專利名稱：半導(dǎo)體器件的制造方法和半導(dǎo)體器件的制造裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種不進行返工的半導(dǎo)體器件的制造方法和半導(dǎo)體器件的制造裝置。
為此，在半導(dǎo)體襯底上設(shè)置對準(zhǔn)標(biāo)記，用于進行與上層一側(cè)圖形的定位對合。首先，在該半導(dǎo)體襯底上邊，形成感光性膜(根據(jù)場合也形成反射防止膜)(S201)。把半導(dǎo)體襯底送到對感光性膜進行圖形曝光的曝光裝置內(nèi)(S202)。而且，設(shè)定曝光位置、曝光量、襯底高度(S203)。曝光裝置具備檢測下層圖形位置的對準(zhǔn)機構(gòu)。通過用對準(zhǔn)機構(gòu)檢測配置于感光性膜下層的對準(zhǔn)標(biāo)記位置，算出對上層圖形進行曝光的位置。按照該位置信息進行對準(zhǔn)以后，進行器件圖形的曝光(S204)。從曝光裝置搬出來以后(S205)，進行整個感光性膜的PEB、顯影處理(S206)，形成感光性膜圖形。
為提高成品率，為了檢查感光性膜圖形與其下層膜上形成的圖形的位置偏差，進行對合偏差檢查(S207)。就對合偏差檢查而言，借助于檢查裝置，測定感光性膜圖形中對合偏差檢查標(biāo)記與下層膜中形成的對合偏差檢查標(biāo)記的位置。
檢查的結(jié)果，對合偏差量未落入容許值內(nèi)的情況下，就需要剝離感光性膜(根據(jù)情況，為反射防止膜)(S208)，校正曝光位置、曝光量、襯底高度以后(S209)，再次涂布感光性膜以后，再次進行顯影(S201～S206)處理，進行所謂的返工。返工隨情況而不同，也會達到1批規(guī)模，成為拖延制造時間的原因。
正如上述的那樣，對合偏差檢查的結(jié)果，對合偏差量沒有落入容許值內(nèi)的情況下，需要進行返工，變成了制造成本升高的原因。
為了達成上述目的，本發(fā)明構(gòu)成如下。
(1)本發(fā)明一例的曝光方法包括半導(dǎo)體襯底主面上邊，形成感光性膜的工序；把上述感光性膜形成后的半導(dǎo)體襯底搬送到上述感光性膜上用于分別形成檢查標(biāo)記和器件圖形的形成了掩模上檢查標(biāo)記和掩模上器件圖形的掩模所搭載的曝光裝置里的工序；對上述感光性膜選擇性曝光掩模上檢查標(biāo)記，在該感光性膜上形成檢查標(biāo)記潛像的工序；加熱至少檢查標(biāo)記潛像形成區(qū)域的上述感光性膜，使檢查標(biāo)記像浮現(xiàn)的工序；測量浮現(xiàn)的檢查標(biāo)記像的工序；根據(jù)測量結(jié)果，變更選擇性曝光時的上述曝光裝置設(shè)定值，使其曝光條件變成設(shè)計值的工序；按照變更后的設(shè)定值，對上述感光性膜，曝光掩模上器件圖形，在該感光性膜上形成器件圖形潛像的工序；加熱整個上述感光性膜的工序；以及使上述感光性膜顯影的工序。
(2)本發(fā)明一例的曝光裝置具備襯底保持部；曝光用掩模保持部；光源；從光源來的光照明曝光用掩模的照明光學(xué)系統(tǒng)；透過曝光用掩模的光投影到被處理襯底上邊的投影光學(xué)系統(tǒng)；檢測被處理襯底上形成的對準(zhǔn)標(biāo)記位置的對準(zhǔn)標(biāo)記測量光學(xué)系統(tǒng)；用光照射，選擇性加熱襯底保持部上邊保持的襯底上一部分的加熱手段。
圖2表示第1實施方案的曝光方法流程圖。
圖3表示
圖1中所示曝光裝置里搭載的掩模概略平面圖。
圖4表示第2實施方案的處理裝置概略構(gòu)成框圖。
圖5表示現(xiàn)有的曝光方法流程圖。
標(biāo)號說明100 半導(dǎo)體襯底111 照明光學(xué)系統(tǒng)101 晶片臺102 晶片臺XY軸驅(qū)動機構(gòu)103 晶片臺Z軸驅(qū)動機構(gòu)104 掩模105 掩模臺106 XY軸驅(qū)動機構(gòu)107 Z軸驅(qū)動機構(gòu)110 光源120 投影光學(xué)系統(tǒng)131 對準(zhǔn)標(biāo)記測量光學(xué)系統(tǒng)132 選擇加熱器133 位置偏差測量部134 焦點位置測量部135 曝光量測量部第1實施方案本實施方案是關(guān)于將KrF(248nm)用作曝光光源的半導(dǎo)體制造方法。本實施方案中，使用圖1中表示的曝光裝置。
