專利名稱：電光裝置和電子設備的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及有源矩陣驅動方式的電光裝置和電子設備的技術領域，特別涉及在基板上的層積結構中包括像素開關用的薄膜晶體管(以下稱為TFT(Thin Film Transistor))形式的電光裝置和具備這樣的電光裝置的投影機等電子設備的技術領域。
背景技術：
在TFT有源矩陣驅動形式的液晶裝置、EL(Electro-Luminescence；場致發(fā)光)顯示裝置等電光裝置中，如果入射光照射到設置于各像素的像素開關用TFT的溝道區(qū)域，則由光產生的激勵而產生光漏泄電流，使TFT的特性變化。特別是在投影機的光閥用電光裝置的情況下，由于入射光的強度大，所以對TFT的溝道區(qū)域和其相鄰區(qū)域進行入射光的遮光是重要的。
因此，以往在設置于對置基板的各像素中，被構成為通過對有助于顯示的光透過或反射的開口區(qū)域進行規(guī)定的遮光膜，或者通過TFT之上并且由Al(鋁)等金屬膜構成的數(shù)據(jù)線，來對相關的溝道區(qū)域和其相鄰區(qū)域進行遮光。而且，在TFT陣列基板上像素開關用TFT的下側，例如還設置有高熔點金屬構成的遮光膜。這樣，如果在TFT的下側也設置遮光膜，則可預先防止來自TFT陣列基板一側的背面反射光、或在通過棱鏡等組合多個電光裝置構成一個光學系統(tǒng)的情況下從其他電光裝置穿過棱鏡等的投射光等的返回光入射到該電光裝置的TFT。
但是，根據(jù)上述的各種遮光技術，有以下的問題。
即，首先，根據(jù)在對置基板上和TFT陣列基板上形成遮光膜的技術，在遮光膜和溝道區(qū)域之間，三維地觀察，例如通過液晶層、電極、層間絕緣膜等形成相當大的間隙，對于向兩者間傾斜入射的光的遮光不充分。特別是在用作投影機的光閥的小型電光裝置中，入射光是用透鏡將來自光源的光縮小的光束，含有不能忽略的傾斜入射的分量。例如，包含從垂直于基板的方向傾斜10度到15度左右的分量10％左右，所以對這樣的傾斜入射光的遮光不充分成為實際問題。
此外，從沒有遮光膜的區(qū)域侵入到電光裝置內的光，由基板或基板上形成的遮光膜的上表面、數(shù)據(jù)線等反射后，存在這樣的反射光或使其再次由基板或遮光膜、數(shù)據(jù)線等反射的多重反射光最終到達TFT的溝道區(qū)域的情況。
特別是為了滿足近年來顯示圖像的高質量化的一般需要，與實現(xiàn)電光裝置的高清晰化或像素間距的微細化相適應，與為了顯示更明亮的圖像而與提高入射光的光亮度相適應，根據(jù)上述現(xiàn)有的各種遮光技術，實施充分的遮光更加困難，因TFT晶體管特性的變化而產生閃爍等，存在顯示圖像的質量下降的問題。
再有，為了提高這樣的耐光性，也可考慮簡單地擴大遮光膜的形成區(qū)域，但在這種方案中，提高各像素的開口率十分困難，存在顯示圖像變暗的問題。

發(fā)明內容
本發(fā)明鑒于上述問題，以提供耐光性優(yōu)良、可進行明亮高質量的圖像顯示的電光裝置及具備這樣的電光裝置的電子設備作為課題。
為了解決上述課題，本發(fā)明的第1電光裝置在基板上(above)具備像素電極；對該像素電極進行開關控制的薄膜晶體管；將圖像信號供給該薄膜晶體管的數(shù)據(jù)線；將掃描信號供給該薄膜晶體管的同時與所述數(shù)據(jù)線進行交叉的掃描線；從上側覆蓋構成所述薄膜晶體管的半導體層的至少溝道區(qū)域及其相鄰區(qū)域的上側遮光膜；以及從下側覆蓋所述至少溝道區(qū)域及其相鄰區(qū)域的下側遮光膜；其中，所述上側遮光膜和所述下側遮光膜分別在所述數(shù)據(jù)線和所述掃描線相交叉的交叉區(qū)域中具有伸出來的伸出部，從而在對應于所述像素電極的各個像素的開口區(qū)域中規(guī)定切角；所述溝道區(qū)域被配置在所述交叉區(qū)域內；所述上側遮光膜和所述下側遮光膜，互相地，在所述伸出部中通過遮光性的導電材料或直接進行連接。
根據(jù)本發(fā)明的第1電光裝置，在其工作時，例如在薄膜晶體管的源極上通過數(shù)據(jù)線來供給圖像信號，在薄膜晶體管的柵極上通過掃描線來供給掃描信號。于是，例如通過對連接到薄膜晶體管的漏極的像素電極由薄膜晶體管進行開關控制，可進行有源矩陣驅動方式的驅動。而且，因為構成薄膜晶體管的半導體層的至少溝道區(qū)域和其相鄰區(qū)域，由上側遮光膜從其上側覆蓋，所以基本上可以阻止相對于基板面來自上方的入射光入射到薄膜晶體管的溝道區(qū)域和其相鄰區(qū)域。進而，因為由下側遮光膜從其下側進行覆蓋，所以基本上可以阻止相對于基板面來自下方的返回光入射到薄膜晶體管的溝道區(qū)域和其相鄰區(qū)域。再有，‘返回光’例如指基板的里面反射、從作為光閥使用多個該第1電光裝置的多板式投影機中的其它光閥中射出的穿過合成光學系統(tǒng)的光等的，返回到與入射光相反方向上、無助于顯示的光。
這里，上側遮光膜和下側遮光膜分別在數(shù)據(jù)線和掃描線相交叉的交叉區(qū)域中具有伸出來的伸出部，使得在各像素的開口區(qū)域中規(guī)定切角。例如，如果以四角形的開口區(qū)域為基準，則形成一至四個切角，可規(guī)定五角形至八角形的開口區(qū)域。然后，將溝道區(qū)域配置在有這樣的切角的交叉區(qū)域內。因此，與不存在這樣的伸出部的情況相比，通過分別具有伸出部的上側遮光膜和下側遮光膜，可以有效地阻止相對于基板面從上方垂直或傾斜行進的強的入射光和基于該光的內面反射光及多重反射光、相對于基板面從下方垂直或傾斜行進的返回光和基于該光的內面反射光及多重反射光入射到薄膜晶體管的溝道區(qū)域和其相鄰區(qū)域。
進而，根據(jù)本發(fā)明，上側遮光膜和下側遮光膜，相互地，在伸出部中通過遮光性的導電材料連接或直接連接。因此，配置在交叉區(qū)域的溝道區(qū)域和其相鄰區(qū)域從它們的側方被上側遮光膜和下側遮光膜的相互連接的部分局部地包圍。即，通過這樣從側方包圍、相互連接的部分，可顯著地提高對從側方傾斜比較大的傾斜入射的入射光或返回光的遮光性能。
此外，因為上側遮光膜和下側遮光膜相互連接，可以使兩者為同電位，例如對于由兩者中一方構成的配線，可將另一方作為其冗余配線利用。
這些結果，可提高各像素的開口率，同時通過用相互連接的上側遮光膜和下側遮光膜從上下左右包圍的立體遮光，可有效地降低薄膜晶體管中的光漏泄電流產生、偏差等引起的顯示不勻或閃爍等，最終可顯示明亮的高質量的圖像。同時，可以實現(xiàn)相互連接的上側遮光膜和下側遮光膜的冗余配線，例如通過實現(xiàn)電容線等的低電阻化，也可進一步降低閃爍等。
在本發(fā)明的第1電光裝置的一種方式中，所述上側遮光膜和所述下側遮光膜通過接觸孔相互連接；在該接觸孔內，形成所述上側遮光膜或者由所述導電材料形成栓塞。
根據(jù)該方式，可以通過接觸孔良好地相互電連接上側遮光膜和下側遮光膜。而且，通過在設置于伸出部的接觸孔內配置的上側遮光膜或構成栓塞的遮光性的導電材料，可以從它們的側方局部地包圍溝道區(qū)域和其相鄰區(qū)域。
或者在本發(fā)明的第1電光裝置的另一方式中，所述上側遮光膜和所述下側遮光膜通過對應于所述伸出部的輪廓的截面形狀的貫通溝相互連接，在該貫通溝內，由所述上側遮光膜或所述導電材料形成從側方與所述溝道區(qū)域相對的壁。
根據(jù)該方式，通過貫通溝將上側遮光膜和下側遮光膜良好地電氣地相互連接。而且，通過在對應于伸出部輪廓的截面形狀的貫通溝內由上側遮光膜或遮光性的導電材料形成的壁，可將溝道區(qū)域和其相鄰區(qū)域從它們的側方局部地更寬范圍地包圍。這樣的貫通溝的截面形狀例如與伸出部的輪廓大致相同，僅小一圈也可以，或者僅大一圈也可以。這里，越大地形成貫通溝，大致地越提高其遮光性能。
在本發(fā)明第1電光裝置的另一方式中，對于所述交叉區(qū)域的各個區(qū)域，在其四個角部都設置有所述伸出部；在該四個角部的各個角部中，所述上側遮光膜和所述下側遮光膜相互連接。
根據(jù)該方式，通過在設置于伸出部的接觸孔、貫通溝等內配置的上側遮光膜或遮光性導電材料，可將溝道區(qū)域和其相鄰區(qū)域從它們的四周包圍，可靠地提高遮光性能。
為了解決上述課題，本發(fā)明的第2電光裝置在基板上(above)具備像素電極；對該像素電極進行開關控制的薄膜晶體管；將圖像信號供給該薄膜晶體管的數(shù)據(jù)線；將掃描信號供給該薄膜晶體管的同時與所述數(shù)據(jù)線進行交叉的掃描線；從上側覆蓋構成所述薄膜晶體管的半導體層的至少溝道區(qū)域及其相鄰區(qū)域的上側遮光膜；以及從下側覆蓋所述至少溝道區(qū)域及其相鄰區(qū)域的下側遮光膜；其中，所述上側遮光膜和所述下側遮光膜分別在所述數(shù)據(jù)線和所述掃描線相交叉的交叉區(qū)域中具有伸出來的伸出部，從而在對應于所述像素電極的各個像素的開口區(qū)域中規(guī)定切角；所述溝道區(qū)域被配置在所述交叉區(qū)域內；所述掃描線由所述下側遮光膜構成；所述下側遮光膜在所述伸出部中通過遮光性的導電材料連接到所述薄膜晶體管的柵極電極膜或直接連接到所述薄膜晶體管的柵極電極膜。
根據(jù)本發(fā)明第2電光裝置，與上述第1電光裝置的情況同樣地進行有源矩陣驅動方式的驅動。而且，因為構成薄膜晶體管的半導體層的至少溝道區(qū)域和其相鄰區(qū)域，通過上側遮光膜被從其上側覆蓋，所以基本上可阻止相對基板面來自上方的入射光入射到薄膜晶體管的溝道區(qū)域和其相鄰區(qū)域。而且，因為通過下側遮光膜從其下側進行覆蓋，所以基本上可阻止相對基板面來自下方的返回光入射到薄膜晶體管的溝道區(qū)域和其相鄰區(qū)域。
這里特別是上側遮光膜和下側遮光膜分別在數(shù)據(jù)線和掃描線相交叉的交叉區(qū)域中具有伸出來的伸出部，從而在各像素的開口區(qū)域中規(guī)定切角。之后，將溝道區(qū)域配置在具有這樣的切角的交叉區(qū)域內。因此，通過分別具有伸出部的上側遮光膜和下側遮光膜，可有效阻止入射光、返回光及基于它們的內面反射光和多重反射光入射到薄膜晶體管的溝道區(qū)域和其相鄰區(qū)域。
進而，根據(jù)本發(fā)明，掃描線由下側遮光膜構成，而且該下側遮光膜在伸出部中通過遮光性的導電材料連接到柵電極膜或直接連接到柵電極膜。因此，配置于交叉區(qū)域內的溝道區(qū)域和其相鄰區(qū)域從它們的側方被下側遮光膜和柵電極膜的相互連接部分局部地包圍。即，通過這樣從側方包圍、相互連接的部分，顯著提高對于從側方傾斜比較大地斜入射的入射光或返回光的遮光性能。
此外，通過將下側遮光膜用于掃描線，可簡化基板上的層積結構和制造工序。
這些結果，可提高各像素的開口率，同時通過將溝道區(qū)域和其相鄰區(qū)域用上側遮光膜和下側遮光膜從上到下包圍并且由上側遮光膜和下側遮光膜相互連接的部分從左右包圍的立體遮光，可有效地降低薄膜晶體管中的光漏泄電流的產生、偏差等引起的顯示不勻或閃爍等，最終可顯示明亮的高質量的圖像。
在本發(fā)明第2電光裝置的一種方式中，所述上側遮光膜和所述柵極電極膜通過接觸孔相互連接；在該接觸孔內，形成所述柵極電極膜或者由所述遮光性的導電材料形成栓塞。
