán)利要求中所述之特征的一層組合之方法而加以解決。
根據(jù)本發(fā)明的該層組合系包括配置于一基板上并且包括一第一次區(qū)域以及一第二次區(qū)域的一層，其中，該第一次區(qū)域系包括可分解材質(zhì)，以及該第二次區(qū)域系緊接于該第一次區(qū)域而配置，并且，系具有包括一非可分解材質(zhì)的一有用結(jié)構(gòu)(useful structure)，再者，該層組合系亦包括一覆蓋層，位在包括可分解材質(zhì)以及該有用結(jié)構(gòu)之該層上，而該層組合系以該可分解材質(zhì)可以自該層組合被移除的方式而加以設(shè)計。
此外，本發(fā)明系提供一種用于產(chǎn)生一層組合的方法，其中包括一第一次區(qū)域以及一第二次區(qū)域的一層系被形成于一基板之上，且其中，該第一次區(qū)域系包括可分解材質(zhì)，以及該第二次區(qū)域系緊接于該第一次區(qū)域而配置，并且系具有包括一非可分解材質(zhì)的一有用結(jié)構(gòu)(useful structure)，另外，一覆蓋層系形成于包括可分解材質(zhì)以及該有用結(jié)構(gòu)之該層上，而該層組合系以該可分解材質(zhì)可以自該層組合被移除的方式而加以設(shè)計。
很清楚地，本發(fā)明系產(chǎn)生一種具有一鑲嵌于兩層之間并且包括可分解材質(zhì)以及一有用結(jié)構(gòu)之一層的層組合，而該有用結(jié)構(gòu)，舉例而言，系可以包括一集成電路的互連，寄生電容系可以發(fā)生于該有用結(jié)構(gòu)之互連之間，并且，依照方程式(1)，這些電容的強度系會隨著配置于該等互連之間的該可分解材質(zhì)的該相對介電系數(shù)的程度而增加。再者，根據(jù)本發(fā)明，該可分解材質(zhì)結(jié)合該覆蓋層系以該可分解材質(zhì)可以藉由對該層組合之適當(dāng)處理而進(jìn)行熱分解或蒸汽化的方式加以設(shè)計，在此方法中，該可分解材質(zhì)系較佳地藉由通過該覆蓋層的擴散而自該層組合加以移除，而在此性質(zhì)上的處理之后，在該有用結(jié)構(gòu)之構(gòu)件之間的區(qū)域即不會有現(xiàn)在已經(jīng)分解的可分解物質(zhì)，因此，在理想條件之下，系可以獲得ε＝1的一相對介電系數(shù)。在此方法中，RC延遲系會顯著地被降低，而這是由于依照方程式(1)，該電容C系已經(jīng)被降低的關(guān)系，此外，在此方法中，在該信號傳播時間維持常數(shù)的同時，相鄰的互連系有可能配置地更靠近彼此，而此系與在半導(dǎo)體技術(shù)中傾向朝向微型化的作法一致，所以，在互連，特別是在一集成電路之金屬化層面中之互連，之間的寄生電容耦接系會依照本發(fā)明而被降低，是以，本發(fā)明系避免了復(fù)雜地形成氣孔、或復(fù)雜地圖案化一介電層以產(chǎn)生洞穴的需要。
明顯地，配置于一金屬層面之該等互連之間的介電材質(zhì)系可以被移除，而該等互連系藉由一層(覆蓋層或基板)而于垂直方向的兩側(cè)之上機械地進(jìn)行穩(wěn)定，理想上，至少該覆蓋層系由對配置于其間之該層的該分解產(chǎn)物為可滲透、并較佳地為一低k材質(zhì)的材質(zhì)而制成。
本發(fā)明之較佳實施例將揭示于附屬權(quán)利要求之中。
該層組合系較佳地包括一中間層，位于該基板以及該包括可分解材質(zhì)以及有用結(jié)構(gòu)之該層間，該中間層系可由低k材質(zhì)所制成，及/或可以利用該有用結(jié)構(gòu)之材質(zhì)系受到保護(hù)以避免由于該中間層之功能而擴散出該層組合的方式加以設(shè)計。
較佳地是，該基板系可以包括硅，并且，系特別地可以是硅晶圓或硅芯片，如此的結(jié)果是，對該層組合之處理系可以并入在硅微電子學(xué)所使用之標(biāo)準(zhǔn)程序之中。
該覆蓋層及/或該中間層系可以由介電材質(zhì)所制成，特別地是，該覆蓋層及/或該中間層系可以包括氧化硅，氮化硅，SiLK，多孔SiLK，噁唑(oxazole)，多孔噁唑(oxazole)，黑鉆石(Black Diamond)，珊瑚(Coral)，奈米玻璃(Nanoglass)，JSR LKD，聚苯并噁唑(polybenzoxazoles)，聚苯胼咪唑(polybenzimidazoles)，聚硫亞氨(polyimides)，聚喹啉(polyquinolines)，聚喹喔啉(polyquinoxalines)，聚亞芳香基(polyarylenes)，及/或聚亞芳香醚(polyarylenethers)。
該層組合之該覆蓋層系較佳地以其對已經(jīng)分解之可分解材質(zhì)系為可滲透的方式而加以設(shè)計，再者，該覆蓋層系較佳地以其于一分解程序被實行時會受到保護(hù)以免于被破壞或受損的方式而加以設(shè)計，特別地是，該覆蓋層系應(yīng)該受到保護(hù)，以避免在加熱至溫度范圍大約250℃至大約400℃期間之熱分解或熱傷害，此溫度范圍系典型地為一熱分解程序用來分解該可分解材質(zhì)的溫度，然而，精確地分解溫度系取決于在個別例子中所選擇的材質(zhì)。
