專利名稱：半導(dǎo)體激光器件及其設(shè)計(jì)方法
本申請(qǐng)是申請(qǐng)日為1997年3月28日，申請(qǐng)?zhí)枮?709946.4，發(fā)明名稱為“半導(dǎo)體激光器件及其設(shè)計(jì)方法”的分案申請(qǐng)。
在這種有效折射率導(dǎo)向型半導(dǎo)體激光器件中，認(rèn)為當(dāng)有效折射率差值大到某種程度時(shí)，橫向模是穩(wěn)定的。例如在上述資料中，有效折射率差值約為5×10-3。
然而，在上述應(yīng)用透明電流阻擋層的有效折射率導(dǎo)向型半導(dǎo)體激光器件中，難以以基本的橫向模激光產(chǎn)生更大的光輸出功率。
再者，在上述的有效折射率導(dǎo)向型半導(dǎo)體激光器件中，可以減小腔內(nèi)損耗，故能得到很大的光輸出功率。然而，當(dāng)把該半導(dǎo)體激光器件應(yīng)用于光頭作為可重寫光盤諸如磁光盤或相變盤的光源時(shí)，就要求半導(dǎo)體激光器件實(shí)現(xiàn)更大的光輸出功率。此外，在高于四倍速度作寫操作時(shí)，相對(duì)于激光器件的輸出功率，希望以基本橫向模激光產(chǎn)生的最大光輸出功率不小于70mw，而沿水平方向的水平光束發(fā)散角θH不小于6.5°，以便在光頭攜帶半導(dǎo)體器件的情況下減小噪聲特性等。
本發(fā)明的另一個(gè)目的是提供一種能以基本的橫向模激光提高最大光輸出功率并增大沿水平方向的水平光束發(fā)散角θH的半導(dǎo)體激光器件及其設(shè)計(jì)方法。
根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體激光器件包括第一導(dǎo)電型包層、有源層、第二導(dǎo)電型敷層和電流阻擋層，電流阻擋層具有預(yù)定寬度的條形開口用來限定電流路徑并形成該電流路徑，且其帶隙大于第二導(dǎo)電型敷層的帶隙，其折射率依次小于第二導(dǎo)電型敷層的折射率，第二導(dǎo)電型敷層有一平坦部分且在其上有一條狀脊形部分(ridge portion)，該脊形部分定位于電流阻擋層的開口內(nèi)，如此形成電流阻擋層以覆蓋住平坦部分的上表面和脊形部分的側(cè)表面，而且，激有源層中對(duì)應(yīng)于開口的區(qū)域(即發(fā)光區(qū)中面向開口的區(qū)域或/和發(fā)光區(qū)中包括開口的區(qū)域)的有效折射率與有源層中對(duì)應(yīng)于開口兩側(cè)的區(qū)域(即發(fā)光區(qū)中面向開口兩側(cè)的區(qū)域或/和發(fā)光區(qū)中包括開口兩側(cè)的區(qū)域)的有效折射率之間的差值Δn以及這寬度W[μm]滿足下述關(guān)系Δn≥2×10-3，W≤-1.6×10-3×Δn+9.3，以及W≥3.0這樣，就提供了一種所謂的脊形波導(dǎo)型(ridge wave guided)半導(dǎo)體激光器件。離開有源層某一距離的脊形部分的寬度可以隨該距離的增大而減小。
在該半導(dǎo)體激光器件中，能以小的工作電流以和基本橫向模激光獲得大的光輸出功率。例如，可獲得不小于100mw的光輸出功率。
由于有效折射率之間的差值Δn不小2×10-3，因此可保持一種良好的有效折射率導(dǎo)向型結(jié)構(gòu)。因開口寬度W不小于3.0μm，故有高可靠性。
有效折射率之間的差值Δn與開口寬度W滿足下述關(guān)系則更好。
W≤-1.5×10-3×Δn+8.55這樣，就能以基本橫向模激光得到不小于150mw的光輸出功率。
第一導(dǎo)電型敷層可以是AlxGa1-xAs，有源層可以是AlqGa1-qAs(1＞x＞q≥0)，第二導(dǎo)電型敷層可以是AlyGa1-yAs(y＞q)，而電流阻擋層可以是AlzGa1-zAs。
此時(shí)，能以小的工作電流和基本橫向模激光得到大的光輸出功率。例如，能以基本橫向模激光得到不小于100mw的光輸出功率。
通過選擇電流阻擋層的Al的組分比z和開口兩側(cè)第二導(dǎo)電型敷層的厚度，可以設(shè)定有效折射率之間的差值Δn。
第一導(dǎo)電型敷層的Al的組分比x和第二導(dǎo)電型敷層的Al的組分比y，最好是既不小于0.4，又不大于0.6。
電流阻擋層的Al的組分比z最好大于第二導(dǎo)電型敷層的Al的組分比y。若電流阻擋層的Al的組分比z與第二導(dǎo)電型敷層的Al的組分比y之差不小于0.02，則更好。在這種情況下，就能容易地在有效折射率之間實(shí)現(xiàn)很好的差值。
電流阻擋層的Al的組分比z最好不大于0.6，這樣就提高了電流阻攔層的結(jié)晶性，由此還提高了形成于電流阻擋層上的一層的結(jié)晶性，因而能提供高可靠性的半導(dǎo)體激光器件。
電流阻擋層最好至少包括一第一導(dǎo)電型層。這樣，電流阻擋層中的第一導(dǎo)電型層與第二導(dǎo)電型敷層的導(dǎo)電類型相反，由此可實(shí)現(xiàn)充分的電流阻擋作用。電流阻擋層可以只用第一導(dǎo)電型層構(gòu)成。
電流阻擋層可以包括形成于有源層上的第一層和形成于該第一層上的第二層，第二層可以是第一導(dǎo)電型，而第一層的雜質(zhì)濃度可以比第二層的雜質(zhì)濃度低。在這種情況下，可防止雜質(zhì)從電流阻擋層擴(kuò)散入有源層。特別是，第一層最好是一種非摻雜層。
若用第一導(dǎo)電層構(gòu)成電流阻擋層，則離有源層某一距離的電流阻擋層的雜質(zhì)濃度可以隨距離的縮短而降低。
在第二導(dǎo)電型敷層中可以存在諸如阻止蝕刻層之類厚度不大于300的另外一層，因?yàn)檫@幾乎不影響有效折射率之間的差值。
此外，可以在電流阻擋層上設(shè)置一吸收激光光線的第一導(dǎo)電型電流阻擋層。
