專利名稱：電氣連接裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型是有關(guān)于一種電氣連接裝置，尤指一種可供插置一集成電路組件并是借由錫球焊接于一電路板上的一種電氣連接裝置的結(jié)構(gòu)改良。
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圖1與圖2，為目前市面上可見的典型的可插拔集成電路組件及其電連接器與電路板的組合裝置。傳統(tǒng)上，為兼求可插拔以及良好電性連接的目的，一般的作法是在集成電路組件11(IC Package)上設(shè)置插針111(Pins)，并在電路板12(Circuit Board或稱Main Board)上設(shè)置具有多個(gè)插孔131(Pin Holes)的電連接器13(Socket)以供插置該集成電路組件11?，F(xiàn)有的集成電路組件11封裝方式有導(dǎo)線架(Lead Frame)與球格陣列封裝(Ball Grid Array簡稱BGA)兩種。近年來，對于追求高效能(亦即高散熱性)與高腳數(shù)的集成電路組件則常使用覆晶式球格陣列封裝(FlipChipBGA Packaging)。其基本組成組件如圖1所示通常包括一集成電路芯片112(IC Chip)以覆晶方式裝置于一基板113(Substrate)的一側(cè)表面上，基板113另一側(cè)表面則設(shè)有若干錫球114(Solders)其是借由基板113的電路設(shè)計(jì)而電性耦合于芯片112，芯片112另側(cè)的非作動面則粘貼有一散熱組件115(Heat sink)。由于插針111并非剛性極高的對象，在插拔的過程中極易遭扭曲損壞，且亦不容易與錫球114穩(wěn)固接合，因此，目前的技術(shù)均需要先將多個(gè)插針111模鑄(Molding)固定在一中介板116(Interposer)上后，再將其焊接至錫球114。
至于，為了可供前述現(xiàn)有集成電路組件11的插針111所插置，且又必須兼顧拔取功能，現(xiàn)今所有現(xiàn)有的插針式電連接器13均包括有下列構(gòu)件一具有多個(gè)插孔131的插座132焊接在電路板12上、一滑動板133以可線性滑移的方式裝置覆蓋在插座132頂面上、以及一扳動長桿134裝置在插座132旁側(cè)以供驅(qū)動該滑動板133進(jìn)行微量滑移。插座132的各插孔131內(nèi)均設(shè)有導(dǎo)電夾持件137且于插孔131底部形成有焊墊135，導(dǎo)電夾持件137下端延伸出插孔131底部而形成插針1371以供插入電路板12的若干貫穿孔121。于電路板12的貫穿孔121內(nèi)設(shè)有導(dǎo)電層122以供和插針1371作電性連接，電路板12上表面以錫球屏蔽層124定義(Solder Mask Defined簡稱SMD)或亦可以非錫球屏蔽定義(NSMD)該貫穿孔121及其上的接觸墊1221的位置、并借由焊料123、125來將插針1371連同電連接器13一起焊死固定在電路板12上?；瑒影?33上對應(yīng)于插孔131的位置亦設(shè)有稍大的開孔(圖中未示)，借由將下壓該扳動長桿134使其以稈軸136為軸進(jìn)行旋轉(zhuǎn)直到與插座132成水平，可令滑動板133進(jìn)行微量滑移并將集成電路組件11的插針111夾緊于插孔131中。當(dāng)欲拔取集成電路組件11，則需將扳動長桿134轉(zhuǎn)拉至與插座132成垂直九十度夾角，如此插針111將被松脫而可取離集成電路組件11。