該有用結(jié)構(gòu)系可以由一導(dǎo)電材質(zhì)所制成，特別地是，由鋁及/或銅及/或一介電材質(zhì)，例如，二氧化硅(SiO2)，氮化硅(Si3N4)，或陶瓷材質(zhì)。銅系特別地適合于一集成電路的互連，因為其系具有一非常低的歐姆電阻，而如此的結(jié)果是，該RC延遲系可以維持在一低的程度，而鋁系可以被沉積為平坦形式然后進(jìn)行圖案化，或是亦可以利用一雙鑲嵌程序(Damascene process)而進(jìn)行處理。若是銅被用作為該有用結(jié)構(gòu)的材質(zhì)時，則其系較具優(yōu)勢地藉由，首先，沉積以及圖案化一介電層，然后將銅材質(zhì)導(dǎo)入利用雙鑲嵌程序而沒有介電材質(zhì)之區(qū)域之中，以形成一銅結(jié)構(gòu)，而較佳地是，此型態(tài)的一層順序系可以利用一CMP(化學(xué)機械研磨)程序而進(jìn)行平坦化，但應(yīng)該要特別強調(diào)地是，在一有用結(jié)構(gòu)系由一電絕緣或介電材質(zhì)所制成的例子中，一導(dǎo)電鈍化層系至少于該有用結(jié)構(gòu)以及該覆蓋層之間為非必要。
較佳地是，該可分解材質(zhì)系為可熱分解，亦即，可以藉由在一預(yù)定化學(xué)媒介(舉例而言，在包括氬、氮之保護(hù)氣體大氣、或真空)中，加熱至一預(yù)設(shè)溫度并持續(xù)一預(yù)定時間而自該層組合加以移除，而該所需要的分解溫度則系主要取決于用于該熱可分解層之材質(zhì)的選擇，再者，該分解溫度系可以藉由利用用于該可熱分解結(jié)構(gòu)之不同材質(zhì)成分的混合而進(jìn)行修飾，并且，其系亦有可能藉由調(diào)整在熱分解中所使用之其它程序參數(shù)(例如，周圍溫度等)而影響所需要的分解溫度。
或者，該可分解材質(zhì)系亦可以藉由除了熱以外的其方式進(jìn)行分解。舉例而言，若是該可分解材質(zhì)系于一適當(dāng)波長范圍(例如，UV輻射)內(nèi)具有充分吸收電磁輻射的特質(zhì)時，以及若該覆蓋層對于此型態(tài)之電磁輻射的吸收足夠低時，則該可分解層系可以藉由將電磁輻射發(fā)射至根據(jù)本發(fā)明之該層組合之上而進(jìn)行分解。
適合用于該可分解材質(zhì)之材質(zhì)或材質(zhì)種類系為，聚酯(polyester)，(占優(yōu)勢地脂肪族)聚醚(polyether)，例如，聚乙烯乙二醇(polyethyleneglycol)，聚丙烯乙二醇(polypropyleneglycol)，聚乙烯氧化物(polyethyleneoxide)，或聚丙烯氧化物(polypropyleneoxide)。再者，聚丙烯酸酯(polyacrylates)，聚甲基丙烯酸酯(polymethacrylates)，聚縮醛(polyacetals)，聚縮酮(polyketals)，聚碳酸酯(polycarbonates)，聚氨酯(polyurethanes)，聚醚酮(polyetherketones)，環(huán)脂族聚合物(cycloaliphatic polymers)，例如，聚降冰片烯(polynorbornene)，占優(yōu)勢地脂肪族聚酰胺樹酯(aliphatic polyamides)，Novolaks(酚醛樹脂)，聚乙烯酚(polyvinylphenols)，以及環(huán)氧化合物(epoxy compounds)系亦為適合。在此所飲用之材質(zhì)種類之共聚物以及三元共聚物系亦適合于使用。
該可分解材質(zhì)系較佳地為光敏感、或光可圖案化，例如，舉例而言，一光阻。
特別地是，一光可圖案化光阻系可以是下列結(jié)合的其中之一一基礎(chǔ)聚合物(base polymer)以及一感光成分、或光酸。
所使用的聚合物系為聚丙烯酸酯(polyacrylates)，聚甲基丙烯酸酯(polymethacrylates)，聚縮醛(polyacetals)，聚縮酮(polyketals)，具有順丁烯二酸酐(maleic anhydride)(例如，苯乙烯/順丁烯二酸酐)之共聚物，脂肪族，芳香族，或具有叔丁酯(tert-butyl ester)[(COOC(CH3)3)]，例如，甲基丙烯酸叔丁酯(tert-butyl methacrylate)，或是具有環(huán)脂肪族聚合物。
叔丁氧基羰基氧群(tert-butoxycarbonyloxy groups)[(OCOO(CH3)3)]，例如，叔丁氧基羰基氧苯乙烯(tert-butoxycarbonyloxystyrene)(＝t-BOC-vinylphenol)。
適合之感光成分的例子系為重氮酮(diazoketones)，重氮苯醌(diazoquinones)，三苯基硫鹽(triphenylsulphonium salts)，或二苯基硫鹽(diphenylsulphonium salts)。
用于介電材質(zhì)、光阻、或該可分解材質(zhì)暫時使用之適合溶劑的例子系為，丙二醇甲醚醋酸酯(methoxypropyl acetate)，丙二醇乙醚醋酸酯(ethoxypropyl acetate)，乙二醇乙醚醋酸酯(ethoxyethylacetate)，甲基吡咯烷酮(N-methylpyrrolidone)，γ-丁內(nèi)酯(gamma-butyrolactone)，環(huán)己酮(cyclohexanone)，或環(huán)戊酮(cyclopentanone)。
在根據(jù)本發(fā)明之該層組合的例子中，較佳地是，至少一支撐結(jié)構(gòu)系形成在配置于該基板以及該覆蓋層之間的該層之中，而為了改善機械特質(zhì)，其系較具優(yōu)勢地使用此型態(tài)的一支撐結(jié)構(gòu)，較佳地是由金屬材質(zhì)所制成者，而在該處，該芯片布局系代表具有足夠大之無材質(zhì)區(qū)域。該支撐結(jié)構(gòu)，舉例而言，系可以形成為一支撐柱，而較具優(yōu)勢地是，用于機械穩(wěn)定的支撐柱系特別地位在該結(jié)合墊的下方。
