專利名稱：被覆導電性微粒、被覆導電性微粒的制造方法、各向異性導電材料以及導電連接結構體的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及具有良好連接可靠性的被覆導電性微粒(coatedconductive particle)、被覆導電性微粒的制造方法、各向異性導電材料以及導電連接結構體。
背景技術：
具有金屬表面的粒子除了可以用作各種樹脂填充劑、改性劑之外，還可以作為導電性微?；烊氲秸澈蟿渲腥ィ⒃谝壕э@示器、個人計算機、移動通信設備等電子產(chǎn)品中，可作為用于半導體器件等小型電氣零件與基板間的電連接以及基板之間的電連接等的所謂各向異性導電材料使用。
近年來，隨著電子儀器以及電子元件等的小型化，基板等的布線變得更加細微，因此希望可以實現(xiàn)導電性微粒的微粒化以及提高粒徑的精度。若要確保高連接可靠性，必須增加在各向異性導電材料中的導電性微粒的配合用量，但是在具有細微布線的基板等中，在相鄰的導電性微粒之間容易引起橫向的導通、或者使相鄰電極之間發(fā)生短路等問題。為了解決該問題，已經(jīng)提出了使用將導電性微粒表面利用絕緣體進行包覆而得到的被覆導電性微粒的各向異性導電材料。
作為這種將導電性微粒的表面利用絕緣體進行包覆的方法，例如在特開平4-362104號公報中公開了，在導電性微粒的存在下進行界面聚合、懸浮聚合、乳液聚合等，并利用樹脂進行微膠囊化的方法。在特開昭62-40183號公報中公開了通過將導電性微粒分散在樹脂溶液中后進行干燥的浸漬法而實現(xiàn)微膠囊化的方法。在特開平7-105716號公報中公開了噴霧干燥、雜化(hybridization)等方法，其他的還有利用真空蒸鍍的方法等。
但是，利用這些方法很難控制絕緣涂層的厚度，另外還會同時包覆多個導電性微粒。在利用被覆導電性微粒進行導電連接的時候，即使高度控制導電性微粒的粒徑，絕緣被覆層的厚度也會不均一，在受熱以及壓力下固定在電極間的時候，壓力不會均勻傳輸，容易引起導通不良。例如利用上述雜化作用的絕緣被覆層的形成方法中，由于導電性微粒表面上的被覆層與絕緣粒子之間以物理力進行粘付，因此在導電性微粒的表面上不能形成單層被覆層，絕緣被覆層厚度的控制較為困難，而且樹脂粉末會受由加熱以及摩擦產(chǎn)生的熱或沖擊作用而熔融、變形，因此要進行均一的被覆較為困難。另外，由于樹脂粉末與金屬表面的接觸面積變大，當用在像液晶元件等不宜受熱或壓力的裝置中時，很難除去絕緣被覆層，結果會引起導通不良等問題。
在特開平4-259766號公報以及特開平3-112011號公報中，公開了絕緣粒子通過靜電作用或雜化作用等較弱地附著在導電性微粒的表面上而形成的被覆導電性微粒。但是，利用這種方法得到的被覆導電性微粒中，由于絕緣粒子與導電性微粒之間的結合力只是范德華力或靜電力，因而很弱，在分散到粘合劑樹脂中去的時候或者與相鄰粒子的接觸時會使絕緣粒子剝落，從而不能確保很好的絕緣性。
另外，在將該被覆導電性微粒分散到粘合劑樹脂中制得各向異性導電材料的時候，以往使用的是具有與粘合劑樹脂以及溶劑等呈非相溶性的被覆層的被覆導電性微粒。例如在特開平4-362104號公報中公開了金屬微粒的聚合物被覆方法，特征在于在金屬微粒的表面形成與粘合劑樹脂非相溶性的均聚或者共聚聚合物膜；在特開昭62-40183號公報中公開了將導電性微粒分散在熱熔融型(hot melt型)絕緣性粘合劑中的接線板，特征在于用不溶于上述熱熔融型絕緣性粘合劑的樹脂包覆了上述導電性微粒；特開平7-105716號公報中公開了一種絕緣粒子，特征在于由絕緣性芯材、形成在該芯材表面上的導電性層以及包覆該導電性層面積的0.1～99.9％的絕緣層構成。
但是，使用具有在粘合劑樹脂中為非相溶性的被覆層的導電性微粒時，由于在粘合劑樹脂與被覆導電性微粒界面間的密合性較差，分散在粘合劑樹脂中的被覆導電性微粒容易引起層分離，穩(wěn)定性較差。特別是在作為粘合劑樹脂使用熱固化樹脂的各向異性導電膜以及各向異性導電粘合劑中，由于粘合劑樹脂與被覆導電性微粒界面之間的密合性較低，因而在利用熱壓接使粘合劑樹脂固化之后，粘合劑樹脂與被覆導電性微粒的界面會發(fā)生剝離，從而不能保證長時間連接的穩(wěn)定性以及可靠性。另外為了確保電極間以及液晶板間的空間，在密封劑等粘合劑樹脂中分散被覆導電性微粒進行熱壓接時，由于形成被覆層的樹脂在粘合劑樹脂中表現(xiàn)為非相溶性，因此受熱熔融的被覆樹脂會滲漏，從而污染電極以及液晶等。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種具有良好連接可靠性的被覆導電性微粒、被覆導電性微粒的制造方法、各向異性導電材料以及導電連接結構體。
本發(fā)明之1為一種被覆導電性微粒，由具有由導電性金屬組成的表面的粒子、以及包覆上述具有由導電金屬構成表面的粒子的表面的被覆絕緣粒子所構成，上述絕緣粒子通過對于上述導電金屬具有結合性的官能團(A)，化學結合在上述具有由導電性金屬構成的表面的粒子上，從而形成單層被覆層。上述具有由導電性金屬組成的表面的粒子，優(yōu)選由由樹脂構成的核心粒子和形成在上述核心粒子的表面上的導電性金屬層構成。上述的絕緣粒子的平均粒徑優(yōu)選在具有由導電性金屬組成的表面的粒子的平均粒徑的1/10以下，粒徑CV值優(yōu)選在20％以下，且優(yōu)選的是表面積的20％以下與具有由導電性金屬組成的表面的粒子表面接觸。另外，上述絕緣粒子，比具有由導電性金屬組成的表面的粒子軟也可以，此時可以是交聯(lián)樹脂。另一方面，上述絕緣粒子也可以比具有由導電性金屬組成的表面的粒子硬。進而上述的絕緣粒子優(yōu)選帶有正電荷，其中優(yōu)選的是由含銨基或者锍基的樹脂構成。作為對于上述金屬具有結合性的官能團(A)，優(yōu)選硫醇基或者硫醚基。
制造本發(fā)明之1被覆導電性微粒的方法，至少包括在有機溶劑以及/或者水中，利用范德華力或者靜電相互作用，在具有由導電金屬構成的表面的粒子上凝集絕緣粒子的步驟1；以及使具有由導電金屬構成的表面的粒子與絕緣粒子通過化學鍵結合的步驟2，這也是本發(fā)明之一。
本發(fā)明之2為，本發(fā)明之1的被覆導電性微粒分散在絕緣性粘合劑樹脂中而成的各向異性導電材料。作為上述粘合劑樹脂，優(yōu)選的是熱以及/或者光固化粘合劑。另外，優(yōu)選的是在被覆導電性微粒的絕緣粒子中所含有的官能團與粘合劑樹脂中的官能團通過化學鍵結合，此時與上述粘合劑樹脂中的官能團以化學鍵結合的、被覆導電性微粒的絕緣粒子中所含的官能團，優(yōu)選為環(huán)氧基。上述各向異性導電材料優(yōu)選為各向異性導電粘合劑。
本發(fā)明之3，是利用本發(fā)明之1的被覆導電性微?；蛘弑景l(fā)明之2的各向異性導電材料進行導電連接而成的導電連接結構體。


圖1是表示實施例中使用的具有梳形圖案的硅片基板的模式圖。
具體實施例方式
下面對本發(fā)明進行詳細的敘述。
本發(fā)明之1的被覆導電性微粒，由具有由導電金屬組成的表面的粒子(以下也稱為金屬表面粒子)、以及包覆上述金屬表面粒子的絕緣粒子構成。通過在金屬表面粒子的表面利用絕緣粒子進行被覆，在利用本發(fā)明之1的被覆導電性微粒進行基板等的導電連接時，即使對于有細微布線的基板，在相鄰導電性微粒之間也不會發(fā)生橫向的導通等，另外通過在縱向施加熱以及壓力進行熱壓接，以使金屬表面粒子的金屬表面暴露出來，從而可以確實地實現(xiàn)導通。
作為上述的金屬表面粒子，只要最外層由導電金屬構成，則沒有特別限定，例如可以舉出只由金屬構成的粒子；在由有機化合物或者無機化合物組成的核心粒子表面上通過蒸鍍、電鍍、涂布等方法形成金屬層的粒子；將金屬微細粒子導入到絕緣性核心粒子的表面上的粒子等。其中在將本發(fā)明的被覆導電性微粒用于各向異性導電材料時，從連接的穩(wěn)定性方面考慮，優(yōu)選使用的是在由樹脂構成的核心粒子表面上形成導電性金屬層的粒子，這是因為電極間壓接時會發(fā)生變形而可以增加接合面積。
