專利名稱：射頻(rf)器件和采用它的通信裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及主要用于諸如蜂窩電話的高頻無線電裝置的RF器件。
背景技術(shù)：
近來，隨著移動通信用戶的增加以及移動通信系統(tǒng)的全球化，RF器件已經(jīng)變成關(guān)注的焦點，它使圖18所示各個頻率的EGSM、DCS和UMTS系統(tǒng)與一個蜂窩電話聯(lián)用。以下參照附圖，來討論第一個常規(guī)RF器件。
圖19是第一個常規(guī)RF器件的剖視圖。在圖19中，標號1101表示具有相對低介電常數(shù)的低溫共同燒結(jié)陶瓷體。標號1102表示構(gòu)成RF電路部分的多層引線導體。標號1103表示層間通孔，以及標號1104表示分離的元件，例如，分離電阻、分離電容器、分離電感器、以及封裝半導體。
圖20是第一個常規(guī)RF器件的電路圖。RF器件是用于三波段(上述EGSM，DCS和UMTS)的器件，它包括一個同向雙工器1201，同向雙工器將發(fā)射/接收開關(guān)電路1202和發(fā)射/接收開關(guān)電路1203連接到天線(ANT)。
接著將討論上述第一個常規(guī)RF器件結(jié)構(gòu)的工作原理。
多層引線導體1102電氣互連多個分離元件1104，以及，在低溫共同燒結(jié)陶瓷所制成的基板1101上，形成在該基板上制成的電容器和在該基板上制成的電感器。這類電容器和電感器與分離元件1104一起構(gòu)成了RF電路，RF電路可作為RF器件使用，例如，RF多層開關(guān)。
同向雙工器1201直接與天線端(ANT)相連接，它將通過天線接收到的信號分配給發(fā)射/接收開關(guān)電路1202和1203。雙工機1204與發(fā)射/接收開關(guān)電流1203相連接。發(fā)射/接收開關(guān)電路1202具有一個用于EGSM發(fā)射的發(fā)射端Tx1和一個用于EGSM接收的接收端Rx1。發(fā)射/接收開關(guān)電路1203具有一個用于DCS發(fā)射的發(fā)射端Tx2和一個用于DCS接收的接收端Rx2。雙工機1204具有一個用于UMTS發(fā)射的發(fā)射端Tx3和一個用于UMTS接收的接收端Rx3。
接收端Rx2通過二極管1205與天線相連接，該二極管在利用發(fā)射端Tx2的發(fā)射期間處于截止狀態(tài)。
傳輸線1206a和1206b用于電長度校準，雙工發(fā)射所必需的發(fā)射濾波器1207和接收濾波器1208連接在發(fā)射端Tx3和接收端Rx3之間。
現(xiàn)在來討論第二個常規(guī)RF器件，它是發(fā)射/接收開關(guān)電路直接與天線相連接的另一個例子。
圖21是第二個常規(guī)RF器件的分解透視圖。RF器件具有六個相對高介電常數(shù)的介質(zhì)基板1301a至1301f。介質(zhì)基板1301b在其上表面制成了屏蔽電極1302a，介質(zhì)基板1301c在其上表面制成了級間耦合電極1303，介質(zhì)基板1301d在其上表面制成了諧振器電極1304a和1304b，介質(zhì)基板1301e在其上表面制成了輸入/輸出耦合電容器電極1305a和1305b，介質(zhì)基板1301f在其上表面制成了屏蔽電極1302b，將這些介質(zhì)基板層疊起來。
在層疊的介質(zhì)基板的左面和右面提供端面電極1306a和1306b，這兩個電極與屏蔽電極1302a和1302b相連接，形成接地端。在層疊的介質(zhì)基板的背后提供了端面電極1307，這個電極與屏蔽電極1302a和1302b的接地面相連接，是微帶諧振器電極1304a和1304b的共同開端。在層疊的介質(zhì)基板的前面提供端面電極1308，它與諧振腔電極1304a和1304b的短路端以及屏蔽電極1302a和302b相連接。在層疊的介質(zhì)基板的左面和右面的端面電極1309a和1309b與輸入/輸出耦合電極1305a和1305b相連接，形成輸入/輸出端。
圖22是第二個常規(guī)RF器件的電路圖。輸入/輸出耦合電極1305a和諧振器電極1304a構(gòu)成了輸入/輸出耦合電容器1401a，輸入/輸出耦合電極1305b和諧振器電極1304b構(gòu)成了輸入/輸出耦合電容器1401b。另外，輸入/輸出耦合電極1305a和級間耦合電極1303構(gòu)成了級間耦合電容器1402a，輸入/輸出耦合電極1305b和級間耦合電極1303構(gòu)成了級間耦合電容器1402b。這些元件構(gòu)成了如圖22所示的二級帶通濾波器。
圖23是天線雙工機1503的框圖，這是第二個常規(guī)RF器件，它包括發(fā)射濾波器1501，接收濾波器1502，由帶通濾波器構(gòu)成的濾波器，以及其中的匹配電路。
然而，上述構(gòu)成的第一個常規(guī)RF器件，發(fā)射濾波器1206和接收濾波器1027是由低品質(zhì)因數(shù)的電感器或電容器所組成，因此，作為濾波器來說就會具有高的損耗。此外，要提高品質(zhì)因數(shù)，微帶諧振器結(jié)構(gòu)存在著一些問題，其中，包括具有相對低介電常數(shù)的低溫共同燒結(jié)陶瓷材料制成的基板1101的RF器件會變大，因為諧振器的體積與頻率和相對介電常數(shù)的平方根成反比。
于是對微帶諧振器結(jié)構(gòu)來說，由于它也受到具有相對低介電常數(shù)的基板1101的影響，所以品質(zhì)因數(shù)不能明顯地提高，例如，為CDMA模式提供的電路仍舊存在濾波器損耗的問題。
在上述討論所構(gòu)成的第二個常規(guī)RF器件中，如果處處都存在著引線的話，引線的阻抗就會增加，因為構(gòu)成RF多層器件的基板是由相對高介電常數(shù)的低溫共同燒結(jié)陶瓷制成的，于是就很難在各層基板上制成復雜的電路。另外，也很難在第二個常規(guī)RF器件上實現(xiàn)分離元件，例如，分離電阻器、分離電容器、分離電感器、以及封裝半導體，因為增加了分離元件自身的引線阻抗。

發(fā)明內(nèi)容
從上述討論的問題出發(fā)，本發(fā)明的一個目的是提供具有低濾波器損耗且不受引線阻抗問題影響的RF器件，或提供不受引線阻抗問題影響的緊湊RF器件。
