專(zhuān)利名稱(chēng)：電光器件及其制造方法和電子裝置的制作方法
背景技術(shù)：
1.發(fā)明的領(lǐng)域本發(fā)明屬于具有夾持液晶等電光物質(zhì)的一對(duì)基板的電光器件的技術(shù)領(lǐng)域，特別是屬于在這些基板中的對(duì)置基板等的一塊基板上設(shè)置了規(guī)定各像素的開(kāi)口區(qū)的遮光膜的電光器件的技術(shù)領(lǐng)域。
2.相關(guān)技術(shù)說(shuō)明作為電光器件之一例的液晶器件，已知有例如具有作像素開(kāi)關(guān)用的薄膜晶體管(以下恰當(dāng)?shù)胤Q(chēng)為T(mén)FT)的有源矩陣驅(qū)動(dòng)方式的液晶器件。在這種液晶器件中，分別在形成有TFT的TFT陣列基板一側(cè)形成像素電極，在與其相向的對(duì)置基板一側(cè)形成對(duì)置電極。它們之中的多個(gè)像素電極在TFT陣列基板上排列成矩陣狀，與此相對(duì)，對(duì)置電極在整個(gè)對(duì)置基板上均勻形成。另外，TFT以與所形成的多個(gè)像素電極的每一個(gè)相對(duì)應(yīng)的方式設(shè)置。還有，一般還在像素電極的面上和對(duì)置電極的面上分別設(shè)置取向膜，液晶被這些上下取向膜夾持。
另外，在這樣的電光器件中，在形成有對(duì)置電極的對(duì)置基板的表面，即在對(duì)置電極和對(duì)置基板之間，以網(wǎng)格狀或條形等規(guī)定的圖形形成用于規(guī)定各像素的開(kāi)口區(qū)(即在各像素中實(shí)際上對(duì)顯示有貢獻(xiàn)的光經(jīng)透射或反射而射出的區(qū)域)，換言之，規(guī)定各像素的非開(kāi)口區(qū)(即在各像素中實(shí)際上對(duì)顯示有貢獻(xiàn)的光不經(jīng)透射或反射而射出的、開(kāi)口區(qū)以外的區(qū)域)的例如由金屬鉻Cr等構(gòu)成的稱(chēng)為黑矩陣(BM)或黑掩模的遮光膜。該遮光膜有防止從像素與像素之間的光泄露的作用，其結(jié)果是，可以求得圖像對(duì)比度提高，并且在設(shè)置濾色片的場(chǎng)合可以得到所謂的防止混色的效果等等。
另外，作為所謂的內(nèi)置遮光膜，部分地或全面地在TFT陣列基板一側(cè)制作這種規(guī)定各像素開(kāi)口區(qū)的遮光膜的技術(shù)，以及由TFT陣列基板上的數(shù)據(jù)線(xiàn)等部分地構(gòu)制該遮光膜的技術(shù)正在被開(kāi)發(fā)。
發(fā)明概述但是，如上所述，當(dāng)在對(duì)置基板上形成遮光膜圖形后在其上形成對(duì)置電極和取向膜時(shí)，由于遮光膜圖形有規(guī)定的高度，所以在這些對(duì)置電極和取向膜上的相應(yīng)于該遮光膜圖形形成部位產(chǎn)生臺(tái)階部。因此，第一，難以對(duì)取向膜均勻地進(jìn)行摩擦處理。還有，第二，臺(tái)階部的對(duì)置電極發(fā)生裂痕、取向膜涂敷不良等均成了問(wèn)題。
此外，近年來(lái)，隨著電光器件微型化的進(jìn)展，有液晶層間隔變得更窄的趨勢(shì)(例如該間隔為2μm左右)，因此，若臺(tái)階部的高度過(guò)大，液晶層就不可能得到合適的“厚度”。從這一點(diǎn)看，臺(tái)階部的存在也有問(wèn)題。
還有，由于在最近使用了適合制作具有更高的遮光性能的電光器件的，例如光入射面為高反射膜、其背面為低反射膜等的多層遮光膜，所以遮光膜圖形的高度必然增大，從而臺(tái)階部的高度也變大，致使上述的問(wèn)題更加尖銳(例如，液晶層的間隔為2μm左右，遮光膜圖形的高度為400～500nm左右)。
本發(fā)明是鑒于上述問(wèn)題而進(jìn)行的，其課題是提供能夠在對(duì)置基板等基板上制作規(guī)定圖形的遮光膜，并能有效地防止因其存在而引起的臺(tái)階或凹凸所產(chǎn)生的弊端的電光器件和使用該器件的電子裝置。
為解決上述課題，本發(fā)明的第1電光器件的特征在于，包括一對(duì)基板；夾在上述一對(duì)基板間的電光物質(zhì)；具有至少部分地埋入該一對(duì)基板中的一塊基板上的、與上述電光物質(zhì)相向的表面一側(cè)的規(guī)定圖形的遮光膜；在上述一對(duì)基板中的另一基板上的、與上述電光物質(zhì)相向的表面一側(cè)的顯示用電極；以及與上述顯示用電極對(duì)應(yīng)設(shè)置的開(kāi)關(guān)元件。
根據(jù)本發(fā)明的第1電光器件，液晶等電光物質(zhì)被夾在例如由對(duì)置基板構(gòu)成的一塊基板和由TFT陣列基板構(gòu)成的另一基板之間。而且，在工作時(shí)，借助于由布線(xiàn)經(jīng)開(kāi)關(guān)元件向在該另一基板上形成的顯示用電極提供圖像信號(hào)等信號(hào)，或者借助于由布線(xiàn)直接提供圖像信號(hào)等信號(hào)，可以驅(qū)動(dòng)電光物質(zhì)。而且，借助于具有規(guī)定圖形的遮光膜，例如可以規(guī)定各像素的開(kāi)口區(qū)，能夠?qū)崿F(xiàn)高對(duì)比度和防止混色。
這里，特別是有關(guān)遮光膜至少部分地被埋入例如由對(duì)置基板構(gòu)成的一塊基板的、與電光物質(zhì)相向一側(cè)的表面。因此，根據(jù)該被埋入部分的狀況，可以減少因遮光膜的存在而引起的臺(tái)階或凹凸。從而能夠有效地防止由這種臺(tái)階或凹凸產(chǎn)生的各種弊端。這里，所謂的各種弊端系指例如在一塊基板上難以對(duì)取向膜均勻地進(jìn)行摩擦處理，在一塊基板的對(duì)置電極上產(chǎn)生裂痕，在一塊基板上發(fā)生取向膜涂敷不良等。進(jìn)而，還可以使電光物質(zhì)的層厚變窄一個(gè)降低了臺(tái)階或凹凸的部分，從而可以應(yīng)對(duì)電光器件的微型化。
這樣，根據(jù)本發(fā)明的第1電光器件，能夠在對(duì)置基板等的一塊基板上制作規(guī)定圖形的遮光膜，并能有效地防止因其存在而引起的臺(tái)階或凹凸所產(chǎn)生的弊端。
還有，本發(fā)明中所說(shuō)的“至少部分地埋入的...遮光膜”意味著眼于該遮光膜的高度方向，遮光膜的一部分至少在其高度方向被埋入。即在作為本發(fā)明中所說(shuō)的“與電光物質(zhì)相向一側(cè)的表面”的一例，假定為上述一塊基板的基板面的場(chǎng)合，所謂的“至少部分地埋入的遮光膜”系以上述基板面為基準(zhǔn)，該遮光膜中的可稱(chēng)之為頂部的部分呈有些突出的狀態(tài)。另外，由此可知，所謂遮光膜的全部埋入，是指該遮光膜的頂部的面與上述基板面在同一平面上。本發(fā)明的無(wú)論哪一種形態(tài)都納入了此范圍內(nèi)。
另外，本發(fā)明中所說(shuō)的“至少部分地埋入的...遮光膜”，除上述意義外，還意味至少在基板整個(gè)表面中的至少一部分區(qū)域，該遮光膜至少被埋入本發(fā)明中所說(shuō)的“表面”中。亦即，在該場(chǎng)合，呈現(xiàn)在上述表面的面內(nèi)，對(duì)于一個(gè)區(qū)域而言遮光膜被埋入，而在其他區(qū)域不被埋入等的狀態(tài)。另外，由此可知，所謂遮光膜的全部埋入系指在上述表面的整個(gè)表面上該遮光膜全部被埋入。本發(fā)明的無(wú)論哪一種形態(tài)都納入了此范圍內(nèi)。
本發(fā)明的第1電光器件的一種形態(tài)是在與上述一塊基板的上述遮光膜的表面的同一平面上或者比上述遮光膜更靠上層一側(cè)形成平坦化膜。
根據(jù)這一形態(tài)，由于除遮光膜至少部分地埋入一塊基板外，還在與遮光膜的表面的同一平面上，或者比上述遮光膜更靠上層一側(cè)形成了平坦化膜，因而，根據(jù)該被埋入的狀況和平坦化的狀況，可以減少因遮光膜的存在而引起的臺(tái)階或凹凸。從而能夠有效地防止由這些臺(tái)階或凹凸產(chǎn)生的各種弊端。進(jìn)而，由于臺(tái)階或凹凸減少，還可以使電光物質(zhì)的層厚變窄，從而可以應(yīng)對(duì)電光器件的微型化。
本發(fā)明的第1電光器件的另一種形態(tài)是在上述一決基板的上述遮光膜的最上層形成取向膜。
根據(jù)這一形態(tài)，由于借助于設(shè)置至少部分地被埋入的遮光膜，如上所述，在去除了與臺(tái)階或凹凸有關(guān)的弊端的一塊基板上，在其最上層形成取向膜，所以在涂敷該取向膜時(shí)不產(chǎn)生取向膜不良等，并且在該取向膜涂敷后，能夠?qū)υ摫砻婢鶆虻剡M(jìn)行摩擦處理為解決上述課題，本發(fā)明的第2電光器件的特征在于，包括一對(duì)基板；夾在上述一對(duì)基板間的電光物質(zhì)；在上述一對(duì)基板中的、一塊基板上的具有在與上述電光物質(zhì)相向的表面一側(cè)形成的規(guī)定圖形的遮光膜；在上述一對(duì)基板中的另一基板上的、與上述電光物質(zhì)相向的表面一側(cè)的顯示用電極；與上述顯示用電極對(duì)應(yīng)設(shè)置的開(kāi)關(guān)元件；以及在上述一塊基板上的上述遮光膜的表面的同一平面上或者比上述遮光膜更靠上層一側(cè)形成的平坦化膜。