作為上述金屬，只要有導電性就沒有特別限定，例如可舉出金、銀、銅、鉑、鋅、鐵、錫、鉛、鋁、鈷、銦、鎳、鉻、鈦、銻、鉍、鍺、鎘、硅等金屬以及ITO、焊錫等金屬化合物。
上述金屬層可以是單層構造，也可以是由多層構成的層壓構造。在由層壓構造構成時，最外層優(yōu)選的是由金構成。通過由金構成最外層，可以提高耐腐蝕性并降低接觸電阻，從而可以進一步改善得到的被覆導電性微粒。
作為在由上述樹脂構成的核心粒子表面上形成導電性金屬層的方法，也沒有特別限定，例如可以使用公知的物理金屬蒸鍍法、化學非電解鍍法等，但從工藝的簡便性來說，比較合適的是非電解鍍法。作為可利用非電解鍍法形成的金屬層，例如有金、銀、銅、鉑、鈀、鎳、銠、釕、鈷、錫以及它們的合金等，但是在本發(fā)明的被覆導電性微粒中，從可以以高密度形成均勻被覆的角度考慮，優(yōu)選的是金屬層的一部分或者全部由非電解鍍鎳工序形成。
作為在上述金屬層的最外層形成金層的方法，沒有特別限定，例如可以使用非電解鍍、置換鍍、電鍍、噴濺等已知方法。
對于上述金屬層的厚度雖然沒有特別限定，但優(yōu)選下限為0.005μm，優(yōu)選上限為1μm。當不足0.005μm的時候，得不到作為導電層的充分的效果，超過1μm的時候，或者得到的被覆導電性微粒的比重過高，或者由樹脂構成的核心粒子的硬度已經(jīng)變成不能充分變形的程度。更為優(yōu)選的下限為0.01μm，更為優(yōu)選的上限是0.3μm。
另外，當上述金屬層的最外層形成為金層時，金層的厚度優(yōu)選下限為0.001μm，優(yōu)選上限為0.5μm。當不足0.001μm時，很難被覆成均勻的金屬層而且得不到所期待的提高耐腐蝕性以及接觸電阻值的效果，當超過0.5μm的時候，相對于其效果來講，成本太高。更為優(yōu)選的下限為0.01μm，更為優(yōu)選的上限為0.1μm。
當上述金屬表面粒子由由有機化合物構成的核心粒子以及形成在其表面上的金屬層構成時，作為上述的核心粒子并沒有特別限定，例如可以由聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯、聚異丁烯、聚丁二烯等聚烯烴，聚甲基丙烯酸甲酯、聚丙烯酸甲酯等丙烯酸樹脂，聚對苯二甲酸亞烷基酯，聚砜，聚碳酸酯、聚酰胺，酚醛樹脂等苯酚樹脂，蜜胺甲醛樹脂等三聚氰胺樹脂，苯鳥糞胺甲醛樹脂等苯鳥糞胺樹脂，尿素甲醛樹脂，環(huán)氧樹脂，(不)飽和聚酯樹脂，聚對苯二甲酸乙二醇酯，聚砜，聚苯醚，聚縮醛，聚酰亞胺，聚酰胺，聚醚醚酮，聚醚砜等構成。從比較容易得到適合的硬度的角度考慮，其中優(yōu)選使用的是由一種或者兩種以上含乙烯性不飽和基的各種聚合單體聚合而得到的樹脂。
上述含乙烯性不飽和基的聚合單體，可以是非交聯(lián)性的單體也可以是交聯(lián)性的單體。
作為上述非交聯(lián)性的單體，例如有苯乙烯、α-甲基苯乙烯、p-甲基苯乙烯、p-氯代苯乙烯、氯代甲基苯乙烯等苯乙烯類單體；(甲基)丙烯酸、馬來酸、馬來酸酐等含羧基單體；(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸十二烷基酯、(甲基)丙烯酸十六烷基酯、(甲基)丙烯酸十八烷基酯、(甲基)丙烯酸環(huán)己酯、(甲基)丙烯酸異冰片基酯、(甲基)丙烯酸乙二醇酯、(甲基)丙烯酸三氟乙基酯、(甲基)丙烯酸五氟丙基酯等(甲基)丙烯酸烷基酯類；(甲基)丙烯酸2-羥基乙基酯、(甲基)丙烯酸甘油酯、聚環(huán)氧乙烷(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸縮水甘油酯等含氧原子(甲基)丙烯酸酯類；(甲基)丙烯腈等含腈單體；甲基乙烯基醚、乙基乙烯基醚、丙基乙烯基醚等乙烯基醚類；醋酸乙烯酯、丁酸乙烯酯、月桂酸乙烯酯、硬脂酸乙烯酯、氟化乙烯、氯化乙烯、丙酸乙烯酯等酸乙烯酯類；乙烯、丙烯、丁烯、甲基戊烯、異戊二烯、丁二烯等不飽和烴類等。
作為上述交聯(lián)單體，有例如四羥甲基甲烷四(甲基)丙烯酸酯、四羥甲基甲烷三(甲基)丙烯酸酯、四羥甲基甲烷二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇五(甲基)丙烯酸酯、甘油三(甲基)丙烯酸酯、甘油二(甲基)丙烯酸酯、聚乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚丙二醇二(甲基)丙烯酸酯等多官能團(甲基)丙烯酸酯類；三烯丙基三聚(異)氰酸酯、三烯丙基三苯六酸酯、二乙烯基苯、鄰苯二甲酸二烯丙酯、二烯丙基丙烯酰胺、二烯丙基醚等；γ-(甲基)丙烯氧基丙基三甲氧基硅烷、三甲氧基甲硅烷基苯乙烯、乙烯基三甲氧基硅烷等含硅烷單體；鄰苯二甲酸等二羧酸類；二胺類；鄰苯二甲酸二烯丙酯、苯鳥糞胺、三烯丙基異氰酸酯類等。
上述核心粒子的平均粒徑優(yōu)選下限為0.5μm，優(yōu)選上限為100μm。當不足0.5μm時，在形成金屬層的時候容易發(fā)生凝集，利用產(chǎn)生凝集的核心粒子制得的被覆導電性微粒會引起相鄰電極間的短路，當超過100μm的時候，得到的被覆導電性微粒的金屬層容易剝落，從而會使可靠性下降。下限更為優(yōu)選的是1μm，上限更為優(yōu)選的是20μm。另外上述核心粒子的平均粒徑可以利用光學顯微鏡、電子顯微鏡、庫爾特顆粒計數(shù)器等進行測定后對測定的粒徑進行統(tǒng)計處理求得。
上述核心粒子的平均粒徑的變動系數(shù)優(yōu)選是在10％以下。當超過10％時，很難用所得到的被覆導電性微粒來任意控制相對向電極的間隔。另外上述的變動系數(shù)，是從粒徑分布得到的標準偏差除以平均粒徑得到的數(shù)值。
上述核心粒子的10％K值優(yōu)選下限為1000MPa，優(yōu)選上限值為15000MPa。當不足1000MPa時，得到的被覆樹脂粒子的強度不是很充分，因此在壓縮變形的時候會破壞粒子從而不能發(fā)揮其作為導電材料的性能，而當超過15000MPa的時候，會損傷電極。下限更為優(yōu)選的是2000MPa，上限更為優(yōu)選的是10000MPa。另外，可以利用微壓縮試驗儀(例如，島津制作所制PCT-200等)，將粒子在由直徑為50μm的金剛石制圓柱構成的平滑壓頭端面上，以壓縮速度2.6mN/秒、最大試驗負荷10g的條件進行壓縮，測定其壓縮位移(mm)，然后利用下式求得上述的10％K值。
F粒子在10％壓縮變形時的負荷值(N)S粒子在10％壓縮變形時的壓縮位移(mm)R粒子半徑(mm)另外，為了得到10％K值滿足上述條件的核心粒子，核心粒子優(yōu)選由使上述含乙烯性不飽和基的聚合單體進行聚合得到的樹脂構成，此時作為構成組分，更優(yōu)選至少含有20重量％以上交聯(lián)性單體。
上述核心粒子，優(yōu)選的是回復率在20％以上。當不足20％的時候，得到的被覆導電性微粒在受到壓縮時變形之后不會回復到原樣，會引起連接不良。更為優(yōu)選的是在40％以上。另外上述回復率所指的是粒子在承受9.8mN的負荷后的回復率。
作為上述的絕緣粒子，只要具有絕緣性并沒有特別限定。例如除了由絕緣樹脂制得之外，還可以由二氧化硅等絕緣性無機物制得。其中優(yōu)選的是由絕緣性樹脂組成的粒子。作為上述絕緣性樹脂并沒有特別限定，例如可以使用在所述核心粒子中使用的樹脂等。這些樹脂可以單獨使用也可以兩種以上并用。