本發(fā)明的第一發(fā)明是一種RF器件，它包括第一基板，由相對低介電常數(shù)的材料制成，且在基板中間或表面上制成高頻電路；以及第二基板，由相對較高介電常數(shù)的材料制成，其中至少部分濾波器是在所述第二基板中間、其表面上或其附近提供的，且連接著所述高頻電路，以及所述高頻電路由除了所述部分濾波器之外的元件組成。
本發(fā)明的第二發(fā)明是根據(jù)第一發(fā)明的RF器件，其中，所述至少一部分濾波器形成用于CDMA模式的高頻電路。
本發(fā)明的第三發(fā)明是根據(jù)第一發(fā)明的RF器件，其中，所述第二基板部分層疊在所述第一基板上，在所述第二基板未層疊的所述第一基板的表面區(qū)域上提供半導體器件或無源器件，以及在所述第一基板中制成由銅或銀制成的多層引線圖形，從而制成所述高頻電路。
本發(fā)明的第四發(fā)明是根據(jù)第三發(fā)明的RF器件，其中，所述半導體器件包括PIN二極管器件、GaAs半導體器件、場效應(yīng)晶體管(FET)器件、以及變?nèi)荻O管器件中的任何一種器件，在多個頻段之間的變換是通過所述器件中任意一種的操作實現(xiàn)的。
本發(fā)明的第五發(fā)明是一種RF器件，它包括
第一基板，由相對較低介電常數(shù)的材料制成，且在基板中間或表面上制成適用于較低頻段的第一高頻電路；以及第二基板，由相對較高介電常數(shù)的材料制成，其中適用于較高頻段的第二高頻電路的至少部分濾波器是在所述第二基板中間、其表面上或其附近提供的，且所述第一高頻電路和所述第二高頻電路是相互連接的。
本發(fā)明的第六發(fā)明是根據(jù)第五發(fā)明的RF器件，其中，所述第二基板層疊在所述第一基板上，以及所述部分濾波器夾在所述第一基板和所述第二基板之間。
本發(fā)明的第七發(fā)明是根據(jù)第六發(fā)明的RF器件，其中，所述第二基板部分層疊在所述第一基板上，在所述第二基板未層疊的所述第一基板的表面區(qū)域上提供半導體器件或無源器件，以及在所述第一基板中制成由銅或銀制成的多層引線圖形，從而制成所述高頻電路。
本發(fā)明的第八發(fā)明是根據(jù)第七發(fā)明的RF器件，其中，所述第二基板由以相互分開的方式沉積在所述第一基板上的多個基板組成，所述多個基板中的一個基板構(gòu)成發(fā)射濾波器，所述多個基板中的另一個基板構(gòu)成接收濾波器。
本發(fā)明的第九發(fā)明是根據(jù)第五發(fā)明的RF器件，其中，所述較低頻段是適用于TDMA模式的頻段，所述較高頻段是適用于CDMA模式的頻段。
本發(fā)明的第十發(fā)明是根據(jù)第五發(fā)明的RF器件，其中，所述第一和第二基板由多層的合成燒鑄陶瓷組成。
本發(fā)明的第十一發(fā)明是根據(jù)第五發(fā)明的RF器件，其中，所述第一基板由低溫共同燒結(jié)陶瓷制成，以及所述第二基板由高溫共同燒結(jié)陶瓷制成。
本發(fā)明的第十二發(fā)明是根據(jù)第六發(fā)明的RF器件，其中，所述濾波器部分是諧振器電極，以及所述諧振器電極由金屬薄膜構(gòu)成。
本發(fā)明的第十三發(fā)明是根據(jù)第十二發(fā)明的RF器件，其中，通過用熱固樹脂填滿所述第一基板、所述第二基板和所述諧振器電極確定的間隙，來合成所述RF器件。
本發(fā)明的第十四發(fā)明是根據(jù)第七發(fā)明的RF器件，其中，所述半導體器件包括PIN二極管器件、GaAs半導體器件、場效應(yīng)晶體管(FET)器件、以及變?nèi)荻O管器件中的任何一種器件，在所述第一高頻電路和所述第二高頻電路之間的變換是通過所述器件中任意一種的操作來實現(xiàn)的。
本發(fā)明的第十五發(fā)明是根據(jù)第五發(fā)明的RF器件，其中，所述第二基板的全部或部分被屏蔽電極所覆蓋。
本發(fā)明的第十六發(fā)明是根據(jù)第七發(fā)明的RF器件，其中，所述無源器件包括采用電極密封的SAW濾波器。
本發(fā)明的第十七發(fā)明是一種通信裝置，它包括第一發(fā)明到第十六發(fā)明中任何一個所述的RF器件，以及與所述RF器件相連接的發(fā)射電路、接收電路和天線。


圖1是根據(jù)本發(fā)明實施例1的RF器件的透視圖。
圖2是根據(jù)本發(fā)明實施例1的RF器件的透視圖。
圖3是根據(jù)本發(fā)明實施例1的RF器件的透視圖。
圖4是根據(jù)本發(fā)明實施例1的RF器件的透視圖。
圖5是RF器件沿圖1中A-A’線的剖面圖。
圖6是根據(jù)本發(fā)明實施例1的RF器件的框圖。
圖7是根據(jù)本發(fā)明實施例1的RF器件的等效電路圖。
圖8是根據(jù)本發(fā)明實施例1的RF器件的透視圖。
圖9是根據(jù)本發(fā)明實施例2的RF器件的等效電路圖。
圖10說明了根據(jù)本發(fā)明實施例2的RF器件包括PIN二極管的開關(guān)電路。
圖11是根據(jù)本發(fā)明實施例2的RF器件的部分透視圖。
圖12圖形顯示了根據(jù)本發(fā)明實施例2的RF器件的傳輸特性。
圖13顯示了根據(jù)本發(fā)明實施例2包括FET的RF器件的結(jié)構(gòu)。
圖14是根據(jù)本發(fā)明實施例1的RF器件的透視圖。
圖15是根據(jù)本發(fā)明實施例1的RF器件的透視圖。
圖16是根據(jù)本發(fā)明實施例1的RF器件的透視圖。
圖17是根據(jù)本發(fā)明實施例1的RF器件的透視圖。
圖18顯示了采用第一種常規(guī)RF器件的多個系統(tǒng)的頻率。
圖19是第一種常規(guī)RF器件的剖面圖。
圖20是第一種常規(guī)RF器件的電路圖。
圖21是第二種常規(guī)RF器件的分解透視圖。
圖22是第二種常規(guī)RF器件的電路圖。
圖23是第二種常規(guī)RF器件的雙工機的框圖。
具體實施例方式
現(xiàn)在，將參照附圖來討論根據(jù)本發(fā)明的RF器件。