根據(jù)該方式，可以通過接觸孔將下側遮光膜和柵電極膜良好地相互電連接。而且，通過在設置于伸出部的接觸孔內配置的柵電極膜或構成栓塞的遮光性的導電材料，可以將溝道區(qū)域和其相鄰區(qū)域從它們的側方局部地包圍。
在本發(fā)明第2電光裝置的另一方式中，所述下側遮光膜和所述柵極電極膜通過對應于所述伸出部的輪廓的截面形狀的貫通溝相互連接，在該貫通溝內，由所述柵極電極膜或者所述遮光性的導電材料形成從側方與所述溝道區(qū)域相對的壁。
根據(jù)該方式，可以通過貫通溝將下側遮光膜和柵電極膜良好地相互電連接。而且，在對應于伸出部輪廓的截面形狀的貫通溝內通過由柵電極膜或遮光性的導電材料形成的壁，可以將溝道區(qū)域和其相鄰區(qū)域從它們的側方局部地更寬范圍地包圍。
在本發(fā)明第2電光裝置的另一方式中，對于所述交叉區(qū)域的各個區(qū)域，在其四個角部都設置有所述伸出部；在該四個角部的各個角部中，所述下側遮光膜和所述柵極電極膜相互連接。
根據(jù)該方式，通過在伸出部中設置的接觸孔、貫通溝等內配置的柵電極膜或遮光性的導電材料，可將溝道區(qū)域和其相鄰區(qū)域從它們的四周包圍起來，可靠地提高遮光性能。
在本發(fā)明第2電光裝置的另一方式中，所述柵極電極膜沿所述掃描線延長的同時，由形成所述掃描線的冗余配線的另一掃描線的一部分構成。
根據(jù)該方式，通過由遮光膜構成的掃描線和包含柵電極膜的另一掃描線構成的冗余結構，可實現(xiàn)掃描線的低電阻化。進而，在掃描線部分斷線等情況下，也可以有效地阻止將其作為缺陷而表面化。
在本發(fā)明第1或第2電光裝置的另一方式中，所述溝道區(qū)域被配置在所述交叉區(qū)域的中央。
在該方式中，溝道區(qū)域被配置在交叉區(qū)域的中央，特別是僅僅存在切角的部分，從光通過的各像素的開口區(qū)域分離。因此，可高效率地提高對于溝道區(qū)域的遮光性能。再有，‘配置在交叉區(qū)域的中央’意味著除了在交叉區(qū)域中的重心等中心點上與溝道區(qū)域的中心點一致的情況以外，還包含溝道區(qū)域位于交叉區(qū)域內距其邊緣多少靠近其中心點側的情況。
在本發(fā)明第1或第2電光裝置的另一方式中，進一步具備電氣連接到所述像素電極的存儲電容；所述上側遮光膜兼作構成所述存儲電容的固定電位側電容電極或包含該固定電位側電容電極的電容線。
根據(jù)該方式，通過存儲電容，可將經由薄膜晶體管寫入到像素電極的電位與其寫入時間相比長期地持續(xù)維持。而且，特別是因為上側遮光膜兼作構成存儲電容的固定電位側電容電極或電容線，所以與分別制作兩者的情況比較，可簡化基板上的層積結構和制造方法。這樣的上側遮光膜，由金屬膜、合金膜、金屬硅化物膜等導電性的遮光膜構成即可。
但是，在本發(fā)明中制作存儲電容時，上側遮光膜也可以兼作存儲電容的像素電位側電容電極?；蛘撸部梢杂蓪щ娦缘恼诠饽嫵晒潭娢粋入娙蓦姌O和像素電位側電容電極兩者。此外，基板上的這些兩電容電極的上下配置，哪個在上在下都沒關系。
在本發(fā)明第1或第2電光裝置的另一方式中，所述伸出部形成在從所述數(shù)據(jù)線離開的平面區(qū)域；所述存儲電容也形成在與所述數(shù)據(jù)線重疊的平面區(qū)域。
根據(jù)該方式，因為避開進行上側遮光膜和下側遮光膜相互連接的伸出部，有效利用數(shù)據(jù)線的下面制作存儲電容，所以實現(xiàn)在有限的遮光區(qū)域內增大存儲電容。
在本發(fā)明第1或第2電光裝置的另一方式中，所述上側遮光膜的伸出部比所述下側遮光膜的伸出部大一圈。
根據(jù)該方式，可以有效地防止比普通返回光強的入射光，穿過上側遮光膜的旁邊，由下側遮光膜的表面反射，產生內面反射光的情況。
為了解決上述課題，本發(fā)明第3電光裝置在基板上具備像素電極；對該像素電極進行開關控制的薄膜晶體管；將圖像信號供給該薄膜晶體管的數(shù)據(jù)線；將掃描信號供給該薄膜晶體管的同時與所述數(shù)據(jù)線進行交叉的掃描線；以及從上側覆蓋構成所述薄膜晶體管的半導體層的至少溝道區(qū)域及其相鄰區(qū)域，同時至少部分地規(guī)定沿所述數(shù)據(jù)線和所述掃描線的格子狀的遮光區(qū)域的上側遮光膜；其中，所述上側遮光膜在所述數(shù)據(jù)線和所述掃描線相交叉的交叉區(qū)域中具有伸出來的伸出部，從而在對應于所述像素電極的各個像素的開口區(qū)域中規(guī)定切角；所述溝道區(qū)域被配置在所述交叉區(qū)域內。
根據(jù)本發(fā)明第3電光裝置，在其工作時，例如通過數(shù)據(jù)線向薄膜晶體管的源極供給圖像信號，通過掃描線向薄膜晶體管的柵極供給掃描信號。于是，例如通過薄膜晶體管來開關控制連接到薄膜晶體管的漏極上的像素電極，進行有源矩陣驅動方式的驅動。而且，因為構成薄膜晶體管的半導體層的至少溝道區(qū)域和其相鄰區(qū)域通過上側遮光膜被從其上側覆蓋，所以基本可以阻止相對基板面來自上方的入射光入射到薄膜晶體管的溝道區(qū)域和其相鄰區(qū)域。
這里，特別是上側遮光膜在數(shù)據(jù)線和掃描線相交叉的交叉區(qū)域中具有伸出來的伸出部，從而在各像素的開口區(qū)域中規(guī)定切角。例如，如果以四角形的開口區(qū)域為基準，則形成一至四個切角，可規(guī)定五角形至八角形的開口區(qū)域。然后，將溝道區(qū)域配置在有這樣的切角的交叉區(qū)域內。因此，與不存在這樣的伸出部的情況相比，通過具有伸出部的上側遮光膜，可以有效地阻止相對于基板面從上方垂直或傾斜行進的強的入射光和基于該光的內面反射光及多重反射光等入射到薄膜晶體管的溝道區(qū)域和其相鄰區(qū)域。
此外，這樣的上側遮光膜至少部分地規(guī)定格子狀的遮光區(qū)域，通過該上側遮光膜，可以高精度地規(guī)定各像素的非開口區(qū)域。
這些的結果，可提高各像素的開口率，同時可有效地降低薄膜晶體管中的光漏泄電流的產生、偏差等引起的顯示不勻或閃爍等，最終可顯示明亮的高質量的圖像。
在本發(fā)明第3電光裝置的一種方式中，所述像素電極對應于所述切角具有失去角部的平面形狀。
根據(jù)該方式，對像素電極也實施切角，其平面形狀例如為五邊形至八邊形。但是，這種電光裝置中的像素電極一般例如通過對ITO(Indium TinOxide)膜進行圖案形成而形成。因此，由于多少發(fā)生圖案形成時抗蝕劑殘留引起的膜殘留，所以在相鄰的像素電極間，優(yōu)選地采用某種程度的間隙。這是因為在相鄰接的像素電極間不發(fā)生電氣短路。之后，這樣的膜殘留在基底上容易發(fā)生段差或凹凸大的區(qū)域等。可是，在這種電光裝置中基底上段差或凹凸大的區(qū)域無非是掃描線和數(shù)據(jù)線兩者疊層的交叉區(qū)域。因此，在該方式中，為了在容易產生膜殘留的交叉區(qū)域中根本性地減少局部膜殘留，形成具有取掉對應于該區(qū)域內的角的平面形狀的像素電極。即，如果是這樣的平面形狀，在圖案形成時，難以發(fā)生像素電極間的短路。由此，可使沿從交叉區(qū)域離開的數(shù)據(jù)線的遮光區(qū)域部分內、沿掃描線的遮光區(qū)域部分內的相鄰接的像素電極的間隙變窄而不在兩者間引起短路。因此，通過使像素電極間的間隙變窄而不降低良品率，實現(xiàn)像素間距的微細化，可以促進作為本技術領域中基本要求的顯示圖像的高清晰化。
在本發(fā)明第3電光裝置的另一方式中，所述溝道區(qū)域被配置在所述交叉區(qū)域的中央。
在該方式中，溝道區(qū)域被配置在交叉區(qū)域的中央，特別是僅在存在切角的程度，從光通過的各像素區(qū)域分離。因此，可高效率地提高對于溝道區(qū)域的遮光性能。再有，‘配置在交叉區(qū)域的中央’意味著除了在交叉區(qū)域中的重心等中心點上與溝道區(qū)域的中心點一致的情況以外，還包含溝道區(qū)域位于交叉區(qū)域內距其邊緣多少靠近其中心點一側的情況。
在本發(fā)明第3電光裝置的另一方式中，進一步具備電氣連接到所述像素電極的存儲電容；所述上側遮光膜兼作構成所述存儲電容的固定電位側電容電極或者包含該固定電位側電容電極的電容線。
根據(jù)該方式，通過存儲電容可將經由薄膜晶體管寫入像素電極的電位與其寫入時間相比長期地維持。之后，特別是因為上側遮光膜兼作構成存儲電容的固定電位側電容電極或電容線，所以與分別制作兩者的情況比較，可簡化基板上的層積結構和制造方法。這樣的上側遮光膜，由金屬膜、合金膜、金屬硅化物膜等導電性的遮光膜構成即可。
但是，在本發(fā)明中制作存儲電容時，上側遮光膜也可以兼作存儲電容的像素電位側電容電極。或者，也可以由導電性的遮光膜構成固定電位側電容電極和像素電位側電容電極兩者。此外，基板上的這些兩電容電極的上下配置，哪個在上在下都沒關系。
或者在本發(fā)明第3電光裝置的另一方式中，進一步具備電氣連接到所述像素電極的存儲電容；所述存儲電容形成在所述遮光區(qū)域內，還形成在與所述伸出部重疊的區(qū)域。
根據(jù)該方式，因為還有效利用各像素的開口區(qū)域一側伸出來的伸出區(qū)域的下面來形成存儲電容，所以可在有限的遮光區(qū)域內增大存儲電容。
在本發(fā)明第3電光裝置的另一方式中，進一步具備從下側覆蓋所述至少溝道區(qū)域及其相鄰區(qū)域的同時至少部分地規(guī)定所述格子狀的遮光區(qū)域的下側遮光膜。
根據(jù)該方式，因為構成薄膜晶體管的半導體層的至少溝道區(qū)域和其相鄰區(qū)域，由下側遮光膜被從其下側覆蓋，所以可基本上阻止對基板面來自下方的返回光和因該光引起的內面反射光后多重反射光入射到薄膜晶體管的溝道區(qū)域和其相鄰區(qū)域。這里，‘返回光’例如指基板的里面反射、以及從作為光閥使用多個該電光裝置的多板式投影機中的另一光閥射出的穿過合成光學系統(tǒng)的光等的，在與入射光相反方向上返回的、無助于顯示的光。
此外，這樣的下側遮光膜至少部分地規(guī)定格子狀的遮光區(qū)域，通過同一基板上形成的上側遮光膜和下側遮光膜，可高精度地規(guī)定各像素的非開口區(qū)域。
在本發(fā)明第3電光裝置的另一方式中，所述下側遮光膜在所述交叉區(qū)域中具有伸出來的伸出部，從而規(guī)定所述切角。
根據(jù)該方式，與上側遮光膜同樣，下側遮光膜在交叉區(qū)域中有規(guī)定切角的伸出部。因此，與不存在這樣的伸出部的情況相比，通過具有伸出部的下側遮光膜，可有效地阻止對基板面從下方垂直或傾斜行進的返回光和基于它的內面反射光和多重反射光等入射到薄膜晶體管的溝道區(qū)域和其相鄰區(qū)域。
在該方式中，可以構成為所述下側遮光膜的平面形狀與所述上側遮光膜的平面形狀相比，在所述交叉區(qū)域中小一圈。
根據(jù)這樣的結構，可有效地防止比普通返回光強的入射光，穿過上側遮光膜的旁邊，由下側遮光膜的表面反射，產生內面反射光的情況。