再者，該層組合系亦可以具有一保護(hù)結(jié)構(gòu)，而其系實質(zhì)上沿著該基板之側(cè)向邊界而加以設(shè)置，以保護(hù)該有用結(jié)構(gòu)免于環(huán)境的影響。很清楚地，一保護(hù)環(huán)(密封環(huán))，其所環(huán)繞之所有路徑皆為不滲透、并且系包括較佳地至少兩個2μm寬的金屬軌道，以及較佳地多數(shù)相同的未中斷縱向通孔，系可以被形成在該芯片的邊緣，以避免在自該芯片之邊緣開始的該芯片內(nèi)部中的碰撞、或是被生產(chǎn)作為互連之有用結(jié)構(gòu)的氧化。
該有用結(jié)構(gòu)系亦至少部分地由一鈍化層(襯層)所圍繞。特別是當(dāng)銅被使用作為用于該有用結(jié)構(gòu)之材料時，用于避免該銅材質(zhì)向外擴散、或是用于改善該銅材質(zhì)之結(jié)合的一擴散阻障層系較為有利。
接下來的文章系提供根據(jù)本發(fā)明之該方法的一詳細(xì)敘述，該層組合的架構(gòu)系亦應(yīng)用于所使用的方法，以產(chǎn)生該層組合。
其系較佳地使得該可分解材質(zhì)自該層組合被移除。舉例而言，藉由熱分解。
根據(jù)本發(fā)明之該生產(chǎn)一層組合的方法，該有用結(jié)構(gòu)系可以由銅所制成，以及系可以至少部分地被一鈍化層所包覆，而該鈍化層系藉由一(較佳地，可選擇的)無電鍍沉積程序而形成自鈷鎢磷(CoWP)，鈷鎢硼(CoWB)，鈷磷(CoP)，或釕(Ru)，或者，二者擇一地，該鈍化層系藉由一(較佳地，可選擇的)化學(xué)氣相沉積程序(CVD程序)而形成自鉭(Ta)，氮化鉭(TaN)，氮化鈦(TiN)，鎢(W)，氮化鎢(WN)，或碳鎢(WC)。
該包括可分解材質(zhì)以及該有用結(jié)構(gòu)之層系可以藉由下列步驟而加以形成沉積以及圖案化可分解材質(zhì)(例如，利用一微影程序以及一蝕刻程序)，沉積該有用結(jié)構(gòu)之材質(zhì)，以及平坦化以此方式所獲得之該層順序的表面(舉例而言，利用一CMP，化學(xué)機械研磨)。而此方法系特別地在銅被使用作為該有用結(jié)構(gòu)之材質(zhì)時具有優(yōu)勢。
二者擇一地，該包括可分解材質(zhì)以及該有用結(jié)構(gòu)之層系可以藉由下列步驟而加以形成沉積以及圖案化該有用結(jié)構(gòu)之材質(zhì)(例如，利用一微影程序以及一蝕刻程序)，以及沉積可分解材質(zhì)。若是一金屬材質(zhì)系被使用于該有用結(jié)構(gòu)時，舉例而言，鋁、或銅，則此形成該有用結(jié)構(gòu)的方法系被稱之為一雙鑲嵌程序(Damascene process)。接著，以此方式所獲得之該層順序的表面系進(jìn)行平坦化(舉例而言，利用一CMP，化學(xué)機械研磨)。
根據(jù)本發(fā)明之該方法，其系有可能讓至少一額外層堆棧被形成于該覆蓋層之上，而該額外層堆棧系具有一額外覆蓋層，位在一包括可分解材質(zhì)以及一有用結(jié)構(gòu)的額外層之上。
顯然，根據(jù)本發(fā)明之該層組合的二或多個層面系可以彼此形成于其上。在此例子中，該層組合系包括一基板，一包含有用結(jié)構(gòu)以及配置于其上之可熱分解材質(zhì)的第一層，一第一覆蓋層形成于其上，一包含有用結(jié)構(gòu)以及形成于其上之可分解材質(zhì)的第二層，一第二覆蓋層形成于其上，一包含有用結(jié)構(gòu)以及形成于其上之可分解材質(zhì)的第三層，一第三覆蓋層等等。
換言之，根據(jù)本發(fā)明之層組合的一多重性系可以堆棧于彼此之上，其系特別當(dāng)復(fù)數(shù)個金屬層面以硅微電子學(xué)方式(典型地，多至十個金屬層面)而被形成時具有優(yōu)勢。為了以最少的可能工作步驟而自該層組合移除該可分解材質(zhì)，其系有可能在所有或一些層已經(jīng)形成之后，使用一接點分解程序(例如，一熱程序)，而為了特別地確保在該層組合上，該可分解材質(zhì)之可靠的以及完全的移除，其系二者擇一地有可能將一雙層，包括具有有用結(jié)構(gòu)以及可分解材質(zhì)的一層，以及一覆蓋層，呈送至一分解程序，在此型態(tài)的每一個雙層皆已形成之后，換言之，每一個雙層系會遭受一分開的分解程序。
較佳地是，藉由一覆蓋層而彼此分開的有用結(jié)構(gòu)系藉由被形成在該覆蓋層之中、并且由導(dǎo)電材質(zhì)所填滿的至少一接觸孔而耦接至彼此。
接下來的文章系列出一些典型地數(shù)值以及材質(zhì)。該中間層的厚度系較佳地介于100nm以及1000nm之間，而該包括可分解材質(zhì)以及該有用結(jié)構(gòu)之層的較佳厚度則為介于大約100nm以及大約1000nm之間，再者，一用于蝕刻在下方之一層的光阻系較佳地介于200nm以及1000nm之間，此外，其系有可能提供一抗反射層(舉例而言，一BARC，bottom antireflective coating，底抗反射涂覆)。
就在根據(jù)本發(fā)明之該層組合之形成期間的微影程序而言，其系有可能，舉例而言，使用波長248nm，193nm，157nm，或在極紫外光(extreme ultraviolet)中的波長(EUV微影)。
總結(jié)，其系可以推斷出，在分解時可以沒有問題地透過該覆蓋層而進(jìn)行擴散的一可熱分解或蒸發(fā)材質(zhì)系產(chǎn)生形成相對于外界而言被機械隔離之洞穴結(jié)構(gòu)，特別是，作為低k介電質(zhì)，的一個新方法，空氣間隔系可以藉由已經(jīng)分解的該可分解材質(zhì)而產(chǎn)生于，特別是，一集成電路之互連之間，在此方法中，其系有可能顯著地降低該等互連的電容耦接，以及因此該RC信號延遲。
