專利名稱：半導(dǎo)體器件的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及擁有金屬布線的半導(dǎo)體器件的制造方法，特別涉及具有用雙道金屬鑲嵌法制成的金屬布線的半導(dǎo)體器件的制造方法。
下面，參考附圖，說(shuō)明現(xiàn)有的半導(dǎo)體器件中的多層化金屬布線的形成方法。
圖7(a)～圖7(c)、圖8(a)及圖8(b)是按現(xiàn)有的半導(dǎo)體器件的制造方法下的工藝順序示出的多層布線中的含通孔的那一部分的剖面結(jié)構(gòu)。
如圖7(a)所示，在半導(dǎo)體襯底(未示)上依次沉積由氧化硅等制成的第1絕緣膜101及第2絕緣膜102。接著，在第2絕緣膜102的一定區(qū)域上形成下布線形成溝，隔著由氮化鉭制成的第1阻擋膜103及由鉭制成的第2阻擋膜104在所形成的下布線形成溝中填滿由銅制成的下布線105。之后，再依次沉積由氮化硅制成的第3絕緣膜106、由氧化硅制成的第4絕緣膜107及第5絕緣膜108。接著，在第5絕緣膜108的對(duì)應(yīng)于下布線105的上側(cè)區(qū)域上形成上布線形成溝108a。接著，在第3絕緣膜106及第4絕緣膜107的對(duì)應(yīng)于上布線形成溝108a的下側(cè)區(qū)域有選擇地形成讓下布線105露出的通孔107a。
如圖7(b)所示，利用濺射法等在第5絕緣膜108上，在包含通孔107a及上布線形成溝108a的底面及壁面的整個(gè)面上依次沉積由氮化鉭制成的第1阻擋膜109及由鉭制成的第2阻擋膜110。
如圖7(c)所示，利用濺射法等在第2阻擋膜110上，在包含通孔107a及上布線形成溝108a的底面及壁面的整個(gè)面上沉積鍍銅種子層111，之后，如圖8(a)所示，利用電解鍍膜法，將由銅制成的上布線形成層112A埋在通孔107a及上布線形成溝108a中。
如圖8(b)所示，利用化學(xué)機(jī)械拋光法等將沉積在第5絕緣膜108上的上布線形成層112A除掉，且將它的上面平坦化，而從上布線形成層112A形成上布線112B及通道(via)112C。之后，再在已平坦化的第5絕緣膜108及上布線112B上形成第6絕緣膜113。
然而，在上述現(xiàn)有的半導(dǎo)體器件的制造方法下，若布線的微細(xì)化進(jìn)一步深入，則很難借助鍍膜法將上布線形成層112A埋在通孔107a中。
換句話說(shuō)，因?yàn)殡S著布線的微細(xì)化，通孔107a的縱橫比(＝深度和開口直徑之比)增大，故要求在對(duì)通孔107a沉積第1阻擋膜109、第2阻擋膜110及鍍膜種子層111時(shí)，各自的濺射原子具有更高的直進(jìn)性(各向異性)。
另一方面，若濺射原子的直進(jìn)性增大，則如圖9(a)的濺射工序所示，就無(wú)法在通孔107a的壁面下方充分地沉積第1阻擋膜109、第2阻擋膜110及鍍膜種子層111，而造成薄膜化。尤其是，在第1阻擋膜109、第2阻擋膜110的膜厚很薄的情況下，構(gòu)成鍍膜種子層111的銅原子會(huì)凝聚起來(lái)，而形不成膜厚一樣的膜，造成膜不連續(xù)。結(jié)果是，如圖9(b)的鍍膜工序所示，上布線形成層112A沒(méi)充填在通孔107a中，而出現(xiàn)了被稱為空隙(void)或者縫口(seam)107b的空洞狀態(tài)那樣的缺陷。
在不能保證上布線形成層112A確實(shí)充填在通孔107a中的情況下，就會(huì)出現(xiàn)以下現(xiàn)象，即通道(via)112C及布線105、112B的電阻增大，發(fā)生電子遷移或者應(yīng)力遷移等而造成多層布線的可靠性大大地下降。
若這時(shí)增大第1阻擋膜109、第2阻擋膜110及鍍膜種子層111各自的膜厚，又會(huì)如