請參閱圖3與圖4為另一種現(xiàn)有的可插拔集成電路組件及其電連接器與電路板的組合裝置，由于此現(xiàn)有技術(shù)的集成電路組件11與電連接器13a的結(jié)構(gòu)大部份均類同于前述圖1所述的現(xiàn)有技術(shù)，所以將不在贅述其詳細(xì)組成組件與結(jié)構(gòu)且僅用虛線來表示其整體外觀組成的示意。于圖3所示的電連接器13a與前述實(shí)施例的最大差異，在于該電連接器13a的插座底部并非呈插針狀結(jié)構(gòu)而是使用若干錫球138，并將電連接器13a中的導(dǎo)電夾持件137a的下端直接彎折九十度而作為與錫球138結(jié)合的錫球墊139，且在電路板上12a不設(shè)置貫穿孔而改成設(shè)置錫球墊126。借由將電連接器13a的錫球139與電路板上12a的錫球墊126進(jìn)行對應(yīng)熱焊的制程(俗稱過錫爐或SolderReflow制程)，可將錫球138鉻融并焊死固定在兩錫球墊139、126之間。此種現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)在于，無論是設(shè)在電連接器13a的導(dǎo)電夾持件137a下端的錫球墊139。或是設(shè)在電路板上12a的錫球墊126，均完全是單純平面的結(jié)構(gòu)，所以錫球138與錫球墊139、126僅為平面接觸結(jié)合，不僅接觸面積小電氣特性相對較差、且結(jié)合的結(jié)構(gòu)強(qiáng)度亦相對較差，可能導(dǎo)致產(chǎn)品不良率提高甚至錫球138剝落的情形，且在熱焊制程中有可能因?yàn)殄a球138溢料而導(dǎo)致短路與電性不穩(wěn)的現(xiàn)象，同時(shí)，亦常造成電連接器13a與電路板上12a結(jié)合后的共平面性(Co-Planarity)不佳的狀況。
本實(shí)用新型的第二目的是在于提供一種電氣連接裝置，借由在插座的插孔底端選擇性地增設(shè)一接觸環(huán)，以提高錫球與插座及導(dǎo)電夾持仲之間的接觸面積。
本實(shí)用新型的第三目的是在于提供一種電氣連接裝置，借由在插座的插孔底端選擇性地增設(shè)一接觸環(huán)，且接觸環(huán)至少有一部份是與導(dǎo)電夾持件下端的錫球墊部位于不同的水平高度，借由此水平高度落差的幾何構(gòu)形設(shè)計(jì)可以提高錫球與插座及導(dǎo)電夾持件之間的接觸面積。
本實(shí)用新型的第四目的是在于提供一種電氣連接裝置，借由在插座的插孔底端增加設(shè)置一凸緣其可抵靠在導(dǎo)電夾持件下端錫球墊部的周緣，其不僅可在進(jìn)行熱焊制程時(shí)避免錫球材料自導(dǎo)電夾持件與插孔之間的縫隙因虹吸現(xiàn)象而上吸，且該凸緣更可抵住錫球以避免導(dǎo)電夾持件被錫球的上推力所推動而松脫或移位。
本發(fā)明提供一種電氣連接裝置，可供與一外界的插針式集成電路組件所具有的多個(gè)插針進(jìn)行電性連接，該電氣連接裝置包括有一插座，于插座上設(shè)有多個(gè)插孔其位置是對應(yīng)于該集成電路組件的多個(gè)插針；多個(gè)導(dǎo)電夾持件，分別容置于多個(gè)插孔內(nèi)，各導(dǎo)電夾持件均分別包括有一延伸部，其是沿著插孔的延伸方向所延伸設(shè)置；一夾持部，位于延伸部的一端并與延伸部呈一預(yù)定夾角，該夾持部可供接受該插針的插入；及一錫球墊部，位于延伸部的另一端并與延伸部呈一預(yù)定夾角，位于錫球墊部較遠(yuǎn)離夾持部的側(cè)的一底表面上并設(shè)有至少一幾何構(gòu)形，該幾何構(gòu)形可使錫球墊部的該底表面并非為單純的全平面；以及，多個(gè)錫球，分別位于多個(gè)導(dǎo)電夾持件的錫球墊部。
所述的導(dǎo)電夾持件的夾持部是包括有朝同樣方向延伸且相隔一適當(dāng)間距的兩夾持臂，并借由彎折該兩夾持臂而使兩夾持臂之間形成有一較大間距的容置口以及一較小間距的夾持端，該容置口可接受該插針插入，并且，該電氣連接裝置更包括有一滑動蓋機(jī)構(gòu)，以可滑動的方式設(shè)置于插座朝向集成電路組件的側(cè)表面上、當(dāng)外界的插針式集成電路組件插置于插座的插孔時(shí)，可借由該滑動蓋機(jī)構(gòu)進(jìn)行有限度的滑動位移以將插針自容置口位置椎靠向夾持端進(jìn)而將集成電路組件夾緊定位于插座上。