為了解決上述課題，本發(fā)明第4電光裝置在基板上具備像素電極；對該像素電極進行開關控制的薄膜晶體管；將圖像信號供給該薄膜晶體管的數(shù)據(jù)線；將掃描信號供給該薄膜晶體管的同時與所述數(shù)據(jù)線進行交叉的掃描線；以及從下側覆蓋構成所述薄膜晶體管的半導體層的至少溝道區(qū)域及其相鄰區(qū)域，同時至少部分地規(guī)定沿所述數(shù)據(jù)線和所述掃描線的格子狀的遮光區(qū)域的下側遮光膜；其中，所述下側遮光膜在所述數(shù)據(jù)線和所述掃描線相交叉的交叉區(qū)域中具有伸出來的伸出部，從而在對應于所述像素電極的各個像素的開口區(qū)域中規(guī)定切角；所述溝道區(qū)域被配置在所述交叉區(qū)域內。
根據(jù)本發(fā)明第4電光裝置，下側遮光膜在交叉區(qū)域中具有伸出來的伸出部，從而在各像素的開口區(qū)域中規(guī)定切角。因此，與不存在這樣的伸出部的情況相比，通過具有伸出部的下側遮光膜，可有效地阻止對基板面從下方垂直或傾斜行進的返回光和基于該光的內面反射光及多重反射光等入射到薄膜晶體管的溝道區(qū)域和其相鄰區(qū)域。
此外，這樣的下側遮光膜至少部分地規(guī)定格子狀的遮光區(qū)域，通過該下側遮光膜，可高精度地規(guī)定各像素的非開口區(qū)域。
這些的結果，可提高各像素的開口率，同時可有效地降低由薄膜晶體管中的光漏泄電流的產生、偏差等引起的顯示不勻或閃爍，最終顯示明亮的高質量的圖像。
在本發(fā)明第4電光裝置的一種方式中，所述下側遮光膜由遮光性的導電膜構成的同時與所述掃描線多處連接并且沿所述掃描線延長，具有作為所述掃描線的冗余配線的功能。
根據(jù)該方式，因為由導電性的遮光膜構成的下側遮光膜具有作為掃描線的冗余配線的功能，所以可實現(xiàn)掃描線的低電阻化，換句話說，可縮小掃描線的形成區(qū)域或沿掃描線的遮光區(qū)域部分的寬度。因此，可進行更明亮的高質量的圖像顯示。
在本發(fā)明第1、第2、第3或第4電光裝置的另一方式中，進一步具備通過電光學物質層與所述基板相對配置的對置基板；所述開口區(qū)域的四角中，至少在所述電光學物質層的工作不良相對大的一個或多個角中，設置有所述伸出部。
根據(jù)該方式，例如液晶層的定向不良那樣，對于電光學物質層的工作不良大的角，規(guī)定切角。因此，例如在液晶層的定向不良由于與摩擦方向的關系不均等地發(fā)生在四角上的情況那樣，在工作不良不均等地發(fā)生在四角上時，可積極地隱藏該工作不良的區(qū)域。因此，通過防止各開口區(qū)域的角的光透過等，可有效地提高對比度。同時，因為對于工作不良小的角，進行正常工作或接近正常的工作，所以通過不隱藏該部分而作為開口區(qū)域的一部分利用，可抑制因存在伸出部造成的各像素的開口率的下降。
再有，對于一個開口區(qū)域，按照工作不良的發(fā)生部位和程度，這樣的伸出部可設置一個，也可以設置兩個或三個。
本發(fā)明的第1、第2、第3、或第4電光裝置的另一方式中，所述像素電極包含在第1周期用于反轉驅動的第1像素電極組和在與該第1周期互補的第2周期用于反轉驅動的第2像素電極組的同時被平面排列在所述第1基板上；所述伸出部，被設置在以所述交叉區(qū)域的中央為基準位于所述第1像素電極組一側的兩個角，或位于所述第2像素電極組一側的兩個角上。
根據(jù)該方式，在其工作時，存在(i)在反轉驅動時，在各時刻以相互相反極性的驅動電壓驅動的相鄰接的像素電極，以及(ii)在反轉驅動時，在各時刻中相互地以相同極性的驅動電壓驅動的相鄰接的像素電極這兩者。如果是例如采用以場單位每行地使驅動電壓的極性反轉的1H反轉驅動方式、以場單位每列地使驅動電壓的極性反轉的1H反轉驅動方式等的反轉驅動方式的矩陣驅動型的液晶裝置等的第1或第2電光裝置，則存在這兩者。因此，在屬于不同像素電極組的相鄰接的像素電極之間，產生橫電場?？墒?，在本方式中，以交叉區(qū)域的中央為基準，在位于第1像素電極組一側的兩角或位于第2像素電極組一側的兩角上設置切角。因此，可以由伸出部遮光交叉區(qū)域附近的產生橫電場的區(qū)域，有效地防止橫電場造成的不良影響表面化或明顯化。這些的結果，可以以高對比度進行明亮的高質量的圖像顯示。
在本發(fā)明第1、第2、第3、或第4電光裝置的另一方式中，在所述開口區(qū)域的四個角分別設置上下左右對稱的伸出部。
根據(jù)該方式，在開口區(qū)域的四角分別設置上下左右對稱的伸出部，各像素的開口區(qū)域的平面形狀與不存在伸出部的情況相比，接近圓形或多邊形。其結果，使用接近圓形或多邊形的平面形狀的開口區(qū)域，也可進行減低了各開口區(qū)域內光透過區(qū)域、工作不良區(qū)域等良好的圖像顯示。特別是在使用圓形或接近圓形的微透鏡時，如果采用這樣的結構，因為使適當聚光的入射光通過開口區(qū)域通過的同時可以遮光沒有適當聚光的入射光，所以是十分有效的。
在本發(fā)明第1、第2、第3、或第4電光裝置的另一方式中，在所述基板或與所述基板相對配置的對置基板上，還具備與所述像素電極相對配置的微透鏡。
根據(jù)該方式，入射光通過微透鏡被導入到靠各像素的開口區(qū)域的中央。這里，特別是由微透鏡適當聚光的有助于顯示的入射光應當幾乎不到達交叉區(qū)域中規(guī)定切角的上側遮光膜的伸出部。因此，通過伸出部，因為可以遮光沒有被微透鏡適當聚光的光分量，所以維持亮度的同時實現(xiàn)圖像質量提高。
再有，上述本發(fā)明的第1或第2電光裝置，例如，可構筑為液晶裝置，也可構筑為EL顯示裝置。
在本發(fā)明第1或第2電光裝置的另一方式中，所述上側遮光膜至少部分地規(guī)定沿所述數(shù)據(jù)線和所述掃描線的格子狀的遮光區(qū)域。
根據(jù)該方式，通過上側遮光膜，可以高精度規(guī)定各像素的非開口區(qū)域。特別是與通過對置基板一側的遮光膜來規(guī)定非開口區(qū)域的情況相比，因為阻止因兩基板貼合時的組裝偏移的影響而降低開口率，進而，可以接近薄膜晶體管對其遮光，所以是非常有利的。
再有，也可以構成為通過下側遮光膜，至少部分地規(guī)定沿數(shù)據(jù)線和掃描線的格子狀的遮光區(qū)域。
在本發(fā)明第3或第4電光裝置的另一方式中，在平面地看重疊于所述伸出部的區(qū)域中，配置所述薄膜晶體管的漏電極。
根據(jù)該方式，利用平面地看重疊在所述伸出部的遮光區(qū)域，可以設置薄膜晶體管的漏電極，通過漏電極的存在，可構成為不縮小各像素的開口區(qū)域。
再有，上述本發(fā)明的電光裝置，例如可構筑為液晶裝置，也可以構筑為EL顯示裝置。
為了解決上述課題，本發(fā)明的電子設備包括上述本發(fā)明第1、第2、第3、或第4電光裝置(其中，也包括其各種方式)。
因為本發(fā)明的電子設備具備上述本發(fā)明第1、第2、第3、或第4電光裝置，所以可實現(xiàn)能夠進行明亮高質量的圖像顯示的投射型顯示裝置、液晶電視、便攜電話、電子筆記薄、文字處理機、取景器型或監(jiān)視直視型的錄像機、工作站、電視電話、POS終端、觸摸面板等各種電子設備。
本發(fā)明的這樣的作用和其他優(yōu)點從以下說明的實施方式中將變得明顯。


圖1是表示在構成本發(fā)明實施方式的電光裝置中的圖像顯示區(qū)域的矩陣狀的多個像素中設置的各種元件、配線等的等效電路的示意圖。
圖2是形成有第1實施方式的電光裝置中的數(shù)據(jù)線、掃描線、像素電極等的TFT陣列基板的相鄰接的多個像素組的平面圖。
圖3是圖2的A-A’剖面圖。
圖4是圖2的B-B’剖面圖。
圖5是形成有第2實施方式的電光裝置中的數(shù)據(jù)線、掃描線、像素電極等的TFT陣列基板的相鄰的多個像素組的平面圖。
圖6是圖5的B-B’剖面圖。
圖7是第3實施方式的電光裝置中的對應于圖2的B-B’斷面的部位的剖面圖。
圖8是形成有實施方式的電光裝置中的數(shù)據(jù)線、掃描線、像素電極等的TFT陣列基板的相鄰接的多個像素組的平面圖。
圖9是圖8的A-A’剖面圖。
圖10是選取表示比較例中的像素電極的平面圖案的局部平面圖。
圖11是選取表示實施方式中的像素電極的平面圖案的局部平面圖。
圖12是表示在實施方式中可采用的像素電極的平面圖案的變形方式的局部平面圖。
圖13是表示在實施方式中可采用的像素電極的平面圖案的變形方式的局部平面圖。
圖14是表示在實施方式中可采用的對置基板一側的遮光膜的平面圖案的變形方式的局部平面圖。
圖15是表示在實施方式中可采用的對置基板一側的遮光膜的平面圖案的變形方式的局部平面圖。
圖16是表示在實施方式中可采用的對置基板一側的遮光膜的平面圖案的變形方式的局部平面圖。
圖17是表示在實施方式中可采用的對置基板一側的遮光膜的平面圖案的變形方式的局部平面圖。
圖18是表示在實施方式中可采用的對置基板一側的遮光膜的平面圖案的變形方式的局部平面圖。
圖19是表示在實施方式中可采用的對置基板一側的遮光膜的平面圖案的變形方式的局部平面圖。
圖20是表示在實施方式中可采用的對置基板一側的遮光膜的平面圖案的變形方式的局部平面圖。
圖21是表示在實施方式中可采用的對置基板一側的遮光膜的平面圖案的變形方式的局部平面圖。
圖22從對置基板一側看實施方式的電光裝置中TFT陣列基板和在其上形成的各構成要件的平面圖。
圖23是圖22的H-H’剖面圖。
圖24是表示作為本發(fā)明的電子設備實施方式一例的彩色液晶投影機的圖式剖面圖。
具體實施例方式
以下，根據(jù)附圖來說明本發(fā)明的實施方式。以下的實施方式是將本發(fā)明的電光裝置應用于液晶裝置的方式。
第1實施方式首先，參照圖1至圖4來說明本發(fā)明的電光裝置的像素部的結構。圖1是在構成電光裝置中的圖像顯示區(qū)域的矩陣狀形成的多個像素中的各種元件、配線的等效電路。圖2是形成有數(shù)據(jù)線、掃描線、像素電極等的TFT陣列基板的相鄰接的多個像素組的平面圖。圖3是圖2的A-A’剖面圖，圖4是圖2的B-B’剖面圖。再有，在圖3和圖4中，為了將各層和各部件在圖面上設置為可識別程度的大小，對各層和各部件的每一個采用不同的比例尺。
在圖1中，在構成本實施方式的電光裝置的圖像顯示區(qū)域的矩陣狀形成的多個像素中，分別形成像素電極9a和用于對該像素電極9a進行開關控制的TFT30，將供給圖像信號的數(shù)據(jù)線6a電連接到該TFT30的源極。寫入數(shù)據(jù)線6a的圖像信號S1、S2、...、Sn可以依次按線順序地供給，也可以對于相鄰接的多個數(shù)據(jù)線6a之間，供給每個組。此外，將掃描線3a電連接到TFT30的柵極，構成為以規(guī)定的定時對掃描線3a依次線順序地施加脈沖掃描信號G1、G2、...、Gm。將像素電極9a電連接到TFT30的漏極，通過使作為開關元件的TFT30僅在一定時間關閉其開關，以規(guī)定的定時寫入從數(shù)據(jù)線6a供給的圖像信號S1、S2、...、Sn。通過像素電極9a寫入到作為電光學物質一例的液晶上的規(guī)定電平的圖像信號S1、S2、...、Sn在與對置基板(將后述)上形成的對置電極(將后述)之間保持一定時間。液晶通過因施加的電壓電平而變化分子集合的取向、次序等，對光進行調制，可以進行色調顯示。如果是常白模式，則按照在像素單位施加的電壓來減少對入射光的透過率，如果是常黑模式，則按照在各像素單位施加的電壓來增加對入射光的透過率，作為整體，從電光裝置射出具有對應于圖像信號的對比度的光。這里，為了防止保持的圖像信號漏泄，與在像素電極9a和對置電極之間形成的液晶電容并聯(lián)地附加存儲電容70。使存儲電容70形成在TFT30的漏極區(qū)域和電容線300之間。