更甚者，本發(fā)明系提供一種產(chǎn)生根據(jù)本發(fā)明之該層組合的一簡單方法，且其系可以利用標(biāo)準(zhǔn)程序而加以實現(xiàn)。本發(fā)明系亦可以被使用作為一多層金屬化的部分，舉例而言，對一集成電路之復(fù)數(shù)個金屬層面而言。機械支撐結(jié)構(gòu)以及一支撐環(huán)較佳地位在該芯片的邊緣，增加該層組合之機械穩(wěn)定度。
本發(fā)明之示范性實施例系圖例說明于圖式之中，并且于之后有更詳盡地解釋。
附圖
的簡要說明在圖式中第1A圖至第1R圖其系顯示依照本發(fā)明之不同示范性實施例，在根據(jù)本發(fā)明之產(chǎn)生一根據(jù)本發(fā)明之層組合之方法期間的不同時間的層順序。
接下來之文章，參照第1A圖至第1H圖，系在于敘述依照本發(fā)明之一第一示范性實施例的一種產(chǎn)生一層組合的方法。
具體實施例方式
為了獲得在第1B圖中所顯示的層順序102，一包括聚苯并噁唑(polybenzoxazole)的底層104系形成于一硅晶圓100之上(相較于第1A圖)。而為了這個目的，首先，一聚苯并噁唑前驅(qū)物(poly-o-hydroxyamide聚-o-羥基酰胺)系自一甲基吡咯烷酮(N-methylpyrrolidone)溶液，藉由一旋涂(spin-coating)技術(shù)而被施加于該硅晶圓100之上，并且，在一加熱平板上，于大約120℃干燥大約2分鐘，接著，該已被涂覆硅基板100系于一回火爐(annealingfurnace)中，在一氮大氣下，在大約420℃進(jìn)行回火60分鐘，而此條件系會造成該聚苯并噁唑前驅(qū)物被轉(zhuǎn)變成為聚苯并噁唑材質(zhì)，此外，該介電底層104之厚度系為1μm。
為了獲得在第1C圖中所顯示的該層順序106，一包括光阻的輔助層108系被施加于該層順序102之上。為了這個目的，一可分解且感光之薄膜系利用一旋涂技術(shù)而被施加于該底層104之上，并且，于大約100℃干燥大約1分鐘，其中，該薄膜系包括甲基丙烯酸叔丁酯(tert-butyl methacrylate)以及甲基丙烯酸甲脂(N-methylmethacrylate)的一共聚物(copolymer)(占20份重量)，以及一包括三苯基硫三氟甲烷磺酸(triphenylsulphoniumtrifluoromethane-sulphonate)以及丙二醇甲醚醋酸酯(Methoxypropyl acetate)之作為溶劑的光酸(photo acid)(占80份重量)。
為了獲得在第1D圖中所顯示的層順序110，該光阻輔助層108系利用一光屏蔽(用于該等互連的陸地-溝渠屏蔽(land-trench mask))而進(jìn)行曝光(曝光波長248nm)，在一加熱平板上，100℃加熱100秒(已知為曝光后烘烤(post exposure bake))，并利用Tokyo Ohka所生產(chǎn)的一液態(tài)堿顯影劑(aqueous-alkaline developer)NMD-W進(jìn)行顯影60秒，以及于100℃干燥1分鐘。而此系會造成包括被形成于該輔助層108之上之可分解材質(zhì)的一可分解結(jié)構(gòu)112，且該可分解結(jié)構(gòu)112的垂直高度，依照第1D圖，系大約為1μm。
為了獲得在第1E圖中所顯示的層順序114，該層順序110系利用PECVD(電漿輔助化學(xué)氣相沉積)程序而被涂覆以結(jié)合襯層(鉭材質(zhì)(tantalum material)，30nm)以及一銅種子層的一薄層，或者，二者擇一地，一PVD(物理氣相沉積)程序，亦即，一濺鍍(sputtering)程序，系亦可以被用于施加這些層。接著，該銅種子層系藉由電鍍沉積，并以在該可分解結(jié)構(gòu)112之分別相鄰構(gòu)件之間的所有溝渠區(qū)域皆被銅材質(zhì)所填滿的方式而進(jìn)行增厚，如第1E圖所示，該銅材質(zhì)116的垂直高度，依照第1圖，系較該可分解結(jié)構(gòu)112之垂直高度為大。
為了獲得在第1F圖中所顯示的層順序118，該銅材質(zhì)116系利用CMP(化學(xué)機械研磨)程序而進(jìn)行向下研磨，直到其與該可分解結(jié)構(gòu)112形成一共同平坦表面為止，換言之，在該可分解結(jié)構(gòu)112之上的該銅材質(zhì)系已經(jīng)被磨除。再者，為了鈍化該銅表面，系施加一選擇性地利用一無電鍍(electroless)沉積程序而進(jìn)行沉積的鈷鎢磷層(cobalt-tungsten-phosphorous layer)，而剩下的銅材質(zhì)則為形成該等銅互連120。
為了獲得在第1G圖中所顯示的層順序122，一另一聚苯并噁唑前驅(qū)物系被施加于該層順序120上(以與前述相同之方法)，并進(jìn)行干燥，所得之結(jié)果是，一包括聚苯并噁唑的介電覆蓋層124系加以形成。
為了獲得在第1H圖中所顯示之依照本發(fā)明之一第一較佳示范性實施例的該層組合126，該層順序122系呈送至一回火程序。在該聚苯并噁唑介電質(zhì)于420℃的回火期間，包括光阻材質(zhì)于其下的該可分解結(jié)構(gòu)112系會進(jìn)行分解，因此，系會留下洞穴128，而在此程序步驟中，由于該可分解結(jié)構(gòu)112的已分解材質(zhì)系會透過該覆蓋層124而擴散，因此，該介電覆蓋層124系受到保護(hù)而免于受損，另外，由于該洞穴128系具有一大約1的相對介電常數(shù)，因此，該等銅互連120系會彼此形成一降低的耦合電容。
