專利名稱：薄膜電晶體的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是關(guān)于一種薄膜電晶體的制造方法，尤指一種利用一復(fù)數(shù)層結(jié)構(gòu)搭配不同熱制程于各個(gè)結(jié)構(gòu)層中達(dá)到改善Self-Alignment元件的電性的薄膜電晶體制造方法。
背景技術(shù)：
根據(jù)已有的自我—校準(zhǔn)(Self-Alignment)技術(shù)。離子活化步驟是在層間介電質(zhì)層(ILD Layer)沉積后進(jìn)行，而氫化(Hydrogenation)步驟是在汲極、源極金屬層完后，覆以一保護(hù)絕緣層(氮化矽層，SiNx)后加以一高溫制程使得氮化矽層內(nèi)含的氫原子逐步擴(kuò)散進(jìn)入主動(dòng)層進(jìn)行缺陷修補(bǔ)，以提高材料穩(wěn)定性與改善元件特性。
請(qǐng)參照?qǐng)D4(a)及(b)，其分別繪示像用已有技術(shù)在汲極、源極完成后再執(zhí)行氫化動(dòng)作的示意圖。如圖所示，已有技術(shù)是在基板40的汲極41、源極42完成后再執(zhí)行氫化動(dòng)作，然此做法無(wú)法提供足夠的氫化效果以修補(bǔ)Self-Alignmentnt的元件。如此將會(huì)造成元件特性的不穩(wěn)與惡化。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種薄膜電晶體的制造方法，其特征在于結(jié)合氮化矽與氧化矽層形成真ILD層，并將離子活化步驟于氧化矽層沉積后進(jìn)行，氫化制程于氮化矽層后進(jìn)行，如此便可達(dá)成離子活化的效果，并使得元件得到充份的氫原子修補(bǔ)，進(jìn)而改善元件的特性表現(xiàn)與穩(wěn)定。
本發(fā)明是提供一種薄膜電晶體的制造方法，結(jié)合氮化矽與氧化矽層形成ILD層，并將離子活化步驟于氧化矽層沉積后進(jìn)行，氫化制程于氮化矽層后進(jìn)行，如此便可達(dá)成離子活化的效果，并使得元件得到充份的氫原子修補(bǔ)，進(jìn)而改善元件的特性表現(xiàn)與穩(wěn)定。
本發(fā)明的薄膜電晶體的制造方法，其包括下列步驟在基板上形成汲極及源極金屬層；在該汲極及該源極金屬層上覆上一層氧化矽層；在該氧化矽層上執(zhí)行高溫制程；在該氧化矽層上覆上一層氮化矽層；結(jié)合該氮化矽與該氧化矽層以形成ILD層；以及對(duì)該ILD層執(zhí)行氫化制程；藉由上述步驟以便達(dá)成離子活化的效果，并使得元件得到充份的氫原子修補(bǔ)，進(jìn)而改善元件的特性表現(xiàn)與穩(wěn)定。
此外，根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的薄膜電晶體的制造方法，其包括下列步驟在基板上形成汲極及源極金屬層；在該汲極及該源極金屬層上覆上一層氧化矽層；在該氧化矽層上覆上一層氮化矽層；在該氧化矽層上執(zhí)行高溫制程；結(jié)合該氮化矽與該氧化矽層以形成，ILD層；以及對(duì)該ILD層執(zhí)行氫化制程；藉由上述步驟以便達(dá)成離子活化的效果，并使得元件得到充分的氫原子修補(bǔ)，進(jìn)而改善元件的特性表現(xiàn)與穩(wěn)定。
為能進(jìn)一步了解本發(fā)明的結(jié)構(gòu)、特征及目的，茲附以圖式及較佳具體實(shí)施例，詳細(xì)說(shuō)明如后。


圖1(a)及(b)，其分別表示根據(jù)本發(fā)明的一較佳實(shí)施例的薄膜電晶體制造方法的高溫及氫化制程的示意圖；圖2(a)及(b)，其分別繪示根據(jù)本發(fā)明的另一較佳實(shí)施例的薄膜電晶體制造方法的高溫及氫化制程的示意圖；圖3(a)及(b)，其分別繪示根據(jù)本發(fā)明的一較佳實(shí)施例的高溫及氫化制程后所呈現(xiàn)的電性表現(xiàn)的差異示意圖；圖4(a)及(b)，其分別繪示像用已有技術(shù)在汲極、源極完成后再執(zhí)行氫化動(dòng)作的示意圖。
具體實(shí)施例方式
請(qǐng)參照?qǐng)D1(a)及(b)，其分別表示根據(jù)本發(fā)明的一較佳實(shí)施例的薄膜電晶體制造方法的高溫及氫化制程的示意圖。如圖所示，本發(fā)明的薄膜電晶體的制造方法，是用于液晶顯示面板(LCD Panel)的制造，其包含下列步驟在基板10上形成汲極11及源極12金屬層(步驟1)，其中該基板10較佳是為一玻璃基板；在該汲極11及該源極12金屬層上覆上一層氧化矽層(SiOx)13(步驟2)；在該氧化矽層13上執(zhí)行高溫制程(步驟3)，該高溫制程較佳是為一快速高溫制程(Rapid Thermal Process，RTP)；在該氧化矽層13上覆上一層氮化矽層(SiNx)14(步驟4)；結(jié)合該氮化矽14與該氧化矽13層以形成，1LD層(Inter layer Dielectric)(步驟5)；以及對(duì)該ILD層執(zhí)行氫化(Hydrogenation)制程(步驟6)，以達(dá)成離子活化的效果，并使得元件得到充份的氫原子修補(bǔ)，進(jìn)而改善元件的特性表現(xiàn)與穩(wěn)定。