(實施例1)圖1是根據(jù)本發(fā)明實施例1的RF器件的透視圖?；?01是根據(jù)本發(fā)明的第一基板的例子，它由具有低介電常數(shù)的低溫共同燒結(jié)陶瓷制成(文中“低介電常數(shù)”意指相對較低的介電常數(shù))。標號102a和102b表示SAW濾波器，標號103a至103e表示PIN二極管，這是根據(jù)本發(fā)明半導體器件的例子，標號104表示分離的電感器，標號105表示分離的電容器，以及，基板106是根據(jù)本發(fā)明第二基板的例子，它由具有高介電常數(shù)的高溫共同燒結(jié)陶瓷制成(文中“高介電常數(shù)”意指最大較高的介電常數(shù))。金屬薄膜諧振器107是根據(jù)本發(fā)明的部分諧振器的一個例子。標號108表示熱固樹脂，以及標號109表示上表面外部電極。
圖5是圖1所示的RF器件沿A-A’線的剖視圖。標號201表示多層引線導體，標號202表示層間通孔，以及標號203表示底部表面的端電極(LGA接地網(wǎng)格陣列)。
圖6是根據(jù)本發(fā)明實施例1的RF器件的框圖。標號301和302表示開關(guān)電路(發(fā)射/接收開關(guān)電路)。標號303表示同向雙工器，特別是，標號303a表示低通濾波器(LPF)和標號303b表示高通濾波器(HPF)。標號304和305表示內(nèi)部端點，標號306表示天線端點，標號307a和307b表示LPF，以及標號308表示雙工機(Dup)。
圖7是根據(jù)本發(fā)明實施例1的RF器件的等效電路圖。標號401表示控制端點，標號402表示電阻器，標號403表示控制端點，標號404表示電阻器，標號405表示控制端點，標號406表示電阻器，標號407表示發(fā)射濾波器，標號408表示接收濾波器，標號409和410表示傳輸線，標號411a和411b表示四分之一波長頂端短路諧振器，標號412表示級問耦合電容器，標號413a和413b表示輸入/輸出耦合電容器，標號414a和414b表示四分之一波長頂端短路諧振器，標號415表示級間耦合電容器，標號416a和416b表示輸入/輸出耦合電容器。
在低介電常數(shù)的低溫共同燒結(jié)陶瓷制成的基板101中，由銅或銀制成的多層引線導體201是根據(jù)本發(fā)明多層引線圖形的一個例子，它形成了帶狀線，該帶狀線包括傳輸線409，410，其阻抗由多層引線導體210的厚度、寬度和長度以及基板101的介電常數(shù)所確定。此外，設(shè)置在不同兩層中的多層引線導體201形成了基板101中的電容器，該電容器的阻抗取決于多層引線導體201的重疊面積，層疊在多層引線導體201之間的低介電常數(shù)的低溫共同燒結(jié)陶瓷的介電常數(shù)，以及其他。
由于具有低介電常數(shù)的低溫共同燒結(jié)陶瓷所制成的基板101插在多層引線導體201和金屬薄膜諧振器107之間，所以就形成了包括級間耦合電容器412，415和輸入/輸出耦合電容器413a，413b，416a以及416b的電容器。另外，在基板101中，多層引線導體201又形成了一個具有阻抗的電感器，其阻抗由多層引線導體201的線寬度和長度以及低介電常數(shù)的低溫共同燒結(jié)陶瓷的介電常數(shù)所確定。
多層引線導體201通過多層引線導體201之間期望位置處形成的層間通孔202進行相互電氣連接。采用絲網(wǎng)印刷或其它方法在各個層中制成多層引線導體201的圖形。層間通孔202是通過在構(gòu)成基板101的介質(zhì)片材上沖孔以及通過印刷或其他方法在孔中填入導電膠而制成的。包括天線端點306，發(fā)射端點Tx1，Tx2和Tx3，接收端點Rx1，Rx2，和Rx3，以及控制端點401，403和405的外部連接端點是以底部表面端電極203的形式制成的，底部表面端電極203通過帶狀線、層間通孔202等設(shè)置在基板101的底部表面上。
在低介電常數(shù)的低溫共同燒結(jié)陶瓷所制成的基板101的上表面上，設(shè)置基板106，它是本發(fā)明第二基板的例子，它由具有高介電常數(shù)的高溫共同燒結(jié)陶瓷制成，并且它的面積比基板101小。在基板101和106之間，夾著多個主要由金、銀或銅制成的金屬薄膜諧振器107，每個諧振器都是本發(fā)明中作為諧振器一部分的諧振器電極的例子。金屬薄膜諧振器107之間的間隔采用熱固樹脂108來填充，從而使得基板101和106相互連接成一體。
通過層間通孔202延伸到基板101上表面的電極109在基板101上表面上沒有形成金屬薄膜諧振器107和基板106的區(qū)域中形成。隨后，安裝在基板101中難以制成的器件，例如，兩個SAW濾波器102，五個PIN二極管103，以及包括分離電感器104和分離電容器105的分離部件，并通過在層疊組件上表面制成的各個上表面外部電極109使這些器件與層疊組件的內(nèi)部電路電氣連接。
正如以上所討論的，在圖7所示的電路中，所示的雙工機308是根據(jù)本發(fā)明的第二高頻電路的一個例子，所示的除了雙工機308以外的部分是根據(jù)本發(fā)明的第一高頻電路的一個例子。
圖8顯示了電極1413a，1413b，1416a，1416b，1412和1415的結(jié)構(gòu)，當用基板106、金屬薄膜諧振器107和基板101中的多層引線導體組成發(fā)射濾波器407和接收濾波器408時，這些電極構(gòu)成了部分輸入/輸出耦合電容器413a、413b、416a和416b以及級間耦合電容器412和415。
現(xiàn)在討論根據(jù)本發(fā)明實施例1的RF器件的電路結(jié)構(gòu)。
根據(jù)本發(fā)明實施例1的RF器件是用于三波段的RF器件，它具有通過第一頻段(EGSM)、第二頻段(DCS)和第三頻段(UMTS)的發(fā)射頻段和接收頻段的濾波能力，其中第一和第二頻段是本發(fā)明較低頻段的例子，而第三頻段是本發(fā)明較高頻段的例子。RF器件由開關(guān)電路(發(fā)射/接收開關(guān)電路)301和302以及同向雙工器303組成。
同向雙工器303包括LPF 303a和HPF 303b，LPF連接在內(nèi)部端點304和連接到天線(ANT)的天線端點306之間并通過第一頻率的頻段(EGSM)，而HPF連接在內(nèi)部端點305和天線端點306之間并通過第二頻段(DCS)和第三頻段(UMTS)。
開關(guān)電路301是連接到內(nèi)部端點304的開關(guān)裝置，它在控制端點401的控制下在LPF 303a分出的第一頻段(EGSM)的發(fā)射端Tx1和接收端Rx1之間切換。LPF 307a用于減少在通過發(fā)射端點Tx1發(fā)射時由放大所引起的諧波失真，它插在開關(guān)電路301和發(fā)射端點Tx1之間。另外，SAW濾波器102a用于減少當通過接收端點Rx1接收時通過天線ANT所輸入信號中不需要的頻率分量，它插在開關(guān)電路301和接收端點Rx1之間。