在圖2中，在電光裝置的TFT陣列基板上，矩陣狀地設置多個透明的像素電極9a(通過虛線部9a’來表示其輪廓)，分別沿像素電極9a的縱橫邊界設置數(shù)據(jù)線6a和掃描線3a。
在半導體層1a中配置掃描線3a使得對置于圖中右上的細斜線區(qū)域所示的溝道區(qū)域1a′，掃描線3a具有作為柵電極的功能。特別是在本實施方式中，掃描線3a寬幅度地形成在成為該柵電極的部分中。這樣，分別在掃描線3a和數(shù)據(jù)線6a的交叉的部位，設置在溝道區(qū)域1a′中將掃描線3a作為柵電極相對配置的像素開關用TFT30。
如圖2和圖3所示，電容線300形成在掃描線3a上。電容線300包含平面地看沿掃描線3a條狀延伸的本線部、以及從掃描線3a和數(shù)據(jù)線6a的交點的該本線部沿數(shù)據(jù)線6a在圖2中上下突出的突出部。
電容線300，例如由包含金屬或合金的導電性的遮光膜構成，構成上側遮光膜的一例的同時具有作為固定電位側電容電極的功能。電容線300，例如由包含Ti(鈦)、Cr(鉻)、W(鎢)、Ta(鉭)、Mo(鉬)等高熔點金屬中的至少一種的，金屬單體、合金、金屬硅化物、聚硅化物、層積它們的物質等構成。電容線300也可以包含Al(鋁)、Ag(銀)、Au(金)、Cu(銅)等其他金屬?；蛘撸娙菥€300，例如也可以具有層積了導電性的多晶硅膜等構成的第1膜和由包含高熔點金屬的金屬硅化物膜等構成的第2膜的多層結構。
另一方面，相對于電容線300，通過電介質膜75相對配置的中繼層71具有作為存儲電容70的像素電位側電容電極的功能，而且，具有將像素電極9a和TFT30的高濃度漏極區(qū)域1e作為中繼連接的中間導電層的功能。
這樣，在本實施方式中，通過將連接到TFT30的高濃度漏極區(qū)域1e和像素電極9a的作為像素電位側電容電極的中繼層71、以及作為固定電位側電容電極的電容線300的一部分，以電介質膜75介于中間相對配置，從而構筑存儲電容70。
之后，通過將圖2中縱方向上分別伸展的數(shù)據(jù)線6a和圖2中橫方向上分別伸展的電容線300相交叉形成，在TFT陣列基板10上的TFT30的上側，構成平面地看格子狀的上側遮光膜，規(guī)定各像素的開口區(qū)域。
另一方面，在TFT陣列基板10上的TFT30的下側，格子狀地設置下側遮光膜11a。有關下側遮光膜11a，也與電容線300同樣，由各種金屬膜等形成。
特別在本實施方式中，電容線300，在這樣的格子狀的遮光區(qū)域中掃描線3a和數(shù)據(jù)線6a進行交叉的交叉區(qū)域中，具有在各像素的開口區(qū)域中規(guī)定切角的伸出部401。而且，對應于規(guī)定這樣的切角的伸出部401，下側遮光膜11a在該交叉區(qū)域中也具有規(guī)定各像素開口區(qū)域中切角的伸出部411。有關這樣的伸出部401和411的結構和作用效果，后面將參照圖4詳細論述。
另外在圖3中，在作為電容電極的中繼層71和電容線300之間配置的電介質膜75，例如由膜厚5～200nm左右的比較薄的HTO膜、LTO膜等的氧化硅膜、或氮化硅膜等構成。從增大存儲電容70的觀點來看，在可充分獲得膜的可靠性的限制中，電介質膜75越薄越好。
如圖2和圖3所示，像素電極9a，通過中繼層71進行中繼，經由接觸孔83和85被電連接到半導體層1a中高濃度漏極區(qū)域1e。這樣，如果將中繼層71用作中繼層，則即使層間距離例如增長到2000nm左右，也可以避免用一個接觸孔連接兩者間的技術上的困難性，并且可用直徑比較小的兩個以上的串聯(lián)的接觸孔對兩者間良好地進行連接，可提高像素開口率，還起到防止接觸孔開孔時的蝕刻穿透的作用。
另一方面，數(shù)據(jù)線6a，通過接觸孔81，例如電連接到由多晶硅膜構成的半導體層1a中高濃度源極區(qū)域1d。再有，也可以通過中繼層對數(shù)據(jù)線6a和高濃度源極區(qū)域1a進行中繼連接。
電容線300從配置有像素電極9a的圖像顯示區(qū)域向其周圍延伸設置，通過與恒定電位源電連接而設為固定電位。作為這樣的恒定電位源，可以是向將用于驅動TFT30的掃描信號供給掃描線3a的掃描線驅動電路(將后述)、控制將圖像信號供給數(shù)據(jù)線6a的采樣電路的數(shù)據(jù)線驅動電路(將后述)提供正電源、負電源的恒定電位源，也可以是向對置基板20的對置電極21提供的恒定電位。
特別是在本實施方式中，這樣構成的電容線300和下側遮光膜11a，通過接觸孔601被相互連接，下側遮光膜11a具有作為電容線300的冗余配線的功能。由此，可以實現(xiàn)電容線300的低電阻化，還可阻止電容線300的局部斷線、不良等造成裝置整體的不良化。有關這樣的接觸孔601的結構和作用效果，后面將參照圖4詳細論述。
此外，通過與電容線300連接，使下側遮光膜11a下降至固定電位。因此，還可避免下側遮光膜11a的電位變動對TFT30產生不良影響。
在圖2和圖3中，電光裝置具備透明的TFT陣列基板10、以及與其相對配置的透明的對置基板20。TFT陣列基板10，例如由石英基板、玻璃基板、硅基板構成，對置基板20，例如由玻璃基板、石英基板等構成。
如圖3所示，在TFT陣列基板10，設置像素電極9a，在其上側設置實施了摩擦處理等規(guī)定的取向(定向)處理的取向膜16。像素電極9a例如由ITO(Indium Tin Oxide；氧化銦錫)膜等透明導電性膜構成。而取向膜16例如由聚酰亞胺膜等有機膜構成。
另一方面，在對置基板20中，在遍及其整個面上設置對置電極21，在其下側設置實施了摩擦處理等規(guī)定的定向處理的取向膜22。對置電極21例如由ITO膜等透明導電性膜構成。而取向膜22由聚酰亞胺膜等有機膜構成。
在使這樣構成的像素電極9a和對置電極21面對配置的TFT陣列基板10和對置基板20之間，在由后述的密封材料包圍的空間中封入作為電光學物質一例的液晶，形成液晶層50。液晶層50，在不施加來自像素電極9a的電場的狀態(tài)下，由取向膜16和22取得規(guī)定的取向狀態(tài)。液晶層50，例如由混合了一種或多種向列式液晶的液晶構成。密封材料是用于使TFT陣列基板10和對置基板20在其周邊貼合在一起的，例如由光固化性樹脂、熱固化性樹脂等構成的粘結劑，混入有用于使兩基板間的距離成為固定值的玻璃纖維或玻璃小珠等間隔材料。
而且，在像素開關用TFT30的下面，設置有基底絕緣膜12?；捉^緣膜12除了從下側遮光膜11a對TFT30進行層間絕緣的功能以外，還具有通過形成在TFT陣列基板10的整個面上，防止TFT陣列基板10的表面研磨時的破裂、以及因清洗后殘留的污物等而改變像素開關用TFT30特性的功能。
在圖3中，像素開關用TFT30具有LDD(Lightly Doped Drain；輕摻雜漏極)結構，具備掃描線3a、由來自該掃描線3a的電場形成溝道的半導體層1a的溝道區(qū)域1a′、包含將掃描線3a與半導體層1a絕緣的柵絕緣膜的絕緣膜2、半導體層1a的低濃度源極區(qū)域1b和低濃度漏極區(qū)域1c、半導體層1a的高濃度源極區(qū)域1d以及高濃度漏極區(qū)域1e。
在掃描線3a上，形成有分別開孔了通向高濃度源極區(qū)域1d的接觸孔81和通向高濃度漏極區(qū)域1e的接觸孔83的第1層間絕緣膜41。
在第1層間絕緣膜41上形成中繼層71和電容線300，在它們之上，形成有分別開孔了接觸孔81和接觸孔85的第2層間絕緣膜42。
在第2層間絕緣膜42上形成數(shù)據(jù)線6a，在它們之上，形成有形成了通向中繼層71的接觸孔85的第3層間絕緣膜43。將像素電極9a設置在這樣構成的第3層間絕緣膜43的上面。
這里，參照圖4，說明電容線300的伸出部401和下側遮光膜11a的411及接觸孔601的結構。
在圖4中，伸出部401和伸出部411，通過接觸孔601被相互連接。而且，在接觸孔601內，與伸出部401相同由構成電容線300的上述遮光性的各種金屬材料等填充。因此，如圖2和圖4所示，溝道區(qū)域1a′和其相鄰區(qū)域，通過由遮光性材料填充的接觸孔601，構筑成被從側方四周包圍的結構。同時，溝道區(qū)域1a′和其相鄰區(qū)域，通過包含伸出部401的電容線300和包含伸出部411的遮光膜11a，構筑為被從上下包圍的結構。
根據(jù)以上參照圖1至圖4說明的本實施方式，溝道區(qū)域1a′和其相鄰區(qū)域(即圖2和圖3所示的低濃度源極區(qū)域1b及低濃度漏極區(qū)域1c)，從上側被作為上側遮光膜的電容線300和數(shù)據(jù)線6a覆蓋。因此，通過作為上側遮光膜的電容線300和數(shù)據(jù)線6a，可以提高對于來自垂直于TFT陣列基板10的方向的入射光的遮光。另一方面，溝道區(qū)域1a′和其相鄰區(qū)域從下側由下側遮光膜11a覆蓋。因此，通過下側遮光膜11a，可以提高對于TFT陣列基板10的里面反射光、將多個電光裝置用作光閥的多板式的投影機中的從其他電光裝置射出的穿過合成光學系統(tǒng)的光等的返回光的遮光。
這里，入射光包含對TFT陣列基板10從傾斜方向入射的斜射光。例如，存在包含10％左右入射角從垂直偏移至10度～15度的分量的情況。而且，這樣的斜射光被形成在TFT陣列基板10上的下側遮光膜11a的上面反射，在該電光裝置內，生成斜射的內面反射光。并且，這樣的斜射內面反射光被該電光裝置內的另一界面反射，生成斜射的多重反射光。特別是入射光與返回光相比強很多，基于這樣的入射光的斜射的內面反射光和多重反射光也是強的。此外，對于返回光來說，包含從傾斜方向入射的光，也產生基于該光的內面反射光和多重反射光。
可是，特別是在本實施方式中，電容線300，在交叉區(qū)域中具有在各像素的開口區(qū)域中規(guī)定切角的伸出部401(參照圖2)。同樣，下側遮光膜11a在交叉區(qū)域中具有在各像素開口區(qū)域中規(guī)定切角的伸出部411(參照圖2)。而且，溝道區(qū)域1a′被配置在交叉區(qū)域內的中央，從入射光通過或返回光入射的各像素的開口區(qū)域分離僅僅切角存在的程度。因此，因存在伸出部401和411，使對于溝道區(qū)域1a′和其相鄰區(qū)域的遮光性能得到極大提高。即，與不存在伸出部401和411的情況相比，可以有效地阻止傾斜行進的強的入射光、返回光等、進而基于它們的內面反射光和多重反射光等入射到溝道區(qū)域1a′和其相鄰區(qū)域。
而且，特別是本實施方式中，如圖2和圖4所示，溝道區(qū)域1a′和其相鄰區(qū)域，通過用遮光性材料填充的接觸孔601被從側方包圍。因此，通過由遮光性導電材料填充的接觸孔601，可顯著提高對從側方傾斜比較大地傾斜入射的入射光或返回光的遮光性能。
此時優(yōu)選地，上側伸出部401比下側伸出部411大一圈。由此，可以有效防止比普通返回光強大的入射光穿過上側伸出部401旁邊兒并由下側伸出部411的內面反射，發(fā)生內面反射光的情況。
此外，在本實施方式中，特別是通過將下側遮光膜11a用作電容線300的冗余配線，實現(xiàn)電容線300的低電阻化。
