專利名稱：板狀物支撐部件及其使用方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于半導體晶片等的板狀物的支撐的板狀物支撐部件及其使用方法。
背景技術(shù)：
IC、LSI等的回路在表面所形成的多個半導體晶片W1，如圖27所示，以表面上粘貼著回路保護用的保護膠帶T的狀態(tài)，將保護膠帶T向下保持在卡盤臺70上，受到轉(zhuǎn)動的研磨砥石71的作用，內(nèi)面被研磨，形成規(guī)定的厚度。特別是為了符合最近對手提電話、筆記本型個人電腦等的小型化、薄型化、輕量化的要求，有將厚度研磨到100μm以下、50μm以下的必要。
但是，半導體晶片W1的厚度被研磨到200μm-400μm時，即使在研磨后，因為具有剛性所以在研磨裝置內(nèi)的搬送及往盒中收存時，可以比較順暢的進行，若厚度薄到50μm-100μm時，因為剛性降低，所以搬送等變得困難。
另外，如圖28所示，在半導體晶片W2的表面線路上，預先形成相當于所希望形成的半導體芯片的厚度的深度研磨槽72，其后，通過直至研磨槽露出表面地研磨內(nèi)面，分割成一個個的半導體芯片，即在被稱為前劃線的機構(gòu)中，由于研磨每個半導體芯片被分割后，完全沒有剛性，從而不能保持半導體晶片的外形。
為避免上述那樣的不便，在半導體晶片的表面上，例如，若粘貼象聚對苯二甲酸乙二醇酯那樣剛性比較高的材質(zhì)的保護膠帶，則通過研磨變薄的半導體晶片或通過前劃線被分割的半導體晶片穩(wěn)定地保持，可以順暢的進行搬送或往盒中收存。但是，若象這樣使用剛性高的保護膠帶，就會使剝離半導體晶片或半導體芯片變得困難。
另外，如圖29所示，如半導體晶片研磨時那樣，在環(huán)狀的機架F上被粘貼的保護膠帶T的粘貼面上粘貼著半導體晶片W，若通過保護膠帶與該機架成為一體狀態(tài)的話，搬送及往盒中收存可以順暢的進行，還可以剝離變薄的半導體晶片或者半導體芯片。但是，在研磨裝置中，因保持半導體晶片W的卡盤臺不具備支撐機架的部位，所以存在有必要改造卡盤臺的問題。
象這樣，在半導體晶片等的薄型的板狀物的研磨中，具有不伴隨卡盤臺的改造而使搬送等順暢地進行的同時，也可容易地從研磨后的保護膠帶上剝離的課題。

發(fā)明內(nèi)容
作為解決上述課題的具體機構(gòu)的本發(fā)明，以提供如下構(gòu)成的板狀物支撐部件為主要目的，是通過保護膠帶支撐與機架成為一體的板狀物的板狀物支撐部件，是至少由通過保護膠帶傳遞吸引力而支撐板狀物的板狀物支撐區(qū)域和固定該機架的機架固定區(qū)域構(gòu)成。
然而這樣的板狀物支撐部件將以下作為附加要件，板狀物支撐區(qū)域由多孔部件構(gòu)成；機架具有收容板狀物的收容開口部、和圍繞收容開口部貼著保護膠帶的膠帶粘貼面，機架固定區(qū)域形成于板狀物支撐區(qū)域的下方；在機架固定區(qū)域中支撐固定機架時，機架的表面位于板狀物支撐部件的下方；機架固定區(qū)域由固定機架的固定部、和使機架脫離的脫離部構(gòu)成；機架具有收容板狀物的收容開口部、和圍繞收容開口部在內(nèi)周面支撐保護膠帶的內(nèi)周支撐面，機架固定區(qū)域形成在板狀物支撐區(qū)域的下方，接受內(nèi)周支撐面，并在與內(nèi)周支撐面之間具有夾持保護膠帶的外周夾持面；機架可以選擇夾持狀態(tài)和解放狀態(tài)地構(gòu)成；在支撐板狀物的狀態(tài)下可以裝載；在內(nèi)面形成以非接觸方式接受被支撐在層疊狀態(tài)中正下方的板狀物支撐部件上的板狀物的凹部、和圍繞凹部支撐正上方的板狀物支撐部件的裝載部、及圍繞凹部被支撐在正下方的板狀物支撐部件上的被裝載部；在板狀物支撐區(qū)域中配設溫度位移部件；溫度位移部件是被配設成可將被支撐在板狀物支撐區(qū)域的板狀物的所期望的部分進行加熱或冷卻；溫度位移部件是使溫度媒體流通的管材、電熱絲、珀耳帖元件中的任意一種；擁有用于自我特定的識別部件；識別部件是條形碼、IC芯片的任一種。