請(qǐng)參照?qǐng)D2(a)及(b)，其分別繪示根據(jù)本發(fā)明的另一較佳實(shí)施例的薄膜電晶體制造方法的高溫及氫化制程的示意圖。如圖所示，本發(fā)明的另一較佳實(shí)施例的薄膜電晶體的制造方法是用于液晶顯示面板(LCD Panel)的制造，其包含下列步驟在基板10上形成汲極11及源極12金屬層(步驟)，其中該基板10較佳是為一玻璃基板；在該汲極11及該源極12金屬層上覆上一層氧化矽層(SiOx)13(步驟2)；在該氧化矽層13上覆上一層氫化矽層(SiNx)14(步驟3)；在該氧化矽層13上執(zhí)行高溫制程(步驟4)，該高溫制程較佳是為一快速高溫制程(Rapid Thermal Process RTP)；結(jié)合該氮化矽14與該氧化矽13層以形成ILD層(步驟5)；以及對(duì)該ILD層執(zhí)行氫化制程(步驟6)，藉以達(dá)成離子活化的效果，并使得元件得到充份的氫原子修補(bǔ)，進(jìn)而改善元件的特性表現(xiàn)與穩(wěn)定。
請(qǐng)參照?qǐng)D3(a)及(b)，其分別繪示根據(jù)本發(fā)明的一較佳實(shí)施例的高溫及氫化制程后所呈現(xiàn)的電性表現(xiàn)的差異示意圖，所以，經(jīng)由本發(fā)明的實(shí)施，可使薄膜電晶體的制造方法先結(jié)合氮化矽與氧化矽層形成，ILD層后，并將離子活化步驟于氧化矽層沉積后進(jìn)行，氫化制程于氮化矽層后進(jìn)行，如此便可達(dá)成離子活化的效果，并使得元件得到充份的氫原子修補(bǔ)，進(jìn)而改善元件的特性表現(xiàn)與穩(wěn)定的目的。
本發(fā)明所述，乃較佳實(shí)施例，舉凡局部的變更或修飾而源于本發(fā)明的技術(shù)思想，而為熟習(xí)該項(xiàng)技術(shù)的人所易于推知，都不脫本發(fā)明的專利保護(hù)。
權(quán)利要求
1.一種薄膜電晶體的制造方法，其特征在于，該制造方法包括下列步驟在一基板上形成一汲極及一源極金屬層；在該汲極及該源極金屬層上覆上一層氧化矽層；在該氧化矽層上執(zhí)行一高溫制程；在該氧化矽層上覆上一層氮化矽層；結(jié)合該氮化矽與該氧化矽層以形成一ILD層；以及對(duì)該ILD層執(zhí)行氫化制程；藉由上述的步驟以便達(dá)成離子活化的效果，并使得元件得到充份的氫原子修補(bǔ)，進(jìn)而改善元件的特性表現(xiàn)與穩(wěn)定。
2.如權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述該基板是為一玻璃基板。
3.如權(quán)利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述該高溫制程是為一快速高溫制程。
4.一種薄膜電晶體的制造方法，其特征在于，該制造方法包括下列步驟在一基板上形成一汲極及一源極金屬層；在該汲極及該源極金屬層上覆上一層氧化矽層；在該氧化矽層上覆上一層氮化矽層；在該氧化矽層上執(zhí)行一高溫制程；結(jié)合該氮化矽與該氧化矽層以形成一ILD層；以及對(duì)該ILD層執(zhí)行氫化制程；藉由上述的步驟以便達(dá)成離子活化的效果，并使得元件得到充分的氫原子修補(bǔ)，進(jìn)而改善元件的特性表現(xiàn)與穩(wěn)定。
5.如權(quán)利要求4所述的制造方法，其特征在于，所述該基板是為一玻璃基板。
6.如權(quán)利要求4所述的制造方法，其特征在于，所述該高溫制程是為一快速高溫制程。
全文摘要
本發(fā)明是提供一種薄膜電晶體的制造方法，此種方法包括下列步驟在基板上形成基極及源極金屬層，在基極及源極金屬層上覆上一層氧化矽層，在氧化矽層上執(zhí)行高溫制程；在氧化矽層上覆上一層氮化矽層；結(jié)合氮化矽與氧化矽層以形成ILD層；以及對(duì)ILD層執(zhí)行氫化制程；藉由上述步驟可達(dá)成離子活化的效果，并使得元件得到充分的氫原子修補(bǔ)，進(jìn)而改善元件的特性表現(xiàn)與穩(wěn)定。
文檔編號(hào)H01L21/84GK1521839SQ0310425
公開(kāi)日2004年8月18日 申請(qǐng)日期2003年1月31日 優(yōu)先權(quán)日2003年1月31日
發(fā)明者陳坤宏, 葉光兆 申請(qǐng)人:友達(dá)光電股份有限公司