上述絕緣粒子的粒徑，隨著金屬表面粒子的粒徑以及被覆導電性微粒的用途而有所不同，但是優(yōu)選的是在金屬表面粒子粒徑的1/10以下。超過1/10時，絕緣粒子的粒徑過大，達不到使用金屬表面粒子所期待的效果。另外在1/10以下時，在利用異種凝集法制取本發(fā)明的被覆導電性微粒的時候，可以以高效率在金屬表面粒子上吸附絕緣粒子。另外本發(fā)明的被覆導電性微粒在被用作各向異性導電材料的時候，上述絕緣粒子的粒徑優(yōu)選是在5～1000nm之間。當不足5nm的時候，相鄰被覆導電性微粒間的距離比電子跳躍距離要小，容易引起漏電(leaking)，而當超過1000nm的時候，熱壓接時必須加大所需要的壓力以及熱。更為優(yōu)選的是在10～500nm之間。
另外在利用大的絕緣粒子時在被覆間隙可以插入小的絕緣粒子，從而可以提高被覆密度，因此也可以并用兩種以上不同粒徑的絕緣粒子。此時，優(yōu)選的是小絕緣粒子的粒徑為大絕緣粒子粒徑的1/2以下，另外小絕緣粒子的數(shù)量優(yōu)選為大絕緣粒子數(shù)量的1/4以下。
上述絕緣粒子，優(yōu)選的是粒徑的CV值在20％以下。超過20％時，得到的被覆絕緣粒子的被覆層的厚度不均勻，在電極間進行熱壓接的時候很難施加均勻的壓力，會引起導通不良。另外上述粒徑的CV值可以利用下式算出。
粒徑CV值(％)＝粒徑的標準偏差/平均粒徑×100作為上述粒徑分布的測定方法，在包覆金屬表面粒子之前可以利用粒度分布計等進行測定，在包覆之后可以根據(jù)SEM照片的圖像分析等進行測定。
上述絕緣粒子，優(yōu)選的是表面積的20％以下與金屬表面粒子的表面接觸。超過20％時，上述絕緣粒子的變形較大，得到的被覆導電性微粒被覆層的厚度不均一，另外由于絕緣粒子與金屬表面粒子的結合力過強，即使在電極間壓接也不能排除絕緣粒子，因而會引起導通不良。另外對下限并沒有特別限定，例如絕緣粒子與金屬表面粒子在利用較長鏈的聚合物等進行結合的時候，實質(zhì)上也可以為0％。
上述絕緣粒子，優(yōu)選的是具有正電荷的粒子。由于存在正電荷，除了可以利用后述的異種凝集法使與金屬表面粒子結合之外，而且在上述絕緣粒子之間由于靜電排斥作用，可以抑制絕緣粒子之間的凝集，從而可以形成單層被覆層。即，絕緣粒子帶正電的時候，絕緣粒子可以以單層附著在金屬表面粒子上。另外當該正電荷是銨基或者锍基所致時，也可以作為后述的對金屬具有結合性的官能團(A)發(fā)揮作用，從而使絕緣粒子比較容易直接與金屬表面粒子表面的金屬形成化學鍵。因此，上述絕緣粒子優(yōu)選的是由含銨基或者锍基的樹脂構成。其中更優(yōu)選由含锍基的樹脂構成。
作為上述帶正電荷的絕緣粒子，可以使用的有例如在制造絕緣粒子時混入帶有正電荷的聚合單體的粒子、利用帶有正電荷的自由基引發(fā)劑進行聚合的粒子、使用帶有正電荷的分散穩(wěn)定劑或者乳化劑制得的粒子等。這些方法也可以兩種以上并用。其中利用帶正電荷的聚合單體的方法、用自由基引發(fā)劑的方法比較合適。
作為上述帶有正電荷的聚合單體，例如有N，N-二甲胺乙基甲基丙烯酸酯、N，N-二甲胺丙基丙烯酰胺、N，N，N-三甲基-N-2-甲基丙烯酰氧基乙基氯銨等含銨基單體，甲基丙烯酸苯基二甲基锍基甲基硫酸鹽等的含锍基單體。作為上述帶有正電荷的自由基引發(fā)劑，例如有2，2’-偶氮雙{2-甲基-N-[2-(1-羥基-丁基)]-丙酰胺}、2，2’-偶氮雙[2-(2-咪唑啉-2-基)丙烷]、2，2’-偶氮雙(2-脒基丙烷)以及它們的鹽等等。
在本發(fā)明之1的被覆導電性微粒中，上述金屬表面粒子與絕緣粒子之間通過與金屬具有結合性的官能團(A)形成化學鍵。通過形成化學鍵，與只通過范德華力或者靜電引力結合時相比，其結合力更強，可以有效地防止在粘合劑樹脂等中混煉的時候所發(fā)生的絕緣粒子的剝落、以及將被覆導電性微粒作為各向異性導電材料使用時由于與相鄰粒子的接觸而發(fā)生絕緣粒子剝落從而導致漏電的現(xiàn)象。另外由于該化學鍵只在金屬表面粒子與絕緣粒子之間形成，而在絕緣粒子之間并沒有形成，因而利用該絕緣粒子可以形成單層被覆層。因此如果使用的金屬表面粒子以及絕緣粒子的粒徑均一致，則可以較為容易地使本發(fā)明的被覆導電性微粒的粒徑均一。
作為上述的官能團(A)，只要可以與金屬形成離子鍵、共價鍵、配位鍵，就沒有特別的限定，例如可舉出硅烷基、硅烷醇基、羧基、氨基、銨基、硝基、羥基、羰基、硫醇基、磺酸基、锍基、硼酸基、噁唑啉基(oxazoline)、吡咯烷酮基、磷酸基、腈基等。其中優(yōu)選的是可以形成配位鍵的官能團，含S、N、P原子的官能團較適合使用。例如當金屬是金時，優(yōu)選對金可以形成配位鍵的含S官能團，特別優(yōu)選的是硫醇基、硫醚基(sulfide group)。
對于利用該官能團(A)在金屬表面粒子與絕緣粒子之間形成化學鍵的方法并沒有特別限定，例如可以使用1)將表面上有官能團(A)的絕緣粒子導入到金屬表面粒子表面上的方法，2)將有官能團(A)以及反應性官能團(B)的化合物導入到金屬表面，然后通過一階段或者多階段反應使反應性官能團(B)與絕緣粒子進行反應而使之結合的方法等。
上述的方法1)中，對于制取在表面上有官能團(A)的絕緣粒子的方法并沒有特別限定，例如可列舉在制造絕緣粒子的時候混入含官能團(A)的單體的方法；在絕緣粒子的表面上通過化學鍵導入官能團(A)的方法；通過化學處理將絕緣粒子的表面改性為官能團(A)的方法；以及將絕緣粒子的表面利用等離子體等改性為官能團(A)的方法。
作為上述方法2)，例如可以使用使在同一分子內(nèi)具有官能團(A)以及羥基、羧基、氨基、環(huán)氧基、甲硅烷基、硅烷醇基、異氰酸酯基等反應性官能團(B)的化合物與金屬表面粒子進行反應，接著再與表面上有可以與反應性官能團(B)形成共價鍵的官能團的有機化合物粒子進行反應的方法等。作為同一分子中含有官能團(A)以及反應性官能團(B)的化合物，例如有2-氨乙基硫醇、p-氨基苯硫酚等。如果使用2-氨乙基硫醇，可通過SH基使2-氨乙基硫醇與金屬表面粒子的表面結合，另一方面利用例如表面含環(huán)氧基或者羧基等的絕緣粒子與氨基進行反應，從而可以使金屬表面粒子與絕緣粒子結合起來。
利用本發(fā)明之1的被覆導電性微粒進行電極間接合的時候，可以通過加熱以及加壓進行熱壓接而使金屬表面粒子的金屬表面露出來，從而實現(xiàn)導通。這里金屬表面露出是指金屬表面粒子的金屬表面不受絕緣粒子妨礙可以直接與電極接通的狀態(tài)。另外作為上述熱壓接的條件，可根據(jù)各向異性導電材料中被覆導電性微粒的密度以及所連接的電子元件的種類等確定，不一定要進行限定，通常在120～220℃的溫度下，以9.8×104～4.9×106Pa的壓力進行。
作為金屬表面粒子的金屬表面露出的形態(tài)，有如下3種形態(tài)。
第一種形態(tài)，通過熱壓接使絕緣粒子熔融，從而露出金屬表面粒子的金屬表面。
第二種形態(tài)，通過熱壓接使絕緣粒子變形，從而露出金屬表面粒子的金屬表面。
第三種形態(tài)，通過熱壓接使金屬表面粒子與絕緣粒子之間發(fā)生剝離，從而露出金屬表面粒子的金屬表面。
其中優(yōu)選的是利用第二種形態(tài)使金屬表面粒子的金屬表面露出從而實現(xiàn)導電連接。采用第一種形態(tài)的時候，熔融的絕緣粒子會滲漏，從而污染粘合劑樹脂以及基板，或者連使相鄰被覆導電性微粒間絕緣的被覆層也發(fā)生熔融，從而不能充分顯示其絕緣性能。采用第三種形態(tài)的時候，在熱壓接時金屬表面粒子與絕緣粒子在沿壓接方向并排時由于絕緣粒子被夾在金屬表面粒子與基板之間從而不能剝離，會降低連接可靠性。
對于采用哪一種形態(tài)使金屬表面粒子的金屬表面露出來實現(xiàn)導電連接，也受熱壓接條件等的影響，通?？梢酝ㄟ^金屬表面粒子的硬度與絕緣粒子硬度的相對關系來進行控制。這里粒子的硬度是指在熱壓接條件下的相對硬度，例如相比金屬表面粒子當絕緣粒子的軟化溫度較低從而在熱壓接條件下只有絕緣粒子軟化時，就說絕緣粒子相對柔軟。