曝光裝置具備裝載半導(dǎo)體襯底100的第1晶片臺101、在水平方向和高度方向分別移動第1晶片臺101的晶片臺XY軸驅(qū)動機構(gòu)102和晶片臺Z軸驅(qū)動機構(gòu)103、裝載掩模104的第2掩模臺105。本裝置具備在水平方向及高度方向分別移動第2掩膜臺105的掩模臺XY軸驅(qū)動機構(gòu)106及掩模臺Z軸驅(qū)動機構(gòu)107。進而，本裝置具備由KrF激態(tài)準(zhǔn)分子激光器構(gòu)成的光源110、引導(dǎo)光源110來的激態(tài)準(zhǔn)分子激光，照明掩模104的照明光學(xué)系統(tǒng)111、透過掩模104的光成像于半導(dǎo)體襯底100上邊的投影光學(xué)系統(tǒng)120、測量半導(dǎo)體襯底上邊形成的標(biāo)記位置的對準(zhǔn)標(biāo)記測量光學(xué)系統(tǒng)131、以及選擇性加熱器132。進而，具備根據(jù)對準(zhǔn)標(biāo)記測量光學(xué)系統(tǒng)131的測量結(jié)果，測量下層形成的第1對合偏差標(biāo)記與上層形成的第2對合偏差標(biāo)記的位置偏差量的位置偏差測量部133、求出實際上感光性膜上曝光后的曝光位置偏差的焦點位置測量部134、以及求出實際上感光性膜上邊曝光的曝光量偏差的曝光量測量部135。
選擇性加熱器132是用光纖，將設(shè)于曝光裝置外的Q-開關(guān)YAG激光器照射的基波(波長1064nm，脈寬＝5nsec.)導(dǎo)向曝光裝置內(nèi)，調(diào)整對準(zhǔn)標(biāo)記測量光學(xué)系統(tǒng)的大致焦點位置，使其照射加熱。
利用圖2的流程圖，說明圖1中表示的曝光裝置的光刻工序。
步驟S101預(yù)先設(shè)置對準(zhǔn)標(biāo)記和第1位置偏差檢查標(biāo)記用于進行與上層一側(cè)形成的圖形的定位對合，并準(zhǔn)備處于制造工序中途的半導(dǎo)體襯底。把該半導(dǎo)體襯底搬送到涂布顯影機，在半導(dǎo)體襯底上邊形成對KrF光的反射防止膜以后，形成感光性膜。
步驟S102接著，從涂布顯影機把形成了反射防止膜和感光性膜的半導(dǎo)體襯底送往曝光裝置，把半導(dǎo)體襯底裝到晶片臺101上邊。該曝光裝置里，在掩模臺上邊搭載有如圖3(a)所示的掩模。如圖3(a)所示，掩模300上具備形成器件圖形的掩模上器件圖形區(qū)302和配置于掩模上器件圖形區(qū)302周邊部分，形成包括掩模上對合偏差檢查標(biāo)記、掩模上焦點位置檢測圖形、掩模上曝光量檢測圖形等圖形的掩模上檢查標(biāo)記區(qū)301。
步驟S103給曝光裝置設(shè)定用于對掩模上形成的圖形進行曝光的半導(dǎo)體襯底上形成的對準(zhǔn)標(biāo)記水平位置、襯底高度位置、曝光量等的設(shè)計值。
步驟S104利用曝光裝置中配備的對準(zhǔn)標(biāo)記測量光學(xué)系統(tǒng)131，檢測配設(shè)于半導(dǎo)體襯底的下層圖形上的對準(zhǔn)標(biāo)記位置。而且，按照測定的對準(zhǔn)標(biāo)記位置和步驟S103中設(shè)定的曝光位置，借助于晶片臺XY軸驅(qū)動機構(gòu)102驅(qū)動晶片臺101，把半導(dǎo)體襯底移動到對掩模上所形成的圖形進行曝光的位置。而且，按照襯底高度位置，借助于晶片臺Z軸驅(qū)動機構(gòu)103，調(diào)整半導(dǎo)體襯底的高度方向位置。