另外，本發(fā)明提供了一種板狀物支撐部件的使用方法，是在至少具有吸引保持板狀物的卡盤臺、和研磨在該卡盤臺上被吸引保持的板狀物的研磨機構(gòu)的研磨裝置中，由以下工序組成將被支撐在權(quán)利要求1至14中所述的板狀物支撐部件上的板狀物裝載放置于該卡盤臺上的工序；通過該研磨機構(gòu)研磨被支撐在該板狀物支撐部件上的板狀物的工序；在該研磨完成后，將被支撐在該板狀物支撐部件上的板狀物從該卡盤臺上搬出的工序。
然而這樣的板狀物支撐部件的使用方法是有附加要件的，在研磨被支撐在板狀物支撐部件上的板狀物的工序完成后，包含以下工序在該板狀物的表面上粘貼膠片狀的附屬膜材料的工序；和在該膠片狀附屬膜材料上粘貼切割膠帶的同時，在該切割膠帶的外周上粘貼切割機架的工序；包含在膠片狀附屬膜材料上粘貼切割膠帶的同時，在該切割膠帶的外周上粘貼切割機架后，將機架和板狀物支撐部件及保護膠帶從板狀物上卸下的工序；板狀物為半導體晶片、被再配置配線的半導體基板、被再配置配線的被樹脂密封的半導體基板。
根據(jù)如上所述而形成的本發(fā)明，由于能夠一體地支撐通過保護膠帶與機架成為一體的板狀物，所以即使是很薄的板狀物也可以穩(wěn)定地支撐。
另外，因為是根據(jù)板狀物支撐部件來支撐與板狀物成為一體的機架，所以在研磨裝置中，不需要支撐機架的機構(gòu)。


圖1是表示本發(fā)明的板狀物支撐部件的第一實施例的立體圖。
圖2是同一板狀物支撐部件的剖面圖。
圖3是表示通過保護膠帶與機架成為一體的半導體晶片的立體圖。
圖4是表示機架的立體圖。
圖5是表示通過保護膠帶與機架成為一體的半導體晶片被支撐在板狀物支撐部件上的狀態(tài)的剖面圖。
圖6是表示研磨裝置的立體圖。
圖7是表示通過構(gòu)成研磨裝置的卡盤臺、板狀物支撐部件及保護膠帶與機架成為一體的半導體晶片的立體圖。
圖8是表示研磨半導體晶片的狀況的簡略剖面圖。
圖9是表示本發(fā)明的板狀物支撐部件的第二實施例的立體圖。
圖10是表示通過保護膠帶與機架成為一體的半導體晶片的立體圖。
圖11是表示機架的立體圖。
圖12是表示通過保護膠帶與機架成為一體的半導體晶片被支撐在板狀物支撐部件上的狀態(tài)的剖面圖。
圖13是表示通過構(gòu)成研磨裝置的卡盤臺、板狀物支撐部件及保護膠帶與機架成為一體的半導體晶片的立體圖。
圖14是表示在本發(fā)明的被支撐在板狀物支撐部件上的半導體晶片的切割膠帶粘貼的及板狀物支撐部件60的剝離機構(gòu)的第一例的說明圖。
圖15是表示在本發(fā)明的被支撐在板狀物支撐部件上的半導體晶片的切割膠帶粘貼的及板狀物支撐部件60的剝離機構(gòu)的第二例的說明圖。
圖16是表示由可以選擇夾持狀態(tài)和解放狀態(tài)而構(gòu)成的機架的一個示例的俯視圖。
圖17是表示以支撐板狀物的狀態(tài)可裝載地構(gòu)成的板狀物支撐部件的一個示例的剖面圖。
圖18是表示裝載著同一可裝載地構(gòu)成的板狀物支撐部件的狀態(tài)的剖面圖。
圖19是表示配設溫度位移部件的板狀物支撐部件的第一例的立體圖。
圖20是表示配設溫度位移部件的板狀物支撐部件的第二例的立體圖。
圖21是表示配設溫度位移部件的板狀物支撐部件的第三例的立體圖。
圖22是表示配設溫度位移部件的板狀物支撐部件的第四例的立體圖。
圖23是表示具有識別部件的板狀物支撐部件的第一例的立體圖。
圖24是表示具有識別部件的板狀物支撐部件的第二例的立體圖。
圖25是表示具有識別部件的板狀物支撐部件的第三例的立體圖。
圖26是表示利用本發(fā)明的板狀物支撐部件的管理系統(tǒng)的構(gòu)成的一個示例的說明圖。
圖27是表示在以往的半導體晶片的研磨中的半導體晶片的支撐狀態(tài)的正視圖。
圖28是表示在按照以往的前劃線的研磨中的半導體晶片的支撐狀態(tài)的簡略剖面圖。