根據(jù)本發(fā)明的第2電光器件，液晶等電光物質(zhì)被夾在例如由對(duì)置基板構(gòu)成的一決基板與由TFT陣列基板構(gòu)成的另一基板之間。因此，在工作時(shí)，借助于從布線(xiàn)經(jīng)開(kāi)關(guān)元件向在該另一基板上形成的顯示用電極提供圖像信號(hào)等信號(hào)，或者借助于從布線(xiàn)直接提供圖像信號(hào)等信號(hào)，可以驅(qū)動(dòng)電光物質(zhì)。而且，借助于具有規(guī)定圖形的遮光膜，例如，可以規(guī)定各像素的開(kāi)口區(qū)，能夠?qū)崿F(xiàn)高對(duì)比度和防止混色這里，特別是在例如與由對(duì)置基板構(gòu)成的一塊基板的遮光膜的表面的同一平面上或者比遮光膜更靠上層一側(cè)施加了平坦化膜。因此，根據(jù)該平坦化的狀況，可以減少因遮光膜的存在而引起的臺(tái)階或凹凸。從而能夠有效地防止由這些臺(tái)階或凹凸產(chǎn)生的各種弊端。進(jìn)而，由于臺(tái)階或凹凸減少，還可以使電光物質(zhì)的層厚變窄，從而可以應(yīng)對(duì)電光器件的微型化。
這樣，根據(jù)本發(fā)明的第2電光器件，能夠在對(duì)置基板等的一塊基板上制作規(guī)定圖形的遮光膜，并能有效地防止因其存在而引起的臺(tái)階或凹凸所產(chǎn)生的弊端。
在本發(fā)明的一種形態(tài)中，通過(guò)CMP(化學(xué)機(jī)械研磨)處理以形成上述平坦化膜。
根據(jù)這一形態(tài)，由于通過(guò)CMP處理實(shí)現(xiàn)了平坦化膜，所以能夠更加可靠地防止與上述臺(tái)階或凹凸有關(guān)的弊端的發(fā)生。另外，這里，所謂的CMP是通過(guò)在使基板和研磨布(襯墊)雙方進(jìn)行旋轉(zhuǎn)等的同時(shí)，使它們的表面彼此相接觸，并且向該接觸部位供給研磨液(漿料)，借助于機(jī)械作用和化學(xué)作用并舉來(lái)研磨基板表面，從而使該表面平坦化的技術(shù)。
在本發(fā)明的另一形態(tài)中，上述平坦化膜是SOG(在玻璃上旋轉(zhuǎn)涂敷)膜。
根據(jù)這一形態(tài)，由于用SOG膜實(shí)現(xiàn)了平坦化膜，所以能夠更加可靠地防止與上述臺(tái)階或凹凸有關(guān)的弊端的發(fā)生。另外，這里，所謂的SOG是借助于一邊使基板旋轉(zhuǎn)，一邊涂敷適當(dāng)?shù)囊后w狀有機(jī)材料等，使液體所具有的水平面呈現(xiàn)出來(lái)，并使其固化，從而可以得到平坦化面的技術(shù)。
在本發(fā)明的另一形態(tài)中，是在上述一塊基板上的上述遮光膜的上層或下層還設(shè)置濾色片和作為該濾色片之上層的外覆蓋層，并對(duì)該外覆蓋層的表面進(jìn)行平坦化處理。
根據(jù)這一形態(tài)，在遮光膜的上層設(shè)置上述濾色片等的場(chǎng)合，可以使外覆蓋層具有作為使由遮光膜圖形產(chǎn)生的臺(tái)階或凹凸平坦化的平坦化面的功能。另外，在遮光膜的下層設(shè)置上述濾色片等的場(chǎng)合，可以在由外覆蓋層構(gòu)成的平坦的基底上形成遮光膜。
無(wú)論是哪一種，根據(jù)這樣的形態(tài)，在設(shè)置濾色片的電光器件中，都可以防止與上述臺(tái)階部有關(guān)的弊端的發(fā)生。另外，很清楚，本形態(tài)的遮光膜也具有防止混色的作用。
在本發(fā)明的另一形態(tài)中，上述遮光膜在上述一塊基板上開(kāi)掘的溝槽內(nèi)形成。
根據(jù)這一形態(tài)，借助于在一塊基板上開(kāi)掘的溝槽內(nèi)配置遮光膜，可以將該遮光膜埋入基板中，可以對(duì)遮光膜的上層進(jìn)行平坦化處理。而且，借助于用對(duì)一塊基板的刻蝕等來(lái)開(kāi)掘規(guī)定圖形的溝槽，能夠比較簡(jiǎn)單地得到該結(jié)構(gòu)。
還有，在本發(fā)明的另一形態(tài)中，是在形成于上述一塊基板上的層間絕緣膜上開(kāi)掘的溝槽內(nèi)形成上述遮光膜。
根據(jù)這一形態(tài)，借助于在層間絕緣膜上開(kāi)掘的溝槽內(nèi)配置遮光膜，可以將該遮光膜埋入基板，可以對(duì)遮光膜的上層進(jìn)行平坦化處理。而且，借助于采取對(duì)層間絕緣膜刻蝕等來(lái)開(kāi)掘規(guī)定圖形的溝槽，能夠比較簡(jiǎn)單地得到該結(jié)構(gòu)。
在本發(fā)明的另一形態(tài)中，形成外覆蓋層作為上述遮光膜的上層。
根據(jù)這一形態(tài)，由于作為上述遮光膜的上層而形成的外覆蓋層對(duì)于進(jìn)行平坦化處理可以說(shuō)是最為恰當(dāng)?shù)膶?，?jù)此可以得到更為可靠的平坦化，進(jìn)而可以去除與臺(tái)階或凹凸有關(guān)的弊端。
在本發(fā)明的另一形態(tài)中，在上述一塊基板上還設(shè)置取向膜作為最上層。
根據(jù)這一形態(tài)，可以借助于取向膜規(guī)定例如由液晶構(gòu)成的電光物質(zhì)的狀態(tài)。這里，特別是由于借助于遮光膜的埋入或平坦化處理，使取向膜的基底減少了臺(tái)階或凹凸，所以可以很好地進(jìn)行取向膜涂敷，并且還可以對(duì)取向膜均勻地進(jìn)行摩擦處理。
另外，本發(fā)明的電光器件也可應(yīng)用于不設(shè)置一塊基板的取向膜的場(chǎng)合。
在本發(fā)明的另一形態(tài)中，在上述一塊基板上與上述電光物質(zhì)相向側(cè)的表面上還設(shè)置了另外的顯示用電極。
根據(jù)這一形態(tài)，可以用一對(duì)顯示用電極驅(qū)動(dòng)例如由液晶構(gòu)成的電光物質(zhì)。這時(shí)，一對(duì)顯示用電極的組合可以是一方為像素電極而另一方是鋪滿(mǎn)的對(duì)置電極或長(zhǎng)條狀的顯示用電極，或者也可以是相交叉的條形電極。這里，特別是由于借助于遮光膜的埋入或平坦化處理，使另外的顯示用電極的基底減少了臺(tái)階或凹凸，所以可以防止在該顯示用電極上產(chǎn)生裂痕。
另外，本發(fā)明的電光器件也可應(yīng)用于在一塊基板上不設(shè)置顯示用電極的場(chǎng)合。
在這一形態(tài)中，上述另外的顯示用電極也可以由在圖像顯示區(qū)的整個(gè)區(qū)域形成的透明對(duì)置電極構(gòu)成。
如這樣進(jìn)行構(gòu)成，即可有效地防止在例如由ITO膜等構(gòu)成的透明對(duì)置電極上產(chǎn)生裂痕。
在本發(fā)明的另一形態(tài)中，在上述一塊基板上還設(shè)置了微透鏡。
根據(jù)這一形態(tài)，由于借助于微透鏡可以將光會(huì)聚到上述顯示用電極上的聚光區(qū)，因而能夠提高入射光的利用效率。特別是由于根據(jù)本形態(tài)，能夠同時(shí)得到這樣的作用效果和去除與上述臺(tái)階或凹凸有關(guān)的弊端的作用效果。
在本發(fā)明的另一形態(tài)中，上述遮光膜由多個(gè)層構(gòu)成。
根據(jù)這一形態(tài)，由于遮光膜由多個(gè)層構(gòu)成，所以該遮光膜可以發(fā)揮更高的遮光作用。例如，可以在光入射側(cè)用高反射材料，在光出射側(cè)用低反射材料。另外，借助于這種遮光膜的多層化，其“高度”一般都比例如遮光膜只用一層構(gòu)成時(shí)的大。但是，根據(jù)本形態(tài)，遮光膜的“高度”盡管因多層化而增大，但由于該遮光膜被埋入一塊基板中，或者利用平坦化處理減少了臺(tái)階或凹凸，所以仍然可以得到平坦化面。在使用這種“高度”大的遮光膜時(shí)，本形態(tài)毋寧會(huì)產(chǎn)生更顯著的效果。
在本形態(tài)中，特別是如果用由鋁構(gòu)成的層、由鉻構(gòu)成的層和由氧化鉻構(gòu)成的層來(lái)構(gòu)成上述多個(gè)層時(shí)，可以更加提高遮光功能。
為解決上述課題，本發(fā)明的第1電光器件的制造方法包括在一塊基板上形成具有至少部分地埋入與電光物質(zhì)相向而成的表面?zhèn)鹊囊?guī)定圖形的遮光膜的工序；在另一塊基板上在與上述電光物質(zhì)相向而成的表面?zhèn)刃纬娠@示用電極的工序；與該顯示用電極對(duì)應(yīng)地形成開(kāi)關(guān)元件的工序；將上述一塊和另一塊基板沿它們的周邊相互貼合在一起的工序；以及在該被貼合在一起的一塊與另一塊基板之間注入上述電光物質(zhì)的工序。
根據(jù)本發(fā)明的第1電光器件的制造方法，可以比較容易地制造上述本發(fā)明的第1電光器件(也包括它的各種形態(tài))。