開關(guān)電路302是連接到內(nèi)部端點305的開關(guān)裝置，它在控制端點403和405的控制下在HPF 303b分出的第二頻段(DCS)的發(fā)射端點Tx2和接收端點Rx2以及第三頻段(UMTS)的雙工機308之間切換。低通濾波器(LPF)307b用于減少在通過發(fā)射端點Tx2發(fā)射時由放大所引起的諧波失真，它插在開關(guān)電路302和發(fā)射端點Tx2之間。另外，SAW濾波器102b用于減少當通過接收端點Rx2接收時通過天線ANT所輸入信號中不需要的頻率分量，它插在開關(guān)電路302和接收端點Rx2之間。雙工機308是將通過開關(guān)電路302接收到的第三頻段(UMTS)中的信號分路到第三頻段(UMTS)的發(fā)射端點Tx3和接收端點Rx3的裝置。
用于第一頻段(EGSM)和第二頻段(DCS)的通信模式是TDMA(時分多址)模式。根據(jù)本發(fā)明的較低頻段的一個例子是用于TDMA模式的頻段。在這種情況下，發(fā)射端點Tx1，Tx2和接收端點Rx1，Rx2之間的切換是通過外部二極管來完成的。用于第三頻段(UMTS)的通信模式是CDMA(碼分多址)模式。根據(jù)本發(fā)明的較高頻段的一個例子是用于CDMA模式的頻段。發(fā)射端點Tx3和接收端點Rx3是由雙工機308提供的。
雙工機308包括發(fā)射濾波器407、接收濾波器408和具有最佳電氣長度且與濾波器相連的傳輸線409，410。例如，發(fā)射濾波器407是一個二級帶通濾波器(BPS)，它包括兩個四分之一波長頂端短路諧振器411a和411b、設(shè)置在其中間的級間耦合電容器412、以及設(shè)置在其輸入側(cè)和輸出側(cè)的輸入/輸出耦合電容器413a和413b。
相類似的是，接收濾波器408也是一個二級BPS，它包括兩個四分之一波長頂端短路諧振器414a和414b、級間耦合電容器415、以及輸入/輸出耦合電容器416a和416b。這里，如圖7所示，構(gòu)成發(fā)射濾波器407和接收濾波器408的四分之一波長頂端短路諧振器411a，411b，414a和414b等效于圖1所示的金屬薄膜諧振器107。
構(gòu)成發(fā)射濾波器407和接收濾波器408的級間耦合電容器412和415以及輸入/輸出耦合電容器413a，413b，416a，和416b都包括基板101中的多層引線導體201和金屬薄膜諧振器107。在基板101中難以制成的器件，例如，二極管103a至103e，以及SAW濾波器102a和102b，就直接安裝在基板101上；而在基板101中能夠制成的帶狀線、電容器和電感器就直接制成在基板101上，從而就使復雜的RF器件變得更緊湊。
另外，由于具有高導電率和較低不規(guī)則性的金屬薄膜諧振器107常作為諧振器使用，所以能提高與導體損耗有關(guān)的品質(zhì)因數(shù)Qc。因此，就能獲得具有象征濾波器性能的高品質(zhì)因數(shù)和低損耗的濾波器或雙工機。品質(zhì)因數(shù)可以用公式1來表示，公式1中使用了與導體損耗有關(guān)的品質(zhì)因數(shù)Qc，與介電損耗有關(guān)的品質(zhì)因數(shù)Qd以及與輻射損耗有關(guān)的品質(zhì)因數(shù)Qr。
1/Q＝1/Qc+1/Qd+1/Qr (公式1)此外，根據(jù)實施例1，在金屬薄膜諧振器107的上表面提供了具有高介電常數(shù)的高溫共同燒結(jié)陶瓷制成的基板106，與具有低介電常數(shù)的低溫共同燒結(jié)陶瓷制成的基板101相比，該基板具有較高的介電損耗Qd。于是，諧振器的品質(zhì)因數(shù)就得到了進一步的提高。另外，隨著介電常數(shù)的提高，諧振器的長度可以減小。因此，與僅僅采用低介電常數(shù)的陶瓷制成RF器件的情況相比，該RF器件的尺寸能夠減小。因而，就能實現(xiàn)具有低損耗的以及減小尺寸的濾波器和諧振器。
正如以上所討論的，雙工機308或濾波器407、408是由具有不同介電常數(shù)和面積的基板101和106以及夾在其中的金屬薄膜諧振器107所組成的，多層RF開關(guān)是由在具有低介電常數(shù)的共同燒結(jié)陶瓷所制成的基板101中和它的上表面上所形成的外部元件(如PIN二極管)所組成的，將上述元件集成在一起，從而就能實現(xiàn)可支持不同通信模式，即，TDMA和CDMA模式，的低損耗緊湊RF器件。
在本實施例的討論中，構(gòu)成雙工機308的發(fā)射濾波器407和接收濾波器408是二級BPF。然而，濾波器也可以是LPF或陷波濾波器(BEF)。此外，級數(shù)并不限定為二級，可以根據(jù)所要求的特性來變化。
另外，通過在具有高介電常數(shù)的高溫共同燒結(jié)陶瓷所制成基板106的整個表面或部分表面上提供接地電極GND可以增強屏蔽效果。
在上述討論中，金屬薄膜諧振器107是用于根據(jù)本發(fā)明諧振器電極的一個例子。然而，除了金屬薄膜諧振器107之外，由絲網(wǎng)印刷等工藝制成的印刷電極也能增加由高介電常數(shù)的高溫共同燒結(jié)陶瓷所制成基板106引起的介電損耗Qd，因此，就能實現(xiàn)具有低損耗的濾波器或雙工機。
在上述的討論中，在金屬薄膜諧振器107的上表面上設(shè)置了具有高介電常數(shù)的高溫共同燒結(jié)陶瓷所制成的基板106，以提高介電損耗Qd。然而，基板106可以用具有高介電常數(shù)的低溫共同燒結(jié)陶瓷制成，使得能夠使用絲網(wǎng)印刷或其它工藝在基板106中制成電極，該情況就類似于在基板101的情況。
