專利名稱：微影制程的制作方法
技術領域：
本發(fā)明是關于一種微影制程，特別涉及一種可以控制微影圖案大小的微影制程。
背景技術：
微影制程是集成電路制程中極為重要的步驟，其對成品的良率影響極大。微影制程一般是利用光源發(fā)出光線透過具有預先設計圖案的光罩，照射到涂覆有光阻層的基板上，使光阻層發(fā)生光敏反應，再將基板浸入顯影液中，以去除發(fā)生光敏反應的光阻層部分，從而暴露出部分基板，形成與光罩上的圖案相應的圖案。
圖1是一種現(xiàn)有技術微影制程的示意圖。提供一長方體基板100，在該基板100上涂覆一光阻層200，該步驟是采用噴涂的方法，涂覆的光阻劑為有機光阻劑材料。利用一光罩300，進行曝光步驟。該光罩300是平行于該基板100設置，其具有圖案部分320及透光部分340。光源(圖未示)發(fā)出的光線(未標示)照射到該光罩300，透過光罩300的透光部分340，照射到該基板100上的光阻層200，受到光線照射的光阻劑部分220發(fā)生光敏反應。
圖2是該微影制程經(jīng)顯影步驟后基板側(cè)視圖。將經(jīng)曝光步驟后的基板100浸入顯影液中，去除該光阻層200發(fā)生光敏反應的光阻劑部分220，從而在該光阻層200上形成與該光罩300的透光部分340相對應即與光罩300的圖案部分320互補對應的溝槽240。
請一起參閱圖3，是該微影制程的原理圖。該光罩300的厚度為H，其平行于該基板設置，光罩300上的透光部分的寬度為D，在光阻層200上形成的溝槽240的寬度為d?？梢姡摲椒ㄖ?，光罩300上的透光部分的寬度D與光阻層200上形成的溝槽240的寬度d的大小相等。
該微影制程可將光罩300上圖案部分320比較精確地轉(zhuǎn)移到基板100上，但是，要在基板100上形成特定結(jié)構(gòu)，必須對微影步驟后的基板100進行蝕刻。由于蝕刻一般是采用化學溶液進行化學蝕刻，化學蝕刻較難控制精確度，往往會對基板100產(chǎn)生橫向蝕刻，從而使得最終形成的半導體結(jié)構(gòu)的大小與預先設計的透光部分的大小存在較大誤差，例如，在制造導光板網(wǎng)點時，該誤差可達30～100％。

發(fā)明內(nèi)容為了克服現(xiàn)有技術中蝕刻步驟后所形成的圖案大小與預先設計圖案大小之間存在較大誤差的問題，本發(fā)明提供一種可以控制微影圖案大小的微影制程，利用微影制程的改進，以減小蝕刻制程所引起的誤差。
本發(fā)明解決技術問題所采用的技術方案是提供一種微影制程，其包括以下步驟提供一基板；在該基板上涂覆一光阻層；利用光罩進行曝光步驟，其中該光罩與基板所平行的方向之間保持一角度；進行顯影步驟，形成所需的結(jié)構(gòu)。
相比現(xiàn)有技術，本發(fā)明的有益效果是微影制程曝光步驟中，使光罩與基板所平行的方向之間保持一角度且該角度可以在一定范圍內(nèi)調(diào)節(jié)，以改變光線透過光罩照射到光阻層的范圍，通過改變光罩與基板的夾角的大小，可控制光阻層上形成圖案的大小。光阻層上形成的圖案比預先設計的圖案的要小，然后經(jīng)過蝕刻，可以抵消橫向蝕刻產(chǎn)生的誤差，從而使得整個制程的誤差減小，提高了精確度。

圖1是現(xiàn)有技術微影制程的曝光步驟示意圖。
圖2是現(xiàn)有技術微影制程的經(jīng)顯影步驟后的基板側(cè)視圖。
圖3是現(xiàn)有技術微影制程的原理圖。
圖4是本發(fā)明微影制程的曝光步驟示意圖。
圖5是本發(fā)明微影制程的經(jīng)顯影步驟的基板側(cè)視圖。
圖6是本發(fā)明微影制程的原理圖。
具體實施方式
本發(fā)明微影制程包括以下步驟提供一基板；在該基板上涂覆一光阻層；利用光罩進行曝光步驟，其中該光罩與基板所平行的方向之間保持一角度；進行顯影步驟。
圖4是本發(fā)明微影制程的示意圖。提供一長方體基板400，當然也可為其它形狀。該基板400的材料根據(jù)所進行的制程而定，如果本發(fā)明應用于半導體制程，則其材料為硅，若是制作導光板的網(wǎng)點，則其可為玻璃或透明的樹脂材料。在該基板400上形成一光阻層500，該步驟可采用噴涂的方法，當然，也可采用旋涂等方法。涂覆的光阻劑材料可以是有機光阻劑材料。