圖29是表示以往的通過保護膠帶與機架成為一體的半導體晶片的立體圖。
具體實施例方式
首先，作為本發(fā)明的第一實施例，就圖1所示的板狀物支撐部件10進行說明。該板狀物支撐部件10，由對應板狀物的形狀和大小而形成的板狀物支撐區(qū)域11、和從外周側(cè)支撐板狀物支撐區(qū)域11的例如由氧化鋁陶瓷等組成的支撐體12、及被固定于支撐體12的外周上部的機架固定區(qū)域13構(gòu)成。
板狀物支撐區(qū)域11，是由多孔陶瓷等的多孔部件形成，是用于支撐被研磨的板狀物的區(qū)域，成為在上下方向流通空氣的構(gòu)成，即使是厚度為數(shù)十μm的薄板狀物也可穩(wěn)定地支撐，其厚度例如有5mm左右，上面形成平面狀。
在機架固定區(qū)域13中，具有用于固定后述的機架15的固定部13a，例如在圖示例中的磁石，作為固定部13a，也可使用其他的雙面膠、漿糊、卡箍螺絲等。另外，在機架固定區(qū)域13中，具有使機架15脫離的機構(gòu)，例如圖示例中從下方為了用銷向上突出的貫通孔14。
如圖2所示，板狀物支撐區(qū)域11形成為比機架固定區(qū)域13厚，機架固定區(qū)域13的上面位于比板狀物支撐區(qū)域11的上面低的位置。
另一方面，被支撐此板狀物支撐部件10上的板狀物，例如半導體晶片W，如圖3所示，中心部被粘貼于在開口的環(huán)狀機架15的內(nèi)面?zhèn)缺徽迟N的膠帶粘貼面的保護膠帶16的粘貼面上，通過保護膠帶16，保持與機架15成為一體。
此機架15形成環(huán)狀，如圖4所示，具有容納板狀物的收容開口部17、和在圍繞收容開口部17的框體18的內(nèi)面上粘貼著的保護膠帶的膠帶粘貼面19，如圖3所示，若保護膠帶16被粘貼于膠帶粘貼面19上，則收容開口部17成為占滿的構(gòu)成。
如圖5所示，若半導體晶片W以通過保護膠帶16與機架15成為一體被保持的狀態(tài)被載置于板狀物支撐部件10上，則通過機架固定區(qū)域13的磁石機架15被保持。另外此時，半導體晶片W通過保護膠帶16被載置在板狀物支撐區(qū)域11，這樣，在機架固定區(qū)域13上機架15被固定的狀態(tài)下，半導體晶片W的內(nèi)面位于比機架15的表面高的位置，或是成為大致為一面的狀態(tài)。
如圖5所示，通過保護膠帶16與機架15成為一體的被支撐在板狀物支撐部件10上的半導體晶片W，在例如圖6所示的研磨裝置20中，被多個容納在盒21中。
于是，通過搬出搬入機構(gòu)22被搬出、而被搬送到位置對合機構(gòu)23，在這里進行位置對合后，通過第一的搬送機構(gòu)24被搬送載置于卡盤臺25。
如圖7所示，卡盤臺25由在上下方向流通空氣的多孔陶瓷等構(gòu)成吸引區(qū)域25a、和從外周側(cè)支撐吸引區(qū)域25a的框體25b構(gòu)成，在吸引區(qū)域25a的下方與未圖示的吸引源連接，通過從吸引源供給的吸引力可以吸引保持板狀物支撐部件10。再有，通過從吸引源供給的吸引力，在板狀物支撐區(qū)域11中，由于粘貼著的半導體晶片W的保護膠帶T也被吸引，所以半導體晶片W被吸引保持。圖6所示的卡盤臺26、27也同樣地構(gòu)成。
參照圖6繼續(xù)說明，卡盤臺25、26、27在可以分別轉(zhuǎn)動的同時，伴隨轉(zhuǎn)車臺28的轉(zhuǎn)動而移動，關(guān)于吸引保持半導體晶片W的卡盤臺25，通過轉(zhuǎn)動向左方向規(guī)定的角度(圖示例為120度)，位于第一研磨機構(gòu)30的正下位置。
第一研磨機構(gòu)30，被配設在壁部31的垂直方向的一對導軌32所引導，被支撐在通過驅(qū)動源33的驅(qū)動可上下移動的支撐部34上，并伴隨支撐部34的上下移動而上下移動地構(gòu)成。在此第一研磨機構(gòu)30中，在可轉(zhuǎn)動地被支撐的主軸35的前端上通過固定件36安裝著研磨齒輪37，在研磨齒輪37的下部呈圓環(huán)狀固定著粗研磨用的研磨砥石38。