所述的電氣連接裝置更包括有一接觸環(huán)，設(shè)置于插孔朝向錫球墊部的側(cè)的末端周緣。
所述的接觸環(huán)至少有一部份是與錫球墊部非位在同一水平面上。
所述的錫球墊部的底表面上所設(shè)的該幾何構(gòu)形是借由在該底表面上形成至少一凹凸部或是一開孔所構(gòu)成。
所述的開孔至少有一部份是延伸至錫球墊部的底表面的外周緣而使開孔呈非封閉狀態(tài)。
所述的錫球墊部的底表面上所設(shè)的該幾何構(gòu)形是借由在該底表面上形成至少一傾斜面所構(gòu)成。
所述的于該延伸部的適當(dāng)位置處是設(shè)有至少一凹凸?fàn)畹目ㄗY(jié)構(gòu)，該卡爪結(jié)構(gòu)可對插座的插孔內(nèi)壁表面提供一抓持力以避免導(dǎo)電夾持件移位。
所述的錫球的錫成分所占的比例可介于60-75％、而同時(shí)鉛成分所占的比例可介于25-40％。
所述的在導(dǎo)電夾持件的延伸部與錫球墊部相接的附近區(qū)域處，是施以適當(dāng)?shù)谋砻婕庸ぬ幚硪越档驮搮^(qū)域?qū)﹀a球材料的吸附能力，且該表面加工處理可為下列方式之一于該區(qū)域附近處形成若干微細(xì)刮痕、使該區(qū)域的表面氧化、以及在該區(qū)域涂布防焊劑。
于本較佳實(shí)施例中，該集成電路組件11具有若干插針111(Pins)，其結(jié)構(gòu)是與現(xiàn)有技術(shù)相同且非為本實(shí)用新型的技術(shù)特征，因此，以下將不贅述集成電路組件11的詳細(xì)構(gòu)成，且僅以虛線概略繪制其外觀輪廓于各示意圖中。
該電氣連接裝置30包括有一插座39(Socket)、一滑動蓋機(jī)構(gòu)35(SlideCover Mechanism)、多個(gè)導(dǎo)電夾持件34、多個(gè)錫球31(Solder)、以及多個(gè)接觸環(huán)32(Contact Ring)。其中，該多個(gè)接觸環(huán)32于本實(shí)用新型中是為可選擇性地增加設(shè)置或亦可不設(shè)置的組件。并且，于插座與滑動蓋機(jī)構(gòu)上設(shè)有對應(yīng)的多個(gè)插孔33(Pin-Hole)其位置是對應(yīng)于該集成電路組件11的多個(gè)插針111，而可供將集成電路組件11插置結(jié)合于插座39的插孔33，且必要時(shí)可將集成電路組件11拔出取離。
多個(gè)導(dǎo)電夾持件34是分別容置于對應(yīng)的多個(gè)插孔33內(nèi)，各導(dǎo)電夾持件34均分別是為一體成型的單一組件，其是借由彎折一金屬片所制成。于本實(shí)施例中，導(dǎo)電夾持件34的材質(zhì)可為鎳、金、鉻、銅、鐵、鋁、鈦、鉛、錫、或其合金為較佳，且其表面亦可有不同金屬材質(zhì)的電鍍處理。各導(dǎo)電夾持件34是分別包括有一延伸部341、一夾持部342、以及一錫球墊部343。延伸部341是沿著插孔33的延伸方向所延伸設(shè)置。且延伸部341的適當(dāng)位置處是設(shè)有若干凹凸?fàn)畹目ㄗY(jié)構(gòu)3412，該卡爪結(jié)構(gòu)3412可對插座39的插孔33內(nèi)壁面提供一抓持力以避免導(dǎo)電夾持件34自插孔33中脫落或移位。夾持部342位于延伸部34 1的一端(頂端)并與延伸部341呈一預(yù)定夾角(例如垂直夾角)，該夾持部342可供接受該插針111的插入。如圖7所示，夾持部342是包括有朝同樣方向延伸且相隔一適當(dāng)間距的兩夾持臂，并借由彎折該兩夾持臂而使兩夾持臂之間形成有一較大間距的容置口3421以及一較小間距的夾持端3422，該容置口3421之間距是大于插針111直徑以接受該插針111所插入，而夾持端3422之間距可略小于插針111直徑以提供一夾持定位的功能。