當絕緣粒子比金屬表面粒子柔軟時，通常會利用上述第一或者第二形態(tài)使金屬表面粒子的金屬表面露出來，實現(xiàn)導電連接。例如作為絕緣粒子所使用的是熔點比熱壓接溫度低的粒子時，在熱壓接條件下絕緣粒子一方會變得柔軟，由此會發(fā)生熔融流動，從而使金屬表面粒子的金屬表面露出來。另外，作為絕緣粒子當使用的是熔點比熱壓接溫度高而軟化溫度比熱壓接溫度低時，在熱壓接條件下絕緣粒子一方會變得柔軟，絕緣粒子會發(fā)生變形而被破壞，從而使金屬表面粒子的金屬表面露出來。作為熔點比熱壓接溫度高而軟化溫度比熱壓接溫度低的粒子，例如有交聯(lián)樹脂；天然橡膠、合成橡膠等橡膠等。
另一方面，當絕緣粒子比金屬表面粒子硬的時候，通常會利用上述的第三種形態(tài)使金屬表面粒子的金屬表面露出來，實現(xiàn)導電連接。即，將被覆導電性微粒置于電極間進行熱壓接時，由于壓接在金屬表面粒子與絕緣粒子之間會產(chǎn)生應力，當該應力超出化學鍵的結合力時絕緣粒子就會脫離出金屬表面粒子，從而使金屬表面粒子的金屬表面露出。
對于上述金屬表面粒子的硬度與絕緣粒子硬度的相對關系，例如作為上述金屬表面粒子，所用的是由由樹脂構成的核心粒子和形成在核心粒子的表面上的導電性金屬層構成的粒子，且作為絕緣粒子使用的是絕緣性樹脂時，可以通過下述方法來調(diào)整該相對關系a)選擇用于金屬表面粒子的核心粒子的樹脂的種類以及絕緣粒子中所用樹脂的種類，b)選擇金屬表面粒子的核心粒子中所用樹脂的交聯(lián)度以及用于絕緣粒子的樹脂的交聯(lián)度，c)適當選擇金屬表面粒子金屬層的金屬種類·厚度以及用于絕緣粒子的樹脂的種類。
另外，若要使金屬表面粒子的金屬表面露出來，絕緣粒子的被覆率即由絕緣粒子被覆的部分的面積優(yōu)選的是占金屬表面粒子的全部表面積的5～50％。在不足5％的時候，相鄰被覆導電性微粒之間的絕緣不是很充分，超過50％的時候在第一種形態(tài)中由于增加了必須熔融排除的絕緣粒子的量，所以施加的熱以及壓力必須要在所需水平之上，或者排除的樹脂會使粘合劑樹脂的性能下降，在第二種形態(tài)中，即使絕緣粒子變形而被破壞金屬表面也不會充分暴露出來，而對于第三種形態(tài)，為了推開相鄰絕緣粒子使熱壓接方向的絕緣粒子剝離，所施加的壓力必須在必要水平之上，或者在金屬表面粒子與電極間會夾雜著絕緣粒子，從而提高不能導通的危險性。
下面對這種金屬表面粒子的硬度與絕緣粒子硬度之間的相對關系的調(diào)整進一步進行說明。例如當作為上述金屬表面粒子選擇的是銅、鎳、鐵、金等比較硬的金屬；氮化鋁等比較硬的金屬氧化物；二氧化硅等無機粒子；在由交聯(lián)單體配合量在50重量％以上的樹脂構成的核心粒子上設置金屬層的粒子等較硬的粒子時，通過作為上述絕緣粒子而選擇下述的粒子，可以調(diào)整采用哪一種形態(tài)使金屬表面粒子的金屬表面露出來，以實現(xiàn)導電連接。
例如作為上述的絕緣粒子，當選擇交聯(lián)單體的配合量不足1重量％、而且熔融溫度在60～220℃的樹脂時，可以考慮采用第一種形態(tài)使金屬表面粒子的金屬表面露出來，實現(xiàn)導電連接。另外此時絕緣粒子的凝膠分率優(yōu)選在50％以下。作為這種絕緣粒子，有例如含約0.5重量％作為交聯(lián)單體的二乙烯基苯或者乙二醇二甲基丙烯酸酯的甲基丙烯酸甲酯/苯乙烯共聚物等。另外當熔融溫度不足60℃時，在運送以及貯藏時被覆導電性微粒之間會粘接在一起。另外當交聯(lián)單體的配合量為0％的時候，會溶解在混煉粘合劑樹脂等時的有機溶劑中。
另外例如作為上述的絕緣粒子，當選擇交聯(lián)單體的配合量為1～20重量％、而且軟化溫度為60～220℃的樹脂時，可以考慮采用第二種形態(tài)使金屬表面粒子的金屬表面露出來，實現(xiàn)導電連接。另外此時絕緣粒子的凝膠分率優(yōu)選的是在50％以上。作為該絕緣粒子，可以使用的有例如含大約3重量％作為交聯(lián)單體的二乙烯基苯的甲基丙烯酸甲酯/苯乙烯共聚物、含大約5重量％的二乙烯基苯或者乙二醇二甲基丙烯酸酯的樹脂等。
另外例如作為上述絕緣粒子，在選擇交聯(lián)單體含量在50重量％以上、而且不軟化或者無機微粒的時候，可以考慮采用第三種形態(tài)使金屬表面粒子的金屬表面露出來，實現(xiàn)導電連接。另外此時絕緣粒子的凝膠分率優(yōu)選的是在80％以上。作為該絕緣粒子，例如有含約80重量％作為交聯(lián)單體的二乙烯基苯或者季戊四醇四丙烯酸酯的樹脂、二氧化硅、氮化鋁等。
其中特別優(yōu)選的是，作為核心粒子選用含50重量％以上交聯(lián)單體的樹脂且以鎳/金層作為金屬層的金屬表面粒子，和由含有2～5重量％作為交聯(lián)單體的二乙烯基苯或者乙二醇二甲基丙烯酸酯、季戊四醇四丙烯酸酯等多官能團(甲基)丙烯酸酯的苯乙烯共聚物樹脂構成的絕緣粒子的組合，是在連接可靠性方面最為優(yōu)異的例子之一，特別優(yōu)選。
作為制造本發(fā)明之1的被覆導電性微粒的方法，只要是使上述絕緣粒子與上述金屬表面粒子表面接觸從而可形成化學鍵的方法就沒有特別限定，例如優(yōu)選的是至少包括在有機溶劑以及/或者水中，通過范德華力或者靜電力作用在具有由導電性金屬構成的表面的粒子上凝集絕緣粒子的工序1，以及使具有由導電性金屬構成的表面的粒子與絕緣粒子通過化學鍵結合的工序2的方法。工序1的凝集法稱為異種凝集法，若使用該方法，則可利用溶劑效應使金屬表面粒子與絕緣粒子之間迅速而且確實地發(fā)生化學反應，因此不必施加必要以上的壓力，另外由于整體的溫度比較容易控制，絕緣粒子不易受熱變形。與之相比，利用以往的采用高速攪拌機或者雜化機(hybridizer)等的干式方法導入絕緣粒子時，容易施加必要以上的壓力以及摩擦熱等負荷，當絕緣粒子比金屬表面粒子硬時，會損傷金屬表面粒子或者使金屬層剝離，另外當絕緣粒子比金屬表面粒子軟以及絕緣粒子的玻璃化轉變溫度低時，會由于與金屬表面粒子的沖突以及摩擦熱使絕緣粒子變形，進而使接觸面積變大，或使絕緣膜厚變得不均一，或使絕緣粒子層壓粘結，或者因絕緣粒子發(fā)生熔融，使被覆導電性微粒之間粘結在一起，從而不能形成單粒子化。
作為上述的有機溶劑，只要不會溶解絕緣粒子就沒有特別限定。
本發(fā)明之1的這種被覆導電性微粒的制造方法，為一種至少包括在有機溶劑以及/或者水中，通過范德華力或者靜電力作用在具有由導電性金屬構成的表面的粒子上凝集絕緣粒子的工序1，以及使具有由導電性金屬構成的表面的粒子與絕緣粒子通過化學鍵結合的工序2的方法，這也是本發(fā)明之一。
本發(fā)明之1的被覆導電性微粒中，由于金屬表面粒子與絕緣粒子之間通過化學鍵結合，在粘合劑樹脂等中混煉的時候以及與相鄰粒子接觸的時候，不會因為絕緣粒子與金屬表面之間的結合力過弱而使絕緣粒子剝落。另外絕緣粒子可形成為單層被覆層，絕緣粒子的粒徑分布小而且絕緣粒子與金屬表面的接觸面積一定，因此可以使被覆導電性微粒的粒徑均一。
將本發(fā)明之1的被覆導電性微粒作為各向異性導電材料使用時，在連接時可通過熱壓接使金屬表面粒子的金屬表面露出來從而可以得到可靠的連接導通，另一方面在相鄰粒子之間施加壓力不會使絕緣粒子從金屬表面粒子的表面上剝落下來，因此可以得到可靠的絕緣性。
本發(fā)明之1的被覆導電性微粒，可以用作各向異性導電材料，熱線反射材料，電磁波屏蔽材料等。其中，較適合的是通過分散在絕緣粘合劑樹脂中而用作各向異性導電材料。
本發(fā)明之2為將本發(fā)明之1的被覆導電材料分散在絕緣性粘合劑樹脂中而成的各向異性導電材料。在本說明書中，各向異性導電材料包括各向異性導電膜、向異性導電糊、各向異性導電粘合劑、各向異性導電油墨等。
對上述各向異性導電膜的制作方法并沒有特別限定，例如可舉出在粘合劑樹脂中加入溶劑之后使本發(fā)明被覆導電性微粒懸浮于其中，再將該懸浮液在脫膜型薄膜上流延而形成被膜，將被膜中的溶劑蒸發(fā)后在輥上卷取的方法等。利用上述各向異性導電膜的導電連接中，同時拉出被膜與脫模型薄膜，并置于要粘合被膜的電極上，然后在上面疊加對向電極，經(jīng)過熱壓接使之連接的方法等。