最好在第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體襯底上形成第一導(dǎo)電型敷層。在AlGaAs系半導(dǎo)體激光器件中，最好使用GaAs襯底。
有源層可以擁有一種由單量子阱層構(gòu)成的單量子阱結(jié)構(gòu)，可以擁有一種由交替堆迭量子阱層與阻擋層構(gòu)成的多量子阱結(jié)構(gòu)，或者可以是一種無量子效應(yīng)的單層結(jié)構(gòu)。
AlGaAs系半導(dǎo)體激光器件的多量子阱結(jié)構(gòu)可以包括由AlqGa1-qAs(1＞x＞q≥0，1＞y＞q≥0)構(gòu)成的量子阱層和由AlpGa1-pAs(x≥p＞q，y≥p＞q)構(gòu)成的阻擋層。
半導(dǎo)體激光器件能以基本橫向模激光獲得不低于100mw光輸出功率為較佳，而半導(dǎo)體激光器件能以基本橫向模激光獲得不低于150mw光輸出功率則更佳。
根據(jù)本發(fā)明另一方面的半導(dǎo)體激光器件的設(shè)計(jì)方法是一種設(shè)計(jì)半導(dǎo)體激光器件的方法，該激光器件包括依次由AlxGa1-xAs構(gòu)成的第一導(dǎo)電型敷層、由AlqGa1-qAs(1＞x＞q≥0)構(gòu)成的有源層、由AlyGa1-yAs(y＞q)構(gòu)成的第二導(dǎo)電型敷層及電流阻擋層，該電流阻擋層有一預(yù)定寬度的條形開口用來限制電流路徑并形成該電流路徑，并由AlzGa1-zAs(1≥z＞y)構(gòu)成，它包括以下幾個(gè)步驟設(shè)定有源層中對(duì)應(yīng)于開口的區(qū)域內(nèi)有效折射率與有源層中對(duì)應(yīng)于開口兩側(cè)區(qū)域內(nèi)的有效折射率之間的差值Δn以及開口寬度W，以便以基本橫向模激光獲得預(yù)定的光輸出功率；以及選擇電流阻擋層的Al的組分比z和開口兩側(cè)第二導(dǎo)電型敷層的厚度，以便得到有效折射率之間的差值Δn。
這樣，所構(gòu)成的半導(dǎo)體激光器件就以小的工作電流和基本橫向模激光獲取大的光輸出功率。
設(shè)定步驟最好包括設(shè)定有效折射率之間的差值Δn以及開口寬度W[μm]的步驟，以滿足下述關(guān)系Δn≥2×10-3，以及W≤-1.6×103×Δn+9.3這樣，所構(gòu)成的半導(dǎo)體激光器件就以基本橫向模激光獲取不小于100mw的光輸出功率。
設(shè)定步驟更好的是包括設(shè)定有效折射率之間的差值Δn和開口寬度W[μm]以滿足下述關(guān)系的步驟W≤-1.5×103×Δn+8.55這樣，所構(gòu)成的半導(dǎo)體激光器件就以基本橫向模激光獲取不小于150mw的光輸出功率。
設(shè)定步驟最好包括把開口寬度W設(shè)定不小于3.0μm的步驟，這樣就得到了高可靠性的半導(dǎo)體激光器件。
第二導(dǎo)電型敷層可以依次包括一平坦部分和在其上面的一條狀脊形部分，脊形部分可以定位在電流阻擋層的開口內(nèi)，而且如此形成電流阻擋層以覆蓋住平坦部分的上表面和脊形部分的側(cè)表面。這樣，就提供了一種所謂的脊形波導(dǎo)型半導(dǎo)體激光器件。離有源層某一距離的脊形部分的寬度可隨距離的增大而減小。
根據(jù)本發(fā)明還有一方面的半導(dǎo)體激光器件，包括第一導(dǎo)電型敷層、有源層、第二導(dǎo)電型敷層和電流阻擋層，電流阻擋層具有一預(yù)定寬度的條形開口用以限制電流路徑并形成該電流路徑，且其帶隙大于第二導(dǎo)電型敷層的帶隙，其折射率則小于第二導(dǎo)電型敷層的折射率，第二導(dǎo)電型敷層有一平坦部分和在其上面的一條狀脊形部分，該脊形部分定位于電流阻擋層的開口內(nèi)，如此形成電流阻擋層以覆蓋住平坦部分的上表面和脊形部分的側(cè)表面，而且，有源層中對(duì)應(yīng)于開口的區(qū)域的有效折射率與有源層中對(duì)應(yīng)于開口兩側(cè)區(qū)域的有效折射率之差Δn以及開口寬度W[μm]滿足以下關(guān)系2.4×10-3≤Δn≤3.5×10-3，W≥2.5，W≤-1.33×103×Δn+8.723，以及W≤2.25×103×Δn-2.8這樣，就提供了一種所謂的脊形波導(dǎo)型半導(dǎo)體激光器件。在離有源層某一距離，脊形部分寬度可隨距離增大而減小。
在根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體激光器件中，能以基本橫向模激光獲得大的最大光輸出功率和大的水平光束發(fā)散角。例如，能以基本橫向模激光把最大光輸出功率增加到不小于70mw，又如可把水平光束發(fā)散角增大到不小于6.5°。
使有效折射率之間的差值Δn與開口寬度W[μm]滿足下述關(guān)系則更好W≤-1.33×103×Δn+7.923這樣，就以基本橫向模激光獲得不小于100mw的最大光輸出功率。
更好的是這使有效折射率之間的差值Δn和開口寬度W[μm]滿足以下關(guān)系W≤2.25×103×Δn-3.175這樣，可把水平光束發(fā)散角增大到不小于7°。
第一導(dǎo)電型敷層可由AlxGa1-xAs構(gòu)成，有源層可由AlqGal-qAs(1＞x＞q≥0)構(gòu)成，第二導(dǎo)電型敷層可由AlyGa1-yAs(y＞q)構(gòu)成，而電流阻擋層可由AlzGa1-zAs構(gòu)成。
這樣，能以基本橫向模激光獲得不小70mw的最大光輸出功率，且水平光束發(fā)散角可不小于6.5°。
可以通過選擇電流阻擋層的Al的組分比z和開口兩側(cè)第二導(dǎo)電型敷層的厚度來設(shè)定有效折射率之間的差值A(chǔ)n。
第一導(dǎo)電型敷層的Al的組分比x和第二導(dǎo)電型敷層的Al的組合比y，最好既不小于0.4也不大于0.6。
使電流阻擋層的Al的組分比z大于第二導(dǎo)電型敷層的Al的組分比y則較佳。更好的是使電流阻擋層的Al的組分比z與第二導(dǎo)電型敷層的Al的組分比y之差值不小于0.02。這樣。能容易實(shí)現(xiàn)有效折射率之間的良好差值。