錫球墊部343是位于延伸部341的另一端并與延伸部341呈一預(yù)定夾角(例如垂直夾角)，位于錫球墊部343較遠(yuǎn)離夾持部的側(cè)的一底表面上并設(shè)有至少一2D(二維)或是3D(三維)的幾何構(gòu)形3431，該幾何構(gòu)形3431可使錫球墊部343的該底表面并非為單純的全平面。于圖5、圖6、及圖7所示的本較佳實(shí)施例中，該幾何構(gòu)形3431是為一貫穿錫球墊部的封閉狀態(tài)的圓形中空開孔，當(dāng)進(jìn)行熱焊制程(Solder Reflow；俗稱過錫爐)前的上錫球制程時(shí)，該錫球墊部343的開孔(幾何構(gòu)形3431)將可有效提供一良好定位效果，使錫球31更容易定位。
滑動蓋機(jī)構(gòu)35是以可滑動的方式設(shè)置于插座39朝向集成電路組件11的側(cè)表面上，當(dāng)外界的插針式集成電路組件11插置于插座39的插孔33時(shí)，可借由該滑動蓋機(jī)構(gòu)35進(jìn)行有限度的滑動位移以將插針111自容置口3421位置推靠向夾持端3422進(jìn)而將集成電路組件11夾緊定位于插座39上。由于此所述的滑動蓋機(jī)構(gòu)35是可選擇使用類同于圖1所示現(xiàn)有技術(shù)的滑動板與扳動長稈的結(jié)構(gòu)，且非為本實(shí)用新型所欲訴求的技術(shù)特征，故以下將不贅述滑動蓋機(jī)構(gòu)的詳細(xì)構(gòu)成。
錫球31是由包括例如鉛(Pb)、錫(Sn)等或其它金屬的合金所構(gòu)成，借由將錫球31中所含的鉛錫比例適當(dāng)調(diào)整將可使其共融點(diǎn)溫度(EutecticTemperature)改變至預(yù)定溫度，以適應(yīng)實(shí)際上的制程需求?；蛘?，亦可借由在該錫球31中混入其它金屬例如銀(Ag)或銻(Sb)或其它金屬等來改變其共融點(diǎn)溫度。于一較佳實(shí)施例中，錫球31的錫成分所占的比例可介于60-75％、而同時(shí)鉛成分所占的比例可介于25-40％為較佳，使本實(shí)用新型的錫球3 1中所含的錫鉛比例可為介于60/40(Sn/Pb)至75/25(Sn/Pb)為較佳。相對于傳統(tǒng)現(xiàn)有的錫球(Solder Ball)大多是使用63/37錫鉛比例所具有的約為183℃左右的共融點(diǎn)溫度(Eutectic Temperature)，本較佳實(shí)施例借由將錫球31中所含的錫鉛比例更改為介于60/40至75/25將可使其共融點(diǎn)溫度提高至介于約190℃-195℃之間。當(dāng)然，于本實(shí)用新型的另一較佳實(shí)施例中，亦可借由在該錫球31中混入其它金屬例如銀(Ag)或銻(Sb)或其它金屬來改變并適量提高其共融點(diǎn)溫度。因此，本較佳實(shí)施例的具有較高共融點(diǎn)的錫球31在進(jìn)行熱焊(Reflow)制程時(shí)將成為一可控制的半熔融的半固體狀態(tài)，而非如同現(xiàn)有技術(shù)使用63/37錫鉛比的錫球，其將會在熱焊(Reflow)制程時(shí)完全融化成液體狀態(tài)。
接觸環(huán)32是呈一中空環(huán)狀結(jié)構(gòu)其是設(shè)置于插孔33朝向錫球墊部343的側(cè)(亦即底側(cè))末端的外周緣。于本較佳實(shí)施例中，插座39的底側(cè)面是呈一平面狀態(tài)而該接觸環(huán)32則是額外附加在插座39底側(cè)面上，相對地，該錫球墊部343則是齊平于插座39底側(cè)面。于是，接觸環(huán)32與錫球墊部343之間將產(chǎn)生一高低落差而非位于相同水平面上。