上述各向異性導電糊，例如可以通過將各向異性導電粘合劑作成糊狀而制作，將其加入到適當?shù)呐浜掀髦?dispenser)，在所要接合的電極上涂成所需的厚度，然后在上面疊加對向電極，通過熱壓接使樹脂固化，從而可以完成連接。
上述各向異性導電油墨，例如，可以在各向異性導電粘合劑中加入溶劑形成適于印刷的粘度而制得，可以將其通過絲網(wǎng)印刷印刷在所要粘合的電極上，然后蒸發(fā)掉溶劑，在上面疊加對向電極后，可通過熱壓接完成連接。
作為上述各向異性導電材料的涂覆膜厚，可以從所用的本發(fā)明被覆導電性微粒的平均粒徑與連接電極的規(guī)格計算得知，優(yōu)選的是使連接電極間夾持被覆導電性微粒、且連接基板間被粘合層所填滿。
作為上述絕緣性的粘合劑樹脂，只要具有絕緣性就沒有特別限定。例如可舉出丙烯酸酯、乙烯-醋酸乙烯樹脂、苯乙烯-丁二烯嵌段共聚物及其加氫物、苯乙烯-異戊二烯嵌段共聚物及其加氫物等熱塑性樹脂；環(huán)氧樹脂、丙烯酸酯樹脂、蜜胺甲醛樹脂、脲醛樹脂、酚醛樹脂等熱固性樹脂；多元醇的丙烯酸酯、聚酯丙烯酸酯、多元羧酸的不飽和酯等可利用紫外線、電子射線固化的樹脂等。其中利用熱以及/或者光進行固化的粘合劑比較合適。
本發(fā)明之2的各向異性導電材料中，優(yōu)選的是所含有的本發(fā)明之1的被覆導電性微粒的絕緣粒子中所含的官能團可以與粘合劑樹脂中的官能團形成化學鍵。通過使上述絕緣粒子與粘合劑樹脂用化學鍵結合而制得的各向異性導電材料中，分散在粘合劑樹脂中的本發(fā)明之1的被覆導電性微粒具有良好的穩(wěn)定性，同時熱熔融的絕緣粒子不會因滲漏而污染電極以及液晶，而且該各向異性導電材料具有良好的長期連接穩(wěn)定性以及可靠性。
作為這種絕緣粒子與粘合劑樹脂的組合，例如絕緣粒子優(yōu)選的是含羧基、環(huán)氧基、異氰酸酯基、氨基、羥基、磺酸基、硅烷基、硅烷醇基等官能團，其中更為優(yōu)選的是含環(huán)氧基。與此相對，作為粘合劑樹脂優(yōu)選使用的是含在常溫下、加熱下或者光照射下可與這些官能團反應的官能團的(共)聚合物、或者含上述反應性官能團且通過聚合反應或者縮聚反應可以形成(共)聚合物或者縮聚物的單體等。這些粘合劑樹脂可以單獨使用，也可以兩種以上并用。
作為上述(共)聚合物并沒有特別限定，例如可列舉聚乙烯、聚丁二烯等聚烯烴；聚乙二醇、聚丙二醇等聚醚；聚苯乙烯、聚(甲基)丙烯酸、聚(甲基)丙烯酸酯、聚丙烯酰胺、聚乙烯醇、聚乙烯酯、酚醛樹脂、三聚氰胺樹脂、烯丙基樹脂、呋喃樹脂、聚酯、環(huán)氧樹脂、硅酮樹脂、聚酰亞胺、聚氨酯、氟樹脂、丙稀腈-苯乙烯共聚樹脂、苯乙烯-丁二烯共聚樹脂、乙烯基樹脂、聚酰胺樹脂、聚碳酸酯、聚縮醛、聚醚砜、聚苯醚、糖、淀粉、纖維素、多肽等。這些(共)聚合物可以單獨使用，也可以兩種以上混合使用。
另外作為可以形成上述(共)聚合物以及縮聚物的單體沒有特別限定，例如可以舉出利用熱、光、電子射線、自由基聚合引發(fā)劑、聚合催化劑等進行聚合反應的乙烯類單體或者進行縮聚反應的單體等。這些單體可以單獨使用也可以兩種以上結合使用。
本發(fā)明之2的各向異性導電材料，除了作為必要成分的粘合劑樹脂以及本發(fā)明之1的被覆導電性微粒之外，在不破壞本發(fā)明課題的實現(xiàn)的范圍內(nèi)，還可以根據(jù)需要加入一種或者兩種以上例如填充劑、增量劑、柔軟劑、增塑劑、聚合催化劑、固化催化劑、著色劑、抗氧化劑、熱穩(wěn)定劑、光穩(wěn)定劑、紫外線吸收劑、潤滑劑、抗靜電劑、阻燃劑等各種添加劑。
作為將本發(fā)明之1的被覆導電性微粒分散在上述粘合劑樹脂中的方法并沒有特別限定，可以使用已知的分散方法，例如可以使用在粘合劑樹脂中添加被覆導電性微粒之后，利用行星式混合機等進行混煉分散的方法；利用均化器等將被覆導電性微粒均一分散在有機溶劑或者水中之后，加入到粘合劑樹脂中去，利用行星式混合機等進行混煉分散的方法；利用水或者有機溶劑等稀釋粘合劑樹脂之后，添加被覆導電性微粒，再利用行星式混合機等進行混煉分散的方法等賦予機械剪切力進行分散的方法等。這些分散方法可以單獨使用也可以兩種以上結合使用。
對于上述賦予機械剪切力的方法并沒有特別限定，例如可以使用行星式攪拌機(planetary stirrer)、萬能攪拌機、行星式混合機(planetarymixer)、輥、螺旋槳式攪拌機、分散機等各種混合攪拌機以及使用這些攪拌機的各種攪拌方法等。另外在賦予上述機械剪切力的時候，優(yōu)選的是適當選擇可賦予不會破壞分散在粘合劑樹脂中的本發(fā)明之1被覆導電性微粒結構的機械剪切力的方法以及條件。
作為本發(fā)明之2的各向異性導電材料的形態(tài)并沒有特別限定，例如作為粘合劑樹脂可以使用具有絕緣性的液體或者固體粘合劑，在該粘合劑中分散本發(fā)明的被覆粒子而形成不定形的各向異性導電粘合劑，也可以形成定形的各向異性導電膜。
本發(fā)明之3是利用本發(fā)明之1的被覆導電性微?；蛘弑景l(fā)明之2的各向異性導電材料使IC芯片以及基板等電子元件實現(xiàn)導電連接的導電連接結構體。
實施例下面利用實施例對本發(fā)明進行進一步詳細的說明，但是本發(fā)明并不局限于這些實施例。
1、絕緣粒子[1]～[8]的制作(1)絕緣粒子[1]的制作在裝有4個可分離蓋(separable cover)、攪拌槳、三向閥、冷卻管、溫度傳感器的1000ml的分離燒瓶(separable flask)中，稱取并加入蒸餾水和單體組合物，使由100mmol的甲基丙烯酸甲酯、1mmol的N，N，N-三甲基-N-2-甲基丙烯酰氧基乙基氯銨以及1mmol的2，2’-偶氮雙(2-脒基丙烷)二鹽酸鹽組成的單體組合物的固體分率為5重量％，再以200rpm進行攪拌，在氮氣環(huán)境中在70℃下進行聚合反應24小時。反應結束之后，冷凍干燥，得到表面具有銨基的平均粒徑為220nm、粒徑CV值為10％的絕緣粒子[1]。
(2)絕緣粒子[2]的制作除了由50mmol苯乙烯、50mmol的甲基丙烯酸縮水甘油酯、1mmol的2，2’-偶氮雙(2-脒基丙烷)二鹽酸鹽組成單體組合物之外，利用同絕緣粒子[1]相同的制造方法，制得表面含脒基以及環(huán)氧基的平均粒徑為210nm、粒徑CV值為13％的絕緣粒子[2]。
(3)絕緣粒子[3]的制作在裝有4個可分離蓋、攪拌槳、三向閥的1000ml的分離燒瓶中，將100mmol的3-異氰酸酯丙基三乙氧基硅烷溶解在500ml脫水乙醇中。在氮氣環(huán)境下，將10g粒徑約為200nm的二氧化硅粒子分散在該溶液中，在室溫下攪拌12小時。通過離心分離洗滌除去未反應的氨丙基三甲氧基硅烷，進一步將分散介質(zhì)由乙醇換為甲苯，得到表面上有異氰酸酯基的絕緣粒子[3]的甲苯分散液(固體分率5％)。
(4)絕緣粒子[4]的制作除了由50mol甲基丙烯酸縮水甘油酯、50mmol的甲基丙烯酸甲酯、3mmol的二甲基丙烯酸乙二醇酯、1mmol的甲基丙烯酸苯基二甲基锍基甲基硫酸鹽(methacrylic acidphenyldimethylsulfoniummethyl sulfate)、2mmol的2，2’-偶氮雙{2-[N-(2-羧乙基)脒基]丙烷}組成單體組合物之外，利用同絕緣粒子[1]相同的制造方法，制得表面含锍基以及環(huán)氧基的平均粒徑為180nm、粒徑CV值為7％的絕緣粒子[4]。
(5)絕緣粒子[5]的制作除了由100mmol甲基丙烯酸異丁酯、3mmol的二甲基丙烯酸乙二醇酯、3mmol的甲基丙烯酸苯基二甲基锍基甲基硫酸鹽、1mmol的2，2’-偶氮雙{2-[N-(2-羧乙基)脒基]丙烷}組成單體組合物之外，利用同絕緣粒子[1]相同的制造方法，制得表面含锍基的平均粒徑為190nm、粒徑CV值為11％的絕緣粒子[5]。