圖10(a)的濺射工序所示，形成在通孔107a的開口部分上端的伸出部分111a會(huì)變大。結(jié)果是，在圖10(b)的鍍膜工序中，通孔107a的幾乎整個(gè)內(nèi)部都成為縫口107c。
為達(dá)成本發(fā)明的目的，本發(fā)明提高了一種半導(dǎo)體器件的制造方法，即對(duì)通過(guò)濺射法形成的底層中位于連接孔底面的沉積部分而言，至少有一部分沉積在連接孔的壁面的下方。
具體而言，本發(fā)明所涉及的半導(dǎo)體器件的制造方法，包括在襯底上形成擁有連接孔的絕緣膜的第1工序；在包含連接孔的壁面及底面的絕緣膜上形成導(dǎo)電性的底層的第2工序；對(duì)底層進(jìn)行濺射蝕刻而將沉積在連接孔底面上的底層的至少一部分沉積在連接孔的壁面的下方的第3工序；以及利用鍍膜法在底層上形成金屬層的第4工序。
根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的制造方法，對(duì)底層進(jìn)行濺射蝕刻以后，設(shè)在絕緣膜中的連接孔的底面上的底層的至少一部分便沉積在連接孔的壁面的下方，故沉積在連接孔的壁面下方的底層的膜厚增大。這樣在連接孔的壁面下方底層也是連續(xù)著沉積的。結(jié)果是，在連接孔的壁面下方底層的覆蓋力提高，而可防止容易出現(xiàn)在連接孔底部的角落里的不連續(xù)(膜破損)。
而且，是在沉積好底層之后，對(duì)所沉積的底層進(jìn)行濺射蝕刻的，故可使形成在連接孔的開口部分上端的伸出部分減小，這樣也就為利用鍍膜法將金屬層埋入連接孔中確保了一個(gè)充分大的開口面積。結(jié)果是，可防止在連接孔的內(nèi)部出現(xiàn)空隙、縫口等，而可提高金屬層的埋入特性。
在底層為阻擋層的情況下，通過(guò)濺射蝕刻，該阻擋層中覆蓋連接孔的壁面下方的那一部分變厚且均勻地將連接孔的壁面覆蓋起來(lái)，故可抑制構(gòu)成金屬層的原子例如銅原子擴(kuò)散到絕緣膜的界面。結(jié)果是，可提高抗電子遷移性或者是抗應(yīng)力遷移性等。
而且，在底層為阻擋層的情況下，底層中位于連接孔的底面的部分會(huì)因?yàn)闉R射蝕刻而變薄，金屬原子也就容易在充填在連接孔中的金屬層和形成在其下側(cè)的下布線之間擴(kuò)散，結(jié)果是，能抑制在連接孔底部出現(xiàn)空隙，也就提高了抗電子遷移性。而且，由于底層變薄了，故可減小布線電阻。
在本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的制造方法中，最好是，底層為由金屬制成的鍍膜種子層，鍍膜種子層及金屬層以銅為主成分。
在本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的制造方法中，底層為防止構(gòu)成金屬層的原子擴(kuò)散到絕緣膜中的阻擋層，在本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的制造方法中，在第3工序和第4工序之間，還有在包含連接孔的壁面及底面的阻擋層上形成由金屬制成的鍍膜種子層的第5工序。
在這種情況下，最好是，在第5工序和第4工序之間，還有對(duì)鍍膜種子層進(jìn)行減射蝕刻，而讓沉積在連接孔底面上的鍍膜種子層的至少一部分沉積在連接孔的壁面的下方的第6工序。
在底層為阻擋層的情況下，最好是，鍍膜種子層及金屬層以銅為主成分。
在底層為阻擋層的情況下，最好是，在第3工序中，除去阻擋層中沉積在連接孔底面的那一部分。
在底層為阻擋層的情況下，最好是，阻擋層由高熔點(diǎn)金屬或者該高熔點(diǎn)金屬的氮化物制成。
這時(shí)的阻擋層，最好是由下阻擋層和上阻擋層構(gòu)成，下阻擋層由高熔點(diǎn)金屬的氮化物制成；上阻擋層由高熔點(diǎn)金屬制成。對(duì)上阻擋層和下阻擋層各自重復(fù)進(jìn)行第2工序及第3工序。