電路板40的一上表面是通過錫球31結(jié)合固定有該電器連接裝置30并與其電性連接。于本較佳實(shí)施例中，該電路板40更包括有若干貫穿孔41(PlatedThrough Hole；PTH)，其位置是對應(yīng)于該若干錫球31，貫穿孔41的頂側(cè)形成有錫球墊42(Solder Pad)以供與插座39下的錫球31接合。各貫穿孔41內(nèi)壁表面上是設(shè)有導(dǎo)電層43，于電路板40的上表面上布設(shè)有一非導(dǎo)電的屏蔽層44(其可為SMD或可為NSMD)，屏蔽層44是用于定義各貫穿孔41的位置，使各貫穿孔41的錫球墊42均未受屏蔽層44所覆蓋且是暴露于電路板40外以供結(jié)合插座的錫球31。電路板40的底側(cè)面可選擇以額外焊料45設(shè)于貫穿孔41底端。
當(dāng)本實(shí)用新型的電氣連接裝置與電路板40尚未進(jìn)行熱焊制程(SolderReflow俗稱過錫爐)前，插座39與電路板40是為分離狀態(tài)且錫球31是約略呈球體狀。當(dāng)進(jìn)行熱焊制程時(shí)，錫球31將成為半固態(tài)或液態(tài)的狀態(tài)，使錫球31有一部份會因壓力的故而灌入接觸環(huán)32與錫球墊部343兩者之間所形成的該高低落差處、以及灌入錫球墊部343的該開孔(幾何構(gòu)形3431)內(nèi)。借此，不僅錫球31與接觸環(huán)32及錫球墊部343之間的接觸表面積有所增加、且更因錫球31灌伸入錫球墊部343的開孔內(nèi)而造成嵌合效果，不僅電氣特性提高、且結(jié)構(gòu)強(qiáng)度亦相對增加、并進(jìn)而使產(chǎn)品的生產(chǎn)良率得以改善。更何況，該開孔亦同時(shí)提供一逃料空間，使得在熱焊制程中因?yàn)殄a球31大小不均所多余的焊料可擠入升孔中，所以，借由本實(shí)用新型技術(shù)所制造出的電氣連接裝置30，其與電路板40之間的結(jié)合共平面度，將可較現(xiàn)有技術(shù)(指圖3所示者)相對更佳。
并且，如圖6所示，本實(shí)用新型借由在插座39的插孔33底端增加設(shè)置一朝向插孔33內(nèi)水平突出的傾斜凸緣391。該凸緣391可抵靠在導(dǎo)電夾持件34下端錫球墊部343的外周緣，其不僅可在裝置導(dǎo)電夾持件34時(shí)提供一抵靠定位作用外，更可在進(jìn)行熱焊制程時(shí)避免錫球31材料自導(dǎo)電夾持件34與插孔33之間的縫隙因虹吸現(xiàn)象而上吸，且熱焊制程時(shí)該凸緣391更可抵住錫球31以避免導(dǎo)電夾持件34被錫球31的上推力所推動而松脫或移位。
另，本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例中，亦可如圖7所示般，而在導(dǎo)電夾持件34的延伸部341底部與錫球墊部343相接的附近區(qū)域3411處，包括其內(nèi)側(cè)表面或外側(cè)表面，選擇性地施以可降低對溢料進(jìn)來的錫球31材料的吸附能力的表面加工處理，例如，在該區(qū)域3411附近處形成若干微細(xì)刮痕造成表面氧化、或是涂布有機(jī)防焊劑?；蚱渌山档湾a球材料吸附能力的其它現(xiàn)有手段等，如此一來，便可避免因虹吸現(xiàn)象而導(dǎo)致過多的錫球材料被吸附在該區(qū)域3411附近處。此外，于本較佳實(shí)施例中，當(dāng)進(jìn)行熱焊制程時(shí)部份錫球亦可流入電路板40的貫穿孔41上端的一部份，而使錫球31形成類似蕈狀結(jié)構(gòu)，且具有位于電路板40上表面的一蕈傘部、以及灌伸入貫穿孔41一部份的一蕈莖部(未編號)，該蕈莖部是接觸于貫穿孔41內(nèi)壁表面上的導(dǎo)電層43。相對于如圖3所示的現(xiàn)有技術(shù)使用全平面錫球墊的現(xiàn)有電路板來說，本較佳實(shí)施例使用具有貫穿孔41的電路板40來與本實(shí)用新型的電氣連接裝置30進(jìn)行熱焊，同樣可具有使錫球與電路板貫穿孔41之間的接觸表面積增加與嵌合效果。然而，本實(shí)用新型的電氣連接裝置同樣亦可適用于與前述圖3所示的現(xiàn)有電路板(無貫穿孔)進(jìn)行結(jié)合使用。