(6)絕緣粒子[6]的制作除了由100mmol甲基丙烯酸叔丁酯、5mmol的二甲基丙烯酸乙二醇酯、1mmol的N，N，N-三甲基-N-2-甲基丙烯酰氧基乙基氯銨以及1mmol的2，2’-偶氮雙(2-脒基丙烷)二鹽酸鹽組成的單體組合物之外，利用同絕緣粒子[1]相同的制造方法，制得表面含銨基的平均粒徑為210nm、粒徑CV值為13％的絕緣粒子[6]。
(7)絕緣粒子[7]的制作除了由50mmol甲基丙烯酸縮水甘油酯、50mmol的苯乙烯、10mmol的二甲基丙烯酸乙二醇酯、10mmol的二乙烯基苯、1mmol的甲基丙烯酸苯基二甲基锍基甲基硫酸鹽、2mmol的2，2’-偶氮雙{2-[N-(2-羧乙基)脒基]丙烷}組成單體組合物之外，利用同絕緣粒子[1]相同的制造方法，制得表面含锍基以及環(huán)氧基且平均粒徑為190nm、粒徑CV值為10％的絕緣粒子[7]。
(8)絕緣粒子[8]的制作除了由500mmol的苯乙烯、2mmol的p-苯乙烯磺酸鈉、1mmol的過硫酸鉀組成單體組合物，并添加蒸餾水至使固體組分分率為10重量％之外，利用同絕緣粒子[1]相同的制造方法，制得表面含磺酸基且平均粒徑為120nm、粒徑CV值為10％的絕緣粒子[8]。
2、金屬表面粒子[1]～[2]的制作(1)金屬表面粒子[1]的制作在平均粒徑為5μm的由四羥甲基甲烷四丙烯酸酯/二乙烯基苯構成的核心粒子上，經(jīng)過脫脂、光敏處理、活化處理，在樹脂表面上生成Pd核，將其作為非電解鍍催化劑核。接著，按照既定的方法浸漬在已準備好的經(jīng)加溫的非電解鍍Ni浴中，形成Ni鍍層。接著，在鎳層的表面上進行非電解置換金鍍，得到金屬表面粒子。得到的金屬表面粒子的鍍Ni厚度為90nm，鍍金的厚度為30nm。
(2)金屬表面粒子[2]的制作在安裝有4個分離蓋、攪拌槳、三向閥的2000ml的分離燒瓶中，將20mmol的2-氨乙基硫醇溶解在1000ml甲醇中，得到反應溶液。
將20g的金屬表面粒子[1]在氮氣環(huán)境下分散在反應溶液中，在室溫下攪拌3小時，過濾除去未反應的2-氨乙基硫醇，利用甲醇洗凈、干燥后，得到表面上有作為反應性官能團的氨基的金屬表面粒子[2]。
3、被覆導電性微粒的制作(實施例1)在超聲波照射下將絕緣粒子[1]分散在蒸餾水中，得到10重量％的絕緣粒子[1]的水分散液。
將10g金屬表面粒子[1]分散在500ml的蒸餾水中，添加4g絕緣粒子[1]的水分散液，在室溫下攪拌6小時。利用3μm的篩網(wǎng)過濾器過濾之后，進一步利用甲醇洗凈、干燥，得到被覆導電性微粒[1]。
利用掃描電子顯微鏡(SEM)進行觀察，結果可以看到被覆導電性微粒[1]中，在金屬表面粒子[1]的表面上只形成了一層由絕緣粒子[1]構成的被覆層。通過畫像分析算出對應于從被覆導電性微粒中心開始2.5μm內(nèi)的面積的絕緣粒子的被覆面積(即絕緣粒子粒徑的投影面積)，結果得到的被覆率為30％。另外通過透射電子顯微鏡(TEM)觀察截面，可知絕緣粒子與金屬表面粒子之間的結合界面為絕緣粒子圓周的12％，從而可推知其與金屬表面粒子的界面結合面積為絕緣粒子表面積的12％。
將被覆導電性微粒[1]分散在叔丁醇中，按在10×10mm的硅片上干燥后可得到0.00004g(大約24萬個)被覆導電性微粒的量稱量，干燥后蓋上該10×10mm的硅片，在100N的壓力、200℃下加熱30秒鐘后，剝離該硅片，利用SEM觀察被覆粒子表面的絕緣粒子的狀態(tài)，結果可以看到通過絕緣粒子[1]的熔融，金屬表面粒子[1]的金屬表面露了出來，且粘附在硅片側上的粒子也已熔融。
該結果如表1中所示。
(實施例2)在超聲波照射下將絕緣粒子[2]分散在丙酮中，得到10重量％的絕緣粒子[2]的丙酮分散液。
將金屬表面粒子[1]分散在500ml的丙酮中，添加4g絕緣粒子[2]的丙酮分散液，在室溫下攪拌12小時。利用3μm的篩網(wǎng)過濾器過濾之后，進一步利用甲醇洗凈、干燥，得到被覆導電性微粒[2]。
被覆導電性微粒[2]中，在金屬表面粒子[1]的表面上只形成了一層由絕緣粒子[2]構成的被覆層。利用同實施例1同樣的方法進行測定，可知其被覆率為70％，界面結合面積為絕緣粒子表面積的15％。另外，采用與實施例1同樣的方法，利用SEM觀察其在硅片間熱壓接之后的狀態(tài)，可知通過絕緣粒子[2]的熔融，金屬表面粒子[1]的金屬表面露了出來，而粘附在硅片側上的粒子也已熔融。
該結果如表1中所示。
(實施例3)在超聲波照射下將絕緣粒子[3]分散在甲苯中，得到10重量％的絕緣粒子[3]的甲苯分散液。
將金屬表面粒子[2]分散在500ml的甲苯中，添加4g絕緣粒子[3]的甲苯分散液，在室溫下攪拌4小時。利用3μm的篩網(wǎng)過濾器過濾之后，進一步利用丙酮洗凈、干燥，得到被覆導電性微粒[3]。
被覆導電性微粒[3]中，在金屬表面粒子[2]的表面上只形成了一層由絕緣粒子[3]構成的被覆層。利用同實施例1同樣的方法進行測定，可知其被覆率為40％，界面結合面積為絕緣粒子表面積的5％。另外，采用與實施例1同樣的方法，利用SEM觀察其在硅片間熱壓接之后的狀態(tài)，可知通過絕緣粒子[3]的剝離，金屬表面粒子[2]的金屬表面露了出來，另外在被覆導電性微粒的周圍也可以偶爾看到剝離的絕緣粒子[3]。
該結果如表1中所示。
(實施例4)在超聲波照射下將絕緣粒子[4]分散在丙酮中，得到10重量％的絕緣粒子[4]的丙酮分散液。
將金屬表面粒子[2]分散在500ml的丙酮中，添加1g絕緣粒子[4]的丙酮分散液，在室溫下攪拌1小時。利用3μm的篩網(wǎng)過濾器過濾之后，進一步利用甲醇洗凈、干燥，得到被覆導電性微粒[4]。
被覆導電性微粒[4]中，在金屬表面粒子[2]的表面上只形成了一層由絕緣粒子[4]構成的被覆層。利用同實施例1同樣的方法進行測定，可知其被覆率為8％，界面結合面積為絕緣粒子表面積的12％。另外，采用與實施例1同樣的方法，利用SEM觀察其在硅片間熱壓接之后的狀態(tài)，可知通過絕緣粒子[4]的變形，金屬表面粒子[2]的金屬表面露了出來，另外粘附在硅片側上的絕緣粒子[4]也已變形。但是，沒有辨認出熔融的絕緣粒子[4]或者剝離的絕緣粒子[4]。
該結果如表1中所示。
(實施例5)利用同實施例4同樣的方法，制得10重量％的絕緣粒子[4]的丙酮分散液。
將金屬表面粒子[2]分散在500ml的丙酮中，添加3g絕緣粒子[4]的丙酮分散液，在室溫下攪拌3小時。利用3μm的篩網(wǎng)過濾器過濾之后，進一步利用甲醇洗凈、干燥，得到被覆導電性微粒[5]。
被覆導電性微粒[5]中，在金屬表面粒子[2]的表面上只形成了一層由絕緣粒子[4]構成的被覆層。利用同實施例1同樣的方法進行測定，可知其被覆率為20％，界面結合面積為絕緣粒子表面積的12％。另外，采用與實施例1同樣的方法，利用SEM觀察其在硅片間熱壓接之后的狀態(tài)，結果可知通過絕緣粒子[4]的變形，金屬表面粒子[2]的金屬表面露了出來，另外粘附在硅片側上的絕緣粒子[4]也已變形。但是，沒有辨認出熔融的絕緣粒子[4]或者剝離的絕緣粒子[4]。
該結果如表1中所示。
(實施例6)利用同實施例4同樣的方法，制得10重量％的絕緣粒子[4]的丙酮分散液。
將金屬表面粒子[2]分散在500ml的丙酮中，添加4g絕緣粒子[4]的丙酮分散液，在室溫下攪拌6小時。利用3μm的篩網(wǎng)過濾器過濾之后，進一步利用甲醇洗凈、干燥，得到被覆導電性微粒[6]。
被覆導電性微粒[6]中，在金屬表面粒子[2]的表面上只形成了一層由絕緣粒子[4]構成的被覆層。利用同實施例1同樣的方法進行測定，可知其被覆率為40％，界面結合面積為絕緣粒子表面積的12％。另外，采用與實施例1同樣的方法，利用SEM觀察其在硅片間熱壓接之后的狀態(tài)，結果可知通過絕緣粒子[4]的變形，金屬表面粒子[2]的金屬表面露了出來，另外粘附在硅片側上的絕緣粒子[4]也已變形。但是，沒有辨認出熔融的絕緣粒子[4]或者剝離的絕緣粒子[4]。