電流阻擋層的Al的組分比z最好不大于0.6，這樣就提高了電流阻擋層的結(jié)晶性，由此也提高了電流阻擋層上形成的層的結(jié)晶性，因而能提供高可靠性的半導(dǎo)體激光器件。
電流阻擋層最好至少包括一第一導(dǎo)電型層，這樣，電流阻擋層中的第一導(dǎo)電型層與第二導(dǎo)電型敷層的導(dǎo)電類型相反，據(jù)此能實(shí)現(xiàn)充分的電流阻擋作用。可以只用第一導(dǎo)電型層構(gòu)成電流阻擋層。
電流阻擋層可以包括形成于有源層上的第一層和形成于第一層上的第二層，第二層可以是第一導(dǎo)電型層，而第一層的雜質(zhì)濃度可以低于第二層的雜質(zhì)濃度。這樣，可防止雜質(zhì)從電流阻擋層擴(kuò)散入有源層。特別是，第一層最好是非摻雜層。
若電流阻擋層是用第一導(dǎo)電型層構(gòu)成的，則在離有源層某一距離處，電流阻擋層的雜質(zhì)濃度可隨距離的減小而減小。
在第二導(dǎo)電型敷層內(nèi)可以存在其厚度不大于300的諸如蝕刻阻止層之類的另外一層，因?yàn)檫@幾乎不影響有效折射率之間的差值。
再者，可在電流阻擋層上設(shè)置吸收激光光線的第一導(dǎo)電型電流阻擋層。
最好在第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體襯底上形成第一導(dǎo)電型敷層。在AlGaAs系半導(dǎo)體激光器件中，最好使用GaAs襯底。
有源層可以具有一種由單量子阱層構(gòu)成的單量子阱結(jié)構(gòu)，可以具有一種通過交替堆迭量子阱層與阻擋層構(gòu)成的多量子阱結(jié)構(gòu)，或可以是無量子效應(yīng)的單層結(jié)構(gòu)。
AlGaAs系半導(dǎo)體激光器件的多量子阱結(jié)構(gòu)可以包括由AlqGa1-qAs(1＞x＞q≥0，1＞y＞q≥0)組成的量子阱層和由AlpGa1-pAs(x≥p＞q0，y≥p＞q)組成的阻擋層。
較好的是，半導(dǎo)體激光器件以基本橫向模激光獲取不小于70mw的最大光輸出功率。更好的是，半導(dǎo)體激光器件以基本橫向模激光獲取不小于100mw的最大光輸出功率。另一方面，較好的是，半導(dǎo)體激光器件獲得不小于6.5°的水平光束發(fā)散角。更好的是，半導(dǎo)體激光器件獲得不小7°的水平光束發(fā)散角。
由于光束近似為一個(gè)整圓，所以有利于光頭中的光學(xué)設(shè)定工作。由于垂直光束發(fā)散角大于水平光束發(fā)散角，譬如大約15-30°，所以水平光束發(fā)散角可以大到像垂直光束發(fā)散角那樣的程度。
此外，隨著腔體長(zhǎng)度的縮短，可把水平光束發(fā)散角做得稍大些。另一方面，如果腔體長(zhǎng)度小于約300μm，則COD(突然光學(xué)損壞)的大小就會(huì)降低。因此，腔體長(zhǎng)度最好保持在既不小于300μm又不大于600μm的范圍內(nèi)。
根據(jù)本發(fā)明又一方面的半導(dǎo)體激光器件設(shè)計(jì)方法是一種設(shè)計(jì)半導(dǎo)體激光器件的方法，該激光器件依次包括由AlxGa1-xAs構(gòu)成的第一導(dǎo)電型敷層、由AlqGa1-qAs(1＞x＞q≥0)構(gòu)成的有源層、由AlyGa1-yAs(y＞q)構(gòu)成的第二導(dǎo)電型敷層以及電流阻擋層，該電流阻擋層有一預(yù)定寬度的條形開口用來限制電流路徑并形成該電流路徑，并由AlzGa1-zAs(1≥z＞y)組成，它包括以下步驟設(shè)定有源層中對(duì)應(yīng)于開口的區(qū)域的有效折射率與有源層中對(duì)應(yīng)于開口兩側(cè)區(qū)域的有效折射率之差值Δn以及開口寬度W，以便以基本橫向模激光獲取預(yù)定的最大光輸出功率和預(yù)定的水平光束發(fā)散角；以及選擇電流阻擋層的Al的組分比z和開口兩側(cè)第二導(dǎo)電型敷層的厚度，以得到有效折射率之間的差值Δn。
這樣，就獲得了一種以基本橫向模激光取得大的最大光輸出功率和大的水平光束發(fā)散角的半導(dǎo)體激光器件。
設(shè)定步驟最好包括設(shè)定有效折射率之差值Δn和開口寬度W[μm]的步驟，以滿足下述關(guān)系2.4×10-3≤Δn≤3.5×10-3，W≥2.5，W≤-1.33×103×Δn+8.723，以及W≤2.25×103×Δn-2.8這樣，就獲得一種以基本橫向模激光得到不小于70mw的最大光輸出功率和不小于6.5°水平光束發(fā)散角的半導(dǎo)體激光器件。
設(shè)定步驟更好包括設(shè)定有效折射率之差值Δn開口寬度W[μm]的步驟，以便滿足下述關(guān)系W≤-1.33×103×Δn+7.923這樣，就獲得一種以基本橫向模激光得到不小于100mw最大光輸出功率的半導(dǎo)體激光器件。
設(shè)定步驟最好包括設(shè)定有效折射率之差值Δn和開口寬度W[μm]的步驟，以便滿足以下關(guān)系
W≤2.25×103×Δn-3.175這樣，就獲得一種水平光束發(fā)散角不小于7°的半導(dǎo)體激光器件。
第二導(dǎo)電型敷層可包括一平坦部分和在其上面的條狀脊形部分。脊形部分可定位于電流阻擋層的開口內(nèi)，而且如此形成電流阻擋層以覆蓋住平坦部分的上表面和脊形部分的側(cè)表面。這樣，就可提供一種所謂的脊波導(dǎo)型半導(dǎo)體激光器件。在離有源層某一距離處，脊形部分寬度可隨距離的增大而減小。