以下所述的本實(shí)用新型其它較佳實(shí)施例中，因大部份的組件是相同或類似于前述實(shí)施例，因此相同的組件將直接給予相同的名稱及編號，且對于類似的組件則給予相同名稱但在原編號后另增加一英文字母加以區(qū)別且不予贅述，合先敘明。
請參閱圖8A至圖8H是為本實(shí)用新型的導(dǎo)電夾持件34的錫球墊部的數(shù)種較佳實(shí)施例的下視示意圖。除了如圖7所示的導(dǎo)電夾持件34，其錫球墊部343及開孔(幾何構(gòu)形343 1)的下視示意圖將如圖8A般，呈現(xiàn)出一中央具有封閉狀態(tài)的圓形開孔的方框形輪廓結(jié)構(gòu)之外，該錫球墊部343及開孔的下視示意圖亦可如圖8B、8D、8F與8H所示般，其開孔可為十字槽狀的開孔。并且，錫球墊部的外圍輪廓亦可如圖8E-8H所示般呈一圓形而非方框形。并且，該開孔的一部份亦可如圖8B、8C、8F與8G所示般延伸出錫球墊部的外周緣而使開孔呈一開放狀態(tài)而非封閉狀態(tài)，此種開放狀態(tài)的開孔可相對較便于成型制造。當(dāng)然，本實(shí)用新型的錫球墊部上的開孔形狀除了如圖8A至圖8H所示般的圓形與十字形開孔的外，其亦可以是多邊形開孔、一或數(shù)個(gè)槽狀開孔(可交叉或不交叉)，波浪狀開孔、或是其它不規(guī)則形狀的開孔。
請參閱圖9是為本實(shí)用新型的接觸環(huán)32的一較佳實(shí)施例。于本實(shí)施例中，接觸環(huán)32是為一中空圓環(huán)狀結(jié)構(gòu)，其周緣設(shè)置有若干延伸321其可用以增加接觸環(huán)32與插座39底面間的結(jié)合強(qiáng)度、或是作為與插座39底面電路(倘若有設(shè)置電路布局的話)耦合之用。
請參閱圖10A至圖10G，為本實(shí)用新型的導(dǎo)電夾持件34的錫球墊部343與接觸環(huán)32的數(shù)種變化組合實(shí)施例。由于各變化例之間的改變不大，所以將僅針對不同點(diǎn)提出說明。
圖10A所示實(shí)施例與圖6實(shí)施例大致相同，唯一不同點(diǎn)在于圖10A所示實(shí)施例中，該接觸環(huán)32與錫球墊部343是位于相同水平面上且是凸出于插座39底面下方。
圖10b所示實(shí)施例與圖10A實(shí)施例的不同點(diǎn)在于，圖10b所示實(shí)施例中，該插座39底面、接觸環(huán)32與錫球墊部343均是位于相同水平面上(亦即呈齊平狀態(tài))。
圖10C所示實(shí)施例與圖6實(shí)施例的不同點(diǎn)在于，圖10C所示實(shí)施例中，中空接觸環(huán)32的內(nèi)周緣直徑小于插孔39直徑。
圖10D所示實(shí)施例與圖10C實(shí)施例的不同點(diǎn)在于，圖10D所示實(shí)施例中，接觸環(huán)32是呈一中空碟盤狀結(jié)構(gòu)其具有一中央凹陷部份322，接觸環(huán)32的中央凹陷部份322是貼靠在錫球墊部343，而接觸環(huán)32的外周緣則貼靠在插座39底面。
圖10E所示實(shí)施例與圖10D實(shí)施例的不同點(diǎn)在于，圖10E所示實(shí)施例中，接觸環(huán)32是呈一碟盤狀結(jié)構(gòu)且并無中空孔的設(shè)置。借由該碟盤狀的接觸環(huán)32亦可提供與錫球31間的相對較大接觸表面積(相對于圖3的現(xiàn)有技術(shù)而言)。
圖10F所示實(shí)施例與圖6實(shí)施例的不同點(diǎn)在于，圖10F所示實(shí)施例中，錫球墊部343并無開孔設(shè)置，然而錫球墊部343的水平位置是略縮入插孔39內(nèi)。借由接觸環(huán)32與錫球墊部343之間所形成的高低落差亦可提供與錫球31間的相對較大接觸表面積(相對于圖3的現(xiàn)有技術(shù)而言)。