圖2(a)及圖2(b)示出了按本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例所涉及的半導(dǎo)體器件的制造方法中的工藝順序示出的多層布線中含通孔的那一部分的剖面結(jié)構(gòu)。
圖3(a)及圖3(b)示出了按本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例所涉及的半導(dǎo)體器件的制造方法中的工藝順序示出的多層布線中含通孔的那一部分的剖面結(jié)構(gòu)。
圖4(a)及圖4(b)示出了按本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例所涉及的半導(dǎo)體器件的制造方法中的工藝順序示出的多層布線中含通孔的那一部分的剖面結(jié)構(gòu)。
圖5(a)及圖5(b)示出了按本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例所涉及的半導(dǎo)體器件的制造方法中的工藝順序示出的多層布線中含通孔的那一部分的剖面結(jié)構(gòu)。
圖6(a)及圖6(b)示出了按本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例所涉及的半導(dǎo)體器件的制造方法中的工藝順序示出的多層布線中含通孔的那一部分的剖面結(jié)構(gòu)。
圖7(a)、圖7(b)及圖7(c)示出了按現(xiàn)有的半導(dǎo)體器件的制造方法中的工藝順序示出的多層布線中含通孔的那一部分的剖面結(jié)構(gòu)。
圖8(a)及圖8(b)示出了按現(xiàn)有的半導(dǎo)體器件的制造方法中的工藝順序示出的多層布線中含通孔的那一部分的剖面結(jié)構(gòu)。
圖9(a)及圖9(b)示出了按現(xiàn)有的半導(dǎo)體器件的制造方法中的工藝順序示出的多層布線中含通孔的那一部分的剖面結(jié)構(gòu)。
圖10(a)及圖10(b)示出了按現(xiàn)有的半導(dǎo)體器件的制造方法中的工藝順序示出的多層布線中含通孔的那一部分的剖面結(jié)構(gòu)。
符號(hào)說(shuō)明11-第1絕緣膜；12-第2絕緣膜；13-下阻擋層；14-上阻擋層；15-下布線；16-第3絕緣層；17-第4絕緣層；17a-通孔(連接孔)；18-第5絕緣層；18a-上布線形成溝；19-下阻擋層(底層)；20-上阻擋層(底層)；20a-伸出部分；21-鍍膜種子層(底層)；21a-伸出部分；22A-上布線形成層；22B-上布線；22C-通道。
圖1(a)、圖1(b)～圖6(a)、圖6(b)示出了按本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例所涉及的半導(dǎo)體器件的制造方法中的工藝順序示出的多層布線中含通孔(連接孔)的那一部分的剖面結(jié)構(gòu)。
首先，如圖1(a)所示，例如利用CVD法在由硅(Si)制成的半導(dǎo)體襯底(未示)上依次沉積由在氧化硅中加入硼和磷而得到的BPSG(Boron Phosphorous Silicate Glass)制成的第1絕緣膜11及第2絕緣膜12；利用光刻法及干刻法，在第2絕緣膜12的一定區(qū)域形成下布線形成溝。之后，利用濺射法，在含有下布線形成溝的第2絕緣膜12這整個(gè)面上沉積由氮化鉭(TaN)制成的下阻擋層13及由鉭(Ta)制成的上阻擋層14。接著，再利用濺射法在上阻擋層14上沉積由銅(Cu)制成或者由以銅為主成分的合金制成的鍍膜種子層(未示)。之后，利用電解鍍膜法，在鍍膜種子層上沉積由銅或者銅合金制成的金屬層。接著，利用化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)法除去沉積在第2絕緣膜12上的下阻擋層、上阻擋層及金屬層，這樣來(lái)由充填在下布線形成溝中的金屬層形成下布線15。