如圖8所示，位于第一研磨機構(gòu)30的正下方位置的半導體晶片W的內(nèi)面，第一研磨機構(gòu)30伴隨主軸35的轉(zhuǎn)動被向下方研磨輸送，通過轉(zhuǎn)動的研磨砥石38與內(nèi)面接觸進行粗研磨，此時，因機架固定區(qū)域13在板狀物支撐區(qū)域11的下方形成，所以研磨砥石38不會接觸到機架15。
其次，通過轉(zhuǎn)車臺28只與左轉(zhuǎn)相同地進行轉(zhuǎn)動，被粗研磨的半導體晶片W被安裝在第二研磨機構(gòu)40的正下位置。
第二研磨機構(gòu)40，被配設在壁部31的垂直方向的一對導軌41所引導，被支撐在通過驅(qū)動源42的驅(qū)動可上下移動的支撐部43上，并伴隨支撐部43的上下移動而上下移動地構(gòu)成。在此第二研磨機構(gòu)40中，在可轉(zhuǎn)動地被支撐的主軸44的前端上通過固定件45安裝著研磨齒輪46，在研磨齒輪46的下部呈圓環(huán)狀地固定著精研磨用的研磨砥石47。與第一研磨機構(gòu)30比，僅是研磨砥石的種類不同。
位于第二研磨機構(gòu)40的正下方位置的半導體晶片W的內(nèi)面，與圖8相同，第二研磨機構(gòu)40伴隨主軸44的轉(zhuǎn)動被向下方研磨輸送，通過轉(zhuǎn)動的研磨砥47與內(nèi)面接觸進行精研磨。
內(nèi)面被精研磨的半導體晶片W，通過第二搬送機構(gòu)48被搬送到清洗機構(gòu)49，在此通過清洗除去研磨屑后，通過搬出搬入機構(gòu)22被容納到盒50中。
這樣若收容于盒50中，因在板狀物支撐區(qū)域11中的吸引被解除，在脫離部14中通過往上頂銷等，可以使通過保護膠帶16與機架15成為一體的半導體晶片W從板狀物支撐部件10上簡單的分離。于是，保護膠帶16因與以往的相同沒有剛性，可以使變薄的半導體晶片或者半導體芯片從保護膠帶16上容易的剝離。
這樣，在研磨裝置20中，半導體晶片W被逐漸搬送，因為通過板狀物支撐部件10通?？煞€(wěn)定地被支撐，即使通過研磨半導體晶片W的厚度達到100μm以下或50μm以下時，也可以順暢的進行搬送及向盒50內(nèi)收納。
另外，因?qū)⑴c保護膠帶16成為一體的機架15通過板狀物支撐部件10支撐，所以在研磨裝置20中，不需要用于支撐機架15的機構(gòu)，研磨裝置20的卡盤臺25、26、27的構(gòu)造沒有必要變更。
其次，作為本發(fā)明的第二實施例，就如圖9所示的板狀物支撐部件60進行說明。
這個板狀物支撐部件60，由板狀物支撐區(qū)域61和支撐體62及外周夾持面63a構(gòu)成，板狀物支撐區(qū)域61與如圖1所示的板狀物支撐部件10相同，由多孔陶瓷等的多孔部件形成，是用于支撐被研磨的板狀物的區(qū)域，成為在上下方向流通空氣的構(gòu)成，即使厚度是數(shù)十μm的薄板狀物，也可穩(wěn)定地支撐，其厚度例如為5mm左右，上面形成為平面狀。
支撐體62圍繞板狀物支撐區(qū)域61支撐，其上面，從板狀物支撐區(qū)域61開始直到具有外周夾持面63a的機架固定區(qū)域63的上端形成為錐狀，機架固定區(qū)域63，在板狀物支撐區(qū)域61的下方形成。
另一方面，被支撐于此板狀物支撐部件60上的半導體晶片W，如圖10所示，被粘貼于中心部開口的粘貼在環(huán)狀的機架64的內(nèi)面?zhèn)鹊谋Ｗo膠帶65的粘貼面上，通過保護膠帶65與機架64成為一體。
機架64形成環(huán)狀，如圖11所示，具有收容板狀物的收容開口部66、和圍繞收容開口部66作為框體67的內(nèi)周面的內(nèi)周支撐面68。內(nèi)周支撐面68的徑比板狀物支撐部件60的外周夾持面63a的徑略微大一些。