圖14顯示了在該情況中的一個排列例子。在圖14中顯示的基板106是由層疊基板106a，106b和106c組成的，各個基板由具有高介電常數(shù)的低溫共同燒結(jié)陶瓷制成。在基板106b的表面上形成了接地電極106g。在基板106a的表面上形成了由絲網(wǎng)印刷制成的輸入/輸出耦合電容器413a、413b、416a和416b以及電極1413a、1413b、1416a、1416b、1412和1415，這些器件構(gòu)成了部分級間耦合電容器412和415。在這種情況下，作為根據(jù)本發(fā)明的部分濾波器的例子，輸入/輸出耦合電容器413a、413b、416a和416b以及級間耦合電容器412和415可以在具有高介電常數(shù)的低溫共同燒結(jié)陶瓷所制成的基板106的表面上或基板中制成。于是，在所構(gòu)成的RF器件中，具有高介電常數(shù)的低溫共同燒結(jié)陶瓷就用作輸入/輸出耦合電容器413a、413b、416a和416b以及級間耦合電容器412和415的介質(zhì)。因此，電容器的尺寸可以減小，使得RF器件的整體尺寸可以減小。
另外，在這種情況下，可以增加級間耦合電容器412和415和輸入/輸出耦合電容器413a、413b、416a和416b的品質(zhì)因數(shù)，使得濾波器407和408的損耗方減小。
在圖14中，所顯示的基板106包括其上印有電極的三層，以及，所顯示的基板101包括其上印有電極的四層。然而，與其上印有電極的層數(shù)無關(guān)，都可以獲得相同的效應(yīng)。
另外，諧振器電極(即，頂端短路諧振器411a、411b、414a和414b)可以在具有高介電常數(shù)的陶瓷所制成基板106中制成。圖15顯示了在該情況中一種結(jié)構(gòu)的例子。這種結(jié)構(gòu)也能夠獲得與上述討論相同的效果。
此外，諧振器電極可以設(shè)置在基板106附近，而不是在基板106的表面上或其中間。圖16顯示了在該例子中的結(jié)構(gòu)，其中，頂端短路諧振器411a、411b、414a和414b設(shè)置在基板101中。圖16所顯示的基板101由層疊基板101a、101b、101c和101d組成，各個層疊基板由具有低介電常數(shù)的低溫共同燒結(jié)陶瓷制成。也是在該情況中，頂端短路諧振器411a、411b、414a和414b設(shè)置在基板101中且不與基板106相接觸，這時，如果基板101a薄到足以使諧振器能夠受基板106的影響，那么即使諧振器電極設(shè)置在基板106的附近，也能夠獲得與上述討論相同的效果。
在上述討論中，頂端短路諧振器411a、411b、414a和414b用作諧振器電極。當然，頂端開路的半波長諧振器也能夠獲得相同的效果。
在上述討論中，PIN二極管用于在第一頻段(EGSM)的發(fā)射端Tx1和接收端Rx1之間切換的開關(guān)電路301以及用于在第二頻段(DCS)的發(fā)射端Tx2、接收端Rx2和第三頻段(UMTS)的雙工機308之間切換的開關(guān)電路302。當然，開關(guān)器件，例如，GaAs半導體、場效應(yīng)晶體管和變?nèi)荻O管，都可獲得相同的效果。
此外，在本實施例中，已經(jīng)討論了適用于三種系統(tǒng)，即EGSM、DCS和UMTS系統(tǒng)，的多波段RF器件。然而，很顯然，本發(fā)明并不局限于上述討論，本發(fā)明可以包括下列的任意結(jié)構(gòu)，其中，基板101由較低介電常數(shù)的材料制成，且在其中或其表面制成適用于較低頻段的第一高頻電路，在基板106的表面上提供適用于較高頻段的第二高頻電路的至少諧振器部分，并且第一和第二高頻電路相互連接。
此外，在實施例1的討論中，適用于較低頻段的第一高頻電路在第一基板中制成，適用于較高頻段的第二高頻電路在第二基板中制成。然而，只要不引起線阻抗的問題，適用于較低頻段的第一高頻電路可以在第二基板(例如，基板106)中制成，適用于較高頻段的第二高頻電路可以在第一基板(例如，基板101)中制成。在這種情況下，在第二基板中制成的第一高頻電路的每個元件都可以具有高品質(zhì)因數(shù)，于是，如果采用第一高頻電路構(gòu)成濾波器，就可以減小它的損耗。
另外，第一至第三頻段不應(yīng)該局限于上述討論的范圍。例如，第三頻段可以是為CDMA-1(R)模式提供的頻段(800MHz波段)，而第一和第二頻段是分別為PDC模式和PHS模式所提供的頻段。即，如果第三頻段低于第一或第二頻段，則可以獲得相同的效果。當然，這里所提供第一至第三頻段也可以適用于上述討論以外的模式。
(實施例2)現(xiàn)在，將參照附圖來討論根據(jù)本發(fā)明第二實施例的RF器件。
圖9是根據(jù)本發(fā)明實施例2的RF器件的電路圖。在圖9中，標號501至505表示用作四分之一波長頂端短路諧振器的金屬薄膜諧振器，標號506、507表示串聯(lián)電容器，標號508、509表示接地電容器，標號510至512表示耦合電感器，標號513、514表示耦合電容器，標號515、516表示旁路電容器，標號517表示用于端點之間匹配的電容器，標號518表示用于端點之間匹配的電感器，標號519至523表示開關(guān)，標號524至528表示開關(guān)耦合電容器，標號529表示天線端點，標號530表示發(fā)射端點，標號531表示接收端點。
串聯(lián)電容器506和507分別連接著諧振器501和502的開端，諧振器501和502通過電感器510相互連接，從而構(gòu)成了發(fā)射濾波器540。耦合電感器510在它的端點上連接著接地電容器508和509，以抑制諧波分量。另一方面，諧振器503、504和505通過電容器513和514相互耦合在一起。輸入/輸出耦合電感器511和512分別連接在諧振器503和504的開端，從而形成了接收帶通濾波器541。另外，跨接耦合元件511和513的旁路電容器515以及跨接耦合元件512和514的旁路電容器516提供高于通帶頻率的衰減極。
發(fā)射濾波器540的輸出端和接收帶通濾波器541的輸入端都通過串聯(lián)電感器518和并聯(lián)電容器517連接到天線端529，其中，串聯(lián)電感器518和并聯(lián)電容器517用于匹配上述兩個端點。開關(guān)519、520、521、522和523分別通過開關(guān)耦合電容器524、525、526、527和528與諧振器501、502、503、504和505的開端相連接。開關(guān)的另一端點都接地。這樣，發(fā)射濾波器540、接收帶通濾波器541、發(fā)射端點530、接收端點531以及天線端點529就構(gòu)成了RF器件。