接下來的文章系在于敘述根據(jù)本發(fā)明之該層組合的一第二示范性就此實施例而言，從顯示于第1H圖中之該層組合126開始，一包括可分解材質(zhì)的另一層，以及具有可分解材質(zhì)相鄰配置之區(qū)域系利用與以第1A圖至第1H圖做為參考所敘述的程序步驟相同的方式而被形成于該覆蓋層124之上(未顯示于圖式之中)，接著，一另一介電覆蓋層系被形成于剛剛所述的該層之上，因而造成兩個相互位于其上互連層面，而每一個互連層面在垂直方向的兩側(cè)系皆被一介電層所包圍。該程序并不受限于兩個層面，而是有可能形成以及處理相互位于其上之任何所需數(shù)量的層面。
接下來的文章，參照第1I圖，系在于敘述依照本發(fā)明之一第三示范性實施例的一層組合130。
用于形成該層組合130的生產(chǎn)方法系實質(zhì)上利用與上述以第1A圖至第1H圖做為參考者相同之方式加以實行。而在產(chǎn)生該層組合130之方法以及產(chǎn)生該層組合126之方法之間的主要差異系在于，在用于圖案化該輔助層108以形成該可分解結(jié)構(gòu)112之該程序步驟(此系已以第1D圖做為參考而加以敘述)中，該圖案化系以顯示于第1D圖中之該可分解結(jié)構(gòu)112的構(gòu)件112a系會額外地進(jìn)行圖案化的方式而加以實行，其中，該額外圖案化則是以該構(gòu)件112a會被分開為彼此空間上去耦的兩個次構(gòu)件、且在該兩個次構(gòu)件之間系具有一另一洞穴的方式而加以執(zhí)行。而該另一洞穴系在一相似于以第1E圖做為參考而敘述之程序步驟的程序步驟中被銅材質(zhì)所填滿，因此，在相似于以第1F圖至第1H圖做為參考而敘述之處理期間，系可以獲得第1I圖中所顯示的該層組合130。另外，此組合額外地具有為了改善該層組合130之機械穩(wěn)定度而提供的一銅支撐柱132。
接下來的文章，參照第1A圖至第1H圖，第1J至第1N圖，系在于敘述一種產(chǎn)生依照本發(fā)明之一第四示范性實施例的一層組合的方法。
依照根據(jù)本發(fā)明之生產(chǎn)方法的該第四示范性實施例，首先，系實行前述已經(jīng)以第1A圖至第1H圖作為參考而顯示之程序步驟。
為了獲得在第1J圖中所顯示的層順序134，一光阻層136系被施加于在第1H圖中所顯示的該層順序上，而該光阻層136系以類似于前述以第1C圖做為參考所敘述之該輔助層108之沉積的方式而進(jìn)行施加，再者，該光阻層136系利用一接觸孔屏蔽而進(jìn)行曝光，而在一曝光后烘烤以及顯影之后，系會形成直接位在該等銅互連120其中之一之上的一接觸孔138。正亦如第1J圖所顯示的，該覆蓋層124的剩余表面系利用該光阻層136而加以覆蓋。
為了獲得在第1K圖中所顯示的層順序140，在該接觸孔138中之該覆蓋層124的介電材質(zhì)系藉由一氧電漿(oxygen plasma)而進(jìn)行蝕刻100秒，而得出該等銅互連120其中之一之表面的覆蓋物被移除的結(jié)果，此結(jié)果系為一通孔142的形式。而為了移除可能出現(xiàn)在此銅互連120之該表面上的一氧化物層，藉由一氬電漿而執(zhí)行的蝕刻系再實行20秒。
為了獲得在第1L圖中所顯示的層順序144，該剩余的光阻層136系以藉由甲基丙烯酸甲脂(N-methylmethacrylate)的一兩分鐘處理(two-minute treatment)而加以移除(剝除)，而因此所獲得的層順序系于120℃干燥60秒。
為了獲得在第1M圖中所顯示的層順序146，該通孔142系利用電鍍沉積而被充填以銅材質(zhì)，以形成銅接觸148。
為了獲得在第1N圖中所顯示的層順序150，一另一雙層，包括具有可分解材質(zhì)以及彼此相鄰配置之額外銅互連152的一層，以及另一覆蓋層156，系加以形成，正如上述以該第二示范性實施例做為參考者。再者，該可分解材質(zhì)系藉由熱裝置而自已經(jīng)在此方法中進(jìn)行處理的該額外雙層被排出，正如第1N圖所示，此系會導(dǎo)致額外洞穴154的形成。
接下來的文章系在于敘述一種產(chǎn)生依照本發(fā)明之一第五示范性實施例的一層組合的方法。
而此示范性實施例系代表已經(jīng)以第1A圖至第1H圖做為參考而加以敘述之該生產(chǎn)該層組合126之方法的一修飾，然而，不像該方法，一低k材質(zhì)，特別是該材質(zhì)SiLKTM(Dow Chemical Company的商標(biāo))，系被用以取代一聚苯并噁唑前驅(qū)物，以作為該底層104之材質(zhì)。
取代依照該第一示范性實施例所使用之該輔助層108的，系為具有下列成分的一光阻占20份重量的聚烯基苯酚(polyvinylphenol)，而其酚式羥基群(phnolic hydroxyl group)系受到一叔丁氧基羰基氧群(tert-butoxycarbonyloxy grouping(poly-t-BOC-vinylphenol))的阻礙，占1份重量的二碘基苯三氟甲烷磺酸(diphenyliodonium trifluoromethanesulphonate)作為光酸，以及占80份重量的環(huán)氧乙烯乙酸酯(epoxyethylacetate)作為溶劑。而除了所使用的可選擇材質(zhì)之外，系可以獲得實質(zhì)上相對應(yīng)于在第1圖中所顯示之該層組合126的一層組合。
依照一種產(chǎn)生根據(jù)本發(fā)明之一第六示范性實施例的一層組合的方法，一相似于該層組合150的一層組合系如上述地以第四示范性實施例做為參考而加以形成，然而，根據(jù)該第六示范性實施例，該第五示范性實施例之該等成分系被使用作為該光阻以及該介電質(zhì)的材質(zhì)。
接下來的文章，參照第1A圖至第1H圖，第1J至第1L圖，第10至第1H圖，系在于敘述一種產(chǎn)生依照本發(fā)明之一第七示范性實施例的一層組合的方法。
首先，正如之前以第1A圖至第1H圖，第1J至第1L圖作為參考所敘述的，該層順序144系加以形成。