利用一光罩600，對該光阻層500進行曝光步驟。該光罩600包括圖案部分620及透光部分640，其材料一般是玻璃或透明的樹脂材料，圖案部分620是金屬材料貼附在光罩600上而形成。傾斜該光罩600，使其與基板所平行的方向之間保持一夾角。光源(圖未示)發(fā)出的光線經(jīng)由該光罩600，透過光罩600的透光部分640，照射到該基板400的光阻層500，光阻層500上受到照射的光阻劑部分520發(fā)生光敏反應。該光罩600是傾斜設置，其與基板所平行的方向之間保持有一夾角，因此該光阻層500發(fā)生光敏反應的光阻劑部分520的大小比光罩600的透光部分小。
請一起參閱圖5，是經(jīng)過顯影步驟后的基板示意圖。該顯影步驟是將經(jīng)曝光步驟后的基板400浸入顯影液中，以去除曝光步驟中光線照射過而發(fā)生光敏反應的光阻劑部分520，暴露出部分基板表面(未標示)，從而在該光阻層500形成預定的溝槽540。隨后的蝕刻制程即是利用化學溶液，對暴露出的部分基板表面進行化學蝕刻，從而在基板400上形成圖案(圖未示)，去除剩余光阻，即可以得到預先設計的半導體結(jié)構(gòu)。
請一起參閱圖6，是本發(fā)明微影制程的原理示意圖。該光罩600的厚度為H，其與基板400之間的夾角為α，光罩600上的透光部分640的寬度為D，在光阻層500上形成的對應圖案的寬度為d。本發(fā)明方法中光罩600是傾斜設置，因此光阻層500形成的溝槽540的寬度d與光罩600的透光部分640的寬度D大小不等，其中d與D的關系是d＝Dcosα-Hsinα因為D是預先設計的固定值，通過改變光罩600與基板400的夾角α大小，即可獲得適當?shù)膁值。該夾角α的大小范圍較好為1度到20度，最好為2度到10度。
本發(fā)明微影制程使光罩600與基板400之間存在一夾角，通過改變該夾角的大小，在光阻層500上形成適當大小的溝槽540，即使隨后蝕刻制程發(fā)生不精確的狀況，也可通過調(diào)節(jié)夾角的大小，從而控制基板400上形成的圖案大小，以抵消因為蝕刻制程所產(chǎn)生的誤差。本發(fā)明是利用微影制程的改進，以減小蝕刻制程所引起的誤差，提高整個制程的精確度。
權(quán)利要求
1.一種微影制程，其包括以下步驟提供一基板；在該基板上涂覆一光阻層；利用光罩進行曝光步驟，其中該光罩與基板所平行的方向之間保持一角度；進行顯影步驟。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微影制程，其特征在于光罩與基板的夾角的大小范圍為1度到20度。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的微影制程，其特征在于光罩與基板的夾角的大小范圍為2度到10度。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微影制程，其特征在于涂覆光阻層是采用噴涂方法。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微影制程，其特征在于涂覆光阻層是采用旋涂方法。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微影制程，其特征在于涂覆的光阻層是有機光阻劑材料。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微影制程，其特征在于該光罩是透明的樹脂材料。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微影制程，其中進行曝光步驟之前，還包括一調(diào)整光罩與基板之間的夾角到適當大小的步驟。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的微影制程，其特征在于該夾角的大小范圍為1度到20度。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的微影制程，其特征在于該夾角的大小范圍為2度到10度。
全文摘要
一種微影制程，其包括以下步驟提供一基板；在該基板上涂覆一光阻層；利用光罩進行曝光步驟，其中該光罩與基板所平行的方向之間保持一角度；進行顯影步驟。該微影制程可以控制微影圖案的大小，通過改進微影制程，減小蝕刻制程所引起的誤差。
文檔編號H01L21/027GK1549054SQ03126630
公開日2004年11月24日 申請日期2003年5月16日 優(yōu)先權(quán)日2003年5月16日
發(fā)明者黃全德 申請人:鴻富錦精密工業(yè)(深圳)有限公司, 鴻海精密工業(yè)股份有限公司