之后，例如利用CVD法依次沉積由氮化硅(Si3N4)制成的第3絕緣膜16、由BPSG制成的第4絕緣膜17及由BPSG制成的第5絕緣膜18。接著，在第5絕緣膜18的對(duì)應(yīng)于下布線15的上側(cè)區(qū)域上形成上布線形成溝18a。接著，在第3絕緣膜16及第4絕緣膜17的對(duì)應(yīng)于上布線形成溝18a的下側(cè)區(qū)域有選擇地形成讓下布線15露出的通孔17a。之后，再進(jìn)行利用了氬(Ar+)氣體的濺射蝕刻將氧化銅(形成在從通孔17a露出的下布線15的表面上的自然氧化膜)等除去。
如圖1(b)所示，經(jīng)過(guò)該濺射蝕刻以后，上布線形成溝18a及通孔17a的開口部分的上端分別變圓，擴(kuò)張開了，故在以后的工序中沉積阻擋層和鍍膜種子層之后，開口部分的面積變大。結(jié)果是，鍍膜法下的金屬層的埋入特性良好。
如圖2(a)所示，利用濺射法在包含通孔17a及上布線形成溝18a的壁面及底面的第4絕緣膜17上沉積厚度約25nm、由氮化鉭制成的下阻擋層19。此時(shí)的濺射是在對(duì)靶施加約10kW的DC源功率的條件下進(jìn)行的。之后，約將DC源功率降到2kW左右，對(duì)半導(dǎo)體襯底(試樣)施加約200W的RF功率，對(duì)下阻擋層19進(jìn)行使用了氬氣的、蝕刻量為5nm左右的濺射蝕刻，這樣將沉積在通孔17a的底面的下阻擋層19的至少一部分沉積在通孔17a的壁面的下方。該由氮化鉭制成的下阻擋層19，是為防止在后工序中所形成的上布線及構(gòu)成通孔的銅原子擴(kuò)散到第4絕緣膜17及第5絕緣膜18中而設(shè)的。這樣以來(lái)，防止銅原子擴(kuò)散的下阻擋層19在通孔17a的至少壁面的下方它的覆蓋力提高了，同時(shí)也變厚了。
如圖3(a)所示，利用濺射法在包含通孔17a及上布線形成溝18a的壁面及底面的下阻擋層19上沉積厚度約10nm、由β-鉭(β-Ta)制成的上阻擋層20。和下阻擋層19一樣，這時(shí)的濺射是在對(duì)靶施加約10kW的DC源功率的條件下進(jìn)行的。這里，由鉭制成的上阻擋層20是作為在后工序中形成鍍膜種子層的底層而設(shè)的。鍍膜種子層與第4絕緣膜17及第5絕緣膜18間的粘著性就由于該上阻擋層20的存在而提高了。需提一下，已知與由α-鉭相比，β-鉭相對(duì)銅(Cu)的粘著性更高。
如上所述，因?yàn)槿羰拱雽?dǎo)體器件微細(xì)化，通孔17a的縱橫比就變大，所以若想在下阻擋層19及上阻擋層20上得到到通孔17a的壁面下方為止厚度約3nm～5nm左右這樣足夠的厚度，就必須在第4絕緣膜17及第5絕緣膜18上面沉積厚度約30nm～50nm左右的阻擋層19、20。結(jié)果是，如圖3(a)所示，在通孔17a的開口部分的上端形成伸出部分20a，而使通孔17a的開口面積變小。
在圖3(b)所示的工序中，使DC源功率約為2kW，對(duì)半導(dǎo)體襯底施加約200W的RF功率，對(duì)上阻擋層20進(jìn)行利用了氬氣的蝕刻量在5nm左右的濺射蝕刻。通過(guò)該濺射蝕刻，而將沉積在通孔17a底面的上阻擋層20的至少一部分沉積在通孔17a的壁面的下方的下阻擋層19上。這樣以來(lái)，上阻擋層20(鍍膜種子層的底層)在通孔17a的至少壁面的下方它的覆蓋力提高了，同時(shí)也變厚了。
這樣以來(lái)，根據(jù)本實(shí)施例，因?yàn)橥?7a壁面下方的下阻擋層19及上阻擋層20的覆蓋力，比沉積后再分別進(jìn)行的各向異性的濺射蝕刻所達(dá)到的覆蓋力要高，故即使每一個(gè)阻擋層19、20的一開始的沉積膜厚減小了，也能確保下阻擋層19對(duì)銅原子的阻擋性及上阻擋層20對(duì)鍍膜種子層的粘著性。