步驟S105接著，如圖3(b)所示，用掩蔽膜303，遮蔽曝光用掩模上形成的掩模上器件圖形區(qū)302，對感光成膜，選擇性曝光對合偏差檢查標(biāo)記、曝光量測量標(biāo)記、和焦點位置測量標(biāo)記存在的掩模上檢查標(biāo)記區(qū)301，形成在掩模上檢查標(biāo)記區(qū)301上形成的各標(biāo)記的潛像形成后的檢查標(biāo)記區(qū)。并且，在半導(dǎo)體襯底上，檢查標(biāo)記區(qū)是60×200μm的矩形形狀。
步驟S106接著，借助于晶片臺XY軸驅(qū)動機構(gòu)102和晶片臺Z軸驅(qū)動機構(gòu)103，把半導(dǎo)體襯底移動到對準(zhǔn)標(biāo)記測量光學(xué)系統(tǒng)131的大致焦點位置，以便設(shè)置檢查標(biāo)記區(qū)。
而且，從選擇性加熱器132給檢查標(biāo)記區(qū)選擇性照射光，有選擇地加熱檢查標(biāo)記區(qū)。而且，通過選擇性加熱，使檢查標(biāo)記區(qū)浮現(xiàn)各標(biāo)記的像。采用Q-開關(guān)YAG激光器的基波(薄層1064nm，脈寬＝5nsec.)，使用成形光束，使其在半導(dǎo)體襯底上成為70×70μm的矩形點，每移動70μm進行3次以2.45mJ/pu1se單發(fā)射的照射，使其總能量為50mJ/cm2。
步驟S107接著，利用對準(zhǔn)標(biāo)記測量光學(xué)系統(tǒng)131，對通過選擇性加熱而浮現(xiàn)的3種標(biāo)記像，測定其標(biāo)記的位置和形狀。
步驟S108根據(jù)3種標(biāo)記的測定結(jié)果，利用位置偏差測量部133、焦點位置測量部134和曝光量測量部135，算出對合偏差量、實際上給感光性膜曝光的曝光量、實際的焦點位置。表1表示算出結(jié)果。表1設(shè)定值和檢查結(jié)果以及校正值
表1中表示的校正值是比較設(shè)定值與測量值算出來的。關(guān)于對合偏差量、焦點位置的校正值，可用校正值＝設(shè)定值-測量值 (1)求出，關(guān)于曝光量的校正值，可由校正值＝設(shè)定值×設(shè)定值/測量值 (2)求出。
步驟S109接著，按照算出的校正值，變更曝光裝置的設(shè)定值，使其基于設(shè)計值變成曝光條件。關(guān)于對合偏差、焦點位置(襯底高度位置)，重新設(shè)定設(shè)定值+校正值，關(guān)于曝光量重新設(shè)定校正值。在這里，襯底高度位置的校正既可有用手動，也可以曝光裝置自動進行。本實施方案中，對于對合偏差量、焦點值、曝光量這三個參數(shù)，進行測量-校正，但不限于此。也可以只對三個參數(shù)中不穩(wěn)定的參數(shù)進行測量-校正。
步驟S110如圖3(c)所示，用掩蔽膜304隱蔽掩模上檢查標(biāo)記區(qū)301，對掩模上器件圖形區(qū)302進行曝光。
步驟S111、112采用加熱該半導(dǎo)體襯底的辦法，加熱整個感光性膜(PEB)以后，對感光性膜進行顯影，形成感光性膜圖形。
象現(xiàn)有的方法一樣，進行全面曝光以后，進行對合偏差檢查時，成為對合偏差容許范圍外而變成返工的幾率是10％，因曝光量誤差變成返工的幾率是2％，因焦點誤差而變成返工的幾率是5％。但是，倘采用本實施方案所示的辦法，可以確保都在0.2％以內(nèi)，比現(xiàn)有的辦法變得非常小。該值是以曝光裝置的再現(xiàn)性來衡量的。
本實施方案是關(guān)于以KrF為光源的曝光，但是不限于此，也可以應(yīng)用于使用ArF、F2激光、EUV等所有曝光光源的半導(dǎo)體制造。
本實施方案中，采用Q-開關(guān)YAG激光器的基波(波長1064nm)，以每單位面積的能量為50mJ/cm2，進行第2標(biāo)記區(qū)的加熱，但是照射波長和能量也不限于此。例如，也可以把特開2001-44130號公報中公開的用作紅外線燈加熱器的鹵素?zé)?、紅色的半導(dǎo)體激光器、LED等用作照射源。