為解決上述課題，本發(fā)明的第2電光器件的制造方法包括在一塊基板上在與電光物質(zhì)相向而成的表面?zhèn)刃纬删哂幸?guī)定圖形的遮光膜的工序；對(duì)與上述一塊基板的上述遮光膜的表面的同一平面或者比上述遮光膜更靠上層一側(cè)進(jìn)行平坦化處理的工序；在另一塊基板上在與上述電光物質(zhì)相向一側(cè)的表面上形成顯示用電極的工序；與該顯示用電極對(duì)應(yīng)地形成開(kāi)關(guān)元件的工序；將上述一塊和另一塊基板沿它們的周邊相互貼合在一起的工序；以及在該被貼合在一起的一塊與另一塊基板之間注入上述電光物質(zhì)的工序。
根據(jù)本發(fā)明的第2電光器件的制造方法，可以比較容易地制造上述本發(fā)明的第2電光器件(也包括它的各種形態(tài))。
最后，根據(jù)本發(fā)明的電子裝置，由于具有上述電光器件，所以可以實(shí)現(xiàn)有高對(duì)比度的、能進(jìn)行明亮的高品位圖像顯示的液晶電視、移動(dòng)電話(huà)、電子記事本、文字處理器、取景器型或監(jiān)視器直視型磁帶錄像機(jī)、工作站、電視電話(huà)、POS終端、觸摸屏等各種電子裝置。
利用下面將予以說(shuō)明的實(shí)施例，來(lái)闡明本發(fā)明的這些作用和其他優(yōu)點(diǎn)。
附圖的簡(jiǎn)單說(shuō)明

圖1是從對(duì)置基板一側(cè)觀察到的本發(fā)明實(shí)施例的電光器件中的TFT陣列基板以及在其上形成的各結(jié)構(gòu)要素的平面圖。
圖2是圖1的H-H’剖面圖。
圖3是將圖2中的標(biāo)以符號(hào)CR的圓內(nèi)部分放大示出的放大剖面圖。
圖4是與圖3有相同宗旨的放大剖面圖，是示出在對(duì)置基板本體上形成溝槽，在該溝槽中形成遮光膜的形態(tài)的圖。
圖5是與圖4有相同宗旨的放大剖面圖，是示出在溝槽與遮光膜之間產(chǎn)生間隙的形態(tài)的圖。
圖6是與圖4有相同宗旨的放大剖面圖，是示出作為遮光膜的上層還設(shè)置了濾色片和外覆蓋層的形態(tài)的圖。
圖7是與圖4有相同宗旨的放大剖面圖，是示出作為遮光膜的下層還設(shè)置了濾色片和外覆蓋層的形態(tài)的圖。
圖8是與圖4有相同宗旨的放大剖面圖，是示出作為遮光膜的下層還設(shè)置了微透鏡和玻璃蓋層的形態(tài)的圖。
圖9是示出遮光膜的具體形態(tài)的圖，是示出用一種材料僅形成一層結(jié)構(gòu)的遮光膜的圖。
圖10是示出遮光膜的具體形態(tài)的圖，是示出用兩種材料形成兩層結(jié)構(gòu)的遮光膜的圖。
圖11是示出遮光膜的具體形態(tài)的圖，是示出用三種材料形成三層結(jié)構(gòu)的遮光膜的圖。
圖12是示出在構(gòu)成本發(fā)明實(shí)施例的電光器件的圖像顯示區(qū)的矩陣狀的多個(gè)像素上設(shè)置的各種元件、布線(xiàn)等的等效電路的電路圖。
圖13是本發(fā)明實(shí)施例的電光器件中的形成了數(shù)據(jù)線(xiàn)、掃描線(xiàn)、像素電極等的TFT陣列基板的相鄰的多個(gè)像素組的平面圖，圖14是圖13的A-A’剖面圖。
圖15是示出本發(fā)明實(shí)施例的電光器件的對(duì)置基板一側(cè)的制造工序的流程圖。
圖16是說(shuō)明在對(duì)置基板本體上形成溝槽的工序的圖。
圖17是說(shuō)明在形成了溝槽的對(duì)置基板本體的整個(gè)面上形成遮光膜，并僅在該溝槽中保留遮光膜的同時(shí)，進(jìn)行平坦化(CMP)處理的工序的圖。
圖18是示出本發(fā)明實(shí)施例的電光器件的TFT陣列基板一側(cè)的制造工序和該電光器件整體的制造工序的流程圖。
圖19是示出作為本發(fā)明的電子裝置實(shí)施例的透射型彩色顯示裝置之一例的彩色液晶投影儀的圖解式剖面圖。
優(yōu)選實(shí)施例的詳細(xì)說(shuō)明下面參照附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)行說(shuō)明。
(電光器件的整體結(jié)構(gòu))首先，參照?qǐng)D1和圖2對(duì)本發(fā)明的第1實(shí)施例中的電光器件的整體結(jié)構(gòu)進(jìn)行說(shuō)明。這里，取作為電光器件之一例的驅(qū)動(dòng)電路內(nèi)置型TFT有源矩陣驅(qū)動(dòng)方式的液晶器件為例。
圖1是從對(duì)置基板一側(cè)面臨TFT陣列基板以及在其上形成的各結(jié)構(gòu)要素的平面圖，圖2是圖1的H-H’剖面圖。
在圖1和圖2中的第1實(shí)施例的電光器件中，在TFT陣列基板本體上設(shè)置了后面將述及的TFT30、蓄積電容器70等各種結(jié)構(gòu)的TFT陣列基板10與在對(duì)置基板本體上設(shè)置了仍然是后面將述及的遮光膜500、對(duì)置電極21等各種結(jié)構(gòu)的對(duì)置基板20相向配置。
另外，在本實(shí)施例中，在本發(fā)明中所說(shuō)的“一塊基板”相當(dāng)于“對(duì)置基板本體”。
在TFT陣列基板10與對(duì)置基板20之間封入液晶層50，TFT陣列基板10與對(duì)置基板20借助于在位于圖像顯示區(qū)10a周邊的密封區(qū)設(shè)置的密封材料52相互粘接。密封材料52是為了將兩基板貼合在一起，由例如熱固化樹(shù)脂，或熱-光固化樹(shù)脂，或光固化樹(shù)脂，或紫外線(xiàn)固化樹(shù)脂等構(gòu)成的，在制造工藝中，在TFT陣列基板10上涂敷密封材料52后，可以借助于只是加熱，或加熱與光照并舉，或光照，或只是紫外線(xiàn)照射等進(jìn)行固化的材料。
在這樣的密封材料52中混合了用于使兩基板間的間隔為規(guī)定值的玻璃纖維或玻璃珠等間隙材料。即，本實(shí)施例的電光器件適合于作為投影儀的光閥用，并以小型進(jìn)行放大顯示的情形。不過(guò)，如果該電光器件是液晶顯示器、液晶電視之類(lèi)的以大型進(jìn)行等倍率顯示的液晶器件，則在液晶層50中也可以含有這樣的間隙材料。
在圖1和圖2中，在對(duì)置基板20一側(cè)，與上述密封材料52的內(nèi)側(cè)平行地設(shè)置了規(guī)定圖像顯示區(qū)10a的周邊的遮光性的邊框遮光膜53。但是，也可以在TFT陣列基板10一側(cè)作為內(nèi)置遮光膜設(shè)置這樣的邊框遮光膜53的一部或全部。
另一方面，在密封材料52的外側(cè)區(qū)域，沿TFT陣列基板10的一邊設(shè)置了借助于以規(guī)定的時(shí)序?qū)?shù)據(jù)線(xiàn)6a供給圖像信號(hào)來(lái)驅(qū)動(dòng)該數(shù)據(jù)線(xiàn)6a的數(shù)據(jù)線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路101和外電路連接端點(diǎn)102，沿與該邊相鄰的兩邊設(shè)置了借助于以規(guī)定的時(shí)序?qū)呙杈€(xiàn)3a供給掃描信號(hào)來(lái)驅(qū)動(dòng)掃描線(xiàn)3a的掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路104。
如果供給掃描線(xiàn)3a的掃描信號(hào)延遲不成問(wèn)題，不言而喻，掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路也可以只在一側(cè)存在。另外，也可以沿圖像顯示區(qū)10a的邊在兩側(cè)排列數(shù)據(jù)線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路101。
另外，在TFT陣列基板10的剩下的一邊，設(shè)置了用于在設(shè)置于圖像顯示區(qū)10a的兩側(cè)的掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路104之間進(jìn)行連接的多條布線(xiàn)105。另外，在對(duì)置基板20的角部的至少一處設(shè)置了用于在TFT陣列基板10與對(duì)置基板20之間進(jìn)行電導(dǎo)通的導(dǎo)通材料106。然后，如圖2所示，具有與圖1所示的密封材料52大致相同的輪廓的對(duì)置基板20借助于該密封材料52被固定在TFT陣列基板10上。
在圖2中，在TFT陣列基板10上，在形成了像素開(kāi)關(guān)用TFT以及掃描線(xiàn)、數(shù)據(jù)線(xiàn)等布線(xiàn)后的像素電極9a上形成了取向膜。另一方面，在對(duì)置基板20上，除對(duì)置電極21外還在最上層部分形成了取向膜。另外，液晶層50由例如一種或?qū)?shù)種向列液晶混合的液晶構(gòu)成，并且在該一對(duì)取向膜之間取規(guī)定的取向狀態(tài)。