該結果如表1中所示。
(實施例7)在超聲波照射下將絕緣粒子[5]分散在丙酮中，制得10重量％的絕緣粒子[5]的丙酮分散液。
將金屬表面粒子[1]分散在500ml的丙酮中，添加4g絕緣粒子[5]的丙酮分散液，在室溫下攪拌6小時。利用3μm的篩網(wǎng)過濾器過濾之后，進一步利用甲醇洗凈、干燥，得到被覆導電性微粒[7]。
被覆導電性微粒[7]中，在金屬表面粒子[1]的表面上只形成了一層由絕緣粒子[5]構成的被覆層。利用同實施例1同樣的方法進行測定，可知其被覆率為30％，界面結合面積為絕緣粒子表面積的12％。另外，采用與實施例1同樣的方法，利用SEM觀察其在硅片間熱壓接之后的狀態(tài)，結果可知通過絕緣粒子[5]的變形，金屬表面粒子[1]的金屬表面露了出來，另外粘附在硅片側上的絕緣粒子[5]也已變形。但是，沒有辨認出熔融的絕緣粒子[5]或者剝離的絕緣粒子[5]。
該結果如表1中所示。
(實施例8)在超聲波照射下將絕緣粒子[6]分散在丙酮中，制得10重量％的絕緣粒子[6]的丙酮分散液。
將金屬表面粒子[1]分散在500ml的丙酮中，添加4g絕緣粒子[6]的丙酮分散液，在室溫下攪拌6小時。利用3μm的篩網(wǎng)過濾器過濾之后，進一步利用甲醇洗凈、干燥，得到被覆導電性微粒[8]。
該被覆導電性微粒[8]中，在金屬表面粒子[1]的表面上只形成了一層由絕緣粒子[6]構成的被覆層。利用同實施例1同樣的方法進行測定，可知其被覆率為30％，界面結合面積為絕緣粒子表面積的10％。另外，采用與實施例1同樣的方法，利用SEM觀察其在硅片間熱壓接之后的狀態(tài)，結果可知通過絕緣粒子[6]的變形，金屬表面粒子[1]的金屬表面露了出來，另外粘附在硅片側上的絕緣粒子[6]也已變形。但是，沒有辨認出熔融的絕緣粒子[6]或者剝離的絕緣粒子[6]。
該結果如表1中所示。
(實施例9)在超聲波照射下將絕緣粒子[7]分散在丙酮中，制得10重量％的絕緣粒子[7]的丙酮分散液。
將金屬表面粒子[2]分散在500ml的丙酮中，添加4g絕緣粒子[7]的丙酮分散液，在室溫下攪拌5小時。利用3μm的篩網(wǎng)過濾器過濾之后，進一步利用甲醇洗凈、干燥，得到被覆導電性微粒[9]。
被覆導電性微粒[9]中，在金屬表面粒子[2]的表面上只形成了一層由絕緣粒子[7]構成的被覆層。利用同實施例1同樣的方法進行測定，可知其被覆率為35％，界面結合面積為絕緣粒子表面積的8％。另外，采用與實施例1同樣的方法，利用SEM觀察其在硅片間熱壓接之后的狀態(tài)，結果可知通過絕緣粒子[7]的變形，金屬表面粒子[2]的金屬表面露了出來，另外粘附在硅片側上的絕緣粒子[7]也已變形。但是，沒有辨認出熔融的絕緣粒子[7]或者剝離的絕緣粒子[7]。
該結果如表1中所示。
(比較例1)在超聲波照射下將絕緣粒子[8]分散在蒸餾水中，制得10重量％的絕緣粒子[8]的水分散液。
將金屬表面粒子[1]分散在500ml的蒸餾水中，添加4g絕緣粒子[5]的水分散液，在室溫下攪拌6小時。利用3μm的篩網(wǎng)過濾器過濾之后，進一步利用甲醇洗凈、干燥，得到被覆導電性微粒[10]。
被覆導電性微粒[10]中，在金屬表面粒子[1]的表面上形成了絕緣粒子[8]的凝集塊。利用同實施例1同樣的方法進行測定，可知其被覆率為50％，界面結合面積為絕緣粒子表面積的12％。另外，采用與實施例1同樣的方法，利用SEM觀察其在硅片間熱壓接之后的狀態(tài)，結果可以發(fā)現(xiàn)雖然被覆導電性微粒[10]上的絕緣粒子[8]已熔融，但是還可以偶爾看到金屬表面粒子[1]的金屬表面并沒有露出來的被覆導電性微粒，另外也可以偶見粘附在硅片上的粒子也沒有充分熔融的微粒。這可能是因為在被覆導電性微粒[10]中，絕緣粒子[8]形成多層結構，熔融排除較為困難，而且各絕緣粒子[8]并沒有受到均一的壓力所致。
該結果如表1中所示。
(比較例2)將1g氟化亞乙烯基樹脂以及10g金屬表面粒子[1]導入到雜化系統(tǒng)中，在90℃下處理3分鐘，得到被覆導電性微粒[11]。
在被覆導電性微粒[11]中，在金屬表面粒子[1]的表面上形成有由氟化亞乙烯基樹脂構成的樹脂層，利用同實施例1同樣的方法進行測定，可知其被覆率為60％。另外，采用與實施例1同樣的方法，利用SEM觀察其在硅片間熱壓接之后的狀態(tài)，結果可知被覆導電性微粒[11]上的氟化亞乙烯基樹脂完全熔融，金屬表面粒子[1]的金屬表面露了出來。
該結果如表1所示。
(比較例3)將1g在制作絕緣粒子[3]時使用的二氧化硅粒子以及10g金屬表面粒子[1]投入到球磨機中去，混合20分鐘，通過靜電引力吸附得到被覆導電性微粒[12]。
在被覆導電性微粒[12]中，在金屬表面粒子[1]的表面上只形成有一層二氧化硅粒子層。利用同實施例1同樣的方法進行測定，可知其被覆率為30％，界面結合面積為絕緣粒子表面積的5％。另外，采用與實施例1同樣的方法，利用SEM觀察其在硅片間熱壓接之后的狀態(tài)，結果可以發(fā)現(xiàn)由于二氧化硅粒子的剝離，金屬表面粒子[1]的金屬表面露了出來，另外在被覆導電性微粒的周圍也可以偶見剝離的二氧化硅粒子。
該結果如表1中所示。
(比較例4)利用同實施例4同樣的方法，制得10重量％的絕緣粒子[4]的丙酮分散液。
將金屬表面粒子[2]分散在500ml的丙酮中，添加6g絕緣粒子[4]的丙酮分散液，在室溫下攪拌12小時。利用3μm的篩網(wǎng)過濾器過濾之后，進一步利用甲醇洗凈、干燥，得到被覆導電性微粒[13]。
該被覆導電性微粒[13]中，在金屬表面粒子[2]的表面上只形成了一層由絕緣粒子[4]構成的被覆層。利用同實施例1同樣的方法進行測定，可知其被覆率為60％，界面結合面積為絕緣粒子表面積的12％。另外，采用與實施例1同樣的方法，利用SEM觀察其在硅片間熱壓接之后的狀態(tài)，結果可知雖然絕緣粒子[4]發(fā)生了變形，但是還可以偶見金屬表面粒子[2]的金屬表面并沒有露出來的被覆導電性微粒。這可能是由于絕緣粒子的高被覆密度或者多層被覆，使金屬表面很難露出來的緣故。
該結果如表1中所示。
(比較例5)將1g絕緣粒子[4]以及10g金屬表面粒子[1]投入到球磨機中去，混合20分鐘，通過靜電引力吸附得到被覆導電性微粒[14]。
在被覆導電性微粒[14]中，在金屬表面粒子[1]的表面上形成有1～3層由絕緣粒子[4]形成的被覆層，利用同實施例1同樣的方法進行測定，可知其被覆率為30％，界面結合面積為絕緣粒子表面積的8％。另外，采用與實施例1同樣的方法，利用SEM觀察其在硅片間熱壓接之后的狀態(tài)，結果可以發(fā)現(xiàn)雖然一部分絕緣粒子[4]發(fā)生了變形，但多數(shù)已剝離，金屬表面粒子[1]的金屬表面露了出來，另外在被覆導電性微粒的周圍也可以偶見剝離的絕緣粒子。
該結果如表1中所示。
(比較例6)將1g絕緣粒子[4]以及10g金屬表面粒子[2]導入到雜化系統(tǒng)中，在120℃下處理3分鐘，得到被覆導電性微粒[15]。
在被覆導電性微粒[15]中，被覆在金屬表面粒子[2]的表面上的絕緣粒子[4]在受熱以及沖擊下會發(fā)生變形，另外被覆層為多層。利用同實施例1同樣的方法進行測定，可知其被覆率為70％，界面結合面積為絕緣粒子表面積的40％。另外，采用與實施例1同樣的方法，利用SEM觀察其在硅片間熱壓接之后的狀態(tài)，結果雖然絕緣粒子[4]發(fā)生了變形，但是還可以偶見金屬表面粒子[2]的金屬表面并沒有露出來的被覆導電性微粒。這可能是由于絕緣粒子的高被覆密度或者多層被覆，使金屬表面很難露出來的緣故。
該結果如表1所示。
表1