為了獲得在第10圖中所顯示的層順序158，一包括可分解以及感光材質(zhì)的另一光阻層160系進(jìn)行旋涂以及干燥。
為了獲得在第1P圖中所顯示的層順序162，該另一光阻層160系利用一互連光屏蔽而進(jìn)行曝光，而該互連光屏蔽乃是以該另一光阻層160于先前該通孔142所配置之位置處進(jìn)行曝光的方式而進(jìn)行選擇，因此，該另一光阻層160位在該起初通孔142位置的面積系進(jìn)行曝光，并且，在接續(xù)的顯影步驟中被移除。此系會造成在第1P圖中所顯示之典型地雙鑲嵌結(jié)構(gòu)(dual Damascene structure)，而在該結(jié)構(gòu)中，該通孔142以及一互連120系于該覆蓋層124中為未覆蓋，再者，一另一可分解結(jié)構(gòu)164系亦已形成自該已圖案化之另一光阻層160。
為了獲得在第1Q圖中所顯示的層順序166，另外的銅互連168系加以形成，正如上述以第1E圖，第1F圖做為參考一樣，而同時，該通孔142系被填充以該銅材質(zhì)，換言之，該通孔142，以及該層順序162之不具有該另一可分解結(jié)構(gòu)164之的該等表面區(qū)域兩者系皆會藉由一襯層(舉例而言，鉭)以及銅種子層而被覆蓋以銅材質(zhì)，至于過量的銅以及襯層材質(zhì)則會利用一CMP程序而加以移除，因而造成該層順序166的一平坦表面。
為了獲得在第1R圖中所顯示的層順序170，在第1圖中所顯示的該層順序166系以一相似于以第1G圖，第1H圖做為參考所敘述者之方式而進(jìn)行處理。首先，一另一覆蓋層172系被施加于該層順序166之該表面，接著，該另一可分解結(jié)構(gòu)164的該剩余光阻材質(zhì)系藉由調(diào)節(jié)而加以移除，所得的結(jié)果是形成另外的洞穴174。
接下來的文章系在于敘述一種產(chǎn)生依照本發(fā)明之一第八示范性實施例的一層組合的方法。
產(chǎn)生自在一甲基吡咯烷酮(N-methylpyrrolidone)溶液中之二氨基二苯基乙醚(diamiodiphenyl ether)以及苯四甲酸二酐(benzenetetracarboxylic dianhydride)的一聚硫亞氨(polyimide)前驅(qū)物(聚硫亞氨羧酸polyamidocarboxylic acid)系藉由一旋涂技術(shù)而被施加至一硅基板(晶圓)之上，并且，系在一加熱平板上，以120℃加熱干燥2分鐘，接著，該已涂覆之基板系于一回火爐(annealing furnace)中，在一氮大氣下，于大約420℃進(jìn)行回火60分鐘，而該回火則會將該聚硫亞氨前驅(qū)物轉(zhuǎn)變成為聚硫亞氨，此外，此作為一介電層之聚硫亞氨薄膜的層厚度系大約為1μm。
然后，一聚酯(聚對苯二酸1，4丁二醇(poly-1，4-butyleneglycolterephthalate))溶液系藉由一旋涂技術(shù)而被施加于該介電質(zhì)之上，并且，系于一加熱平板上，以大約150℃，加熱干燥大約3分鐘，而此層之厚度系大約為1μm。再者，一大約200nm厚的二氧化硅層系作為用于圖案化該可分解聚酯層的硬屏蔽，并藉由該CVD(化學(xué)氣相沉積)程序而被施加于該聚酯層之上，該案氧化硅層系被涂覆以一具有下列成分的光阻層占20份重量的m-Kresol-Novolak，占6份重量之2，3，4-三羥基二苯甲酮(2，3，4-trihydroxybenzophenone)以及萘醌-重氮-4-磺酸(naphthoquinone-diazide-4-sulphonicacid)的一三酯，以及占80份重量的甲氧基乙酸丙酯(methoxypropylacetate)。
在該光阻已經(jīng)于100℃干燥2分鐘之后，其層厚度系大約為0.8μm。
該光阻層系利用一光屏蔽(陸地-溝渠屏蔽，land-trench mask)而進(jìn)行曝光(曝光波長365nm)，利用Celanese所產(chǎn)生的一液態(tài)堿顯影劑AZ 303進(jìn)行大約60秒的顯影，以及于100℃干燥1分鐘，而該光阻結(jié)構(gòu)的垂直高度系大約為0.8μm。
首先，該光阻結(jié)構(gòu)系利用持續(xù)30秒的一CHF3電漿蝕刻程序而被轉(zhuǎn)移進(jìn)入該二氧化硅層，接著，藉由持續(xù)60秒的一O2電漿蝕刻而進(jìn)入該可分解聚酯層，而在此等結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)移期間，該光阻材質(zhì)系會由于該蝕刻而被移除。
然后，該二氧化硅層系由于以HF溶液處理大約60秒而被移除，該層順序系以蒸餾水進(jìn)行沖洗，并且，于100℃干燥60秒。
依照此生產(chǎn)方法所產(chǎn)生之在聚硫亞氨(polyimide)上的聚酯結(jié)構(gòu)系會大略地對應(yīng)于顯示在第1B圖中的該層順序110。而若以此層順序作為基礎(chǔ)時，則其系有可能依照之前所呈現(xiàn)之該等生產(chǎn)方法其中之一而繼續(xù)進(jìn)行，以獲得依照本發(fā)明的一層組合。
以下之出版品系為本文件之參考資料[1]B.P Shieh，L.C.Bassmann，D.-K.Kim，K.C.Saraswat，M.D.Deal，J.P.McVittie，R.S.List，S.Nag，L.Ting，Proc.IEEE，IITC 1998，125-127. Demolliens，O.et al.，Proceedings of IITC 2000，276，277. Kohl，P et al.(2000)“Air-Gaps in 0.3μm ElectricalInterconnections”，IEEE Electron Device Letters，Vol. 21，Nr.12，p.557-559，[4]DE 44 41 898 C1[5]US 5,461,003[6]US 6,342,722 B1