還有，在圖1和圖2所示的TFT陣列基板10上，除這些數(shù)據(jù)線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路101、掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路104等外，還可以形成對(duì)圖像信號(hào)取樣后供給數(shù)據(jù)線(xiàn)的取樣電路，在圖像信號(hào)之前對(duì)多條數(shù)據(jù)線(xiàn)分別提供規(guī)定電壓電平的預(yù)充電信號(hào)的預(yù)充電電路，用于在制造過(guò)程中、出廠時(shí)檢查該電光器件的品質(zhì)、缺陷等的檢測(cè)電路等。
另外，也可以取代在TFT陣列基板10上設(shè)置數(shù)據(jù)線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路101和掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路103，經(jīng)在TFT陣列基板10的周邊部設(shè)置的各向異性導(dǎo)電膜與例如在TAB(帶式自動(dòng)鍵合)基板上安裝的驅(qū)動(dòng)用LSI進(jìn)行電連接和機(jī)械連接。另外，在對(duì)置基板20的投射光的入射側(cè)和TFT陣列基板10的出射光的出射側(cè)，根據(jù)例如TN(扭曲向列)模式、VA(垂直排列)模式、PDLC(聚合物分散液晶)模式等工作模式，或者常白模式、常黑模式之不同，分別以規(guī)定的方向配置偏振膜、延遲膜、偏振片等。
(第1實(shí)施例)下面適當(dāng)?shù)貐⒄崭綀D對(duì)具有以上那樣的整體結(jié)構(gòu)的電光器件中的在對(duì)置基板本體上設(shè)置的遮光膜的結(jié)構(gòu)和作用效果進(jìn)行說(shuō)明。
首先，參照?qǐng)D2和圖3對(duì)笫1實(shí)施例的遮光膜500的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說(shuō)明。這里，圖3是將圖2中的標(biāo)以符號(hào)CR的圓內(nèi)部分放大示出的放大剖面圖。
如圖2和圖3所示，第1實(shí)施例的遮光膜500以在對(duì)置基板本體20R中埋入的方式形成。這里，所謂的“被埋入而形成”的狀態(tài)系指如圖3所示，在對(duì)置基板本體20R的表面上形成遮光膜500后，作為其上層形成外覆蓋層600這樣的狀態(tài)。這里，外覆蓋層600由例如丙烯酸樹(shù)脂或環(huán)氧樹(shù)脂等構(gòu)成。另外，該外覆蓋層600的厚度例如可以是0.5～2μm左右。
然后，利用CMP或者形成SOG膜等，對(duì)外覆蓋層600的表面進(jìn)行平坦化處理。據(jù)此，不會(huì)產(chǎn)生因在該表面上形成遮光膜500而出現(xiàn)的臺(tái)階。在圖3中，作為這樣的外覆蓋層600的上層，還形成了對(duì)置電極21和取向膜22。還有，在第1實(shí)施例中，對(duì)置電極21相當(dāng)于本發(fā)明中所說(shuō)的“另外的顯示用電極”，上述像素電極9a相當(dāng)于本發(fā)明中所說(shuō)的“顯示用電極”。
另外，如果以平面方式面臨上述遮光膜500，則上述遮光膜500具有網(wǎng)格狀的圖形。該網(wǎng)格狀圖形與TFT陣列基板10上的像素電極9a排列成矩陣狀相對(duì)應(yīng)，以覆蓋像素電極9a間的間隙的方式形成分別為縱、橫的帶狀圖形相互交叉的形狀。據(jù)此，遮光膜500能夠發(fā)揮防止從像素間漏泄光的作用，從而求得圖像的對(duì)比度提高。
但是，本發(fā)明并不是將其應(yīng)用只限定在以平面方式面臨的遮光膜500的形狀具有上述的網(wǎng)格狀圖形的場(chǎng)合。也包括例如呈條形的圖形等其他各種圖形。
還有，在本實(shí)施例中，遮光膜500除了提高像素間的對(duì)比度之外，還具有遮斷對(duì)構(gòu)成TFT的半導(dǎo)體層的溝道區(qū)的光入射，不招致由光漏泄電流的產(chǎn)生而引起的誤工作和圖像品質(zhì)降低的功能。這時(shí)，除遮光膜500外，在TFT陣列基板10一側(cè)作為非像素區(qū)而形成的下側(cè)遮光膜、數(shù)據(jù)線(xiàn)、電容線(xiàn)(這些在后面都將述及)等也成為具有這種遮光功能的構(gòu)件。
這樣，借助于在對(duì)置基板本體20R上埋入遮光膜500的狀態(tài)，與現(xiàn)有技術(shù)相比，如圖3所示，可相當(dāng)程度地減小由形成遮光膜而產(chǎn)生的臺(tái)階或凹凸的高低差。
因此，能夠避免在對(duì)置電極21上產(chǎn)生裂痕，此外，還能夠在不發(fā)生取向膜22涂敷不良等的條件下，還對(duì)該取向膜22的整個(gè)面進(jìn)行均勻的摩擦處理，等等。另外，臺(tái)階的高低差的縮小可以使液晶層50變窄，其結(jié)果是可以實(shí)現(xiàn)與電光器件的微型化相對(duì)應(yīng)的事宜。概括地說(shuō)，根據(jù)第1實(shí)施例的電光器件，能夠有效地防止與因形成遮光膜而產(chǎn)生的臺(tái)階或凹凸有關(guān)的弊端。
(第2實(shí)施例)其次，參照?qǐng)D4對(duì)本發(fā)明的第2實(shí)施例進(jìn)行說(shuō)明。這里，圖4是與圖3有相同宗旨的圖，是示出呈與該圖3不同的狀態(tài)的放大剖面圖的圖。在第2實(shí)施例中，與上述第1實(shí)施例一樣，遮光膜500在被“埋入”對(duì)置基板本體20R而形成這一點(diǎn)上沒(méi)有變化，但其狀態(tài)不同。即，第2實(shí)施例中的被“埋入”而形成的狀態(tài)是在對(duì)置基板本體20R的表面形成溝槽700，在該溝槽700內(nèi)形成遮光膜500的狀態(tài)。這種狀態(tài)，如在后面的制造方法說(shuō)明中將述及的那樣，可以借助于例如預(yù)先在對(duì)置基板本體20R上以規(guī)定的圖形形成溝槽700后，用濺射法等對(duì)該溝槽700淀積構(gòu)成遮光膜500的材料等方法實(shí)現(xiàn)。另外，在第2實(shí)施例中，與上述第1實(shí)施例一樣，遮光膜500典型地具有網(wǎng)格狀圖形，但這時(shí)，溝槽700也具有網(wǎng)格狀的圖形。對(duì)置基板本體20R雖然除本實(shí)施例外也能應(yīng)用于其他實(shí)施例，但也可以是石英玻璃、新型陶瓷等玻璃基板或塑料基板等透明基板。另外，可以用與TFT陣列基板10為相同材料的基板，或者也可以用不同的材料。
這樣，在第2實(shí)施例的電光器件中，由于呈遮光膜500埋入在對(duì)置基板本體20R表面上形成的溝槽700內(nèi)的狀態(tài)，所以可以得到更平坦的面，從而當(dāng)然地可以得到上述第1實(shí)施例中所述的效果，而且還可以更可靠地得到該效果。
還有，不言而喻，如果在第2實(shí)施例中也在對(duì)置電極21等形成前進(jìn)行上述第1實(shí)施例中所述的CMP或形成SOG膜等平坦化處理，將更有效果。
還有，在上述第2實(shí)施例中，遮光膜500形成為其“全部”被埋入對(duì)置基板本體20R的狀態(tài)，但本發(fā)明并不限定于這種狀態(tài)。即，遮光膜500沒(méi)有必要全部埋入，例如也可以是它的一部分被埋入的狀態(tài)。根據(jù)這樣的結(jié)構(gòu)，至少對(duì)于該一部分能夠防止與上述臺(tái)階有關(guān)的弊端的發(fā)生，可以得到相應(yīng)的效果。
另外，在上述第2實(shí)施例中，在圖4中雖然只示出了遮光膜500無(wú)間隙地被埋入溝槽700內(nèi)的狀態(tài)，但本發(fā)明不限于這種狀態(tài)。例如也可以是如圖5所示的在遮光膜500與溝槽701之間存在間隙G的狀態(tài)。由于在遮光膜500形成時(shí)對(duì)溝槽701的覆蓋不充分等原因而產(chǎn)生這種狀態(tài)的可能性是存在的。反過(guò)來(lái)說(shuō)，上述第2實(shí)施例中的圖4那樣的結(jié)構(gòu)可以說(shuō)是能夠用例如鑲嵌法等特別的制造方法而得到的結(jié)構(gòu)。
在該圖5那樣的場(chǎng)合，如在圖5中一并示出的那樣，可以形成外覆蓋層601作為對(duì)置基板本體20R的，乃至是遮光膜500的上層。還有，在圖5中雖然省略了圖示，但還可以在該外覆蓋層601上形成SOG膜等。據(jù)此，與上述第1和第2實(shí)施例一樣，可以得到對(duì)置電極21和取向膜22的整個(gè)表面平坦化。
還有，在外覆蓋層601與SOG膜之間形成NSG膜等硅酸鹽玻璃膜的狀態(tài)也包含在本發(fā)明的范圍內(nèi)。
另外，理所當(dāng)然，對(duì)在遮光膜500與溝槽700之間不存在間隙的圖4所示的狀態(tài)，根據(jù)情況，也可以形成外覆蓋層601和SOG膜等。這樣制作也是由于考慮到仍然可以求得平坦化，甚至能夠更可靠地得到平坦化面。