圖1是根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的半導(dǎo)體激光器件的剖面示意圖；圖2是表示有效折射率差值Δn與圖1所示半導(dǎo)體激光器件中可實(shí)現(xiàn)基本橫向模激光時(shí)獲得的最大光輸出功率Pk之間的關(guān)系曲線；圖3示出在圖所示半導(dǎo)體激光器件中，有效折射率差值Δn、可實(shí)現(xiàn)基本橫向模激光時(shí)獲得的最大光輸出功率Pk以及條寬W之間的關(guān)系曲線；圖4是根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的半導(dǎo)體激光器件的剖面示意圖；圖5表示圖4所示半導(dǎo)體激光器件中有源層的示意的能帶結(jié)構(gòu)及附近狀況的圖；圖6表示圖4所示半導(dǎo)體激光器件中，有效折射率差值Δn、可實(shí)現(xiàn)基本橫向模激光時(shí)獲得的最大光輸出功率Pk、條寬W及水平光束發(fā)散角θH之間的關(guān)系曲線；圖7表示圖4所示半導(dǎo)體激光器件中條寬W與COD(突然光學(xué)損壞)之間的關(guān)系曲線；以及圖8表示圖4所示半導(dǎo)體激光器件中有效折射率差值Δn與像散性之間的關(guān)系曲線。
在圖1中，在n型GAs襯底1上依次形成0.5μm厚Se摻雜n型GAs緩沖層2、0.1μm厚Se摻雜n型AlsGa1-sAs緩沖層3和2.3μm厚Se摻雜n型AlxGa1-xAs敷層4，其中x＞s＞0。在本發(fā)明實(shí)施例中，s＝0.18，x＝0.45。
在n型敷層4上依次形成410厚非摻雜AlvGa1-vAs光波導(dǎo)層5、100厚由AlqGa1-qAs組成的具有單量子阱結(jié)構(gòu)的非摻雜有源層6以及410厚非摻雜AlwGa1-wAs光波導(dǎo)層7，其中1＞x＞v，v＞q≥0，w＞q≥0，y1＞w，Y2＞w。在本發(fā)明實(shí)施例中，v＝0.35，q＝0.035，w＝0.35。
在光波導(dǎo)層7上形成tμm厚Zn摻雜p型Aly1Ga1-y1As敷層8。在本發(fā)明實(shí)施例中，y1＝0.45。
在p型敷層8的靠近中央部分上面，依次形成沿垂直方向(沿腔體長(zhǎng)度方向)延伸厚為200的條形Zn摻雜p型AluGa1-uAs蝕刻阻止層9、2μm厚條形Zn摻雜p型Aly2Ga1-y2As敷層10和0.4μm厚條形Zn摻雜p型GAs蓋層(caplayer)11。p型蝕刻阻止層9的寬度為Wμm，寬度Wμm變?yōu)樾纬呻娏髀窂降拈_口寬度。這里，1≥u＞y1，1≥u＞y2。在本發(fā)明實(shí)施例中，u＝0.7，y2＝0.45。p型蝕刻阻止層9、p型敷層10和p型蓋層11構(gòu)成了條狀脊形部分12。
在p型敷層8上面依次形成0.3μm厚非摻雜Alz1Ga1-z1As電流阻擋層13、0.2μm厚Se摻雜n型AlzGa1-z2As電流阻擋層14和0.3μm厚Se摻雜n型GaAs電流阻擋層15，使之覆蓋住脊形部分12的側(cè)表面，其中1≥z1＞y1，1≥z1＞y2，1≥z2＞y1，1≥z2＞y2。
6μm厚Zn摻雜p型GaAs接觸層16形成在p型蓋層11的上表面、非摻雜電流阻擋層13的端面、n型電流阻擋層14的端面以及n型電流阻擋層15的上表面與端面上。
在p型接觸層16上形成由Cr/Au組成的p側(cè)電極17，并在n型襯底1的下表面上形成由Cr/Sn/Au組成的n側(cè)電極18。
現(xiàn)在舉例說明制造上述半導(dǎo)體激光器件的方法。
首先，運(yùn)用諸如金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積(MOCVD)法或分子束外延(MBE)法之類的氣相外延(VPE)方法，在n型GaAs襯底1上連續(xù)生長(zhǎng)n型GaAs緩沖層2、n型AlGaAs緩沖層3、n型AlGaAs敷層4、非摻雜AlGaAs光波導(dǎo)層5、非摻雜有源層6、非摻雜AlGaAs光波導(dǎo)層7、p型AlGaAs敷層(平坦部分)8、p型AlGaAs或AlAs蝕刻阻止層9、p型敷層(對(duì)應(yīng)于以后形成的脊形部分)10以及p型GaAs蓋層11。p型蓋層11是保護(hù)層，防止在制造過程中在p型敷層10上用暴露和氧化p型敷層10的辦法作晶體生長(zhǎng)的不可行性。
然后，在p型GaAs蓋層11上形成條形SiO2膜，并用SiO2膜作為掩模有選擇地蝕刻掉p型蝕刻阻止層9下面的層，之后，用SiO2膜作為掩模再蝕刻掉蝕刻阻止層9以形成脊形部分12。由于蝕刻阻止層9的Al的組分比很大，所以難以在蝕刻步驟之后在蝕刻阻止層9上生長(zhǎng)出結(jié)晶性很好的晶體。因此，在本發(fā)明實(shí)施例中去除了蝕刻阻止層9。
接著，運(yùn)用上述的氣相外延法在敷層8上依次連續(xù)生長(zhǎng)電流阻擋層13、14和15，使之覆蓋住脊形部分12的側(cè)表面，露出蓋層11的上表面。此后，運(yùn)用上述的氣相外延法在電流阻擋層13、14與15以及蓋層11的上表面上生長(zhǎng)p型GaAs接觸層16。
在半導(dǎo)體激光器件中，具有條形開口(條寬為W)以便限制電流路徑并形成該電流路徑的電流阻擋層13和14同p型敷層8和10相比，其帶隙更大而折射率較小。因此，在發(fā)光區(qū)(圖1中用虛線橢圓示意地表示的區(qū)域)中，對(duì)應(yīng)于開口的區(qū)域a內(nèi)的有效折射率可以做得比對(duì)應(yīng)于開口兩側(cè)的區(qū)域b內(nèi)的有效折射率更大。所以半導(dǎo)體激光器件可以像有效折射率導(dǎo)向型半導(dǎo)體裝置那樣地工作。有效折射率差值表示在區(qū)域a檢測(cè)到的具有激光波長(zhǎng)的光的折射率與在區(qū)域b檢測(cè)到的光的折射率之差。
運(yùn)用上述結(jié)構(gòu)，電流阻擋層13和14就成了透明的電流阻擋層，它對(duì)激光光線呈透明。