圖10G所示實(shí)施例與圖10下實(shí)施例的不同點(diǎn)在于，圖10G所示實(shí)施例中，接觸環(huán)32是呈一中空碟盤狀結(jié)構(gòu)其具有一中央凹陷部份322，接觸環(huán)32的中央凹陷部份322是貼靠在錫球墊部343，而接觸環(huán)32的外周緣則貼靠在插座39底面。
當(dāng)然，該設(shè)置于錫球墊部343的幾何構(gòu)形3431設(shè)計(jì)除了如前述的開孔各實(shí)施例之外，亦可以借由在錫球墊部343設(shè)置傾斜面或是凹凸部的方式來達(dá)到類似的幾何構(gòu)形3431效果。例如，圖11A至圖11C所示，為在錫球墊部343設(shè)置有傾斜面3432于開孔周緣的數(shù)個(gè)實(shí)施例。圖12A與圖12B則為在錫球墊部343設(shè)置凹凸部的數(shù)個(gè)實(shí)施例。
如圖11A所示，其與圖6的不同處在于圖11A的錫球墊部343更設(shè)置有傾斜面3432于開孔(幾何構(gòu)形3431)周緣，且該傾斜面3432是朝向插孔內(nèi)部(亦即插座39上方)傾斜。
圖11B所示實(shí)施例與圖11A實(shí)施例的不同點(diǎn)在于，圖11B所示實(shí)施例中，該傾斜面3432是朝向插孔外部(亦即插座39下方)傾斜。
圖11C所示實(shí)施例與圖11B實(shí)施例的不同點(diǎn)在于，圖11C所示實(shí)施例中，接觸環(huán)32是呈一中空碟盤狀結(jié)構(gòu)而非純平面結(jié)構(gòu)。
如圖12A所示，其與圖6的不同處在于圖12A所示實(shí)施例中，該錫球墊部343并無貫穿開孔的設(shè)置而是借由沖壓方式設(shè)置至少一凹凸部3433以作為前述的幾何構(gòu)形3431，且該凹凸部3433是朝向插孔內(nèi)部(亦即插座39上方)凹入。
較佳者，該凹凸部3433可為圓形、十字形、多邊形、至少一槽狀、環(huán)形、波浪狀、或不規(guī)則形狀。
如圖12B所示，其與圖12A的不同處在于圖12B所示實(shí)施例中，該錫球墊部343的凹凸部3433并非朝向插孔內(nèi)部凹入，相反地，該錫球墊部343的凹凸部是朝向插孔外(亦即插座39下方)凸出。
本實(shí)用新型的電氣連接裝置30除了適用于以錫球31來和電路板40進(jìn)行熱焊結(jié)合之外，亦可使用于插針式結(jié)構(gòu)。例如圖13A、13B及13C所示般，可在錫球墊部下方更向下延伸出一插針37以供插置入電路板40的貫穿孔41中、再以焊料45加以熱焊固定。
當(dāng)然，本實(shí)用新型所曾公開提及的包括(A)錫球墊部上可設(shè)置凹凸部、開孔、或傾斜面設(shè)計(jì)；(B)該凹凸部、開孔，或傾斜面可以是圓形、十字形、多邊形、至少一槽狀、環(huán)形、波浪狀?；虿灰?guī)則形狀；(C)接觸環(huán)可為中空或非中空的環(huán)狀或碟狀接觸環(huán)；(D)錫球墊部可內(nèi)縮于插孔內(nèi)或齊平于插座底面，且接觸環(huán)可外凸于插孔外或齊平于插座底面；(E)錫球墊部與接觸環(huán)可為齊平或有高低落差，等等的各種變化例。在參閱本實(shí)用新型的前述各變化實(shí)施例后當(dāng)可輕易思及，而將前列(A)至(E)項(xiàng)中的各變化例任意加以組合應(yīng)用，而達(dá)到本實(shí)用新型所稱的類似功效。另外，本實(shí)用新型的電氣連接裝置除了如前述各實(shí)施例是與一具有貫穿孔的電路板進(jìn)行熱焊結(jié)合之外，其亦可適用于與不具有貫穿孔的現(xiàn)有電路板(例如圖3所示的電路板)進(jìn)行結(jié)合運(yùn)用者。
以上所述是利用較佳實(shí)施例詳細(xì)說明本實(shí)用新型，而非限制本實(shí)用新型的范圍。例如，本實(shí)用新型的電路板雖是以四層板(具有四層電路布局)進(jìn)行說明，然其亦可以是具有單層，雙層或其它層數(shù)電路布局的電路板者，又如，本實(shí)用新型的實(shí)施例雖是以具錫球的錫球式插座與集成電路組件的結(jié)合為例進(jìn)行說明，然而其亦可能是用來插置另一電路板。