(第3實(shí)施例)下面參照?qǐng)D6對(duì)本發(fā)明的第3實(shí)施例進(jìn)行說(shuō)明。圖6是與圖4有相同宗旨的圖，是呈與該圖4不同的狀態(tài)的放大剖面圖。圖6所示的電光器件與圖4的不同點(diǎn)在于具有濾色片800作為遮光膜500的上層，以及具有外覆蓋層602作為該濾色片800的上層。
濾色片800如圖6所示，由分別被著色成R、G和B的高分子材料等構(gòu)成，各種顏色以與各像素對(duì)應(yīng)的方式形成。該濾色片800可以借助于應(yīng)用例如光刻技術(shù)得到R、G和B的各色著色層圖形的染色法或顏料散布法，或者是由印刷和電沉積分別得到著色圖形的印刷法或電沉積法等形成。于是，由于該濾色片800的存在，可以進(jìn)行與每個(gè)像素對(duì)應(yīng)的RGB各色的顯示，作為電光器件整體，可以進(jìn)行彩色圖像顯示。
另外，可以知道，在圖6所示的濾色片800中，以相鄰的R和G、G和B、B和R互相重疊的方式形成。根據(jù)這樣的結(jié)構(gòu)，可以形成這樣的濾色片R、G和B的各色濾色片與可以說(shuō)以隔離的狀態(tài)形成的一般的類(lèi)型相比，以較小的面積發(fā)揮相同的作用，可以對(duì)應(yīng)于電光器件的微型化。
在具有該濾色片800的電光器件中，如圖6所示，遮光膜500配置在與R、G和B各色的交界線(xiàn)對(duì)應(yīng)的部位。通過(guò)這樣的配置關(guān)系，可以求得防止混色，得到更鮮明的圖像。
另外，如圖6所示，由于第3實(shí)施例的濾色片800在借助于第2實(shí)施例中所述的遮光膜500埋入對(duì)置基板本體20R而被平坦化了的面上形成，所以該濾色片800也能夠大體平坦地形成。
這意味著當(dāng)假如設(shè)想以因形成遮光膜而在與對(duì)置基板本體20R的關(guān)系方面產(chǎn)生了臺(tái)階的狀態(tài)(現(xiàn)有技術(shù)的狀態(tài))，在濾色片800形成后形成外覆蓋層602，或者進(jìn)而對(duì)該外覆蓋層602進(jìn)行平坦化處理時(shí)，本實(shí)施例更為有利。即，這是由于，很顯然，在已經(jīng)大體上實(shí)現(xiàn)了平坦化的濾色片800上形成外覆蓋層602的第3實(shí)施例的場(chǎng)合，由該外覆蓋層602規(guī)定的面，與現(xiàn)有技術(shù)相比更為平坦。當(dāng)然，如果再對(duì)該外覆蓋層602進(jìn)行CMP、SOG膜形成等平坦化處理，第3實(shí)施例與現(xiàn)有技術(shù)相比，其作業(yè)明顯地變?yōu)橛行Ф胰菀讓?shí)施。
還有，在上述第3實(shí)施例中，雖然只對(duì)以在溝槽700內(nèi)形成遮光膜500的上述第2實(shí)施例為基礎(chǔ)，設(shè)置濾色片800和外覆蓋層602的狀態(tài)進(jìn)行了說(shuō)明，但是理所當(dāng)然，在本發(fā)明中可以采用與上述第1實(shí)施例相同的結(jié)構(gòu)。
(第4實(shí)施例)下面參照?qǐng)D7對(duì)本發(fā)明的第4實(shí)施例進(jìn)行說(shuō)明。圖7是與圖6有相同宗旨的圖，是呈與該圖6不同的狀態(tài)的放大剖面圖。圖7所示的電光器件與圖6的不同點(diǎn)在于設(shè)置了濾色片801和外覆蓋層603作為遮光膜500的下層。
即，在圖7中，示出了在對(duì)置基板本體20R上首先依次形成濾色片801和外覆蓋層603，之后再形成遮光膜500的狀態(tài)。進(jìn)而，在外覆蓋層603上形成溝槽702，在該溝槽702內(nèi)形成遮光膜500。另外，外覆蓋層603雖經(jīng)平坦化處理，但可以考慮該平坦化處理在溝槽702形成前進(jìn)行，或者也可以考慮如在下面述及的制造方法中所示，在形成溝槽702后與在該溝槽702內(nèi)形成遮光膜500同時(shí)進(jìn)行。
在這樣的狀態(tài)下，當(dāng)然也可以去除與由遮光膜引起的臺(tái)階有關(guān)的弊端。還有，可以認(rèn)為，第4實(shí)施例中的“外覆蓋層603”相當(dāng)于本發(fā)明中所說(shuō)的“層間絕緣膜”的一個(gè)例子。
另外，在上述第4實(shí)施例中，形成了在溝槽702內(nèi)形成遮光膜500的狀態(tài)，但也可以根據(jù)情況，形成在外覆蓋層603上不形成溝槽702，而直接形成遮光膜500的類(lèi)似于上述第1實(shí)施例的狀態(tài)。
(第5實(shí)施例)下面參照?qǐng)D8對(duì)本發(fā)明的第5實(shí)施例進(jìn)行說(shuō)明。圖8是與圖4有相同宗旨的圖，是呈與該圖4不同的狀態(tài)的放大剖面圖。圖8所示的電光器件與圖6的不同點(diǎn)在于具有微透鏡900。如圖8所示，微透鏡900作為設(shè)置在其上層的玻璃蓋層950的下層，并且在對(duì)置基板本體20R的面上形成。另外，玻璃蓋層950與微透鏡900乃至對(duì)置基板20R用合適當(dāng)?shù)恼辰觿┑鹊恼辰訉?60相互粘接在一起。但是，粘接劑960沒(méi)有必要像圖8所示那樣在對(duì)置基板本體20R的整個(gè)面上涂敷，可以根據(jù)情況制成僅在其周邊部分涂敷的結(jié)構(gòu)。然后，在形成于玻璃蓋層950上的溝槽703內(nèi)形成遮光膜500，作為其上層形成對(duì)置電極21和取向膜22。
如圖8所示，該微透鏡900的每一個(gè)結(jié)構(gòu)要素(一個(gè)個(gè)的透鏡)具有大致呈圓頂形的形狀，該各要素以與各像素對(duì)應(yīng)的方式形成。該微透鏡900例如可以用如下的方法形成借助于對(duì)涂敷在對(duì)置基板本體20R的整個(gè)面上的抗蝕劑進(jìn)行感光(光刻)、熱處理等，將其成形為排列成矩陣狀的大致呈圓頂形的抗蝕劑膜，利用它作為抗刻蝕膜，對(duì)該抗蝕劑和對(duì)置基板本體20R的整個(gè)面進(jìn)行刻蝕，將上述抗蝕劑的形狀賦予或復(fù)制在該對(duì)置基板本體20R的表面上，等等。這樣，由于這種微透鏡900的存在，可以將從圖8中的上方入射的光，如圖8中的虛線(xiàn)所示，會(huì)聚在像素電極9a上的聚光區(qū)(未圖示)，從而能夠提高入射光的利用效率。
在這樣的狀態(tài)下，當(dāng)然也可以去除與因遮光膜引起的臺(tái)階有關(guān)的弊端。還有，可以認(rèn)為第5實(shí)施例的“玻璃蓋層950”相當(dāng)于本發(fā)明中所說(shuō)的“層間絕緣膜”的一個(gè)例子。另外，微透鏡形成了面向液晶側(cè)的凸透鏡，但它也可以是凹透鏡，也可以是將凸透鏡和凹透鏡貼合在一起的組合透鏡。
(遮光膜的具體形態(tài))下面對(duì)上述各實(shí)施例的遮光膜的具體形態(tài)進(jìn)行說(shuō)明。作為其具體形態(tài)，可以采用例如圖9至圖11所示的有代表性的三種結(jié)構(gòu)。
首先是如圖9所示的只用單純的一種材料以一層構(gòu)成的遮光膜500。作為其材料，可以考慮在光致抗蝕劑中散布金屬鉻Cr、碳C或鈦的樹(shù)脂黑，或者鎳Ni之類(lèi)的金屬材料等。
其次，如圖10所示，也可以利用由兩種材料以?xún)蓪訕?gòu)成的遮光膜501。作為其材料，例如可以考慮金屬鉻Cr和氧化鉻Cr2O3的兩層結(jié)構(gòu)等。這時(shí)，遮光膜501作為低反射使用，主要靠吸收入射光起遮光作用。
再者，如圖11所示，還可以利用由三種材料以三層構(gòu)成的遮光膜502。作為其材料，例如可以考慮從入射光側(cè)起依次是鋁Al、鉻Cr和氧化鉻Cr2O3的三層結(jié)構(gòu)等。順便說(shuō)一下，這樣的遮光膜502的高度例如為400～500nm左右。
由于該遮光膜502，在使入射側(cè)為Al的場(chǎng)合，入射的光的大部分首先被反射率非常高的Al反射，因而不擔(dān)心發(fā)生因在遮光膜內(nèi)或器件內(nèi)光被吸收而產(chǎn)生無(wú)用的熱積累，還有，透過(guò)該Al層的微弱的光，因被Cr和氧化鉻Cr2O3遮蔽，所以能夠得到非常高的遮光功能。
另外，使上述材料組合起來(lái)的三層結(jié)構(gòu)除有非常高的遮光功能外，還有其制造容易的優(yōu)點(diǎn)。之所以如此說(shuō)，是因?yàn)殡m然考慮了若只將高反射率材料和低反射率材料進(jìn)行組合，可以用Al和Cr2O3等結(jié)構(gòu)形成BM圖形，但當(dāng)考慮兩者的親和性時(shí)，其制造就比較不易。因此，如果首先在Al的基層上形成Cr層，然后將該Cr層氧化形成Cr2O3，則能夠比較簡(jiǎn)單而可靠地制造高反射型和低反射型兼具的遮光膜。