通過選擇電流阻擋層13和14各自的Al的組分比z1與z2或者敷層8的厚度t，來改變半導(dǎo)體激光器件不工作時(shí)的有效折射率的差值(對(duì)應(yīng)于開口的區(qū)域a內(nèi)的有效折射率減去對(duì)應(yīng)于開口兩側(cè)的區(qū)域b內(nèi)的有效折射率)，以測(cè)量基本橫向模激光的最大光輸出功率，其結(jié)果示于圖2。在這種情況下，在半導(dǎo)體激光器件的前后面分別配上反射率為2％和95％的反射膜，腔體長(zhǎng)度設(shè)定為1200μm，在25℃環(huán)境溫度下進(jìn)行測(cè)量。表1列出了電流阻擋層13和14各自的Al的組分比z1和z2以及圖2所示各點(diǎn)的p型敷層8的厚度t。編號(hào)A1-A5的樣品條寬為4.5μm。
表1
圖2表示當(dāng)有效折射率差值不大于3×10-3時(shí)可實(shí)現(xiàn)基本橫向模激光所獲得的最大光輸出功率為不小于100mw，當(dāng)有效折射率差值不大于2.6×10-3時(shí)為不小于150mw，而當(dāng)有效折射率差值不大于2.3×10-3時(shí)為不小于200mw。
另外，當(dāng)有效折射率差值不大于3×10-3，光輸出功率為100mw的情況下，得到的激光閾值電流為43mA，工作電流為140mA，垂直光束發(fā)散角18°，水平光束發(fā)散角為7°；而當(dāng)有效折射率差值不大于2.5×10-3，光輸出功率為170mw的情況下，得到的激光閾值電流為45mA，工作電流為185mA，垂直光束發(fā)散角為18°，水平光束發(fā)散角為7°。
當(dāng)有效折射率差值不大于2.3×10-3時(shí)，若光輸出功率為200mw，則得到的激光閾值電流為47mA，工作電流為235mA，垂直光束發(fā)散角為18°，水平光束發(fā)散角為6.5°。
這樣，當(dāng)有效折射率差值不大于3×10-3時(shí)，就能以基本橫向模激光在小的工作電流下得到大的光輸出功率。
因此，在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體激光器件中，把有效折射率差值設(shè)定為不大于3×10-3且最好不大于2.6×10-3。
通過選擇電流阻擋層13和14各自的Al的組分比z1和z2、p型敷層8的厚度t和條寬W，改變?cè)诎雽?dǎo)體激光器件不工作時(shí)的有效折射率差值Δn(對(duì)應(yīng)于開口的區(qū)域a內(nèi)的有效折射率減去對(duì)應(yīng)于開口兩側(cè)區(qū)域的b內(nèi)的有效折射率)，以測(cè)量基本橫向模激光的最大光輸出功率Pk，其結(jié)果列于表2。此時(shí)，在半導(dǎo)體激光器件的前后面分別配上射率為2％和95％的反射膜，腔體長(zhǎng)度設(shè)定為1200μm，在25℃環(huán)境溫度下進(jìn)行測(cè)量。樣品B4、B9、B14、B18和B21分別對(duì)應(yīng)于樣品A1、A2、A3、A4和A5。
表2
圖3表示利用表2內(nèi)編號(hào)B1-B21的樣品獲得的有效折射率差值Δn、可實(shí)現(xiàn)基本橫向模激光時(shí)獲得的最大光輸出功率Pk以及條寬W之間的相互關(guān)系。在所有樣品B1-B21中獲得基本橫向模激光。
圖3表示，為使最大光輸出功率Pk不小于100mW，必須選擇滿足直線L下面(包括直線L)某一區(qū)域的條寬W和有效折射率差值Δn；為使最大光輸出功率Pk不小于150mW，則必須選擇滿足直線M下面(包括直線M)某一區(qū)域的條寬W和有效折射率差值Δn。
直線L用下式(A1)表示W(wǎng)＝1.6×103×Δn[μm]+9.3[μm] (A1)直線M用下式(A2)表示W(wǎng)＝1.5×103×Δn[μm]+8.55[μm](A2)在該半導(dǎo)體激光器件中，當(dāng)半導(dǎo)體激光器件工作時(shí)，由于載流子注入?yún)^(qū)域a，使區(qū)域a中的有效折射率約減小10-3。因此，為了保持有效折射率導(dǎo)向型結(jié)構(gòu)良好，有效折射率差值最好不小于2×10-3。
尤其是，就可靠性而言，條寬W最好不小于3.0μm。具體地說，為使半導(dǎo)體激光器件的穩(wěn)定工作時(shí)間不少于1000小時(shí)，條寬W最好不小于3.0μm。
如上所述，為使基本橫向模激光的最大光輸出功率Pk不小于100mW，要如此選擇條寬W和有效折射率差值Δn以滿足下列關(guān)系Δn≥2×10-3，W≤1.6×103×Δn[μm]+9.3[μm]，W≥3.0[μm]為使基本橫向模激光的最大光輸出功率Pk不小于150mW，除了上述關(guān)系外，最好還要滿足下述關(guān)系W≤-1.5×103×Δn[μm]+8.55[μm]帶隙大的電流阻擋層(它的Al的組分比較大)的結(jié)晶性較差，結(jié)果，在再次生長(zhǎng)電流阻擋層過程中，雜質(zhì)會(huì)從該電流阻擋層擴(kuò)散入有源層6。此外，為了把半導(dǎo)體激光器件做成一種有效折射率導(dǎo)向型半導(dǎo)體激光器件以減小無效電流，把p型敷層8的厚度設(shè)定為很小的值，最好不超過0.25μm。所以，為了防止上述的擴(kuò)散現(xiàn)象，最好把激活層6側(cè)面的電流阻擋層13做成像本發(fā)明實(shí)施例中的非摻雜層那樣的低雜質(zhì)層，更好是做成如上所述的非摻雜層。
在上述第一實(shí)施例中，雖然把AlqGa1-qAs(q≥0)構(gòu)成的單量子阱結(jié)構(gòu)層用作有源層6，但是也可以把由AlqGa1-qAs阱層與AlpGa1-pAs阻擋層(p＞q≥0)構(gòu)成的多量子阱結(jié)構(gòu)層用作為有源層6。另外，還可以把由AlqGa1-qAs(q≥0)構(gòu)成的無量子效應(yīng)層用作為有源層6。