這時，可以確認波長λ對半導(dǎo)體襯底(包括半導(dǎo)體襯底上形成的薄膜)第2標(biāo)記區(qū)的透過率(＜1)和反射率(＜1)，若設(shè)定能量E(mJ/cm2)為[數(shù)學(xué)式1] 的范圍，就獲得同樣的效果。
也可以采用對準(zhǔn)標(biāo)記測量光學(xué)系統(tǒng)這樣的裝置作為加熱手段。進行加熱時的能量只要在式(3)范圍內(nèi)就行。
另外，即使照射區(qū)微小也需要考慮從照射點傳遞給襯底的熱擴散。即使在式(3)范圍內(nèi)，照射區(qū)溫度高，照射區(qū)附近溫度變成100度以上的場合，為了冷卻半導(dǎo)體襯底，也要想辦法或在保持半導(dǎo)體襯底的搭載臺上設(shè)置冷卻功能，或向半導(dǎo)體襯底表面吹冷風(fēng)是所希望的。這里，理想的是使得器件圖形區(qū)之間，感光性膜的溫度在感光性膜中的物質(zhì)因溫度而發(fā)生化學(xué)反應(yīng)的溫度值以下，較好是70℃以下。
本發(fā)明是以曝光裝置內(nèi)部浮現(xiàn)檢查標(biāo)記像，用曝光裝置內(nèi)部的觀測系統(tǒng)進行測量，反饋給曝光為特征的，至于檢查標(biāo)記，也可以照舊使用公知技術(shù)，或其改進。
關(guān)于定位對合標(biāo)記的種類和測量方法，特開2000-122304號公報中公開的標(biāo)記等也可以應(yīng)用。特開2000-122304號公報中也公開了可測量象差的標(biāo)記，然而也很容易進行有關(guān)的測量。
并且，就曝光量測量標(biāo)記來說，可以采用特開2000-12425號公報的圖1、2、9、13、14等記載的圖形，并且，也可以按照特開2000-12425號公報的辦法進行測量。
就焦點值測量標(biāo)記來說，可以使用特開2000-12425號公報的圖14中表示的圖形等，在最佳焦點值使長邊方向尺寸變成最大，隨著散焦，利用其尺寸縮短的性質(zhì)就能求出來。
就選擇性加熱部來說，也可以是與對準(zhǔn)標(biāo)記測量光學(xué)系統(tǒng)獨立的光源，然而最好照樣使用對準(zhǔn)標(biāo)記測量光學(xué)系統(tǒng)的光照射物是理想的。對準(zhǔn)標(biāo)記測量光學(xué)系統(tǒng)中幾乎不能獲得加熱值的能量的場合，但是增加使用的光源輸出，檢查時如果需要減弱光強，可以通過插入使用減光濾色片等光強度調(diào)整機構(gòu)，使加熱和觀測兼用。
按照本發(fā)明，對感光性膜，選擇性曝光掩模上檢查標(biāo)記，感光性膜上形成檢查標(biāo)記的潛像以后，選擇性加熱檢查標(biāo)記的潛像形成區(qū)，就能夠測量浮現(xiàn)的對合偏差檢查標(biāo)記、曝光量測量標(biāo)記、焦點位置測量標(biāo)記的像，測定重合位置、曝光量和焦點位置離設(shè)定值的偏差。根據(jù)設(shè)定值的偏差，校正檢查標(biāo)記選擇曝光時曝光裝置的設(shè)定值，對感光性膜曝光器件圖形。在曝光器件圖形之際，校正與設(shè)定值的偏差，因而能夠減少所形成的圖形與設(shè)定值的偏差，變成也可以不進行返工，能夠抑制制造成本增加。
并且，若在曝光裝置外進行加熱，就要取出、加熱、傳送，以及延長制造時間，因而在曝光裝置內(nèi)進行選擇性加熱是理想的。
第2實施方案本實施方案是關(guān)于ArF(193nm)用于曝光光源的半導(dǎo)體器件制造方法。本實施方案中，因為識別第2檢查標(biāo)記與第1實施方案不同，所以僅就加熱整個襯底進行說明。圖4是表示第2實施方案的處理裝置概略構(gòu)成框圖。
如圖4所示，處理裝置801是由進行涂布、加熱、顯影的涂布顯影機802和曝光裝置803構(gòu)成。涂布顯影機802和曝光裝置803用接口部804連接起來，使襯底可以往來。曝光裝置803中，并設(shè)置可以規(guī)定處理溫度進行加熱的熱板805，構(gòu)成為通過搬送單元806，使襯底可與曝光裝置803往來。
以下，說明有關(guān)利用本裝置801的處理方法。