無(wú)論怎樣，本發(fā)明對(duì)僅由一層構(gòu)成的遮光膜500自然可以應(yīng)用(參照?qǐng)D1和圖2等)，對(duì)利用多層化的遮光膜501和502的狀態(tài)，當(dāng)然也是可以應(yīng)用的。當(dāng)然，由于多層化的遮光膜501和502的高度一般比僅由一層構(gòu)成的遮光膜500的高度高，所以可以去除與因遮光膜的形成引起的臺(tái)階有關(guān)的弊端的本發(fā)明的效果能更加顯著。
(電光器件的電路結(jié)構(gòu)和工作，以及像素部的詳細(xì)結(jié)構(gòu))下面參照?qǐng)D12和圖13、圖14，對(duì)以上所述的電光器件的電路結(jié)構(gòu)和工作，以及像素部的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說(shuō)明。
圖12是示出構(gòu)成電光器件的圖像顯示區(qū)的、形成為矩陣狀的多個(gè)像素的各種元件、布線(xiàn)等的等效電路的電路圖。
在圖12中，對(duì)構(gòu)成本實(shí)施例的電光器件的圖像顯示區(qū)的、形成為矩陣狀的多個(gè)像素，分別形成了像素電極9a和用于對(duì)該像素電極9a進(jìn)行開(kāi)關(guān)控制的TFT30，供給圖像信號(hào)的數(shù)據(jù)線(xiàn)6a與該TFT30的源極進(jìn)行電連接。寫(xiě)入數(shù)據(jù)線(xiàn)6a的圖像信號(hào)S1、S2、...、Sn可以按線(xiàn)順序依次進(jìn)行供給，或者也可以對(duì)相鄰的多條數(shù)據(jù)線(xiàn)6a彼此之間，分組進(jìn)行供給。
另外，還以如下方式構(gòu)成掃描線(xiàn)3a與TFT30的柵極進(jìn)行電連接，以規(guī)定的時(shí)序?qū)呙杈€(xiàn)3a按線(xiàn)順序依次施加脈沖掃描信號(hào)G1、G2、、Gm。像素電極9a與TFT30的漏極進(jìn)行電連接，借助于只在恒定期間對(duì)開(kāi)關(guān)元件TFT30斷開(kāi)其開(kāi)關(guān)，以規(guī)定的時(shí)序?qū)懭胗蓴?shù)據(jù)線(xiàn)6a供給的圖像信號(hào)S1、S2、...、Sn。
經(jīng)像素電極9a寫(xiě)入作為電光物質(zhì)之一例的液晶的規(guī)定電平的圖像信號(hào)S1、S2、...、Sn，在像素電極9a與在對(duì)置基板上形成的對(duì)置電極之間保持恒定的期間。借助于利用施加的電壓電平改變液晶分子集合的取向和向序?qū)膺M(jìn)行調(diào)制，可以進(jìn)行灰度顯示。若是常白模式，對(duì)入射光的透射率隨在各像素單元上施加的電壓而減小，若是常黑模式，對(duì)入射光的透射率隨在各像素單元上施加的電壓而增加，作為整體從電光器件發(fā)出具有與圖像信號(hào)相應(yīng)的對(duì)比度的光。
這里，為了防止所保持的圖像信號(hào)漏泄，附加了在像素電極9a與對(duì)置電極之間形成的與液晶電容并聯(lián)的蓄積電容器70。設(shè)置了與掃描線(xiàn)3a并行、包含蓄積電容器70的固定電位側(cè)的電容電極、并且被固定于恒定電位的電容線(xiàn)300。
下面參照?qǐng)D13和圖14對(duì)本實(shí)施例的電光器件的像素部的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說(shuō)明。圖13是形成了數(shù)據(jù)線(xiàn)、掃描線(xiàn)和像素電極等的電光器件的相鄰的多個(gè)像素組的平面圖，圖14是圖13的A-A’剖面圖。還有，為了將各層、各構(gòu)件繪成在圖面上可識(shí)別程度的大小，對(duì)該各層、各構(gòu)件的每一個(gè)使其比例尺有所不同。
在圖13和圖14中，電光器件具有已述及的TFT陣列基板10和對(duì)置基板20。TFT陣列基板本體10R由例如石英基板、玻璃基板、硅基板構(gòu)成；對(duì)置基板本體20R由例如玻璃基板或石英基板構(gòu)成。
在圖13中，在電光器件的TFT陣列基板10上，設(shè)置了呈矩陣狀的多個(gè)透明像素電極9a(輪廓由虛線(xiàn)部9a’示出)，分別沿像素電極9a的縱橫邊界設(shè)置了數(shù)據(jù)線(xiàn)6a和掃描線(xiàn)3a。
其中的掃描線(xiàn)3a以半導(dǎo)體層1a中的在圖13中向右上傾斜的斜線(xiàn)區(qū)示出的與溝道區(qū)1a’相向的方式配置，掃描線(xiàn)3a具有作為柵極的功能。這樣，在掃描線(xiàn)3a與數(shù)據(jù)線(xiàn)6a相交叉的各個(gè)部位，在溝道區(qū)1a’設(shè)置了與作為柵極的掃描線(xiàn)3a相向配置的像素開(kāi)關(guān)用TFT30。如圖14所示，TFT30具有LDD(輕摻雜漏)結(jié)構(gòu)，作為其結(jié)構(gòu)要素，具有掃描線(xiàn)3a，例如由硅膜構(gòu)成的、借助于來(lái)自?huà)呙杈€(xiàn)3a的電場(chǎng)形成了溝道的半導(dǎo)體層1a中的溝道區(qū)1a’，包括使該掃描線(xiàn)3a與半導(dǎo)體層1a絕緣的柵極絕緣膜的絕緣膜2，以及半導(dǎo)體層1a中的低濃度源區(qū)1b、低濃度漏區(qū)1c和高濃度源區(qū)1d、高濃度漏區(qū)1e。
另外，如圖14所示，在圖13中以與掃描線(xiàn)3a交叉的方式設(shè)置的數(shù)據(jù)線(xiàn)6a經(jīng)接觸孔81與上述高濃度源區(qū)1d進(jìn)行電連接。還有，也可以形成由與后面將述及的中繼層71的同一膜構(gòu)成的中繼層，經(jīng)該中繼層和兩個(gè)接觸孔將數(shù)據(jù)線(xiàn)6a與高濃度源區(qū)1d進(jìn)行電連接。
另一方面，在圖14中，蓄積電容器70借助于與TFT30的高濃度漏區(qū)1e和像素電極9a連接的、作為像素電位側(cè)的電容器電極的中繼層71與作為固定電位側(cè)的電容器電極的電容線(xiàn)300的一部分經(jīng)電介質(zhì)膜75相向配置而形成。
其中的電容線(xiàn)300從平面上看沿掃描線(xiàn)3a以條形延伸，與TFT30重合的部位向圖13中的上下方突出。該電容線(xiàn)300最好由含高熔點(diǎn)金屬的導(dǎo)電性遮光膜構(gòu)成，它除具有作為蓄積電容器70的固定電位側(cè)的電容器電極的功能外，還具有作為遮蔽TFT30使之免受TFT30的上側(cè)的入射光照射的遮光層的功能。還有，電容線(xiàn)300最好從配置了像素電極9a的圖像顯示區(qū)10a延伸設(shè)置至其周邊，并與恒定電位源進(jìn)行電連接以形成固定電位。作為這樣的恒定電位源，可以是向數(shù)據(jù)線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路101供電的正電源或負(fù)電源的恒定電位源，也可以是向?qū)χ没?0的對(duì)置電極21供電的恒定電位源。
另一方面，像素電極9a是用于對(duì)液晶層50施加規(guī)定的電壓的一方的電極，如圖14所示，借助于經(jīng)過(guò)上述中繼層71，經(jīng)接觸孔83和85與半導(dǎo)體層1a中的高濃度漏區(qū)1e進(jìn)行電連接。像素電極9a由例如ITO膜等透明導(dǎo)電膜構(gòu)成。
另外，在像素電極9a的上側(cè)，設(shè)置了進(jìn)行了摩擦處理等規(guī)定的取向處理的取向膜16。取向膜16由例如聚酰亞胺膜等透明有機(jī)膜構(gòu)成。
在圖13和圖14中，除上述構(gòu)件外，還在TFT30的下側(cè)設(shè)置了下側(cè)遮光膜11a。下側(cè)遮光膜11a被構(gòu)制成網(wǎng)格狀圖形，由它規(guī)定了各像素的開(kāi)口區(qū)。另外，對(duì)開(kāi)口區(qū)的規(guī)定也可以通過(guò)交叉形成沿圖13中的縱向延伸的數(shù)據(jù)線(xiàn)6a和沿圖13中的橫向延伸的電容線(xiàn)300來(lái)形成。
另外，在TFT30之下設(shè)置了基底絕緣膜12?；捉^緣膜12除有使TFT30與下側(cè)遮光膜11a層間絕緣的功能外，還有防止在形成TFT陣列基板10的整個(gè)面的過(guò)程中，進(jìn)行TFT陣列基板10的表面研磨時(shí)出現(xiàn)的高低不平、清洗后殘留的污漬等所致的像素開(kāi)關(guān)用TFT30的特性變化的功能。
另外，在掃描線(xiàn)3a上形成了其上分別開(kāi)設(shè)了通向高濃度源區(qū)1d的接觸孔81和通向高濃度漏區(qū)1e的接觸孔83的笫1層間絕緣膜41。
在第1層間絕緣膜41上形成了中繼層71和電容線(xiàn)300，又在它們的上面形成了其上分別開(kāi)設(shè)了通向高濃度源區(qū)1d的接觸孔81和通向中繼層71的接觸孔85的第2層間絕緣膜42。