圖10顯示了包括PIN二極管的開關(guān)519至523的詳細電路結(jié)構(gòu)。標號601表示PIN二極管。PIN二極管601與耦合電容器602相串聯(lián)，用于阻隔直流電流(等效于圖9中的電容器524至528)，形成頻移電路?？刂贫?06通過電阻器605、旁路電容器604和扼流線圈603連接在PIN二極管601和耦合電容器602之間。偏移電壓施加在控制端606上，以控制波段之間的切換。
即，施加在控制端606上的偏移電壓試圖導通或截止PIN二極管601。如果將高于施加到PIN二極管601陰極偏置電壓的某一正電壓(偏移電壓)施加到控制端606，那么PIN二極管的正向阻抗就會變得非常小，使得電流能以正向方向流過，于是，PIN二極管就導通。電阻器605用于控制PIN二極管601在導通狀態(tài)時的電流值。相反，如果將0伏的電壓或反向偏置電壓施加到控制端606，則PIN二極管606的正向阻抗就會變得非常高，使之沒有正向電流流過，于是PIN二極管截止。
圖11是根據(jù)本發(fā)明實施例2的RF器件的部分透視圖，在該圖中，與圖10中相同的部件采用相同的標號。標號701表示金屬薄膜諧振器，標號702表示由低介電常數(shù)的陶瓷所制成的基板，這是根據(jù)本發(fā)明的第一基板的例子，標號703表示由高介電常數(shù)的陶瓷所制成的基板，這是根據(jù)本發(fā)明的第二基板的例子，標號704表示熱固樹脂。
多個金屬薄膜諧振器701等效于諧振器501至505，金屬薄膜諧振器701插入在下基板702和上基板703之間。金屬薄膜諧振器701之間的間隙采用熱固樹脂704來填充，熱固樹脂704將基板702和703互連和集成在一起。除了諧振器501至505以外，構(gòu)成根據(jù)本發(fā)明第二實施例的RF器件的元件，例如電容器、電感器和開關(guān)，都安裝在由低介電常數(shù)的陶瓷所制成的基板702上。
即，高頻電路制成在基板702中或其表面上，除了部分濾波器(即，金屬薄膜諧振器)，而金屬薄膜諧振器(每個金屬薄膜諧振器都是根據(jù)本發(fā)明的至少部分濾波器的例子)制成在基板703的表面。
圖12顯示了根據(jù)本發(fā)明實施例2的RF器件的傳輸特性。圖12(a)顯示了發(fā)射濾波器540的傳輸特性，發(fā)射濾波器540包括從發(fā)射端530至天線端529的傳輸線、通過串聯(lián)電容器506和507分別與傳輸線相連接的諧振器501和502、以及級間耦合電感器510。耦合電感器510、連接著發(fā)射濾波器540輸出端的串聯(lián)電感器518、以及接地電容器508、509和517都提供低通特性，以抑制發(fā)射波段中的諧波分量。
電感器518和電容器517也用于調(diào)整發(fā)射濾波器540和接收帶通濾波器541的阻抗，以防止濾波器在天線端529處在各自頻段中相互影響。由于采用這樣的方式來調(diào)整發(fā)射濾波器540和接收帶通濾波器541的阻抗，發(fā)射濾波器540對發(fā)射頻段(通帶)中的發(fā)射信號只顯示低插入損耗，因此，發(fā)射濾波器540能夠以較小的發(fā)射信號衰減將發(fā)射信號從發(fā)射端530發(fā)射到天線端529。
另一方面，發(fā)射濾波器540對接收波段中的接收信號顯示高插入損耗，因此，發(fā)射濾波器540反射接收波段中的大部分輸入信號。于是，通過天線端529輸入的接收信號被導向接收帶通濾波器541。
圖12(b)顯示了接收帶通濾波器541的傳輸特性，該接收帶通濾波器541包括從天線端529至接收端531的傳輸線、接地諧振器503、504和505、級間耦合電容器513和514以及輸入/輸出耦合電感器511和512。接收帶通濾波器541的阻抗特性以及用于旁路電路的電容器515和516的阻抗提供了如圖12(b)所示的衰減極。
在圖9所示的電路結(jié)構(gòu)中，由于電感器用于輸入和輸出之間的耦合，所以旁路電路的阻抗等效于電感性的，而在接收帶通濾波器541的阻抗變成電容性的頻率附近區(qū)域中會出現(xiàn)衰減極，即，發(fā)射頻率高于接收帶通濾波器541的中心頻率。
接收帶通濾波器541對接收頻段中的接收信號顯示低插入損耗，因此，接收帶通濾波器541能夠以較小的接收信號衰減將接收信號從天線端529發(fā)射到接收端531。另一方面，接收帶通濾波器541對發(fā)射頻段中的發(fā)射信號顯示高插入損耗，因此，反射發(fā)射頻段中的大部分輸入信號。于是，來自發(fā)射濾波器540的發(fā)射信號被導向天線端529。
另外，諧振器501、502、503、504和505的開端連接著頻移電路，頻移電路包括用于阻隔直流電流的串聯(lián)開關(guān)耦合電容器524、525、526、527和528以及各自分別具有一端接地的開關(guān)519、520、521、522和523。
即，諧振器501至505的諧振頻率由各個諧振器的電容分量和電感分量以及在各個開關(guān)519至523處于導通狀態(tài)或截止狀態(tài)時所對應(yīng)的各個頻移電路的電容所確定的。如果開關(guān)519至523中任意一個處于導通狀態(tài)，都會增加頻移電路的電容分量，因此會降低諧振器的諧振頻率。因此，發(fā)射濾波器540的阻帶和接收帶通濾波器541的中心頻率和通帶都偏移到較低的頻率。另一方面，如果開關(guān)519至523中任意一個處于截止狀態(tài)時，就會減小頻移電路的電容分量，因此會提高諧振器的諧振頻率。因此，發(fā)射濾波器540的阻帶和接收帶通濾波器541的通帶都偏移到較高的頻率。換句話說，用這種方式操作開關(guān)519到523可以使發(fā)射濾波器540的阻帶和接收帶通濾波器541的通帶同步偏移。
圖12顯示了在800MHz至1000MHz的頻率區(qū)域內(nèi)，用上述結(jié)構(gòu)構(gòu)成的發(fā)射濾波器540和接收帶通濾波器541的傳輸特性和開關(guān)519至523的導通或截止狀態(tài)之間的關(guān)系。圖12(a)中的標號801和圖12(b)中的標號803指出所有開關(guān)519至523都處于導通狀態(tài)情況下的傳輸特性，而圖12(a)中的標號802和圖12(b)中的標號804指出所有開關(guān)519至523都處于截止狀態(tài)情況中的傳輸特性。這樣，通過開關(guān)519至523的切換，RF器件發(fā)射側(cè)的頻率阻帶和接收側(cè)的頻率通帶就可以同步變化。