下面用圖4和5說明根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的AlGaAs系半導(dǎo)體激光器件。在圖4所示的半導(dǎo)體激光器件中，對(duì)應(yīng)于圖1所示半導(dǎo)體激光器件部分的那些部分采用同樣的標(biāo)號(hào)。
在圖4中，在n型GAs襯底1上依次形成0.5μm厚Se摻雜n型GAs緩沖層2、0.1μm厚Se摻雜n型AlsGa1-sAs緩沖層3以及2.2μm厚Se摻雜AlxGa1-xAs敷層4，其中的x＞s＞0。在本發(fā)明實(shí)施例中，s＝0.18，x＝0.45。
在n型敷層4上依次形成200厚非摻雜的AlvGa1-vAs光波導(dǎo)層5、非摻雜的有源層6以及200厚非摻雜的AlwGa1-wAs光波導(dǎo)層7，其中1＞x＞v。在本實(shí)施例中，v＝0.35。通過交替堆迭80厚由AlqGa1-qAs構(gòu)成的量子阱層6a和80厚由AlpGa1-pAs構(gòu)成的阻擋層6b，構(gòu)成有源層6。這里，v≥p＞q≥0，w≥p＞q≥0。在本實(shí)施例中，q＝0.11，p＝0.3。此外，y1＞w，y2＞w。在本實(shí)施例中，w＝0.35。
在光波導(dǎo)層7上形成tμm厚Zn摻雜的p型Aly1Ga1-y1As敷層。在實(shí)施例中，y1＝0.45。
在p型敷層8近中央部分上依次形成沿垂直方向(沿腔體長(zhǎng)度方向)延伸的200厚條形Zn摻雜的p型AluGa1-uAs蝕刻阻止層9、1.8μm厚條形Zn摻雜的p型Aly2Ga1-y2As敷層10以及0.7μm厚條形Zn摻雜的p型GAs蓋層11。p型蝕刻阻止層9的寬度為Wμm。寬度Wμm成為形成電流路徑的開口的寬度。這里，1≥u＞y1，1≥u＞y2。在本實(shí)施例中，u＝0.7，y2＝0.45。p型蝕刻阻止層9、p型敷層10和p型蓋層11構(gòu)成了條狀脊形部分12。
在p型敷層8上依次形成0.3μm厚非摻雜的Alz1Ga1-z1As電流阻擋層13、0.2μm厚Se摻雜的n型Alz2Ga1-z2As電流阻擋層14以及0.3μm厚Se摻雜的n型GAs電流阻擋層15，從而覆蓋住脊形部分12的側(cè)表面，其中1≥z1＞y1，1≥z1＞y2，1≥z2＞y1，1≥z2＞y2。
在p型蓋層11的上表面、非摻雜電流阻擋層13的端面、n型電流阻擋層14的端面以及n型電流阻擋層15的上表面與端面上，形成6μm厚Zn摻雜的p型GAs接觸層16。
在p型接觸層16上形成由Cr/Au組成的P側(cè)電極17，在n型襯底1的下表面上刷Cr/Sn/Au組成的N側(cè)電極18。
除了有源層6的詳細(xì)結(jié)構(gòu)之外，圖4和圖1所示的半導(dǎo)體激光器件的制造方法是相同的。
在該半導(dǎo)體激光器件中，與p型敷層8和10相比，具有條形開口(條寬為W)以便限制電流路徑并形成該電流路徑的電流阻擋層13和14具有較大的帶隙和較小的折射率。因此，在發(fā)光區(qū)(圖4中以虛線橢圓表示的區(qū)域)內(nèi)，可以把對(duì)應(yīng)于開口的區(qū)域a內(nèi)的有效折射率做得比對(duì)應(yīng)于開口兩側(cè)區(qū)域b內(nèi)的有效折射率更大，這樣半導(dǎo)體激光器件就能像有效折射率導(dǎo)向型半導(dǎo)體激光器件那樣工作了。
用上述結(jié)構(gòu)，電流阻擋層13和14成了對(duì)激光光線呈透明的透明的電流阻擋層。
通過選擇電流阻擋層13和14各自的Al的組分比z1和z2、p型敷層8的厚度t和條寬，來改變?cè)诎雽?dǎo)體激光器件不工作情況下的有效折射率差值Δn(對(duì)應(yīng)于開口區(qū)域a內(nèi)的有效折射率no減去對(duì)應(yīng)于開口兩側(cè)區(qū)域b內(nèi)的有效折射率ns)，以測(cè)量可實(shí)現(xiàn)基本橫向模激光時(shí)獲得的最大光輸出功率Pk，此時(shí)沿水平方向的水平光束發(fā)散角θH、COD(突然光學(xué)損壞)以及像散性。結(jié)果列于表3。在這種情況下，在半導(dǎo)體激光器件的前后面上分別配上反射率為12％和95％的反射膜，腔體長(zhǎng)度設(shè)定為600μm，在25℃環(huán)境溫度下作測(cè)量。
表3
圖6表示有效折射率差Δn、可實(shí)現(xiàn)基本橫向模激光時(shí)獲得的最大光輸出功率Pk、條寬W以及采用表3中編號(hào)C1-C18樣品獲得的水平光束發(fā)散角θH之間的關(guān)系。
圖6表明，為使最大光輸出功率Pk不小于70mW，必須選擇滿足虛線直線A與虛線直線x之間區(qū)域RA的條寬W與有效折射率差值Δn，而為使最大光輸出功率Pk不小于100mW，則必須選擇滿足虛線直線B和上述直線x之間區(qū)域RB的條寬W與有效折射率差值Δn。
圖6還說明，為使水平光束發(fā)散角θH不小于6.5°，必須選擇滿足實(shí)線直線C下面(包括直線C)區(qū)域RC的條寬W與有效折射率差值Δn，而為使水平光束發(fā)散角θH不小于7°，則必須選擇滿足實(shí)線直線D下面(包括直線D)區(qū)域RD的條寬W與有效折射率差值Δn。
直線A由下式(B1)表示W(wǎng)＝-1.33×103[μm]×Δn+8.723[μm](B1)直線B由下式(B2)表示W(wǎng)＝-1.33×103[μm]×Δn+7.923[μm](B2)直線X由下式(B3)表示W(wǎng)＝2.5[μm] (B3)直線C由下式(B4)表示W(wǎng)＝2.25×103[μm]×Δn-2.8[μm] (B4)
直線D由下式(B5)表示W(wǎng)＝2.25×103[μm]×Δn-3.175[μm](B5)圖7表示上述表3中所列出編號(hào)為C9-C14樣品的COD與條寬W之間的關(guān)系。