根據(jù)以上參照圖1至圖4說明的本實施方式，通過晶體管特性優(yōu)良的像素開關用TFT30，降低顯示不勻、閃爍等，實現(xiàn)可進行明亮高清晰或高質量的圖像顯示的電光裝置。
再有，如圖4所示，在本實施方式中，雖然接觸孔601由與作為上側遮光膜的電容線300相同的材料來填充，但也可以由其他遮光性的導電材料在接觸孔601內形成栓塞。
此外，在本實施方式中，如圖2所示，在開口區(qū)域的四角上分別設置有上下左右對稱的伸出部401和411。因此，各像素的開口區(qū)域的平面形狀，與不存在伸出部401和411的情況比較，接近圓形或多邊形。因此，對于TFT30，可以進行對四方采取平衡的遮光，可進行在各開口區(qū)域內降低漏光區(qū)域、工作不良區(qū)域的良好的圖像顯示。
特別是在將各開口區(qū)域的入射光主要聚光成圓形的微透鏡設置在該電光裝置的對置基板20一側或TFT陣列基板10一側時，按照與聚光的光形狀的關系，這樣對四角進行切角并使各像素的開口區(qū)域接近圓形的方式是有利的。更具體地說，如果設置微透鏡，則入射光通過微透鏡被導入到大致各像素的開口區(qū)域的中央。這里，因為由微透鏡適當聚光的有助于顯示的入射光被聚光，所以幾乎不到達伸出部401和411。因此，通過伸出部401和411，可以對沒有被微透鏡適當聚光的光分量進行遮光。特別是陣列狀相鄰接的微透鏡的邊界中相對交叉區(qū)域的部分在透鏡的性質上聚光特性差。因此，在交叉區(qū)域附近存在局部地使遮光區(qū)域增加的伸出部401和411，對通過聚光特性差的微透鏡部分的光進行遮光，換句話說，從隱藏聚光特性差的微透鏡部分的意義來看，也有重要意義。
但是，在本實施方式中，在各像素的開口區(qū)域的四角中，也可以對一個、兩個或三個角設置伸出部。而且，在本實施方式中，在四角中，也可以對一個、兩個或三個角設置接觸孔。即使是任何一種情況，與沒有設置任何伸出部或沒有設置任何接觸孔的情況比較，可以期待相應的遮光性能的提高。
特別地，也可以不這樣在所有四角上設置伸出部401和411，而在四角中液晶層50的定向不良相對大的一個或多個角上，設置伸出部401、伸出部411等。例如，也可以僅對于在液晶層50的定向不良按照取向膜16和22與摩擦方向的關系成為最顯著的角，設置這樣的伸出部401、伸出部411等。由此，可以抑制非開口區(qū)域過度地擴寬的同時通過隱藏液晶層50的定向不良，可以有效地提高對比度。
再有，例如在采用每行地以場單位使驅動電壓的極性反轉的1H反轉驅動方式、每列地以場單位使驅動電壓的極性反轉的1S反轉驅動方式等的反轉驅動方式的情況下，在屬于不同的像素電極組的相鄰接的像素電極(即施加相反極性的電位的相鄰接的像素電極)之間，產生橫電場。這樣的情況下，不在各像素的所有四角上設置伸出部401和411，而在交叉區(qū)域附近的產生橫電場的區(qū)域中設置伸出部，通過用這些伸出部進行遮光，也可以防止橫電場造成的不良影響表面化或明顯化。
在以上說明的實施方式中，如圖3和圖4所示，也可以在對置基板20一側，在各像素的開口區(qū)域以外的區(qū)域中格子狀或條狀地形成遮光膜23。通過采用這樣的結構，與上述那樣構成上側遮光膜的電容線300和數(shù)據(jù)線6a一同通過該對置基板20一側的遮光膜23，可以更可靠地阻止來自對置基板20一側的入射光侵入到溝道區(qū)域1a′和其相鄰區(qū)域。而且，對置基板側的遮光膜23，通過將至少被入射光照射的面用高反射的膜形成，具有防止電光裝置的溫度上升的作用。再有，這樣的對置基板20側的遮光膜，優(yōu)選地，平面地看形成在位于由電容線300和數(shù)據(jù)線6a構成的遮光層的內側。由此，通過對置基板20側的遮光膜，獲得這樣的遮光和防止溫度上升而不降低各像素的開口率的效果。
在以上說明的實施方式中，伸出部401和411形成在從數(shù)據(jù)線6a離開的平面區(qū)域中，存儲電容70也形成在重疊于數(shù)據(jù)線6a的平面區(qū)域中。因此，有效利用了數(shù)據(jù)線6a的下面，實現(xiàn)存儲電容70的增大。
在以上說明的實施方式中，通過在TFT陣列基板10中挖溝，或在基底絕緣膜12、第1層間絕緣膜41、第2層間絕緣膜42、第3層間絕緣膜43中挖溝，將數(shù)據(jù)線6a等配線、TFT30等埋入，對沿像素電極9a的基底面中的數(shù)據(jù)線6a、掃描線3a等的區(qū)域中產生的段差進行平坦化處理。或者，通過對第3層間絕緣膜43、第2層間絕緣膜42等的上面的段差用CMP(Chemical Mechanical Polishing；化學機械研磨)處理等進行研磨，或通過使用有機SOG(Spin On Glass)平坦地進行形成，也可以進行該平坦化處理。
再有，接觸孔601，例如以直徑1μm左右進行開孔就可以，所以通過存在其上側的第2層間絕緣膜42和第3層間絕緣膜43，使接觸孔601引起的段差在像素電極9a的基底面中幾乎沒有。
第2實施方式下面參照圖5和圖6來說明本發(fā)明的第2實施方式。這里，圖5是第2實施方式中形成有數(shù)據(jù)線、掃描線、像素電極等的TFT陣列基板的相鄰接的多個像素組的平面圖，圖6是圖5的B-B’剖面圖。再有，在圖6中，為了使各層、各部件等在圖面上達到可識別程度的大小，對各層和各部件的每一個比例尺有所不同。
第2實施方式與上述第1實施方式相比，設置貫通溝602，取代接觸孔601。其他結構與第1實施方式的情況相同。因此，在第2實施方式的圖5和圖6中，對于與圖1至圖4所示的第1實施方式情況相同的結構部件附以相同的參照標號，適當省略它們的說明。
在圖5和圖6中，第2實施方式的電光裝置，具有對應于伸出部401和411輪廓的三角形截面形狀的貫通溝602被挖掘至第1層間絕緣膜41和基底絕緣膜12。在其內部填充與作為上側遮光膜的電容線300相同的材料，將電容線300和下側遮光膜11a相互連接。特別是通過由該貫通溝602內填充的遮光性導電材料構成并且比接觸孔601寬度寬的壁，來構筑從側方的四周包圍溝道區(qū)域1a′和其相鄰區(qū)域的結構。
因此，根據(jù)第2實施方式，可通過貫通溝602良好地將電容線300和下側遮光膜11a相互電連接。而且，通過具有對應于伸出部401和411輪廓的三角形截面形狀的壁，可以將溝道區(qū)域1a′和其相鄰區(qū)域從其側方寬范圍地包圍。因此，與第1實施方式的情況相比，可進一步提高遮光性能。
再有，這樣的貫通溝602的截面形狀，例如可以是與伸出部401和411的輪廓大致相同或稍小一圈，或者也可以是稍大一圈。
再有，因為在貫通溝603的情況下，直徑也比接觸孔601大，例如以幾μm左右的寬度挖掘，所以貫通溝602造成的段差有出現(xiàn)在像素電極9a的基底面上的危險?？墒牵ㄟ^將成為貫通溝602的基底的下側遮光膜11a、基底絕緣膜12或基板10中的面對貫通溝602的區(qū)域隆起為凸部，可以緩和該貫通溝602的存在造成的段差。
第3實施方式下面參照圖7來說明本發(fā)明的第3實施方式。這里，圖7是第3實施方式的對應于圖2的B-B’截面的部位中的剖面圖。再有，在圖7中，為了使各層、各部件等在圖面上達到可識別程度的大小，對各層和各部件的每個比例尺有所不同。
第3實施方式與上述第1實施方式相比，設置將掃描線3a′連接到下側遮光膜11a′的接觸孔603，取代將電容線300連接到下側遮光膜11a的接觸孔601。而且，下側遮光膜11a′，其平面圖案不是格子狀，而構成為沿掃描線3a′的條狀。關于其他結構，與第1實施方式相同。因此，在第3實施方式的圖7中，對與圖1至圖4所示的第1實施方式情況相同的結構部件附以相同的參照標號，適當省略它們的說明。
在圖7中，第3實施方式的電光裝置具有接觸孔603從其四周包圍溝道區(qū)域1a′和其相鄰區(qū)域的結構。而且，接觸孔603被遮光性的導電材料堵塞。因此，通過接觸孔603內填充的遮光性的導電材料，可提高對于溝道區(qū)域1a′和其相鄰區(qū)域的遮光性能。
而且，沿掃描線3a′延長的條狀的下側遮光膜11a′，通過經由接觸孔603被連接，還具有作為掃描線3a′的冗余配線功能。因此，可實現(xiàn)掃描線3a′的低電阻化。
再有，與第1實施方式的掃描線3a比較，掃描線3a′優(yōu)選地，將其平面圖案中的具有作為柵電極功能的寬幅部分大一圈地形成。由此，可確保設置有接觸孔603的區(qū)域，可在四個角部沒有問題地配置接觸孔603。
在第3實施方式中，這樣的掃描線3a′除了像素開關用TFT30中的具有作為柵電極膜功能的部分以外，也可除去。即，在該情況下，盡管損失冗余結構，但通過由下側遮光膜11a′構成的掃描線，得到經由接觸孔603向柵電極膜供給掃描信號的結構。
另外，掃描線3a′或柵電極膜也可以由遮光性的導電材料構成。根據(jù)這樣的結構，即使不由遮光性的導電材料堵塞接觸孔603，簡單地通過在接觸孔603內形成遮光性的掃描線3a′或柵電極膜，也可獲得提高對來自上述側方的光的遮光性能的結構。
此外，在第3實施方式中，也可以采用上述第2實施方式的寬幅的貫通溝來取代接觸孔603。
第4實施方式下面，參照圖8至圖11說明本發(fā)明的第4實施方式。這里，圖8是形成有數(shù)據(jù)線、掃描線、像素電極的TFT陣列基板的相鄰的多個像素組的平面圖。圖9是圖8的A-A剖面圖。另外，圖10是提取比較例的像素電極后，表示其平面圖案的局部放大圖，圖11是提取實施方式的像素電極后，表示其平面圖案的局部放大圖，再有，在圖9中，為了使各層、各部件等達到在圖中可識別程度的大小，對各層和各部件的每個比例尺有所不同。
第4實施方式與上述第1實施方式相比，除了在各像素的開口區(qū)域中規(guī)定切角的伸出部401和伸出部411以外，還設置有伸出部402。而且，設置切角部403，以對應于伸出部402。沒有設置接觸孔601。其他結構與第1實施方式的情況相同。因此，在第4實施方式的圖8至圖11中，對與圖1至圖4所示的第1實施方式情況相同的結構部件附以相同的參照標號，并適當省略它們的說明。
在本實施方式中，特別是中繼層71具有伸出部402，使得對置于規(guī)定這樣的切角的伸出部401也形成電容。進而，有關這樣的伸出部401、402及411的結構及作用效果，后面將詳述。
電容線300與第1實施方式的情況同樣，被設為固定電位。對于下側遮光膜11a′為了避免其電位變動對TFT30產生不良影響，與電容線300同樣，最好從圖像顯示區(qū)域延伸到其周圍并連接到恒定電位源。
在本實施方式中，特別是像素電極9a的平面圖案不是單一的四邊形，而對應于各像素的開口區(qū)域的切角，具有四邊形的各角被去掉的形狀。即，在圖9中，具有切角部403，從而對應于電容線300的伸出部401和中繼層71的伸出部402。有關像素電極9a的這樣的結構及作用效果，后面將參照圖10及圖11進行詳述。
在本實施方式中，在對置基板20，在各像素的開口區(qū)域以外的區(qū)域中格子狀或條狀地形成遮光膜23。通過采用這樣的結構，如上所述，通過構成上側遮光膜的電容線300和數(shù)據(jù)線6a以及其遮光膜23，可以更可靠地阻止來自對置基板20側的入射光侵入溝道區(qū)域1a′和其相鄰區(qū)域。有關形成在這樣的對置基板20上的遮光膜23的平面圖案的各種變形方式，將參照圖14至圖21后述。此外，有關這樣的遮光膜23的材料，可以與電容線300同樣由各種金屬膜等形成，也可以由樹脂形成。