除了上述討論的PIN二極管之外，晶體管也可以作為開關(guān)519至523使用。例如，圖13顯示了將場效應(yīng)晶體管(FET)901作為開關(guān)519至523使用的情況。FET 901的柵極通過旁路電容器902與控制端903相連接。由于FET 901是壓控器件，所以當器件導通時并沒有消耗電流，這不同于PIN二極管的情況。于是，采用這樣的FET 901能夠減少功耗。之外，如果采用變?nèi)荻O管作為開關(guān)519至523使用，發(fā)射側(cè)的阻帶和接收側(cè)的通帶就可以連續(xù)變化。
正如以上所討論的，根據(jù)本實施例，通過外部施加的電流或電壓能夠同步控制RF器件的發(fā)射濾波器540的阻帶和接收帶通濾波器541的通帶。因此，即使要求一定帶寬的波段，也能在不增加各個濾波器級數(shù)的情況下提供衰減。另外，由于級數(shù)較少，也減少了損耗。因此，RF器件本身也能減小尺寸。
另外，由于采用金屬薄膜諧振器作為諧振器使用，增強了諧振器的品質(zhì)因數(shù)。此外，由于將具有較佳高頻特性的高介電常數(shù)的高溫共同燒結(jié)陶瓷制成的基板覆蓋在該金屬薄膜諧振器的上表面上，使得諧振器的品質(zhì)因數(shù)進一步作為。因此，各個濾波器都能減小損耗。
在上述的討論中，發(fā)射濾波器540設(shè)置在發(fā)射側(cè)，而接收帶通濾波器541設(shè)置在接收側(cè)。然而，很顯然，發(fā)射濾波器和接收濾波器的設(shè)置可以容易地進行各種變化，例如采用低通濾波器，當然這些變化都被本發(fā)明所包含。
之外，雖然諧振器件501、502和阻抗變化器件519，520都通過電容器相互并聯(lián)連接，但是它們也可以通過電感器來相互連接。
如果將本發(fā)明應(yīng)用于發(fā)射通帶和接收通帶較寬而發(fā)射通帶和接收通帶之間間隔較窄的系統(tǒng)，例如日本的PCS、EGSM和CDMA，的通信裝置中，則本發(fā)明最有效。然而，上述系統(tǒng)以外的系統(tǒng)也可使用。
例如，在另一系統(tǒng)中，發(fā)射通帶和接收通帶是各自分成帶寬相互對應(yīng)的兩個波段，即，分別為發(fā)射低波段和發(fā)射高波段，以及，接收低波段和接收高波段。對兩個相互分開的波段來說，控制信號用于在發(fā)射波段和接收波段之間同步切換，使得發(fā)射低波段對應(yīng)于接收低波段，而發(fā)射高波段對應(yīng)于接收高波段。這就等于在系統(tǒng)工作期間加寬了發(fā)射頻率和接收頻率之間的間隔，于是，可以在不增加各個濾波器級數(shù)的情況下確保其衰減。這里，在該系統(tǒng)中，通過選擇包括控制信號將要使用的信道在內(nèi)的波段，以覆蓋整個發(fā)射通帶和接收通帶。另外，根據(jù)本發(fā)明的結(jié)構(gòu)當然也能夠應(yīng)用于包括TDMA和CDMA的其他系統(tǒng)。
此外，由于除了諧振器501至505之外的一些或所有電容器和電感器都是由低介電常數(shù)的陶瓷制成基板702中的電極所構(gòu)成的，因此，能夠?qū)崿F(xiàn)減小的尺寸。
在根據(jù)本實施例RF器件中的各個基板的結(jié)構(gòu)可以相同于實施例1中的基板結(jié)構(gòu)(圖13至16中所示)。即，基板702可以等效于基板101，基板703可以等效于基板106。
已經(jīng)討論了根據(jù)本實施例的RF器件，它只支持討論中一種系統(tǒng)的工作。然而，它也可以支持多個系統(tǒng)的工作。
在所討論的RF器件結(jié)構(gòu)中，只是討論了將高介電常數(shù)的陶瓷所制成的基板覆蓋在低介電常數(shù)的陶瓷所制成的另一基板上，但并不局限于圖1和圖11的結(jié)構(gòu)，也可以是圖2，3，和4所示的結(jié)構(gòu)。
在如圖2所示以相互分開間隔的方式將兩個基板106配置在基板101上的情況中，如果發(fā)射濾波器407是由一個基板106和基板101構(gòu)成的，而接收濾波器408是由另一個基板106和基板101構(gòu)成的，則可以防止發(fā)射濾波器407和接收濾波器408之間的相互干擾，因此，就能提供高性能的RF器件。
在上述的討論中，已經(jīng)討論了根據(jù)本發(fā)明的RF器件是由低介電常數(shù)陶瓷所制成的基板101或702和高介電常數(shù)陶瓷所制成的基板106或703的相互層疊所組成。然而，基板101或702和基板106和703可以設(shè)計成并排的。
圖17顯示了上述的結(jié)構(gòu)，在該結(jié)構(gòu)中，基板101和106設(shè)置并排的，在基板101上或中制成的高頻電路和在基板106上或中制成的高頻電路通過引線圖形201相互連接。在這種情況下，能夠獲得上述討論的相同效果。
正如以上所討論的，根據(jù)本發(fā)明，金屬薄膜可用于構(gòu)成雙工機的諧振器，而在諧振器的上表面提供了具有較佳材料特性的高介電常數(shù)陶瓷，從而，就能夠提供具有低損耗的諧振器。此外，在低介電常數(shù)的低溫共同燒結(jié)陶瓷中或上表面所設(shè)置的外部元件構(gòu)成了用于多個系統(tǒng)的多層開關(guān)，以及在其上表面制成了雙工機，從而提供了也適用于TDMA和CDMA的低損耗緊湊RF器件。
根據(jù)本發(fā)明，能夠提供具有低損耗并避免有關(guān)線阻抗問題的RF器件，或提供避免有關(guān)線阻抗問題的緊湊型RF器件。
符號說明101低介電常數(shù)的低溫共同燒結(jié)陶瓷102a、102b SAW濾波器103a、103b、103c、103d、103e PIN二極管104分離電感器105分離電容器106高介電常數(shù)的陶瓷107金屬薄膜諧振器108熱固樹脂109上部的外部電極201多層引線導體202層間通孔