權(quán)利要求1.一種電氣連接裝置，其特征在于包括有一插座，于插座上設(shè)有多個(gè)插孔，其位置是對應(yīng)于集成電路組件的多個(gè)插針；多個(gè)導(dǎo)電夾持件，分別容置于多個(gè)插孔內(nèi)，各導(dǎo)電夾持件均分別包括有一延伸部，其是沿著插孔的延伸方向所延伸設(shè)置；一夾持部，位于延伸部的一端并與延伸部呈一預(yù)定夾角；及一錫球墊部，位于延伸部的另一端并與延伸部呈一預(yù)定夾角，位于錫球墊部較遠(yuǎn)離夾持部一側(cè)的一底表面上并設(shè)有至少一幾何構(gòu)形；以及，多個(gè)錫球，分別位于多個(gè)導(dǎo)電夾持件的錫球墊部。
2.如權(quán)利要求1所述的電氣連接裝置，其特征在于所述的導(dǎo)電夾持件的夾持部是包括有朝同樣方向延伸且相隔一適當(dāng)間距的兩夾持臂，并借由彎折該兩夾持臂而使兩夾持臂之間形成有一較大間距的可接受該插針插入的容置口以及一較小間距的夾持端，并且，該電氣連接裝置更包括有一滑動蓋機(jī)構(gòu)，以可滑動的方式設(shè)置于插座朝向集成電路組件的側(cè)表面上。
3.如權(quán)利要求1所述的電氣連接裝置，其特征在于所述的電氣連接裝置更包括有一接觸環(huán)，設(shè)置于插孔朝向錫球墊部一側(cè)的末端周緣。
4.如權(quán)利要求3所述的電氣連接裝置，其特征在于所述的接觸環(huán)至少有一部份是與錫球墊部非位在同一水平面上。
5.如權(quán)利要求1所述的電氣連接裝置，其特征在于所述的錫球墊部的底表面上所設(shè)的該幾何構(gòu)形是由在該底表面上形成至少一凹凸部或是一開孔所構(gòu)成。
6.如權(quán)利要求1所述的電氣連接裝置，其特征在于所述的開孔至少有一部份是延伸至錫球墊部的底表面的外周緣而使開孔呈非封閉狀態(tài)。
7.如權(quán)利要求1所述的電氣連接裝置，其特征在于所述的錫球墊部的底表面上所設(shè)的該幾何構(gòu)形是由在該底表面上形成至少一傾斜面所構(gòu)成。
8.如權(quán)利要求1所述的電氣連接裝置，其特征在于所述的于該延伸部的適當(dāng)位置處是設(shè)有至少一凹凸?fàn)畹目ㄗY(jié)構(gòu)。
9.如權(quán)利要求1所述的電氣連接裝置，其特征在于所述的在導(dǎo)電夾持件的延伸部與錫球墊部相接的附近區(qū)域處，是施以適當(dāng)?shù)谋砻婕庸ぬ幚怼?br> 專利摘要一種電氣連接裝置包括有一插座、多個(gè)導(dǎo)電夾持件及多個(gè)錫球，還可以包括一接觸環(huán)。插座上設(shè)有多個(gè)插孔其可供一集成電路組件的多個(gè)插針?biāo)迦?。?dǎo)電夾持件置于插孔內(nèi)且包括有一延伸部、一夾持部位于延伸部的頂端、以及一錫球墊部位于延伸部的底端以供結(jié)合錫球。于錫球墊部較遠(yuǎn)離夾持部的側(cè)的一底表面上并設(shè)有例如開孔、凹凸部或傾斜面等的至少一2D或3D的幾何構(gòu)形，該幾何構(gòu)形可使錫球墊部的該底表面并非為單純的全平面。借由該錫球墊部的幾何構(gòu)形并配合接觸環(huán)的運(yùn)用，可增加錫球墊部與接觸環(huán)在和錫球熱焊時(shí)的接觸面積并造成類似嵌合效果，以提高電氣特性、結(jié)構(gòu)強(qiáng)度、與產(chǎn)品的生產(chǎn)良率及共平面性。
文檔編號H01R4/02GK2526991SQ0220471
公開日2002年12月18日 申請日期2002年1月21日 優(yōu)先權(quán)日2002年1月21日
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