從圖7和表3可看出，當(dāng)條寬W小于2.5μm時(shí)，COD小于100mW，只是最大光輸出功率Pk小于100mW，這樣就不能延長(zhǎng)半導(dǎo)體激光器件的工作壽命。
圖8表示上述表3中所列出的編號(hào)為C1、C2、C5、C9和C18的樣品的像散性與有效折射率差值Δn之間的關(guān)系。
從圖8和表3可看出，當(dāng)有效折射率差值Δn小于2.4×10-3時(shí)，像散性便迅速增大。這樣，在像散性很大時(shí)，光頭的光學(xué)設(shè)定操作就困難了。所以有效折射率差值Δn最好不小于2.4×10-3。
另外，如表3所示，當(dāng)有效折射率差值Δn超過3.5×10-3時(shí)，橫向模激光就不穩(wěn)定，而難以得到基本橫向模激光。因此，有效折射率差值Δn最好不小2.4×10-3，但不大于3.5×10-3。
對(duì)于用作可再寫光盤的光源的半導(dǎo)體激光器件，希望最大光輸出功率Pk不小于70mW，水平光束發(fā)散角θH不小于6.5°。所以在本發(fā)明中，這樣來選擇條寬W和有效折射率差值Δn，使之適合于區(qū)域RA與區(qū)域RC相互交迭的某個(gè)區(qū)域，且有效折射率差值Δn不小于2.4×10-3，也不大于3.5×10-3。
這就是說，條寬W與有效折射率差值Δn滿足下列方程2.4×103≤Δn≤3.5×10-3，W≤-1.33×103[μm]×Δn+8.723[μm]W≤2.25×103[μm]×Δn-2.8[μm]W≥2.5[μm]為使最大輸出功率Pk不小于100mW，除了上述關(guān)系外，最好還要滿足下述關(guān)系W≤-1.33×103[μm]×Δn+7.923[μm]為使水平光束發(fā)散角QH不小于7°，更要滿足下述關(guān)系W≤2.25×103[μm]×Δn-3.175[μm]為使最大光輸出功率Pk不小于100mW，且水平光束發(fā)散角θH不小于7°，最好還要滿足下列關(guān)系2.4×103≤Δn≤3 5×10-3
W≥2.5[μm]W≤1.33×103[μm]×Δn-0.323[μm]W≤2.25×103[μm]×Δn-3.175[μm]此外，帶隙大的電流阻擋層(其Al的組分比較大)的結(jié)晶性較差，結(jié)果在再次生長(zhǎng)電流阻擋層的過程中，雜質(zhì)會(huì)從電流阻擋層擴(kuò)散入有源層6。再者，p型敷層8的厚度設(shè)成很小的值，最好不超過0.25μm，以把半導(dǎo)體激光器件做成有效折射率導(dǎo)向型半導(dǎo)體激光器件，以減小無效電流。所以，為防止出現(xiàn)上述的擴(kuò)散現(xiàn)象，最好把有源層6側(cè)邊的電流阻擋層13做成本實(shí)施例中諸如非摻雜層那樣的低雜質(zhì)層，更好是像上述那樣做成非摻雜層。
在上述第二實(shí)施例中，雖然用由AlqGa1-qAs量子阱層和AlpGa1-pAs阻擋層(p＞q≥0)構(gòu)成的多量子阱結(jié)構(gòu)層作為有源層6，但是也可使用由AlqGa1-qAs(q≥0)構(gòu)成的單量子阱層。另外，還可使用由AlqGa1-qAs(q≥0)構(gòu)成的無量子效應(yīng)的層。
在上述第一與第二實(shí)施例中，雖然在p型敷層8與10之間即p型敷層中存在蝕刻阻止層9，但是只要成品率下降能允許的話，就不必設(shè)置蝕刻阻止層9。
在上述第一和第二實(shí)施例中，AlGaAs敷層4、8和10各自的Al的組分比x、y1和y2，可在不小于0.4和不大于0.6的范圍內(nèi)作適當(dāng)選擇；電流阻擋層13和14各自的Al的組分比z1與z2大于AlGaAs敷層8和10各自的Al組分比y1和y2，它們具有預(yù)定寬度的條形開口用于限制電流路徑并形成該電流路徑且相互鄰近，被設(shè)定成至少比AlGaAs敷層8和10各自的Al的組分比y1和y2大0.02。
然而，實(shí)驗(yàn)證明，若AlGaAs的Al的組分比大于0.6，則其結(jié)晶性就差且易于氧化，在其上便難以進(jìn)行晶體生長(zhǎng)。所以，最好把電流阻擋層13和14各自的Al的組分比z1與z2設(shè)成不大于0.6。
再者，在上述第一和第二實(shí)施例中，雖然n型AlGaAs電流阻擋層14和非摻雜電流阻擋層13的Al的組分比相同，但是也可以有不同的Al的組分比。此外，半導(dǎo)體激光器件可以只包括電流阻擋層13和14中的一個(gè)電流阻擋層。
雖然已經(jīng)詳細(xì)說明和示例了本發(fā)明內(nèi)容，但是顯然應(yīng)該理解，這些說明和示例只是作為舉例而并非是限制，本發(fā)明的精神和范圍只受限制于所附的權(quán)利要求的各條款。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體激光器件，其特征在于，依次包括第一導(dǎo)電型敷層；有源層；第二導(dǎo)電型敷層；以及電流阻擋層，所述電流阻擋層是對(duì)激光透明的層，其具有預(yù)定寬度的條形開口用于限制電流路徑并形成該電流路徑，其帶隙大于所述第二導(dǎo)電型敷層的帶隙，其折射率小于所述第二導(dǎo)電型敷層的折射率，所述第二導(dǎo)電型敷層有一平坦部分和在所述平坦部分上的條形脊形部分，所述脊形部分被限定位于所述電流阻擋層的所述開口內(nèi)，如此形成所述電流阻擋層以覆蓋住所述平坦部分的上表面和所述脊形部分的側(cè)表面，所述有源層中對(duì)應(yīng)于所述開口的區(qū)域內(nèi)的有效折射率與所述有源層中對(duì)應(yīng)于所述開口兩側(cè)的區(qū)域內(nèi)的有效折射率之差值Δn以及所述開口寬度W[μm]滿足下列關(guān)系2.4×10-3≤Δn≤3.5×10-3，W≥2.5，W≤-1.33×103×Δn+8.723，以及W≤2.25×103×Δn-2.8。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光器件，其特征在于，所述有效折射率之差值Δn和所述開口寬度W[μm]滿足下述關(guān)系W≤-1.33×103×Δn+7.923。