在半導(dǎo)體襯底上邊，預(yù)先設(shè)置用于進行與上層一側(cè)圖形定位對合的對準(zhǔn)標(biāo)記。在涂布顯影機802內(nèi)，在該半導(dǎo)體襯底上邊形成對作為曝光光的ArF光的反射防止膜以后，涂布感光性膜，在110℃、60秒的條件下進行加熱處理成膜。隨后通過接口部804把該半導(dǎo)體襯底送往曝光裝置803。曝光裝置803是圖1所示曝光裝置省去了選擇性加熱器132構(gòu)成的。
曝光裝置803中，具備檢測下層圖形位置的對準(zhǔn)機構(gòu)。對準(zhǔn)機構(gòu)通過檢測配置于半導(dǎo)體襯底上感光性膜下層的對準(zhǔn)標(biāo)記位置，算出給感光性膜上的圖形曝光的位置。按照該位置信息，借助于晶片臺XY軸驅(qū)動機構(gòu)，將半導(dǎo)體襯底移動到圖形曝光的位置。
而且，以掩模上器件圖形為掩蔽，在感光性膜上僅選擇性曝光掩模上檢查標(biāo)記區(qū)，在感光性膜的檢查標(biāo)記區(qū)上形成各標(biāo)記的潛像。另外，檢查標(biāo)記區(qū)是半導(dǎo)體襯底上50×60μm的矩形形狀。
使掩模上檢查標(biāo)記區(qū)選擇性曝光以后，用搬送單元806，將半導(dǎo)體襯底送往熱板805。而且，通過用熱板805對半導(dǎo)體襯底，在110℃、30秒的條件下進行加熱處理，加熱整個感光性膜，使檢查標(biāo)記區(qū)上形成的各標(biāo)記的像浮現(xiàn)。進而，用冷卻部件冷卻半導(dǎo)體襯底到室溫以后，用搬送單元806送往曝光裝置803。
對通過用熱板805加熱整個襯底而浮現(xiàn)的各標(biāo)記像，利用曝光裝置803的對準(zhǔn)標(biāo)記測量光學(xué)系統(tǒng)，測定對合偏差標(biāo)記，測量在檢查標(biāo)記的選擇性曝光中發(fā)生的誤差，按照該測量結(jié)果進行校正值的算出。校正值的算出，例如可用第1實施方案中記載的方法進行。
接著，再次給曝光裝置803設(shè)定對合偏差的校正值，對曝光用掩模中器件圖形區(qū)進行曝光。另外，就本實施方案中使用的感光性膜而言，曝光前，即使添加為浮現(xiàn)第2檢查標(biāo)記像的加熱處理，對感光性膜的靈敏度也沒有變化，因此以現(xiàn)有的曝光量條件進行曝光。
曝光以后，通過接口部804，將半導(dǎo)體襯底送往涂布顯影機802，進行加熱、顯影，形成感光性膜圖形。
按照本實施方案，造成返工的幾率為0.25％與現(xiàn)有的13％相比，能夠大幅度降低。
對本實施方案中使用的感光性膜而言，即使曝光前添加為浮現(xiàn)檢查標(biāo)記潛像的加熱處理，對感光性膜的曝光光靈敏度也沒有變化，而靈敏度變化的有無取決于感光性膜的材料和加熱條件。靈敏度上發(fā)生變化的場合，應(yīng)預(yù)先求出復(fù)制器件圖形的曝光區(qū)上發(fā)生的靈敏度變化，通過校正器件圖形復(fù)制時的曝光量、器件圖形復(fù)制后的加熱處理溫度、加熱處理時間的任何一種條件以上，就很容易獲得要求的器件圖形尺寸。
并且，本實施方案中，雖然規(guī)定用于浮現(xiàn)檢查標(biāo)記潛像的加熱手段為熱板，但是不限于此。例如，使用特開2001-44130號公報中公開的燈加熱器等加熱源，也獲得同樣的效果，并且，本實施方案中，雖然說過曝光裝置內(nèi)并設(shè)用于浮現(xiàn)檢查標(biāo)記潛像的加熱手段的情況，但是并不限定于此。曝光裝置內(nèi)設(shè)置加熱手段也行。并且，使用涂布顯影機內(nèi)的加熱部件來加熱也行。這時，當(dāng)然不需要在曝光裝置并設(shè)或曝光裝置內(nèi)設(shè)置熱板。
本發(fā)明是以在曝光裝置內(nèi)部浮現(xiàn)檢查標(biāo)記潛像，用曝光裝置內(nèi)部的觀察系統(tǒng)進行測量，反饋給曝光為特征，至于檢查標(biāo)記，可以照舊使用公知技術(shù)，或其改進。