4、各向異性導電材料的制作(實施例10)將100份作為粘合劑樹脂的環(huán)氧樹脂(油化Shell Epoxy社制，“Epicoat 828”)以及100份的三-二甲胺基乙基苯酚、甲苯，利用行星式攪拌機充分混合分散，在脫模型薄膜上涂覆成一定的厚度，以使干燥后得到的厚度為10μm，蒸發(fā)掉甲苯，得到不含被覆導電性微粒的粘結性膜。
另外，在100份作為粘合劑樹脂的環(huán)氧樹脂(油化Shell Epoxy社制，“Epicoat 828”)以及100份的三-二甲胺基乙基苯酚、甲苯中添加被覆導電性微粒[1]，利用行星式攪拌機充分混合分散后，得到粘合劑樹脂分散體，在脫模型薄膜上涂覆一定厚度，使干燥后的厚度達7μm，蒸發(fā)甲苯，得到含有被覆導電性微粒[1]的粘結性膜。另外被覆導電性微粒[1]的添加量被設定為在各向異性導電膜[1]中的含量達20萬個/cm2。
常溫下將不含有被覆導電性微粒的粘結性膜層壓在得到的含被覆導電性微粒[1]的粘結性膜上，得到具有兩層構造的17μm厚的各向異性導電膜[1]。
另外，將一部分含被覆導電性微粒[1]的粘合劑樹脂分散體在甲苯中洗凈，取出被覆導電性微粒[1]后，利用SEM觀察，結果并沒有辨認出絕緣粒子從被覆導電性微粒上剝離。
(實施例11～18、比較例7～12)除了分別利用在實施例2～9以及比較例1～6中得到的被覆導電性微粒[2]～[15]之外，采用同實施例10同樣的方法，得到各向異性導電膜[2]～[15]。各向異性導電膜的厚度全部為17μm，被覆導電性微粒的含量全部為20萬個/cm2。
另外，將一部分含被覆導電性微粒的粘合劑樹脂分散體在甲苯中洗凈，取出被覆導電性微粒后，利用SEM觀察，結果并沒有辨認出絕緣粒子從被覆導電性微粒上剝離。但是，在被覆導電性微粒[10]中，可能是由于所層壓的絕緣粒子的剝離，幾乎變?yōu)閱螌颖桓?，但被覆率卻從50％增加到70％。這可能是由于剝離的絕緣粒子再次附著的緣故。另外在被覆導電性微粒[12]以及[14]中，被覆率分別從30％將到不足5％，這可能是由于在分散中剝落的緣故。
對由實施例10～18以及比較例7～12中得到的各向異性導電膜[1]～[15]，利用下述的方法評價其絕緣/導通性、以及密合性。結果如表2所示。
(相鄰電極間的絕緣性試驗)將切成4×18mm大小的各向異性導電膜貼在具有如圖1中所示梳形圖案(線條數(shù)為400條，重疊部分的長度為2mm，線寬20μm，線間隔為20μm，線高18μm)的硅片基板上，利用2×12.5mm厚1mm的平板玻璃夾持，在下述條件1以及條件2下進行熱壓接，然后測定電極間的電阻值，求得在108Ω以上的比例。本試驗在n＝20下進行。
條件120N的壓力下，在150℃加熱30分鐘條件2200N的壓力下，在200℃加熱30秒鐘(上下導通試驗)將各向異性導電膜切成5×5mm之后，貼在具有ITO電極(寬100μm，高0.2μm，長2cm)的玻璃基底(寬1cm，長2.5cm)的大致中央部位上，然后按兩電極互成90度角的位置重疊放置具有相同的ITO電極的玻璃基底，并貼在一起。將玻璃基底的接合部在條件1以及條件2下熱壓接之后，利用4端子法測定電阻值，求得在5Ω以下的比例。本試驗在n＝20下進行。
條件120N的壓力下，在150℃加熱30分鐘條件2200N的壓力下，在200℃加熱30秒鐘另外，對各向異性導電膜[2]、[6]、[8]以及[11]，將利用條件1進行熱壓接之后的玻璃基盤，進一步在55℃×6小時-120℃×6小時的循環(huán)下放置300小時，利用四端子法測定電阻值，求得在5Ω以下的比例，作為300小時后的導通性。
(評價密合性)對于各向異性導電膜[2]、[6]、[8]以及[11]，在條件1下進行上下導通試驗，進一步在55℃×6小時-120℃×6小時的循環(huán)下放置300小時，然后利用SEM觀察其截面，看其在導電性微粒-絕緣粒子間以及絕緣粒子-粘合劑樹脂之間有無界面剝離現(xiàn)象。
表2

工業(yè)上的利用可能性利用本發(fā)明可以提供具有良好連接可靠性的被覆導電性微粒、被覆導電性微粒的制造方法、各向異性導電材料以及導電連接結構體。
權利要求
1.一種被覆導電性微粒，是由具有由導電性金屬構成的表面的粒子、和包覆所述具有由導電性金屬構成的表面的粒子的表面的絕緣粒子構成的被覆導電性微粒，其特征在于，所述絕緣粒子通過對于所述導電性金屬具有結合性的官能團(A)以化學鍵結合在所述具有由導電性金屬構成的表面的粒子上，形成單層被覆層。
2.如權利要求1所述的被覆導電性微粒，其特征在于具有由導電性金屬構成的表面的粒子是，由由樹脂構成的核心粒子和形成在所述核心粒子表面上的導電性金屬層構成的。
3.如權利要求1或者2所述的被覆導電性微粒，其特征在于具有由導電性金屬構成的表面的粒子的5～50％的表面積被絕緣粒子所包覆。
4.如權利要求1、2或者3所述的被覆導電性微粒，其特征在于絕緣粒子的平均粒徑在具有由導電性金屬構成的表面的粒子平均粒徑的1/10以下。
5.如權利要求1至4中任一項所述的被覆導電性微粒，其特征在于絕緣粒子的粒徑CV值在20％以下。
6.如權利要求1至5中任一項所述的被覆導電性微粒，其特征在于絕緣粒子表面積的20％以下與具有由導電性金屬構成的表面的粒子表面接觸。
7.如權利要求1至6中任一項所述的被覆導電性微粒，其特征在于絕緣粒子比具有由導電性金屬構成的表面的粒子軟。
8.如權利要求7所述的被覆導電性微粒，其特征在于絕緣粒子由交聯(lián)樹脂構成。
9.如權利要求1至6中任一項所述的被覆導電性微粒，其特征在于絕緣粒子比具有由導電性金屬構成的表面的粒子硬。
10.如權利要求1至9中任一項所述的被覆導電性微粒，其特征在于所述絕緣粒子為帶有正電荷的粒子。
11.如權利要求1至10中任一項所述的被覆導電性微粒，其特征在于所述絕緣粒子由含銨基或者锍基的樹脂構成。
12.如權利要求1至11中任一項所述的被覆導電性微粒，其特征在于對金屬具有結合性的官能團(A)為硫醇基或者硫醚基。
13.權利要求1至12中任一項所述的被覆導電性微粒的制造方法，其特征在于至少包括在有機溶劑以及/或者水中，利用范德華力或者靜電引力作用，在具有由導電性金屬構成的表面的粒子上凝集絕緣粒子的工序1；以及使具有由導電性金屬構成的表面的粒子與絕緣粒子通過化學鍵結合的工序2。
14.一種各向異性導電材料，其特征在于將權利要求1至12中任一項所述的被覆導電性微粒分散在絕緣性粘合劑樹脂中。
15.如權利要求14所述的各向異性導電材料，其特征在于粘合劑樹脂為利用熱以及/或者光進行固化的粘合劑。
16.如權利要求14或者15所述的各向異性導電材料，其特征在于被覆導電性微粒的絕緣粒子所含的官能團與粘合劑樹脂中的官能團之間通過化學鍵結合。
17.如權利要求16所述的各向異性導電材料，其特征在于被覆導電性微粒的絕緣粒子中所含的、可以與粘合劑樹脂中的官能團以化學鍵結合的官能團為環(huán)氧基。
18.如權利要求14至17中任一項所述的各向異性導電材料，其特征在于是各向異性導電性粘合劑。
19.一種導電連接結構體，其特征在于利用權利要求1-12中任一項所述的被覆導電性微?；蛘邫嗬?4-18中任一項所述的各向異性導電材料來實現(xiàn)導電連接而成。
全文摘要
一種被覆導電性微粒，是由具有由導電性金屬構成的表面的粒子、和包覆所述具有由導電性金屬構成的表面的粒子的表面的絕緣粒子構成的被覆導電性微粒，其中所述絕緣粒子通過對于所述導電性金屬具有結合性的官能團(A)以化學鍵結合在所述具有由導電性金屬構成的表面的粒子上，從而形成單層被覆層。根據(jù)本發(fā)明可以提供具有良好連接可靠性的被覆導電性微粒、被覆導電性微粒的制造方法、各向異性導電材料以及導電連接結構體。
文檔編號H01R13/03GK1554100SQ0281761
公開日2004年12月8日 申請日期2002年9月17日 優(yōu)先權日2001年9月14日
發(fā)明者脅屋武司, 米田義和, 上羽允子, 和, 子 申請人:積水化學工業(yè)株式會社