參考符號列表100 silicon wafer 硅晶圓102 layer sequence層順序104 bottom layer 底層106 layer sequence層順序108 auxiliary layer 輔助層110 layer sequence層順序112 decomposable structure可分解結(jié)構(gòu)114 layer sequence層順序116 copper material 銅材質(zhì)118 layer sequence層順序120 copper interconnects 銅互連122 layer sequence層順序124 covering layer覆蓋層126 layer arrangement 層組合128 cavity洞穴130 layer arrangement 層組合132 copper support pillar 銅支撐柱134 layer sequence層順序136 photoresist layer 光阻層138 contact hole 接觸孔140 layer sequence層順序142 via hole 通孔144 layer sequence層順序146 layer sequence層順序148 copper contact銅接觸150 layer arrangement 層組合152 additional copper interconnects 額外銅互連154 additional cavity 額外洞穴156 additional covering layer 額外覆蓋層158 layer sequence層順序
160 further photoresist layer 另一光阻層162 layer sequence 層順序164 further decomposable structure 另一可分解結(jié)構(gòu)166 layer sequence 層順序168 further copper interconnects 銅互連170 layer arrangement 層組合172 further covering layer 另一覆蓋層174 further cavity 另一洞穴
權(quán)利要求
1.一種層組合，其系包括-配置于一基板上并且包括一第一次區(qū)域以及一第二次區(qū)域的一層，其中，該第一次區(qū)域系包括可分解材質(zhì)，以及該第二次區(qū)域系緊接于該第一次區(qū)域而配置，并系具有包括一非可分解材質(zhì)的一有用結(jié)構(gòu)(useful structure)；-一覆蓋層，位在包括可分解材質(zhì)以及該有用結(jié)構(gòu)之該層上；以及-一導(dǎo)電鈍化層，其系至少位在該有用結(jié)構(gòu)以及該覆蓋層之間；-其中，該層組合系以該可分解材質(zhì)可以自該層組合被移除的方式而加以設(shè)計。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述之層組合，其更包括一中間層，位于該基板以及包括可分解材質(zhì)以及該有用結(jié)構(gòu)之該層間。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述之層組合，其中該基板系包括硅。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述之層組合，其中該覆蓋層及/或該中間層系由介電材質(zhì)所制成。
5.根據(jù)權(quán)利要求2至4其中之一所述之層組合，其中該覆蓋層及/或該中間層系包括下列材質(zhì)-氧化硅；-氮化硅；-SiLK；-多孔SiLK；-噁唑(oxazole)；-多孔噁唑(oxazole)；-黑鉆石(Black Diamond)；-珊瑚(Coral)；-奈米玻璃(Nanoglass)；-JSR LKD；-聚苯并噁唑(polybenzoxazole)；-聚苯胼咪唑(polybenzimidazole)；-聚硫亞氨(polyimide)；-聚喹啉(polyquinoline)；-聚喹喔啉(polyquinoxaline)；-聚亞芳香基(polyarylene)；以及-聚亞芳香醚(polyarylene ether)，的其中之一或其結(jié)合。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5其中之一所述之層組合，其中該覆蓋層系以其對已經(jīng)分解之可分解材質(zhì)系為可滲透的方式而加以設(shè)計。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至6其中之一所述之層組合，其中該有用結(jié)構(gòu)系由一導(dǎo)電材質(zhì)所制成。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述之層組合，其中該有用結(jié)構(gòu)系包括-銀；-一銀合金；-鎢；-硅化鎢；-鋁；-一鋁合金；-銅；及/或-一銅合金。
9.根據(jù)權(quán)利要求1至6其中之一所述之層組合，其中該有用結(jié)構(gòu)系由一介電材質(zhì)所制成。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述之層組合，其中該有用結(jié)構(gòu)系包括-二氧化硅；-氮化硅；及/或-一陶瓷材料。
11.根據(jù)權(quán)利要求1至10其中之一所述之層組合，其中該可分解材質(zhì)系為可熱分解材質(zhì)。