關(guān)于定位對合標(biāo)記的種類和測量方法，可以應(yīng)用特開2000-122304號公報里公開的標(biāo)記等。特開2000-122304號公報里也公開了能測量象差的標(biāo)記，而且用本發(fā)明的辦法也很容易進行有關(guān)的測量。
并且，本實施方案中，已說過了對合偏差標(biāo)記，但是并不限定于此。也可以應(yīng)用于曝光量測量標(biāo)記和焦點誤差測量標(biāo)記。
就曝光量測量標(biāo)記來說，可以采用特開2000-12425號公報的圖1、2、9、13、14等上記載的圖形，并且，也可以按照特開2000-12425號公報的辦法進行測量。
就焦點值測量標(biāo)記來說，可以使用特開2000-12425號公報的圖14中表示的圖形等，在最佳焦點值使長邊方向尺寸變成最大，隨著散焦，利用其尺寸縮短的性質(zhì)就能求出來。
另外，本發(fā)明并不限定于上述實施方案，在不脫離本宗旨的范圍內(nèi)，也能進行各種變形加以實施。
正如以上說明的那樣，按照本發(fā)明，在對感光性膜曝光器件圖形之前，采用選擇性形成檢查標(biāo)記，按照檢查標(biāo)記的檢查結(jié)果曝光器件圖形的辦法，就不需要返工，能夠抑制制造成本的上升。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于包括在半導(dǎo)體襯底主面上形成感光性膜的工序；把上述感光性膜形成后的半導(dǎo)體襯底搬送到上述感光性膜上用于分別形成檢查標(biāo)記和器件圖形的，形成了掩模上檢查標(biāo)記和掩膜上器件圖形的掩模所搭載的曝光裝置里的工序；對上述感光性膜選擇性曝光掩模上檢查標(biāo)記，在該感光性膜上形成檢查標(biāo)記潛像的工序；加熱至少檢查標(biāo)記潛像形成的區(qū)域的上述感光性膜，使檢查標(biāo)記像浮現(xiàn)的工序；測量浮現(xiàn)的檢查標(biāo)記像的工序；根據(jù)測量結(jié)果，變更選擇性曝光時的上述曝光裝置設(shè)定值，使曝光條件成為設(shè)計值的工序；按照變更后的設(shè)定值，對上述感光性膜，曝光掩模上器件圖形，在該感光性膜上形成器件圖形潛像的工序；加熱整個上述感光性膜的工序；以及使上述感光性膜顯影的工序。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于在上述半導(dǎo)體襯底的主面上形成對準(zhǔn)標(biāo)記，在進行上述掩模上檢查標(biāo)記的選擇性曝光之前，在上述曝光裝置內(nèi)，檢測上述對準(zhǔn)標(biāo)記的位置，根據(jù)檢測結(jié)果，算出對上述感光性膜上的曝光位置進行上述掩模上形成的圖形的對準(zhǔn)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于至少加熱上述檢查標(biāo)記潛像的形成區(qū)之際，選擇性加熱上述感光性膜的檢查標(biāo)記的潛像形成區(qū)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于上述感光性膜的加熱是在上述曝光裝置內(nèi)進行的。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于上述感光性膜的加熱是將包括上述感光性膜或半導(dǎo)體襯底上形成的膜材料吸收的波長的光照射到上述檢查標(biāo)記潛像形成區(qū)來進行的。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于至少加熱上述檢查標(biāo)記潛像形成區(qū)之際，對整個上述感光性膜進行加熱；按照靈敏度對由加熱上述感光性膜的曝光光的變化，校正對上述掩模上器件圖形曝光時的曝光量、整個加熱時的加熱溫度、以及整個加熱時的加熱時間的至少一種。