專利名稱：一種改進(jìn)的玻封二極管的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種二極管，特別是一種改進(jìn)的玻封二極管，屬半導(dǎo)體元器件。
背景技術(shù)：
目前市售的玻封二極管是用平面管芯加工而成的，此種類型的二極管存在工藝復(fù)雜，成本高，擊穿區(qū)覆蓋電壓低等不足。

發(fā)明內(nèi)容
本實(shí)用新型的目的是提供一種成本低、擊穿區(qū)覆蓋電壓高的玻封二極管。
本實(shí)用新型是這樣實(shí)現(xiàn)的它包括由玻璃鈍化層、硅晶體構(gòu)成的管芯，由兩根電極引線、玻殼構(gòu)成的管殼，在管芯中還包括有銀凸點(diǎn)、銀層，其中所述的銀凸點(diǎn)是設(shè)置在所述的硅晶體的上表面，所述銀層是設(shè)置在所述的硅晶體的下表面，所述的管芯是封接在由兩根電極引線，玻殼構(gòu)成的管殼內(nèi)。
所述的銀凸點(diǎn)的厚度在10～30μ左右。
本實(shí)用新型的玻封二極管由于采用上述結(jié)構(gòu)，故其成本低、擊穿區(qū)覆蓋電壓高，而采用其制成的玻封穩(wěn)壓二極管同樣能達(dá)到這種性能。


圖1為本實(shí)用新型的管芯結(jié)構(gòu)示意圖。
圖2為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
如圖1所示，將鍍銀后的銀凸點(diǎn)1，銀層4分別設(shè)置在硅晶體3的上、下表面，(在本實(shí)用新型中銀凸點(diǎn)是電鍍到硅晶體3的上表面，銀層4是蒸發(fā)到硅晶體3的下表面)。銀凸點(diǎn)1的厚度在10～30μ左右，大小按實(shí)際需要而定，硅晶體3是采用硅單晶片(也可采用其它半導(dǎo)體單晶片)經(jīng)半導(dǎo)體工藝處理后制成的。玻璃鈍化層2也是采用半導(dǎo)體工藝生成在硅晶體3的PN結(jié)臺(tái)面?zhèn)认虿课?圖中沒標(biāo)出)這樣就加工成一個(gè)玻封二極管管芯5。
上述銀凸點(diǎn)1、銀層4還可采用其它金屬導(dǎo)電材料制成。
如圖2所示，由電極引線6、7玻殼8構(gòu)成一管殼。先將電極引線7的端面朝上裝入封接模具中(圖中沒有標(biāo)出)再將玻殼8也裝入同一封接模具中，然后將已加工好的玻封二極管管芯5(如圖1所示)裝入同一封接模具中，接著引線6的端面朝下裝入上述的同一封接模具中，使電極引線6、7的端面與二極管管芯5互相疊合，裝配好后經(jīng)高溫封接成型即制成了玻封穩(wěn)壓二極管(采用穩(wěn)壓二極管管芯)，采用本實(shí)用新型制成的穩(wěn)壓二極管、工藝簡單、成本低、擊穿區(qū)覆蓋電壓高。
電極引線6.7是兩根相同的電極引線。
權(quán)利要求1.一種改進(jìn)的玻封二極管，包括由玻璃鈍化層(2)、硅晶體(3)構(gòu)成的管芯(5)，由電極引線(6)、(7)、玻殼(8)構(gòu)成的管殼，其特征在于a.在所述的管芯(5)內(nèi)還包括有銀凸點(diǎn)(1)、銀層(4)，其中所述的銀凸點(diǎn)(1)是設(shè)置在所述的硅晶體(3)的上表面，所述的銀層(4)是設(shè)置在所述的硅晶體(3)的下表面，b.所述的管芯(5)是封接在由所述電極引線(6)、(7)、玻殼(8)構(gòu)成的管殼內(nèi)，其中所述電極引線(6)、(7)的兩個(gè)端面相向與所述管芯(5)互相疊合。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種玻封二極管，其特征在于所述的銀凸點(diǎn)(1)的厚度為10～30μ。
專利摘要本實(shí)用新型涉及一種改進(jìn)的玻封二極管，包括硅晶體等構(gòu)成的管芯，由二根電極引線、玻殼構(gòu)成的管殼，在管芯內(nèi)還包括有分別設(shè)置在硅晶體上下表面的銀凸點(diǎn)，銀層，而管芯是封接在管殼內(nèi)的，兩根電極引線端面相向且與管芯相互疊合，本實(shí)用新型由于采用上述結(jié)構(gòu)，故制造成本低、擊穿區(qū)覆蓋電壓高，適用于制造各種類型的二極管。
文檔編號(hào)H01L29/861GK2640046SQ03232659
公開日2004年9月8日 申請(qǐng)日期2003年6月30日 優(yōu)先權(quán)日2003年6月30日
發(fā)明者徐佩干 申請(qǐng)人:上海新玻電子有限公司