之后，因?yàn)閷?duì)每一個(gè)阻擋膜19、20而言，沉積后的濺射蝕刻，也可將沉積在第4絕緣膜17及第5絕緣膜18上面的各個(gè)阻擋膜19、20的膜厚減小，故開口部分上端的伸出部分就減少了。同時(shí)，因?yàn)橐材苁姑恳粋€(gè)阻擋層19、20中通孔17a的底面上部分的膜厚減少，故通孔的布線電阻減小。因此，若對(duì)每一個(gè)阻擋層19、20的濺射蝕刻，僅僅是進(jìn)行到每一個(gè)阻擋層19、20中通孔17a的底面上部分被除去那一程度，通孔的布線電阻就減少。
其次，如圖4(b)所示，利用對(duì)靶施加約30kW的DC源功率的濺射法，在包含通孔17a及上布線形成溝18a的壁面及底面的上阻擋層20上沉積厚度約100nm、由銅(Cu)制成或者由以銅為主成分的合金制成的鍍膜種子層21。鍍膜種子層21和阻擋層19、20一樣，若想得到到通孔17a的壁面下方為止厚度約10nm～15nm這樣足夠的厚度，就必須在第5絕緣膜18上面沉積厚度約100nm～150nm左右的鍍膜種子層21。結(jié)果是，如圖4(b)所示，在通孔17a的開口部分的上端形成伸出部分21a，而使通孔17a的開口面積變小。更有甚者，是在該工序中形成縫口17b。因鍍膜種子層21是為后工序的鍍膜工序中的鍍銅的底層，故不能讓該鍍膜種子層21在半導(dǎo)體襯底上中斷，而是應(yīng)該連續(xù)。因此，在鍍膜種子層21不是連續(xù)著形成的情況下，在鍍膜工序中，會(huì)在通孔的下方形成空隙等，如圖9(b)所示。
在圖5(a)所示的下一個(gè)工序中，使DC源功率約為2kW，對(duì)半導(dǎo)體襯底施加約200W的RF功率，對(duì)鍍膜種子層21進(jìn)行利用了氬氣的蝕刻量在50nm左右的減射蝕刻。通過(guò)該濺射蝕刻，而將沉積在通孔17a底面的鍍膜種子層21的至少一部分沉積在通孔17a的壁面的下方的下阻擋層19上，如圖5(b)所示。這樣以來(lái)，鍍膜種子層21(鍍膜種子層的底層)在通孔17a的至少壁面的下方它的覆蓋力提高了。而且，鍍膜種子層21中的第4絕緣膜17及第5絕緣膜18上部分的膜厚也減小，故通孔17a的開口部分上端的伸出部分21a的伸出量就變小。結(jié)果是，給通孔17a確保了一個(gè)在后工序中進(jìn)行鍍銅所必需的開口直徑。
如圖6(a)所示，利用電解鍍膜法，在通孔17a及上布線形成溝18a中埋入由銅制成的上布線形成層22A。
如圖6(b)所示，通過(guò)CMP法等將沉積在第5絕緣膜18上的上布線形成層22A除去并將它的上面平坦化，而由由銅制成的上布線形成層22A形成上布線22B及通道22C。
需提一下，在本實(shí)施例中，第4絕緣膜17、第5絕緣膜18與鍍膜種子層21之間的下阻擋層19及上阻擋層20，為由氮化鉭(TaN)和鉭(Ta)的疊層結(jié)構(gòu)，并不限于此，既可例如讓下阻擋層19為氮化鎢(WN)，讓上阻擋層20為鎢；又可為讓阻擋層為其他高熔點(diǎn)金屬或者其氮化物。而且，阻擋層19、20也不必為疊層結(jié)構(gòu)。
用銅作了構(gòu)成下布線15、上布線22B及通道22C的金屬材料，并不限于此，還可使用鋁(Al)、銀(Ag)等金屬或者是它們的合金。
是用減射法沉積下阻擋層19、上阻擋層20及鍍膜種子層21的，并不限于此，還可使用CVD法來(lái)沉積下阻擋層19、上阻擋層20及鍍膜種子層21。
發(fā)明效果根據(jù)本發(fā)明所涉及的半導(dǎo)體器件的制造方法，因?yàn)榭蓪⒊练e在連接孔壁面下方的底層的膜厚形成得較厚，故在連接孔的壁面下方底層也是連續(xù)的。結(jié)果是，在連接孔的壁面下方底層的覆蓋力提高，而可防止容易出現(xiàn)在連接孔底部的角落處的不連續(xù)。