在第2層間絕緣膜42上形成了數(shù)據(jù)線(xiàn)6a，又在它們的上面形成了其上形成有通向中繼層71的接觸孔85、并進(jìn)行了平坦化處理的第3層間絕緣膜43。
還有，利用CMP處理等對(duì)第3層間絕緣膜43的表面進(jìn)行了平坦化處理，從而減少了由在其下方存在的各種布線(xiàn)、元件等導(dǎo)致的臺(tái)階所引起的液晶層50的取向不良。
另一方面，在對(duì)置基板20上設(shè)置了遍及其整個(gè)面的對(duì)置電極21，在其下側(cè)設(shè)置了進(jìn)行過(guò)摩擦處理等規(guī)定的取向處理的取向膜22。對(duì)置電極21由例如ITO膜等透明導(dǎo)電膜構(gòu)成。另外，取向膜22由例如聚酰亞胺膜等透明有機(jī)膜構(gòu)成。
進(jìn)而，在對(duì)置基板20一側(cè)作為上述對(duì)置電極21和取向膜22的下層，形成了如上所述的網(wǎng)格狀的遮光膜500。另外，如已經(jīng)說(shuō)明過(guò)的那樣，遮光膜500并非必須是網(wǎng)格狀，例如，也可以制成沿掃描線(xiàn)3a的條形。
而且，在本實(shí)施例中，如上所述，該遮光膜500呈埋入對(duì)置基板本體20R，或者埋入在該本體20R上形成的例如外覆蓋層603(參照第4實(shí)施例的圖7)、玻璃蓋層950(參照第5實(shí)施例的圖8)等層間絕緣膜的狀態(tài)。還有，在圖14中，特別示出了在對(duì)置基板本體20R上形成溝槽700，遮光膜500被埋入該溝槽700的狀態(tài)(相當(dāng)于上述第2實(shí)施例)。由于形成了這樣的狀態(tài)，所以在本實(shí)施例中不會(huì)帶來(lái)與因遮光膜的形成所引起的臺(tái)階有關(guān)的弊端。
(制造方法)下面參照?qǐng)D15所示的流程圖以及圖16、圖17等對(duì)上述第2實(shí)施例的電光器件的制造方法進(jìn)行說(shuō)明。
首先，準(zhǔn)備對(duì)置基板本體20R，用合適的方法將其表面進(jìn)行清洗、干燥后，在該表面上形成具有規(guī)定的圖形形狀的溝槽700(步驟S11)。關(guān)于該溝槽700的形成，例如可以用光刻法等。
即，如圖16所示，在對(duì)置基板本體20R上涂敷光致抗蝕劑711進(jìn)行預(yù)烘烤后(圖16(a))，經(jīng)形成了與所要形成的溝槽700有相同圖形的光掩模712進(jìn)行紫外線(xiàn)曝光(圖16(b))。這里，所謂的與“溝槽700有相同的圖形”，在本實(shí)施例中，如上所述，為例如網(wǎng)格狀圖形。接著，去掉感光部分，即進(jìn)行顯影，再進(jìn)行后烘烤使殘存的抗蝕劑711固化(圖16(c))。最后，如以該抗蝕劑711作為掩模進(jìn)行圖形刻蝕后去掉抗蝕劑711，就形成了具有規(guī)定圖形的溝槽700(圖16(d))。另外，雖然現(xiàn)在所述的方法是用正型抗蝕劑，但不言而喻，利用負(fù)型抗蝕劑也沒(méi)有任何問(wèn)題。
再回到圖15，接著對(duì)形成了溝槽700的對(duì)置基板本體20R形成遮光膜500(步驟S12)。該遮光膜500的形成可以借助于如下工序進(jìn)行例如用濺射法等在不管是形成溝槽700的部分還是未形成溝槽700的部分的對(duì)置基板本體20R的整個(gè)面上形成遮光膜后，用在圖16中說(shuō)明的那樣的光刻法等對(duì)未形成溝槽700的部分去掉遮光膜等。
這里，在本實(shí)施例中，作為僅在溝槽700內(nèi)形成(或者說(shuō)保留)遮光膜500的方法，提出了利用遠(yuǎn)比上述的光刻法有效的方法。作為該方法，例如可以舉出CMP(化學(xué)機(jī)械研磨)法(參照步驟S12)。這里，所謂的CMP是通過(guò)在使基板和研磨布(襯墊)兩者進(jìn)行旋轉(zhuǎn)等的同時(shí)，使它們的表面彼此相接觸，并且向該接觸部位供給研磨液(漿料)，借助于機(jī)械作用和化學(xué)作用并舉來(lái)研磨基板表面，使該表面平坦化的技術(shù)。
根據(jù)這一方法，如圖17所示，可以通過(guò)第1次研磨在對(duì)置基板本體20R的整個(gè)面上形成的遮光膜500A(圖17(a))，第2次研磨除溝槽700形成部分的對(duì)置基板本體20R的表面20Ra和溝槽700內(nèi)的遮光膜500A(圖17(b))，最終構(gòu)成僅在溝槽700內(nèi)形成遮光膜500的狀態(tài)，或者說(shuō)遮光膜500被埋入溝槽700的狀態(tài)。還有，不僅如此，根據(jù)這一方法，對(duì)于埋入了遮光膜500的對(duì)置基板本體20R，還能夠使其表面變得極為平坦(這種平坦化處理可以稱(chēng)為“CMP鑲嵌法”)。
另外，為了達(dá)到遮光膜500對(duì)溝槽700無(wú)間隙的完全埋入，可以考慮兼用例如回流處理等來(lái)進(jìn)行。
另外，作為求得平坦化的處理，除上述CMP外還可以用形成SOG(在玻璃上旋轉(zhuǎn)涂敷)膜等。這里，所謂的SOG是借助于一面使基板旋轉(zhuǎn)，一面涂敷適當(dāng)?shù)囊后w狀有機(jī)材料，使液體所具有的水平面呈現(xiàn)出來(lái)，并使其固化，從而可以得到平坦化面的技術(shù)。
另外，如利用圖5進(jìn)行了說(shuō)明的那樣，當(dāng)以在與溝槽700之間生成間隙的方式形成遮光膜500時(shí)，如已經(jīng)說(shuō)明過(guò)的那樣，作為其上層，可以形成外覆蓋層601，或者在形成外覆蓋層601后也可以形成SOG膜。
另外，對(duì)于埋入了遮光膜500的對(duì)置基板本體20R，為實(shí)現(xiàn)其表面的平坦化，還可以將上述各種方法進(jìn)行組合(例如在形成外覆蓋層601后實(shí)施CMP等)等等。
不管怎樣說(shuō)，本發(fā)明將這些狀態(tài)，或者采用其他深刻蝕法等類(lèi)的其他平坦化處理的狀態(tài)基本上都納入了其范圍之內(nèi)。
另外，如圖10或圖11所示，在使遮光膜多層化的場(chǎng)合，在濺射工序中，也可以一面進(jìn)行適當(dāng)?shù)墓に嚳刂?例如對(duì)濺射時(shí)間的控制等)以使各層的厚度成為所期望的值，一面依次層疊第一層、第二層、...，之后再進(jìn)行上述各種平坦化處理等等。
實(shí)施以上工序，形成埋入對(duì)置基板本體20R的形式的遮光膜500，對(duì)其整個(gè)面完成平坦化處理工序后，形成對(duì)置電極21作為其上層(步驟S13)。該對(duì)置電極21的形成可以采取使用IT0靶的濺射法等進(jìn)行?？墒蛊浜穸葹?0～200nm左右。
如已說(shuō)明過(guò)的那樣，這樣形成的對(duì)置電極21由于其整個(gè)面是平坦的，所以沒(méi)有產(chǎn)生由臺(tái)階引起的裂痕等的余地。
另外，在形成對(duì)置電極21后，形成取向膜22作為其上層(步驟S14)。該取向膜22的形成可按如下順序進(jìn)行在用例如膠印法涂敷取向膜材料(例如多元酸、可溶性聚酰亞胺等)后，對(duì)該印刷形成的取向膜材料進(jìn)行預(yù)焙燒和正式焙燒，最后再進(jìn)行摩擦處理等。
這里，所謂摩擦處理，指的是用卷在旋轉(zhuǎn)金屬輥等上的摩擦布，對(duì)焙燒后的取向膜22的表面在恒定的方向上進(jìn)行摩擦的處理。據(jù)此，取向膜聚酰亞胺的聚合體主鏈在摩擦方向延伸，借助于液晶層50中的液晶分布沿該延伸方向排列，能夠使該液晶分布的取向方位在規(guī)定的方向上一致排列。另外，在摩擦處理完成后，為了除掉附著在取向膜22表面上的來(lái)自摩擦布的纖維碎片或由取向膜22自身產(chǎn)生的碎屑，將基板浸入超純水中，經(jīng)超聲波清洗后暴露于用于脫水的異丙醇的蒸氣中進(jìn)行干燥。
這里，根據(jù)本實(shí)施例，能夠?qū)θ∠蚰?2的整個(gè)面均勻地進(jìn)行該摩擦處理。之所以如此說(shuō)，是由于作為進(jìn)行了平坦化處理的對(duì)置基板本體20R、遮光膜500以及作為遮光膜500的上層的對(duì)置電極21的上層形成了該取向膜22，所以該取向膜22的整個(gè)面也是平坦的。
按照以上所述，就完成了對(duì)置基板20一側(cè)的制造。
另一方面，TFT陣列基板10一側(cè)的制造和電光器件的制造，可依照?qǐng)D18所示的流程圖進(jìn)行。
即，首先準(zhǔn)備例如石英基板、玻璃基板或硅基板作為T(mén)FT陣列基板本體10R，并進(jìn)行適當(dāng)?shù)那逑础⒏稍锾幚?步驟S21)。接著在該基板本體10R上形成圖14等所示的TFT30、蓄積電容器70等各種元件和布線(xiàn)，以及層間絕緣膜41、42和43等(步驟S22)。然后形成像素電極9a和取向膜16(步驟S23)，完成TFT陣列基板10一側(cè)的制造。