12.根據(jù)權(quán)利要求1至11其中之一所述之層組合，其中該可分解材質(zhì)系包括-聚酯(polyester)；-聚醚(polyether)；-聚乙烯乙二醇(polyethylene glycol)；-聚丙烯乙二醇(polypropylene glycol)；-聚乙烯氧化物(polyethylene oxide)；-聚丙烯氧化物(polypropylene oxide)；-聚丙烯酸酯(polyacrylate)；-聚甲基丙烯酸酯(polymethacrylate)；-聚縮醛(polyacetal)；-聚縮酮(polyketal)；-聚碳酸酯(polycarbonate)；-聚氨酯(polyurethane)；-聚醚酮(polyether ketone)；-環(huán)脂族聚合物(cycloaliphatic polymer)；-聚降冰片烯(polynorbornene)；-脂肪族聚酰胺樹酯(aliphatic polyamide)；-Novolak(酚醛樹脂)；-聚乙烯酚(polyvinylphenol)；-一環(huán)氧化合物(epoxy compound)；-此些化合物之共聚物；以及-此些化合物之三元共聚物，的其中之一或其結(jié)合。
13.根據(jù)權(quán)利要求1至12其中之一所述之層組合，其中該可分解材質(zhì)系為光敏感材質(zhì)。
14.根據(jù)權(quán)利要求1至13其中之一所述之層組合，其中，至少一支撐結(jié)構(gòu)系形成在配置于該基板以及該覆蓋層之間的該層中。
15.根據(jù)權(quán)利要求1至14其中之一所述之層組合，其更包括一保護(hù)結(jié)構(gòu)，沿著該基板之側(cè)向邊界而進(jìn)行設(shè)置，以保護(hù)該有用結(jié)構(gòu)免于環(huán)境的影響。
16.根據(jù)權(quán)利要求1至15其中之一所述之層組合，其更包括一鈍化層，而該鈍化層系至少部分地圍繞該有用結(jié)構(gòu)。
17.一種用于制造一層組合的方法，其中-包括一第一次區(qū)域以及一第二次區(qū)域的一層系被形成于一基板之上，且其中，該第一次區(qū)域系包括可分解材質(zhì)，以及該第二次區(qū)域系緊接于該第一次區(qū)域而配置，且系具有包括一非可分解材質(zhì)的一有用結(jié)構(gòu)(useful structure)；-一覆蓋層系被形成于包括可分解材質(zhì)以及該有用結(jié)構(gòu)之該層上；-一導(dǎo)電鈍化層系至少被形成于該有用結(jié)構(gòu)以及該覆蓋層之間；以及-該層組合系以該可分解材質(zhì)可以自該層組合被移除的方式而加以設(shè)計。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述之方法，其中該可分解材質(zhì)系自該層組合被移除。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述之方法，其中該可分解材質(zhì)系藉由熱分解而自該層組合被移除。
20.根據(jù)權(quán)利要求17至19其中之一所述之方法，其中-該有用結(jié)構(gòu)系由銅所制成；以及-該有用結(jié)構(gòu)系至少部分地被一鈍化層所包覆，而該鈍化層-系藉由一無電鍍沉積程序而形成自鈷鎢磷，鈷鎢硼，鈷磷，或釕；或-系藉由一化學(xué)氣相沉積程序而形成自鉭，氮化鉭，氮化鈦，鎢，氮化鎢，或碳鎢。
21.根據(jù)權(quán)利要求17至20其中之一所述之方法，其中該包括可分解材質(zhì)以及有用結(jié)構(gòu)之該層系藉由下列步驟而加以形成-沉積以及圖案化可分解材質(zhì)；-沉積該有用結(jié)構(gòu)之材質(zhì)；以及-平坦化以此方式所獲得之該層順序的表面。
22.根據(jù)權(quán)利要求17至20其中之一所述之方法，其中該包括可分解材質(zhì)以及有用結(jié)構(gòu)之該層系藉由下列步驟而加以形成-沉積以及圖案化該有用結(jié)構(gòu)之材質(zhì)；-沉積可分解材質(zhì)；以及-平坦化以此方式所獲得之該層順序的表面。
23.根據(jù)權(quán)利要求17至22其中之一所述之方法，其中，至少一額外層堆棧系被形成于該覆蓋層之上，而該額外層堆棧系具有一額外覆蓋層，位在一包括可分解材質(zhì)以及一有用結(jié)構(gòu)的額外層之上。
24.根據(jù)權(quán)利要求23所述之方法，其中，藉由一覆蓋層而彼此分開的有用結(jié)構(gòu)系藉由被導(dǎo)入該覆蓋層之中、并且由導(dǎo)電材質(zhì)所填滿的至少一接觸孔而耦接至彼此。
全文摘要
本發(fā)明系相關(guān)于一層組合以及產(chǎn)生一層組合之方法。該層組合系具有配置于一基板上并且包括一第一次區(qū)域以及一第二次區(qū)域的一層，其中，該第一次區(qū)域系包括可分解材質(zhì)，以及該第二次區(qū)域系緊接于該第一次區(qū)域而配置，且系具有包括一非可分解材質(zhì)的一有用結(jié)構(gòu)(useful structure)，再者，該層組合系亦具有一覆蓋層，位在包括可分解材質(zhì)以及該有用結(jié)構(gòu)之該層上，而該層組合系以該可分解材質(zhì)可以自該層組合被移除的方式而加以設(shè)計。
文檔編號H01L23/522GK1663040SQ03813829
公開日2005年8月31日 申請日期2003年6月3日 優(yōu)先權(quán)日2002年6月20日
發(fā)明者H·-J·巴思, R·塞滋 申請人:因芬尼昂技術(shù)股份公司