而且，因?yàn)榭墒惯B接孔的開口部分上端的伸出部分減小，也就為利用鍍膜法將金屬層埋入連接孔中確保了一個(gè)充分大的開口面積，故可防止在連接孔內(nèi)部出現(xiàn)空隙或者縫口，提高金屬層的埋入特性。結(jié)果是，能實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體器件的多層布線的進(jìn)一步微細(xì)化。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，其中包括在襯底上形成擁有連接孔的絕緣膜的第1工序；在包含所述連接孔的壁面及底面的所述絕緣膜上形成導(dǎo)電性的底層的第2工序；對(duì)所述底層進(jìn)行濺射蝕刻而將沉積在所述連接孔底面上的底層的至少一部分沉積在所述連接孔的壁面的下方的第3工序；以及利用鍍膜法在所述底層上形成金屬層的第4工序。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中所述底層為由金屬制成的鍍膜種子層，所述鍍膜種子層及金屬層以銅為主成分。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中所述底層為防止構(gòu)成所述金屬層的原子擴(kuò)散到所述絕緣膜中的阻擋層；在所述第3工序和所述第4工序之間，還有在包含所述連接孔的壁面及底面的所述阻擋層上形成由金屬制成的鍍膜種子層的第5工序。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中在所述第5工序和所述第4工序之間，還有對(duì)所述鍍膜種子層進(jìn)行濺射蝕刻，而讓沉積在所述連接孔底面上的鍍膜種子層的至少一部分沉積在所述連接孔的壁面的下方的第6工序。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中所述鍍膜種子層及金屬層以銅為主成分。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中在所述第3工序中，除去所述阻擋層中沉積在所述連接孔底面的那一部分。
7.根據(jù)權(quán)利要求3到6中之任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中所述阻擋層由高熔點(diǎn)金屬或者該高熔點(diǎn)金屬的氮化物制成。
8.根據(jù)權(quán)利要求3到6中之任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中所述阻擋層由下阻擋層和上阻擋層構(gòu)成，下阻擋層由高熔點(diǎn)金屬的氮化物制成，上阻擋層由高熔點(diǎn)金屬制成；對(duì)所述上阻擋層和下阻擋層各自重復(fù)進(jìn)行所述第2工序及第3工序。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體器件的制造方法，其目的在于為微細(xì)化了的布線形成溝及通孔，制成不會(huì)出現(xiàn)空隙或者縫口且埋入特性優(yōu)良的金屬布線。利用濺射法在包含通孔17a及上布線形成溝18a的壁面及底面的第4絕緣膜17上沉積厚度約25nm、由氮化鉭制成的下阻擋層19。此時(shí)的濺射條件是對(duì)靶施加約10kW的DC源功率。之后，將DC源功率降到2kW左右，對(duì)半導(dǎo)體襯底施加約200W的RF功率，對(duì)下阻擋層19進(jìn)行使用了氬氣的、蝕刻量為5nm左右的濺射蝕刻，由此而將沉積在通孔17a的底面的下阻擋層19的至少一部分沉積在通孔17a的壁面的下方。
文檔編號(hào)H01L21/3065GK1477695SQ0314380
公開日2004年2月25日 申請(qǐng)日期2003年7月25日 優(yōu)先權(quán)日2002年7月25日
發(fā)明者垂水喜明, 池田敦, 岸田剛信, 信 申請(qǐng)人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社