3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光器件，其特征在于，有效折射率之差值Δn和所述開口寬度W[μm]滿足下述關(guān)系W≤2.25×103×Δn-3.175。
4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光器件，其特征在于，所述電流阻擋層包括Al，通過選擇所述電流阻擋層的Al的組分比和開口兩側(cè)所述第二導(dǎo)電型敷層的厚度，設(shè)定有效折射率之差值Δn。
5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光器件，其特征在于，所述第一導(dǎo)電型敷層由AlxGa1-xAs構(gòu)成，所述有源層由AlqGa1-qAs(1＞x＞q≥0)構(gòu)成，所述第二導(dǎo)電型敷層由AlyGa1-yAs(y＞q)構(gòu)成，而所述電流阻擋層由AlzGa1-zAs構(gòu)成。
6.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體激光器件，其特征在于，所述電流阻擋層的Al的組分比z大于所述第二導(dǎo)電型敷層的Al的組分比y。
7.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體激光器件，其特征在于，所述電流阻擋層的Al的組分比z不大于0.6。
8.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光器件，其特征在于，離所述有源層某一距離處，所述脊形部分的寬度隨距離增大而減小。
9.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光器件，其特征在于，所述電流阻擋層至少包括一所述第一導(dǎo)電型層。
10.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光器件，其特征在于，所述電流阻擋層包括形成于所述有源層上的第一層和形成于所述第一層上的第二層，所述第二層為所述第一導(dǎo)電型，所述第一層的雜質(zhì)濃度比所述第二層的低。
11.一種設(shè)計(jì)半導(dǎo)體激光器件的方法，該激光器件依次包括由AlxGa1-xAs構(gòu)成的第一導(dǎo)電型敷層、由AlqGa1-qAs(1＞x＞q≥0)構(gòu)成的有源層、由AlyGa1-yAs(y＞q)構(gòu)成的第二導(dǎo)電型敷層以及由AlzGa1-zAs(1≥z＞y)構(gòu)成的電流阻擋層，所述電流阻擋層有一預(yù)定寬度的條形開口用于限制電流路徑并形成該電流路徑，其特征在于，所述設(shè)計(jì)方法包括下列步驟設(shè)定所述有源層中對(duì)應(yīng)于所述開口的區(qū)域內(nèi)實(shí)折射與所述有源層中對(duì)應(yīng)于所述開口兩側(cè)的區(qū)域內(nèi)有效折射率之差值Δn以及所述開口的寬度W，以便以基本橫向模激光獲得預(yù)定的最大光輸出功率和預(yù)定的水平光束發(fā)散角；以及選擇所述電流阻擋層的Al的組分比z和開口兩側(cè)所述第二導(dǎo)電型敷層的厚度，以獲得有效折射率的所述差值Δn。
12.如權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于，所述設(shè)定步驟包括設(shè)定所述有效折射率之所述差值Δn和所述開口寬度W[μm]以滿足下列關(guān)系的步驟2.4×10-3≤Δn≤3.5×10-3，W≥2.5，W≤-1.33×103×Δn+8.723，以及W≤2.25×103×Δn-2.8。
13.如權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于，所述設(shè)定步驟包括設(shè)定所述有效折射率之差值Δn和所述開口寬度W[μm]以滿足下述關(guān)系的步驟W≤-1.33×103×Δn+7.923。
14.如權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于，所述設(shè)定步驟包括設(shè)定所述有效折射率之差值Δn和所述開口寬度W[μm]以滿足下述關(guān)系的步驟W≤2.25×103×Δn-3.175。
15.如權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于，所述第二導(dǎo)電型敷層包括一平坦部分和所述平坦部分上的條狀脊形部分，所述脊形部分被定位于所述電流阻擋層的所述開口內(nèi)，如此形成所述電流阻擋層以覆蓋住所述平坦部分的上表面和所述脊形部分的側(cè)表面。
16.如權(quán)利要求15所述的方法，其特征在于，離所述有源層某一距離處，所述脊形部分寬度隨距離增大而減小。
全文摘要
一種半導(dǎo)體激光器件包括第一導(dǎo)電型敷層、有源層、第二導(dǎo)電型敷層和電流阻擋層。設(shè)定有效折射率之差值Δn和開口寬度W[μm]，使之滿足一預(yù)定關(guān)系。通過選擇電流阻擋層的A1的組分比和開口兩側(cè)第二導(dǎo)電型敷層的厚度，可設(shè)定實(shí)折射率之差值Δn。
文檔編號(hào)H01S5/223GK1427516SQ0214061
公開日2003年7月2日 申請(qǐng)日期2002年7月5日 優(yōu)先權(quán)日1996年3月28日
發(fā)明者林伸彥, 井手大輔, 茨木晃 申請(qǐng)人:三洋電機(jī)株式會(huì)社