再有，在本實施方式中，雖然電容線300具有伸出部401并且下側遮光膜11a有伸出部411，但也可以僅有其中一方的伸出部。這種情況下，與沒有設置任何伸出部的情況比較，可提高遮光性能。
這里，參照圖10和圖11來說明像素電極9a的角被去掉的平面圖案的結構及作用效果。
在圖10所示的比較例中，像素電極9b具有四邊形的平面圖案。因此，在交叉區(qū)域和交叉區(qū)域以外的遮光區(qū)域中，上下左右相鄰接的像素電極9b間的間隙是一定的?？墒牵驗橄袼仉姌O9b通過對ITO膜等形成圖案而形成，所以多少會發(fā)生圖案形成時的抗蝕劑殘留引起的膜殘留。特別是在數(shù)據(jù)線6a和掃描線3a等進行交叉并產生大的段差的交叉區(qū)域中，與平坦的部位相比，形成圖案困難，容易產生這樣的膜殘留。因此，即使在交叉區(qū)域，也需要擴寬上下左右相鄰的像素電極9b間的固定間隙，直至膜殘留不引起短路的程度。
相反，在圖11所示的本實施方式中，像素電極9a具有包含切角部403的平面圖案。而且在限定避免膜殘留造成的短路時的間隙的交叉區(qū)域中，通過切角部403的存在，像素電極9a本身幾乎或完全不存在，所以不需要考慮該區(qū)域內的膜殘留。即，形成圖案時膜殘留本來就少，在交叉區(qū)域以外的遮光區(qū)域內，可縮小像素電極9a間的間隙，直至不發(fā)生膜殘留造成的短路的程度。因此，僅在以上程度，可以擴寬各像素的開口區(qū)域，即可以提高各像素的開口率，此時，還不損失裝置良品率或可靠性。此外，即使在推進像素間距的微細化方面也十分有利，可進行高分辨的圖像顯示。
此外，例如如果將像素電極9a間的間隙設為3μm，則即使采用1μm的位置精度的步式曝光裝置(ステッパ)，如果是具有圖11所示的切角部403的像素電極9a，仍可比較容易地以充分高的可靠性進行圖案形成。
于是，在本實施方式中，由于像素電極9a具有切角部403，所以可進行開口率高的明亮的圖像顯示。而且，因為對應于切角部403，設置具有遮光性能的伸出部401和伸出部411，所以即使在切角部403中產生光漏泄，也不降低對比度。
另一方面，根據(jù)本實施方式，因為存儲電容70也制作在規(guī)定這樣的切角的遮光區(qū)域內，所以可增大電容值，同時可高效率地避免使各像素的開口區(qū)域狹窄。同樣，對于TFT30的漏電極來說，也配置在規(guī)定切角的遮光區(qū)域內，也可以使各像素的開口區(qū)域不狹窄。
如以上參照圖8至圖11說明的那樣，根據(jù)本實施方式，通過晶體管特性優(yōu)良的像素開關用TFT30，可降低顯示不勻、閃爍等，可實現(xiàn)進行明亮高清晰或高質量的圖像顯示的電光裝置。
在以上說明的實施方式中，雖然使下側遮光膜11a在周邊區(qū)域下降至固定電位、成為浮置電位，但也可以將下側遮光膜11a在圖像顯示區(qū)域內連接到電容線300而下降到固定電位。這種情況下，可以使下側遮光膜11a具有作為電容線300的冗余配線的功能，可以實現(xiàn)電容線300的低電阻化。或者，也可以將下側遮光膜11a沿掃描線3a每一個像素地或每多個像素地與掃描細3a連接，并且以被每個掃描線3a分斷的大致條狀地形成下側遮光膜11a。這種情況下，可以使下側遮光膜11a具有作為掃描線3a的冗余配線的功能，可實現(xiàn)掃描線3a的低電阻化。此外，通過將下側遮光膜11a用作冗余配線，還可縮小沿電容線300或掃描線3a的遮光區(qū)域的寬度。
進而，在以上說明的實施方式中，雖然像素開關用TFT30優(yōu)選地具有圖9所示的LDD結構，但也可以是在低濃度源極區(qū)域1b和低濃度漏極區(qū)域1c中不進行雜質注入的偏移(ォフセット)結構，也可以是將由掃描線3a的一部分構成的柵電極作為掩模，以高濃度注入雜質，自匹配地形成高濃度源極區(qū)域和漏極區(qū)域的自調整(セルファラィン)式的TFT。
像素電極圖案的變形方式下面，參照圖12和圖13來說明上述第4實施方式中可采用的像素電極的平面圖案。圖12和圖13分別表示具有本實施方式可采用的平面圖案的像素電極，取代圖11所示的像素電極9a。再有，在圖12和圖13中，與圖1至圖11所示相同的結構部件附以相同的參照標號，并省略其說明。
即，如圖12所示，也可以像素電極9c在圖中具有位于下側的兩個角被去掉的切角部403。
或者，如圖13所示，也可以像素電極9d在圖中具有位于上側的兩個角被去掉的切角部403。
即使是圖12或圖13所示的變形方式，也如上所述，因為可以減少在交叉區(qū)域形成圖案時的殘留膜，所以可以有效地縮小像素電極9a間的間隙。由此，僅在該程度，可以擴寬各像素的開口區(qū)域，即提高各像素的開口率，此時，還不損失裝置良品率或可靠性。
進而，例如每行地以場單位使驅動電壓的極性反轉的1H反轉驅動方式時，在圖12、圖13中，在縱向相鄰的像素電極9c間或縱向相鄰的像素電極9d間產生橫電場。另外例如每列地以場單位使驅動電壓的極性反轉的1S反轉驅動方式的情況下，在圖12、圖13中，在橫向相鄰的像素電極9c間或縱向相鄰的像素電極9d間產生橫電場。而且，這樣的橫電場造成的液晶層50的定向不良，在各像素內的整個區(qū)域中均等發(fā)生的情況非常少，與面對取向膜16和22的摩擦方向相對應容易在某一角上發(fā)生。因此，對于成為這樣的定向不良的原因的橫電場發(fā)生的像素電極間，為了減弱該橫電場，也可以如圖12或圖13所示，選擇性地設置切角部403。更具體地說，在各像素內，在產生定向不良的角中，形成切角的結構就可以。其結果，可按高對比度進行明亮的高質量的圖像顯示。
再有，也可以設置上述伸出部401、伸出部411等，以對應于設置這樣的切角部403的角?；蛘撸部梢栽跊]有設置切角部403的角中，也設置上述伸出部401、伸出部411等。
對置基板上的遮光膜圖案的變形方式下面，參照圖14至圖21來說明上述第4實施方式等中可采用的對置基板20上的遮光膜23的平面圖案。圖14至圖21分別是表示實施方式中可采用的對置基板20一側的遮光膜23的平面圖案的變形方式的局部平面圖。再有，在圖14至圖21中，與圖1至圖11所示相同的結構部件附以相同標號，并省略其說明。
在上述實施方式中，對置基板20上的遮光膜23是格子狀或條狀，與由電容線300和數(shù)據(jù)線6a構成的上側遮光膜相比，平面形狀小一圈，而不規(guī)定各像素的非開口區(qū)域。即，對于這樣的上側遮光膜，是輔助的遮光膜，主要被設置用于抗熱對策。與此相反，在圖14至圖17的變形方式中，對置基板20上的遮光膜23a～23d，被形成得至少比這樣的上側遮光膜局部地大一圈，被構成為至少部分地規(guī)定各像素的非開口區(qū)域。而且，在它們的任何一個變形方式中，都在與伸出部401相對的區(qū)域中設置有遮光膜。
即，在圖14的變形方式中，遮光膜23a，在存在上側遮光膜(即電容線300和數(shù)據(jù)線6a)的遮光區(qū)域中，僅在交叉區(qū)域中被島狀地設置在對置基板20上。如果使用這樣的遮光膜23a，則對于像素開關用TFT30，可極大地提高交叉區(qū)域附近的遮光性能。此外，可以規(guī)定交叉區(qū)域中的各像素的非開口區(qū)域。
在圖15的變形方式中，遮光膜23b，在存在上側遮光膜的遮光區(qū)域中，僅在交叉區(qū)域和沿掃描線3a的區(qū)域中，大致橫條狀地設置在對置基板20上。如果使用這樣的遮光膜23b，則對于像素開關用TFT30，可極大地提高交叉區(qū)域附近和沿掃描線3a的區(qū)域中的遮光性能。此外，可規(guī)定交叉區(qū)域和沿掃描線3a的區(qū)域中的各像素的非開口區(qū)域。
在圖16的變形方式中，遮光膜23c，在存在上側遮光膜的遮光區(qū)域中，僅在交叉區(qū)域和沿數(shù)據(jù)線6a的區(qū)域中，大致縱條狀地設置在對置基板20上。如果使用這樣的遮光膜23c，則對于像素開關用TFT30，可極大地提高交叉區(qū)域附近和沿數(shù)據(jù)線6a的區(qū)域中的遮光性能。此外，可規(guī)定交叉區(qū)域和沿數(shù)據(jù)線6a的區(qū)域中的各像素的非開口區(qū)域。
在圖17的變形方式中，遮光膜23d，在存在上側遮光膜的區(qū)域中，大致格子狀地設置在對置基板20上。如果使用這樣的遮光膜23d′則對于像素開關用TFT30，可極大地提高格子狀的非開口區(qū)域整體的遮光性能。此外，可規(guī)定該格子狀的非開口區(qū)域。
如以上那樣，在圖14至圖17的變形方式中，通過對置基板20上的遮光膜23a～23d，至少部分地規(guī)定格子狀的非開口區(qū)域。與此相反，在圖18至圖21的變形方式中，對置基板20上的遮光膜23a′～23d′被形成得比這樣的上側遮光膜還小一圈，被構成為不規(guī)定非開口區(qū)域。而且，在它們的任何一個變形方式中，在與伸出部40相對的區(qū)域中，都設置有比其小一圈的遮光膜。
即，在圖18的變形方式中，遮光膜23a′，在上側遮光膜(即電容線300和數(shù)據(jù)線6a)存在的遮光區(qū)域中，僅在交叉區(qū)域中被島狀地設置在對置基板20上。如果使用這樣的遮光膜23a′，則對于像素開關用TFT30，可極大地提高交叉區(qū)域附近的遮光性能。而且，因為遮光膜23a′比伸出部401小一圈地形成，所以可以有效地避免因制造時的TFT陣列基板10和對置基板10的機械性的組裝偏差造成遮光膜23a′使開口區(qū)域變窄的情況。
在圖19的變形方式中，遮光膜23b′，在上側遮光膜存在的遮光區(qū)域中，僅在交叉區(qū)域和沿掃描線3a的區(qū)域中大致橫條狀地設置在對置基板20上。如果使用這樣的遮光膜23b′，則對于像素開關用TFT30，可極大地提高交叉區(qū)域附近和沿掃描線3a的區(qū)域中的遮光性能。而且，因為遮光膜23b′比伸出部401和電容線300還小一圈地形成，所以可以有效地避免因制造時的TFT陣列基板10和對置基板10的機械性的組裝偏差造成遮光膜23b′使開口區(qū)域變窄的情況。
在圖20的變形方式中，遮光膜23c′，在上側遮光膜存在的遮光區(qū)域中，僅在交叉區(qū)域和沿數(shù)據(jù)線6a的區(qū)域中大致縱條狀地設置在對置基板20上。如果使用這樣的遮光膜23c′，則對于像素開關用TFT30，可極大地提高交叉區(qū)域附近和沿數(shù)據(jù)線6a的區(qū)域的遮光性能。而且，因為遮光膜23c′比伸出部401和數(shù)據(jù)線6a還小一圈地形成，所以可以有效地避免因制造時的TFT陣列基板10和對置基板10的機械性的組裝偏差造成遮光膜23c′使開口區(qū)域變窄的情況。
在圖21的變形方式中，遮光膜23d′在上側遮光膜存在的區(qū)域中，大致被格子狀地設置在對置基板20上。如果使用這樣的遮光膜23d′，則對于像素開關用TFT30，可極大地提高格子狀的非開口區(qū)域整體的遮光性能。而且，因為遮光膜23d′比伸出部401和電容線300及數(shù)據(jù)線6a還小一圈地形成，所以可以有效地避免因制造時的TFT陣列基板10和對置基板10的機械性的組裝偏差造成遮光膜23d′使開口區(qū)域變窄的情況。