203底部表面的端電極(LGA)301、302開關(guān)電路303同向雙工器304、305內(nèi)部端點306天線端點307a、307b LPF308雙工機401控制端點402電阻器403控制端點404電阻器405控制端點406電阻器407發(fā)射濾波器408接收濾波器409傳輸線410傳輸線411a、411b四分之一波長頂端短路諧振器412級間耦合電容器413a、413b輸入/輸出耦合電容器414a、414b四分之一波長頂端短路諧振器415級間耦合電容器416a、416b輸入/輸出耦合電容器501、505諧振器506、507串聯(lián)電容器508、509接地電容器510、512耦合電感器513、514耦合電容器515、516旁路電容器517用于端點之間匹配的電容器518用于端點之間匹配的電感器
519、520、521、522、523開關(guān)524、525、526、527、528開關(guān)耦合電容器529天線端點530發(fā)射端點531接收端點601PIN二極管602耦合電容器603扼流線圈604旁路電容器605電阻器606控制端點701金屬薄膜諧振器702低介電常數(shù)的低溫共同燒結(jié)陶瓷703高介電常數(shù)的陶瓷704熱固樹脂901場效應(yīng)晶體管(FET)902旁路電容器903控制端點1101低介電常數(shù)的低溫共同燒結(jié)陶瓷體1102多層引線導體1103層間通孔1104分離的元件1201同向雙工器1202發(fā)射/接收開關(guān)電路1203發(fā)射/接收開關(guān)電路1204雙工機1205二極管1206a、1206b傳輸線1207發(fā)射濾波器1208接收濾波器1301a、1301e高介電常數(shù)的介質(zhì)基板
1302a、1302b屏蔽電極1303級間耦合電極1304a、1304b微帶諧振器電極1305a、1305b輸入/輸出耦合電極1306a、1306b端面電極1307端面電極1308端面電極1309a、1309b輸入/輸出端點1401a、1401e輸入/輸出耦合電容器1402a、1402b級間耦合電容器
權(quán)利要求
1.一種RF器件，其特征在于，它包括第一基板，由相對低介電常數(shù)的材料制成，且在基板中間或表面上制成高頻電路；以及第二基板，由相對較高介電常數(shù)的材料制成，其中至少部分濾波器是在所述第二基板中間、其表面上或其附近提供的，且連接著所述高頻電路，以及所述高頻電路由除了所述部分濾波器之外的元件組成。
2.如權(quán)利要求1所述的RF器件，其特征在于，所述至少一部分濾波器形成用于CDMA模式的高頻電路。
3.如權(quán)利要求1所述的RF器件，其特征在于，所述第二基板部分層疊在所述第一基板上，在所述第二基板未層疊的所述第一基板的表面區(qū)域上提供半導體器件或無源器件，以及在所述第一基板中制成由銅或銀制成的多層引線圖形，從而制成所述高頻電路。
4.如權(quán)利要求3所述的RF器件，其特征在于，所述半導體器件包括PIN二極管器件、GaAs半導體器件、場效應(yīng)晶體管(FET)器件、以及變?nèi)荻O管器件中的任何一種器件，在多個頻段之間的變換是通過所述器件中任意一種的操作實現(xiàn)的。
5.一種RF器件，其特征在于，它包括第一基板，由相對較低介電常數(shù)的材料制成，且在基板中間或表面上制成適用于較低頻段的第一高頻電路；以及第二基板，由相對較高介電常數(shù)的材料制成，其中適用于較高頻段的第二高頻電路的至少部分濾波器是在所述第二基板中間、其表面上或其附近提供的，且所述第一高頻電路和所述第二高頻電路是相互連接的。
6.如權(quán)利要求5所述的RF器件，其特征在于，所述第二基板層疊在所述第一基板上，以及所述部分濾波器夾在所述第一基板和所述第二基板之間。
7.如權(quán)利要求6所述的RF器件，其特征在于，所述第二基板部分層疊在所述第一基板上，在所述第二基板未層疊的所述第一基板的表面區(qū)域上提供半導體器件或無源器件，以及在所述第一基板中制成由銅或銀制成的多層引線圖形，從而制成所述高頻電路。
8.如權(quán)利要求7所述的RF器件，其特征在于，所述第二基板由以相互分開的方式沉積在所述第一基板上的多個基板組成，所述多個基板中的一個基板構(gòu)成發(fā)射濾波器，所述多個基板中的另一個基板構(gòu)成接收濾波器。
9.如權(quán)利要求5所述的RF器件，其特征在于，所述較低頻段是適用于TDMA模式的頻段，所述較高頻段是適用于CDMA模式的頻段。
10.如權(quán)利要求5所述的RF器件，其特征在于，所述第一和第二基板由多層的合成燒鑄陶瓷組成。
11.如權(quán)利要求5所述的RF器件，其特征在于，所述第一基板由低溫共同燒結(jié)陶瓷制成，以及所述第二基板由高溫共同燒結(jié)陶瓷制成。
12.如權(quán)利要求6所述的RF器件，其特征在于，所述濾波器部分是諧振器電極，以及所述諧振器電極由金屬薄膜構(gòu)成。
13.如權(quán)利要求12所述的RF器件，其特征在于，通過用熱固樹脂填滿所述第一基板、所述第二基板和所述諧振器電極確定的間隙，來合成所述RF器件。
14.如權(quán)利要求7所述的RF器件，其特征在于，所述半導體器件包括PIN二極管器件、GaAs半導體器件、場效應(yīng)晶體管(FET)器件、以及變?nèi)荻O管器件中的任何一種器件，在所述第一高頻電路和所述第二高頻電路之間的變換是通過所述器件中任意一種的操作來實現(xiàn)的。
15.如權(quán)利要求5所述的RF器件，其特征在于，所述第二基板的全部或部分被屏蔽電極所覆蓋。
16.如權(quán)利要求7所述的RF器件，其特征在于，所述無源器件包括采用電極密封的SAW濾波器。
17.一種通信裝置，其特征在于，它包括如權(quán)利要求1到16中任意一項所述的RF器件，以及與所述RF器件相連接的發(fā)射電路、接收電路和天線。
全文摘要
一種RF器件，它包括第一基板，由相對低介電常數(shù)的材料制成，且在基板中間或表面上制成高頻電路；以及第二基板，由相對較高介電常數(shù)的材料制成，其中至少部分濾波器是在所述第二基板中間、其表面上或其附近提供的，且連接著所述高頻電路，以及所述高頻電路由除了所述部分濾波器之外的元件組成。
文檔編號H01P1/213GK1407651SQ0213220
公開日2003年4月2日 申請日期2002年8月27日 優(yōu)先權(quán)日2001年8月27日
發(fā)明者山川岳彥, 山田徹, 石崎俊雄 申請人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社