在準(zhǔn)備好如上所述形成了各層的TFT陣列基板10和對(duì)置基板20后，用圖1和圖2所示的密封材料52，使在上下分別形成的取向膜16和22相向地將該TFT陣列基板10和對(duì)置基板20貼合在一起(步驟S24)。另外，這時(shí)在兩塊基板10與20之間散布圖中未示出的襯墊(未圖示)，以使其間隔在整個(gè)面上保持規(guī)定的值。接著在TFT陣列基板10與對(duì)置基板20之間注入例如將多種向列液晶混合而成的液晶(步驟S25)。這一步驟例如可以用真空抽吸等進(jìn)行。
按照以上步驟，就完成了電光器件。
(電子裝置的實(shí)施例)下面就作為使用以上詳細(xì)說(shuō)明了的液晶器件作為光閥的電子裝置之一例的投射型彩色顯示裝置的實(shí)施例對(duì)其整體結(jié)構(gòu)，特別是光學(xué)結(jié)構(gòu)進(jìn)行說(shuō)明。這里，圖19是投射型彩色顯示裝置的圖解式剖面圖。
在圖19中，作為本實(shí)施例的透射型彩色顯示裝置之一例的液晶投影儀1100被構(gòu)成為如下的投影儀準(zhǔn)備3個(gè)包含在TFT陣列基板上安裝了驅(qū)動(dòng)電路的液晶器件的液晶模塊，將其分別用作RGB用的光閥100R、100G和100B。在液晶投影儀1100中，投射光從金屬鹵化物燈等白光光源的照明裝置1102發(fā)出后，被3塊反射鏡1106和2塊分色鏡1108分為與RGB三原色對(duì)應(yīng)的光成分R、G和B，分別被引至與各色對(duì)應(yīng)的光閥100R、100G和100B。這時(shí)，特別是B光，為防止長(zhǎng)的光程引起的光損失，經(jīng)過(guò)由入射透鏡1122、中繼透鏡1123和出射透鏡1124組成的中繼透鏡系統(tǒng)1121傳播。然后，分別由光閥100R、100G和100B進(jìn)行了調(diào)制的、與三原色對(duì)應(yīng)的光成分由二向色棱鏡1112再度合成后，經(jīng)投射透鏡1114作為彩色圖像投射到屏幕1120上。
此外，作為電子裝置，還可以實(shí)現(xiàn)液晶電視、移動(dòng)電話(huà)、電子記事本、文字處理器、取景器型或監(jiān)視器直視型磁帶錄像機(jī)、工作站、電視電話(huà)、POS終端、觸摸屏等各種電子裝置。
還有，雖然在上述各種實(shí)施例中以有源矩陣驅(qū)動(dòng)方式的電光器件為例進(jìn)行了說(shuō)明，但本發(fā)明不限定于這些實(shí)施例。即，不言而喻，對(duì)具有作為對(duì)電光物質(zhì)施加電壓的電極的狀態(tài)，在兩塊基板雙方形成條形電極，并且以它們相交叉的方式使該兩塊基板對(duì)置的結(jié)構(gòu)的所謂簡(jiǎn)單矩陣驅(qū)動(dòng)方式的電光器件，也可以應(yīng)用本發(fā)明。另外，對(duì)于雖也是一種有源矩陣驅(qū)動(dòng)方式，但不是采用上述TFT30的形態(tài)，而是采用TFD的形態(tài)，也可以應(yīng)用本發(fā)明。另外，本發(fā)明對(duì)不在一對(duì)基板的一塊上設(shè)置取向膜的電光器件，例如EL器件、電泳器件或者還有不設(shè)置電極的電光器件也能夠應(yīng)用。
本發(fā)明不限于上述實(shí)施例，在不違反從權(quán)利要求范圍和全部說(shuō)明書(shū)中可讀到的發(fā)明要旨或思想的范圍內(nèi)可進(jìn)行適當(dāng)?shù)淖兏S著該變更而來(lái)的電光器件和電子裝置也包含在本發(fā)明的技術(shù)范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種電光器件，其特征在于，包括一對(duì)基板；夾持在上述一對(duì)基板間的電光物質(zhì)；在上述一對(duì)基板中的一塊基板上，具有至少部分地被埋入與上述電光物質(zhì)相向的表面?zhèn)鹊囊?guī)定圖形的遮光膜；在與上述一對(duì)基板中的另一塊基板上，在與上述電光物質(zhì)相向的表面?zhèn)鹊娘@示用電極；以及與上述顯示用電極對(duì)應(yīng)地設(shè)置的開(kāi)關(guān)元件。
2.如權(quán)利要求1所述的電光器件，其特征在于在與上述一塊基板的上述遮光膜的表面的同一平面上，或者比上述遮光膜更上層形成平坦膜。
3.如權(quán)利要求1所述的電光器件，其特征在于在上述一塊基板的上述遮光膜的最上層形成取向膜。
4.一種電光器件，其特征在于，包括一對(duì)基板；夾持在上述一對(duì)基板間的電光物質(zhì)；在上述一對(duì)基板中的一塊基板上，具有在與上述電光物質(zhì)相向的表面?zhèn)刃纬傻囊?guī)定圖形的遮光膜；在上述一對(duì)基板中的另一塊基板上，在與上述電光物質(zhì)相向的表面?zhèn)鹊娘@示用電極；與上述顯示用電極對(duì)應(yīng)地設(shè)置的開(kāi)關(guān)元件；以及在與上述一塊基板上的上述遮光膜的表面的同一平面上，或者比上述遮光膜更上層形成的平坦膜。
5.如權(quán)利要求4所述的電光器件，其特征在于上述平坦膜通過(guò)CMP(化學(xué)機(jī)械研磨)處理形成。
6.如權(quán)利要求4所述的電光器件，其特征在于上述平坦膜是SOG(在玻璃上旋轉(zhuǎn)涂敷)膜。
7.如權(quán)利要求4所述的電光器件，其特征在于還在上述一塊基板上，在上述遮光膜的上層或下層設(shè)置了濾色片和作為該濾色片之上層的外覆蓋層，對(duì)該外覆蓋層的表面進(jìn)行平坦化處理。
8.如權(quán)利要求4所述的電光器件，其特征在于上述遮光膜在上述一塊基板上開(kāi)掘的溝槽內(nèi)形成。
9.如權(quán)利要求4所述的電光器件，其特征在于上述遮光膜在上述一塊基板上形成的層間絕緣膜上開(kāi)掘的溝槽內(nèi)形成。
10.如權(quán)利要求4所述的電光器件，其特征在于作為上述遮光膜的上層，形成了外覆蓋層。
11.如權(quán)利要求4所述的電光器件，其特征在于還在上述一塊基板上，作為最上層設(shè)置了取向膜。
12.如權(quán)利要求1所述的電光器件，其特征在于還在上述一塊基板的與上述電光物質(zhì)相向一側(cè)的表面上設(shè)置了另外的顯示用電極。
13.如權(quán)利要求12所述的電光器件，其特征在于上述另外的顯示用電極由在像素顯示區(qū)的整個(gè)區(qū)域上形成的透明對(duì)置電極構(gòu)成。
14.如權(quán)利要求1所述的電光器件，其特征在于還在上述一塊基板上設(shè)置了微透鏡。
15.如權(quán)利要求1所述的電光器件，其特征在于上述遮光膜由多個(gè)層構(gòu)成。
16.如權(quán)利要求15所述的電光器件，其特征在于上述多個(gè)層包含由鋁構(gòu)成的層、由鉻構(gòu)成的層以及由氧化鉻構(gòu)成的層之中的至少一種。
17.一種電光器件的制造方法，其特征在于，包括在一塊基板上，形成具有至少部分地被埋入將要與電光物質(zhì)相向而成的表面?zhèn)鹊囊?guī)定圖形的遮光膜的工序；在另一塊基板上，在將要與上述電光物質(zhì)相向而成的表面?zhèn)刃纬娠@示用電極的工序；與該顯示用電極對(duì)應(yīng)地形成開(kāi)關(guān)元件的工序；將上述一塊和另一塊基板沿它們的周邊相互貼合在一起的工序；以及在該被貼合在一起的一塊和另一塊基板間注入上述電光物質(zhì)的工序。
18.一種電光器件的制造方法，其特征在于，包括在一塊基板上，在將要與電光物質(zhì)相向而成的表面?zhèn)刃纬删哂幸?guī)定圖形的遮光膜的工序；對(duì)與上述一塊基板的上述遮光膜的表面的同一平面，或者比上述遮光膜更上層進(jìn)行平坦化處理的工序；在另一塊基板上，在將要與上述電光物質(zhì)相向而成的一側(cè)的表面形成顯示用電極的工序；與該顯示用電極對(duì)應(yīng)地形成開(kāi)關(guān)元件的工序；將上述一塊和另一塊基板沿它們的周邊相互貼合在一起的工序；以及在該被貼合在一起的一塊和另一塊基板間注入上述電光物質(zhì)的工序。
19.一種電子裝置，其特征在于具有權(quán)利要求1至16的任何一項(xiàng)中所述的電光器件。
全文摘要
在一對(duì)基板間夾持液晶，在該一對(duì)基板中的一塊基板上設(shè)置具有至少部分地被埋入與上述液晶相向一側(cè)的表面的規(guī)定圖形的遮光膜，在上述一對(duì)基板中的另一塊基板上，在與上述液晶相向一側(cè)的表面上設(shè)置顯示用電極和經(jīng)開(kāi)關(guān)元件或者直接與該顯示用電極連接的布線(xiàn)。根據(jù)具有該遮光膜的電光器件，不發(fā)生因形成該膜而產(chǎn)生的上層的臺(tái)階所引起的取向膜的涂敷不良，或者對(duì)該膜的摩擦處理的不均勻，另外，也不產(chǎn)生對(duì)置電極的裂痕。
文檔編號(hào)H01L31/062GK1410951SQ0214361
公開(kāi)日2003年4月16日 申請(qǐng)日期2002年9月20日 優(yōu)先權(quán)日2001年9月21日
發(fā)明者望月宏明 申請(qǐng)人:精工愛(ài)普生株式會(huì)社