如以上參照圖14至圖21說明的那樣，在本實施方式中，關于電容線300、中繼層71和下側遮光膜11a的伸出部、像素電極9a的切角部等，可采用各種方式，可以進行它們的多種多樣的組合。之后關于采用任何一種組合，鑒于實際的裝置規(guī)格，實驗性地或經驗性地確定最好的組合，并采用該組合。
電光裝置的整體結構下面參照圖22和圖23來說明如上那樣構成的各實施方式中的電光裝置的整體結構。再有，圖22是從對置基板20一側觀察TFT陣列基板10連同在其上形成的各構成要件的平面圖，圖23是圖22的H-H’剖面圖。
在圖22中，在TFT陣列基板10之上，沿其邊緣設置有密封材料52，在其內側并行，設置有作為規(guī)定圖像顯示區(qū)域10a周邊的框的遮光膜53。在密封材料52外側的區(qū)域中，沿TFT陣列基板10的一邊設置通過以規(guī)定的定時向數(shù)據(jù)線6a提供圖像信號驅動數(shù)據(jù)線6a的數(shù)據(jù)線驅動電路101和外部電路連接端子102，沿相鄰于這一邊的兩邊設置通過以規(guī)定的定時向掃描線3a供給掃描信號來驅動掃描線3a的掃描線驅動電路104。如果供給到掃描線3a的掃描信號延遲沒有成為問題，則不用說，掃描線驅動電路104僅在單側也可以。此外，也可以沿圖像顯示區(qū)域10a的邊兩側地排列數(shù)據(jù)線驅動電路101。而且，在TFT陣列基板10的剩余一邊，設置用于將設置于圖像顯示區(qū)域10a兩側的掃描線驅動電路104之間連接的多個配線105。此外，在對置基板20的角部的至少一個部位，設置用于在TFT陣列基板10和對置基板20之間獲得電導通的導通材料106。然后，如圖23所示，具有與圖22所示密封材料52大致相同輪廓的對置基板20通過該密封材料52被固定在TFT陣列基板10上。
再有，在TFT陣列基板10上，除了這些數(shù)據(jù)線驅動電路101、掃描線驅動電路104等以外，還可以形成以規(guī)定的定時向多個數(shù)據(jù)線6a施加圖像信號的采樣電路、在圖像信號之前向多個數(shù)據(jù)線6a分別供給規(guī)定電壓水平的預充電信號的預充電電路、用于檢查制造中途、出廠等時的該電光裝置的質量、缺陷等的檢查電路等。
在以上參照圖1至圖23說明的實施方式中，例如也可以在安裝于TAB(Tape Automated bonding；帶式自動鍵合)基板上的驅動用LSI中，通過設置于TFT陣列基板10周邊部的各向異性導電膜來進行電氣和機械連接，取代將數(shù)據(jù)線驅動電路101和掃描線驅動電路104設置在TFT陣列基板10上。此外，在對置基板20的投射光入射的一側和TFT陣列基板10的射出光射出的一側，例如分別對應于TN(Twisted Nematic；扭轉向列)模式、STN(Super Twisted Nematic；超扭轉向列)模式、VA(VerticallyAligned；垂直對準)模式、PDLC(Polymer Dispersed Liquid Crystal)模式、常白模式/常黑模式的區(qū)別，將偏振膜、相位差膜、偏振板等按規(guī)定的方向配置。
以上說明的實施方式的電光裝置，為了應用于投影機，將三枚電光裝置分別用作RGB用的光閥，在各光閥中，通過各個RGB色分解用的分色鏡分解的各色光作為投射光被分別入射。因此，在各實施方式中，在對置基板20上不設置彩色濾光器。但是，在與像素電極9a相對的規(guī)定區(qū)域中也可以將RGB的彩色濾光器和其保護膜一起形成在對置基板20上。這樣的話，對于投影機以外的直視型、反射型等的彩色電光裝置，可應用各實施方式的電光裝置。或者，也可以在TFT陣列基板10上的RGB相對的像素電極9a下由彩色抗蝕劑等形成彩色濾光器層。這樣的話，通過提高入射光的聚光效率，可實現(xiàn)明亮的電光裝置。而且，也可以在對置基板20上，通過堆積幾層折射率不同的干涉層，利用光的干涉，形成產生RGB色的分色濾光器。利用帶有該分色濾光器的對置基板，可實現(xiàn)更明亮的彩色電光裝置。
電子設備的實施方式下面，對于作為將以上詳細說明的電光裝置用作光閥的電子設備一例的投射型彩色顯示裝置的實施方式，說明其整體結構，特別是光學的結構。這里，圖24是投射型彩色顯示裝置的圖示剖面圖。
在圖24中，作為本實施方式中投射型彩色顯示裝置一例的液晶投影機1100，準備三個包含將驅動電路裝載在TFT陣列基板上的液晶裝置100的液晶模塊，將它們分別用作RGB的光閥100R、100G和100B的投影機來構成。在液晶投影機1100中，如果從金屬鹵化物燈等白色光源的燈單元1102發(fā)射投射光，則通過三枚反射鏡1106和兩枚分色鏡1108，分成對應于RGB三基色的光分量R、G、B，被分別導入對應于各色的光閥100R、100G和100B。此時，特別是B光通過由入射透鏡1122、中繼透鏡1123和射出透鏡1124構成的中繼透鏡系統(tǒng)1121來導入，以便防止長光路造成的光損失。然后，與由光閥100R、100G和100B分別調制的對應三基色的光分量由分色棱鏡1112再次合成后，通過投射透鏡1114作為彩色圖像投射到屏幕1120上。
本發(fā)明不限于上述實施方式，在不違反從權利要求和說明書整體獲得的本發(fā)明的主要精神和思想的范圍中，可進行適當變更，伴隨這樣的變更的電光裝置和電子設備也包含在本發(fā)明的技術范圍中。
包含2002年5月17日申請的日本專利申請?zhí)?002-889521及2002-889522的說明書、專利要求書、附圖、及摘要的所有公開內容以完全的方式包含在本說明書中以供參考。
權利要求
1.一種電光裝置，其特征在于，在基板上具備像素電極；對該像素電極進行開關控制的薄膜晶體管；將圖像信號供給該薄膜晶體管的數(shù)據(jù)線；將掃描信號供給該薄膜晶體管的同時與所述數(shù)據(jù)線進行交叉的掃描線；從上側覆蓋構成所述薄膜晶體管的半導體層的至少溝道區(qū)域及其相鄰區(qū)域的上側遮光膜；以及從下側覆蓋所述至少溝道區(qū)域及其相鄰區(qū)域的下側遮光膜；其中，所述上側遮光膜和所述下側遮光膜分別在所述數(shù)據(jù)線和所述掃描線相交叉的交叉區(qū)域中具有伸出來的伸出部，從而在對應于所述像素電極的各個像素的開口區(qū)域中規(guī)定切角；所述溝道區(qū)域被配置在所述交叉區(qū)域內；所述上側遮光膜和所述下側遮光膜，互相地，在所述伸出部中通過遮光性的導電材料或直接進行連接。
2.根據(jù)權利要求1所述的電光裝置，其特征在于，所述上側遮光膜和所述下側遮光膜通過接觸孔相互連接；在該接觸孔內，形成所述上側遮光膜或者由所述導電材料形成栓塞。
3.根據(jù)權利要求1所述的電光裝置，其特征在于，所述上側遮光膜和所述下側遮光膜通過對應于所述伸出部的輪廓的截面形狀的貫通溝相互連接，在該貫通溝內，由所述上側遮光膜或所述導電材料形成從側方與所述溝道區(qū)域相對的壁。
4.根據(jù)權利要求1所述的電光裝置，其特征在于，對于所述交叉區(qū)域的各個區(qū)域，在其四個角部都設置有所述伸出部；在該四個角部的各個角部中，所述上側遮光膜和所述下側遮光膜相互連接。
5.一種電光裝置，其特征在于，在基板上具備像素電極；對該像素電極進行開關控制的薄膜晶體管；將圖像信號供給該薄膜晶體管的數(shù)據(jù)線；將掃描信號供給該薄膜晶體管的同時與所述數(shù)據(jù)線進行交叉的掃描線；從上側覆蓋構成所述薄膜晶體管的半導體層的至少溝道區(qū)域及其相鄰區(qū)域的上側遮光膜；以及從下側覆蓋所述至少溝道區(qū)域及其相鄰區(qū)域的下側遮光膜；其中，所述上側遮光膜和所述下側遮光膜分別在所述數(shù)據(jù)線和所述掃描線相交叉的交叉區(qū)域中具有伸出來的伸出部，從而在對應于所述像素電極的各個像素的開口區(qū)域中規(guī)定切角；所述溝道區(qū)域被配置在所述交叉區(qū)域內；所述掃描線由所述下側遮光膜構成；所述下側遮光膜在所述伸出部中通過遮光性的導電材料連接到所述薄膜晶體管的柵極電極膜或直接連接到所述薄膜晶體管的柵極電極膜。
6.根據(jù)權利要求5所述的電光裝置，其特征在于，所述上側遮光膜和所述柵極電極膜通過接觸孔相互連接；在該接觸孔內，形成所述柵極電極膜或者由所述遮光性的導電材料形成栓塞。
7.根據(jù)權利要求5所述的電光裝置，其特征在于，所述下側遮光膜和所述柵極電極膜通過對應于所述伸出部的輪廓的截面形狀的貫通溝相互連接，在該貫通溝內，由所述柵極電極膜或者所述遮光性的導電材料形成從側方與所述溝道區(qū)域相對的壁。
8.根據(jù)權利要求5所述的電光裝置，其特征在于，對于所述交叉區(qū)域的各個區(qū)域，在其四個角部都設置有所述伸出部；在該四個角部的各個角部中，所述下側遮光膜和所述柵極電極膜相互連接。
9.根據(jù)權利要求5所述的電光裝置，其特征在于，所述柵極電極膜沿所述掃描線延長的同時，由形成所述掃描線的冗余配線的另一掃描線的一部分構成。
10.根據(jù)權利要求1所述的電光裝置，其特征在于，所述溝道區(qū)域被配置在所述交叉區(qū)域的中央。
11.根據(jù)權利要求5所述的電光裝置，其特征在于，所述溝道區(qū)域被配置在所述交叉區(qū)域的中央。
12.根據(jù)權利要求1所述的電光裝置，其特征在于，進一步具備電氣連接到所述像素電極的存儲電容；所述上側遮光膜兼作構成所述存儲電容的固定電位側電容電極或包含該固定電位側電容電極的電容線。
13.根據(jù)權利要求5所述的電光裝置，其特征在于，進一步具備電氣連接到所述像素電極的存儲電容；所述上側遮光膜兼作構成所述存儲電容的固定電位側電容電極或包含該固定電位側電容電極的電容線。
14.根據(jù)權利要求12所述的電光裝置，其特征在于，所述伸出部形成在從所述數(shù)據(jù)線離開的平面區(qū)域；所述存儲電容也形成在與所述數(shù)據(jù)線重疊的平面區(qū)域。
15.根據(jù)權利要求13所述的電光裝置，其特征在于，所述伸出部形成在從所述數(shù)據(jù)線離開的平面區(qū)域；所述存儲電容也形成在與所述數(shù)據(jù)線重疊的平面區(qū)域。
16.根據(jù)權利要求1所述的電光裝置，其特征在于，所述上側遮光膜的伸出部比所述下側遮光膜的伸出部大一圈。
17.根據(jù)權利要求5所述的電光裝置，其特征在于，所述上側遮光膜的伸出部比所述下側遮光膜的伸出部大一圈。
18.一種電光裝置，其特征在于，在基板上具備像素電極；對該像素電極進行開關控制的薄膜晶體管；將圖像信號供給該薄膜晶體管的數(shù)據(jù)線；將掃描信號供給該薄膜晶體管的同時與所述數(shù)據(jù)線進行交叉的掃描線；以及從上側覆蓋構成所述薄膜晶體管的半導體層的至少溝道區(qū)域及其相鄰區(qū)域，同時至少部分地規(guī)定沿所述數(shù)據(jù)線和所述掃描線的格子狀的遮光區(qū)域的上側遮光膜；其中，所述上側遮光膜在所述數(shù)據(jù)線和所述掃描線相交叉的交叉區(qū)域中具有伸出來的伸出部，從而在對應于所述像素電極的各個像素的開口區(qū)域中規(guī)定切角；所述溝道區(qū)域被配置在所述交叉區(qū)域內。