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于包括下列工序在上述半導(dǎo)體襯底的主面上，形成第1對合偏差檢查標(biāo)記；在上述感光性膜上形成第2對合偏差檢查標(biāo)記的像，作為檢查標(biāo)記；測量檢查標(biāo)記像之際，測量第1對合偏差檢查標(biāo)記的位置離開第2對合偏差檢查標(biāo)記的位置的對合偏差量；變更上述曝光裝置的設(shè)定值，以使測量的對合偏差量為0。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于在上述感光性膜上形成曝光量測量標(biāo)記作為檢查標(biāo)記，由曝光量測量標(biāo)記的檢測結(jié)果，算出照射到該感光性膜的實際曝光量，變更上述曝光裝置的設(shè)定值，使得給上述感光性膜曝光的曝光量為設(shè)計值。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于在上述感光性膜上形成焦點位置測量標(biāo)記作為檢查標(biāo)記，由焦點位置測量標(biāo)記的形狀，算出照射到該感光性膜的實際曝光光的焦點位置，變更選擇性曝光時上述曝光裝置的設(shè)定值，使其與設(shè)計值的偏差量為0。
10.一種半導(dǎo)體器件的制造裝置，其特征在于具備保持被處理襯底的襯底保持部；保持曝光用掩模的曝光用掩模保持部；光源；將從光源來的光照射上述曝光用掩模的照明光學(xué)系統(tǒng)；將透過上述曝光用掩模的光投影到上述被處理襯底上邊的投影光學(xué)系統(tǒng)；檢測上述被處理襯底上形成的對準(zhǔn)標(biāo)記位置的對準(zhǔn)標(biāo)記測量光學(xué)系統(tǒng)；用光照射，選擇性加熱上述被處理襯底上一部分的加熱裝置。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體器件的制造裝置，其特征在于用上述加熱裝置加熱被處理襯底的加熱位置，大約與檢測襯底上形成的對準(zhǔn)標(biāo)記位置的對準(zhǔn)標(biāo)記測量光學(xué)系統(tǒng)的焦點位置一致。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體器件的制造裝置，其特征在于由加熱裝置照射的光的波長包括該被處理襯底或構(gòu)成襯底上薄膜的光吸收度值大于0的波長區(qū)。
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體器件的制造裝置，其特征在于上述加熱裝置是上述對準(zhǔn)標(biāo)記測量光學(xué)系統(tǒng)的光照射部。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體器件的制造裝置，其特征在于上述光照射部具備調(diào)整光強度的光強度調(diào)節(jié)機構(gòu)。
全文摘要
提供一種半導(dǎo)體器件的制造方法和半導(dǎo)體器件的制造裝置。在半導(dǎo)體襯底主面上形成感光性膜把半導(dǎo)體襯底送到曝光裝置；給上述感光性膜選擇性曝光掩模上檢查標(biāo)記，在該感光性膜上形成檢查標(biāo)記的潛像；加熱至少檢查標(biāo)記的潛像形成區(qū)的上述感光性膜，浮現(xiàn)第2檢查標(biāo)記的潛像；測量浮現(xiàn)的檢查標(biāo)記像；根據(jù)測量結(jié)果，變更選擇性曝光時上述曝光裝置的設(shè)定值，使其曝光條件為設(shè)計值；按照變更后的設(shè)定值，給上述感光性膜曝光上述感光性膜上掩模上器件圖形，使該感光性膜形成器件圖形的潛像；加熱整個上述感光性膜；以及使上述感光性膜顯影。
文檔編號H01L21/027GK1442885SQ0310514
公開日2003年9月17日 申請日期2003年3月4日 優(yōu)先權(quán)日2002年3月4日
發(fā)明者伊藤信一, 東木達彥, 奧村勝彌, 川野健二, 井上壯一 申請人:株式會社東芝