19.根據(jù)權利要求18所述的電光裝置，其特征在于，所述像素電極對應于所述切角具有失去角部的平面形狀。
20.根據(jù)權利要求18所述的電光裝置，其特征在于，所述溝道區(qū)域被配置在所述交叉區(qū)域的中央。
21.根據(jù)權利要求18所述的電光裝置，其特征在于，進一步具備電氣連接到所述像素電極的存儲電容；所述上側遮光膜兼作構成所述存儲電容的固定電位側電容電極或者包含該固定電位側電容電極的電容線。
22.根據(jù)權利要求18所述的電光裝置，其特征在于，進一步具備電氣連接到所述像素電極的存儲電容；所述存儲電容形成在所述遮光區(qū)域內，還形成在與所述伸出部重疊的區(qū)域。
23.根據(jù)權利要求18所述的電光裝置，其特征在于，進一步具備從下側覆蓋所述至少溝道區(qū)域及其相鄰區(qū)域的同時至少部分地規(guī)定所述格子狀的遮光區(qū)域的下側遮光膜。
24.根據(jù)權利要求23所述的電光裝置，其特征在于，所述下側遮光膜在所述交叉區(qū)域中具有伸出來的伸出部，從而規(guī)定所述切角。
25.根據(jù)權利要求24所述的電光裝置，其特征在于，所述下側遮光膜的平面形狀，與所述上側遮光膜的平面形狀相比，在所述交叉區(qū)域中小一圈。
26.一種電光裝置，其特征在于，在基板上具備像素電極；對該像素電極進行開關控制的薄膜晶體管；將圖像信號供給該薄膜晶體管的數(shù)據(jù)線；將掃描信號供給該薄膜晶體管的同時與所述數(shù)據(jù)線進行交叉的掃描線；以及從下側覆蓋構成所述薄膜晶體管的半導體層的至少溝道區(qū)域及其相鄰區(qū)域，同時至少部分地規(guī)定沿所述數(shù)據(jù)線和所述掃描線的格子狀的遮光區(qū)域的下側遮光膜；其中，所述下側遮光膜在所述數(shù)據(jù)線和所述掃描線相交叉的交叉區(qū)域中具有伸出來的伸出部，從而在對應于所述像素電極的各個像素的開口區(qū)域中規(guī)定切角；所述溝道區(qū)域被配置在所述交叉區(qū)域內。
27.根據(jù)權利要求26所述的電光裝置，其特征在于，所述下側遮光膜由遮光性的導電膜構成的同時與所述掃描線多處連接并且沿所述掃描線延長，具有作為所述掃描線的冗余配線的功能。
28.根據(jù)權利要求1所述的電光裝置，其特征在于，進一步具備，通過電光學物質層，與所述基板相對配置的對置基板；所述開口區(qū)域的四角中，至少在所述電光學物質層的工作不良相對大的一個或多個角中，設置有所述伸出部。
29.根據(jù)權利要求5所述的電光裝置，其特征在于，進一步具備，通過電光學物質層，與所述基板相對配置的對置基板；所述開口區(qū)域的四角中，至少在所述電光學物質層的工作不良相對大的一個或多個角中，設置有所述伸出部。
30.根據(jù)權利要求18所述的電光裝置，其特征在于，進一步具備，通過電光學物質層，與所述基板相對配置的對置基板；所述開口區(qū)域的四角中，至少在所述電光學物質層的工作不良相對大的一個或多個角中，設置有所述伸出部。
31.根據(jù)權利要求26所述的電光裝置，其特征在于，進一步具備，通過電光學物質層，與所述基板相對配置的對置基板；所述開口區(qū)域的四角中，至少在所述電光學物質層的工作不良相對大的一個或多個角中，設置有所述伸出部。
32.根據(jù)權利要求1所述的電光裝置，其特征在于，所述像素電極包含在第1周期用于反轉驅動的第1像素電極組和在與該第1周期互補的第2周期用于反轉驅動的第2像素電極組的同時被平面排列在所述第1基板上；所述伸出部，被設置在以所述交叉區(qū)域的中央為基準位于所述第1像素電極組一側的兩個角，或位于所述第2像素電極組一側的兩個角上。
33.根據(jù)權利要求5所述的電光裝置，其特征在于，所述像素電極包含在第1周期用于反轉驅動的第1像素電極組和在與該第1周期互補的第2周期用于反轉驅動的第2像素電極組的同時被平面排列在所述第1基板上；所述伸出部，被設置在以所述交叉區(qū)域的中央為基準位于所述第1像素電極組一側的兩個角，或位于所述第2像素電極組一側的兩個角上。
34.根據(jù)權利要求18所述的電光裝置，其特征在于，所述像素電極包含在第1周期用于反轉驅動的第1像素電極組和在與該第1周期互補的第2周期用于反轉驅動的第2像素電極組的同時被平面排列在所述第1基板上；所述伸出部，被設置在以所述交叉區(qū)域的中央為基準位于所述第1像素電極組一側的兩個角，或位于所述第2像素電極組一側的兩個角上。
35.根據(jù)權利要求26所述的電光裝置，其特征在于，所述像素電極包含在第1周期用于反轉驅動的第1像素電極組和在與該第1周期互補的第2周期用于反轉驅動的第2像素電極組的同時被平面排列在所述第1基板上；所述伸出部，被設置在以所述交叉區(qū)域的中央為基準位于所述第1像素電極組一側的兩個角，或位于所述第2像素電極組一側的兩個角上。
36.根據(jù)權利要求1所述的電光裝置，其特征在于，在所述開口區(qū)域的四個角上分別設置有上下左右對稱的伸出部。
37.根據(jù)權利要求5所述的電光裝置，其特征在于，在所述開口區(qū)域的四個角上分別設置有上下左右對稱的伸出部。
38.根據(jù)權利要求18所述的電光裝置，其特征在于，在所述開口區(qū)域的四個角上分別設置有上下左右對稱的伸出部。
39.根據(jù)權利要求26所述的電光裝置，其特征在于，在所述開口區(qū)域的四個角上分別設置有上下左右對稱的伸出部。
40.根據(jù)權利要求1所述的電光裝置，其特征在于，在所述基板或與所述基板相對配置的對置基板上，進一步具備與所述像素電極相對配置的微透鏡。
41.根據(jù)權利要求5所述的電光裝置，其特征在于，在所述基板或與所述基板相對配置的對置基板上，進一步具備與所述像素電極相對配置的微透鏡。
42.根據(jù)權利要求18所述的電光裝置，其特征在于，在所述基板或與所述基板相對配置的對置基板上，進一步具備與所述像素電極相對配置的微透鏡。
43.根據(jù)權利要求26所述的電光裝置，其特征在于，在所述基板或與所述基板相對配置的對置基板上，進一步具備與所述像素電極相對配置的微透鏡。
44.根據(jù)權利要求1所述的電光裝置，其特征在于，所述上側遮光膜至少部分地規(guī)定沿所述數(shù)據(jù)線和所述掃描線的格子狀的遮光區(qū)域。
45.根據(jù)權利要求5所述的電光裝置，其特征在于，所述上側遮光膜至少部分地規(guī)定沿所述數(shù)據(jù)線和所述掃描線的格子狀的遮光區(qū)域。
46.根據(jù)權利要求18所述的電光裝置，其特征在于，在平面地看重疊于所述伸出部的區(qū)域中，配置有所述薄膜晶體管的漏極電極。
47.根據(jù)權利要求26所述的電光裝置，其特征在于，在平面地看重疊于所述伸出部的區(qū)域中，配置有所述薄膜晶體管的漏極電極。
48.一種電子設備，其特征在于，具備電光裝置，該電光裝置，在基板上具備像素電極；對該像素電極進行開關控制的薄膜晶體管；將圖像信號供給該薄膜晶體管的數(shù)據(jù)線；將掃描信號供給該薄膜晶體管的同時與所述數(shù)據(jù)線進行交叉的掃描線；從上側覆蓋構成所述薄膜晶體管的半導體層的至少溝道區(qū)域及其相鄰區(qū)域的上側遮光膜；以及從下側覆蓋所述至少溝道區(qū)域及其相鄰區(qū)域的下側遮光膜；其中，所述上側遮光膜和所述下側遮光膜分別在所述數(shù)據(jù)線和所述掃描線相交叉的交叉區(qū)域中具有伸出來的伸出部，從而在對應于所述像素電極的各個像素的開口區(qū)域中規(guī)定切角；所述溝道區(qū)域被配置在所述交叉區(qū)域內；所述上側遮光膜和所述下側遮光膜，互相地，在所述伸出部中通過遮光性的導電材料或直接進行連接。
49.一種電子設備，其特征在于，具備電光裝置，該電光裝置，在基板上具備像素電極；對該像素電極進行開關控制的薄膜晶體管；將圖像信號供給該薄膜晶體管的數(shù)據(jù)線；將掃描信號供給該薄膜晶體管的同時與所述數(shù)據(jù)線進行交叉的掃描線；從上側覆蓋構成所述薄膜晶體管的半導體層的至少溝道區(qū)域及其相鄰區(qū)域的上側遮光膜；以及從下側覆蓋所述至少溝道區(qū)域及其相鄰區(qū)域的下側遮光膜；其中，所述上側遮光膜和所述下側遮光膜分別在所述數(shù)據(jù)線和所述掃描線相交叉的交叉區(qū)域中具有伸出來的伸出部，從而在對應于所述像素電極的各個像素的開口區(qū)域中規(guī)定切角；所述溝道區(qū)域被配置在所述交叉區(qū)域內；所述掃描線由所述下側遮光膜構成；所述下側遮光膜在所述伸出部中通過遮光性的導電材料連接到所述薄膜晶體管的柵極電極膜或者直接連接到所述薄膜晶體管的柵極電極膜。
50.一種電子設備，其特征在于，具備電光裝置，該電光裝置，在基板上具備像素電極；對該像素電極進行開關控制的薄膜晶體管；將圖像信號供給該薄膜晶體管的數(shù)據(jù)線；將掃描信號供給該薄膜晶體管的同時與所述數(shù)據(jù)線進行交叉的掃描線；以及從上側覆蓋構成所述薄膜晶體管的半導體層的至少溝道區(qū)域及其相鄰區(qū)域，同時至少部分地規(guī)定沿所述數(shù)據(jù)線和所述掃描線的格子狀的遮光區(qū)域的上側遮光膜；其中，所述上側遮光膜在所述數(shù)據(jù)線和所述掃描線相交叉的交叉區(qū)域中具有伸出來的伸出部，從而在對應于所述像素電極的各個像素的開口區(qū)域中規(guī)定切角；所述溝道區(qū)域被配置在所述交叉區(qū)域內。
51.一種電子設備，其特征在于，具備電光裝置，該電光裝置，在基板上具備像素電極；對該像素電極進行開關控制的薄膜晶體管；將圖像信號供給該薄膜晶體管的數(shù)據(jù)線；將掃描信號供給該薄膜晶體管，同時與所述數(shù)據(jù)線進行交叉的掃描線；以及從下側覆蓋構成所述薄膜晶體管的半導體層的至少溝道區(qū)域及其相鄰區(qū)域，同時至少部分地規(guī)定沿所述數(shù)據(jù)線和所述掃描線的格子狀的遮光區(qū)域的下側遮光膜；其中，所述下側遮光膜在所述數(shù)據(jù)線和所述掃描線相交叉的交叉區(qū)域中具有伸出來的伸出部，從而在對應于所述像素電極的各個像素的開口區(qū)域中規(guī)定切角；所述溝道區(qū)域被配置在所述交叉區(qū)域內。
全文摘要
一種電光裝置，在基板上(above)具備像素電極；與其連接的薄膜晶體管；從上側覆蓋該薄膜晶體管的至少溝道區(qū)域的上側遮光膜；以及從下側覆蓋該薄膜晶體管的至少溝道區(qū)域的下側遮光膜。上側遮光膜和下側遮光膜分別在數(shù)據(jù)線和掃描線相交叉的交叉區(qū)域中，具有在各個像素的開口區(qū)域中規(guī)定切角的伸出部。兩伸出部通過接觸孔相互連接。薄膜晶體管的溝道區(qū)域被配置在交叉區(qū)域內。
文檔編號H01L27/12GK1460885SQ0313604
公開日2003年12月10日 申請日期2003年5月20日 優(yōu)先權日2002年5月21日
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