如圖12所示，若使內(nèi)周支撐面68嵌合到板狀物支撐部件60的外周夾持面63a上，則機架64和板狀物支撐部件60成為一體，半導體晶片W被載置支撐于板狀物支撐區(qū)域61上。
在此狀態(tài)下，如圖13所示，若載置于卡盤臺25上，則在吸引區(qū)域25a中，通過板狀物支撐區(qū)域61半導體晶片W被吸引保持。因此，在例如圖6所示的研磨裝置中，在研磨半導體晶片W的內(nèi)面時，半導體晶片W被穩(wěn)定地支撐。因此，即使被研磨得很薄后，仍可以順暢地進行搬送及向盒50內(nèi)收納。
于是，在被收納于盒50時，由于吸引被解除，可以使通過保護膠帶65與機架64成為一體的半導體晶片W從板狀物支撐部件60中簡單的分離。另外，由于保護膠帶65沒有剛性，可以容易的使變薄的半導體晶片或半導體芯片從保護膠帶65中剝離。
再有，由于通過板狀物支撐部件60支撐與保護膠帶65成為一體的機架64，在研磨裝置20中，因不需要用于支撐機架64的機構(gòu)，在此情況下，也不需要變更研磨裝置20的卡盤臺25、26、27的構(gòu)造。
還有，在本實施例中，板狀物支撐區(qū)域和支撐體作為單體構(gòu)成，也可以全部由多孔部件構(gòu)成，在相當于支撐體的部分上涂含氟涂層，二氧化鈦涂層。
另外，作為板狀物的一例舉出了半導體晶片，板狀物并不局限于此，例如還包含有象倒裝片那樣的被再配置配線的半導體基板，象CSP基板那樣的被再配置配線的被樹脂密封的半導體基板。
下面，作為板狀物支撐部件60的使用方法，就使用板狀物支撐部件60研磨半導體晶片W的內(nèi)面后，進行切割時的切割膠帶的粘貼及直至板狀物支撐部件60的剝離的機構(gòu)的第一例進行說明。
內(nèi)面的研磨后，關(guān)于半導體晶片W通過切割而形成的各個半導體芯片，其后進行電纜結(jié)合，在電纜結(jié)合前，有必要在半導體晶片W的內(nèi)面預先涂上膠片狀的附屬膜材料。
在此，研磨完成后，如圖14(A)所示，在外周側(cè)上固定機架64的被支撐在板狀物支撐部件60上的研磨后的半導體晶片W的內(nèi)面，如圖14(B)所示那樣，進行預先粘貼膠片狀的附屬膜材料100。
在粘貼此膠片狀的附屬膜材料100時，在固定裝置的臺面101上設置板狀物支撐部件60，將半導體晶片W加熱到100℃-150C，例如，通過滾102進行推壓，在半導體晶片W的內(nèi)面粘貼膠片狀附屬膜材料100。此時，在臺面101上進行真空管的配置，成為通過板狀物支撐區(qū)域6 1可以吸附固定半導體晶片W的機構(gòu)。
于是，如圖14(C)所示，若在機架64的外周或是機架64上面使用切削器103將膠片狀附屬膜材料100切斷，則成為圖14(D)所示的狀態(tài)。另外，為了順暢地的進行切割，最好切削器103的溫度預先加熱到40℃到60℃左右。
這樣，被切割的膠片狀附屬膜材料100也成為粘貼到機架64的狀態(tài)，在后述的機架拆卸工序中，若使膠片狀附屬膜材料100的溫度降低，就可簡單的使其剝離。
其次，為了在膠片狀附屬膜材料100上粘貼切割膠帶104，如圖14(E)所示，在膠帶粘貼裝置的臺面105上載置板狀物支撐部件60。在該臺面105上真空管被配置，通過板狀物支撐區(qū)域61半導體晶片被吸附固定，于是在其外周側(cè)配置切割機架106，例如使用滾107通過從上方推，粘貼切割膠帶104，于是使用切削器108在切割機架106的外周或切割機架106的上方切斷切割膠帶104。
其次，如圖14(F)所示，切割膠帶104使粘貼在膠片狀附屬膜材料100上的半導體晶片W，板狀物支撐部件60及機架64正反反轉(zhuǎn)，在拆卸裝置的臺面109上將半導體晶片W載置于下部。也在臺面109上配置真空管，通過切割膠帶104吸附固定半導體晶片W。由于該臺面109在保持被吸附物的平坦性的同時需要全面吸附，最好使用多孔部件。
其次，如圖14(G)所示，將機架64舉升到上方拆卸，這種拆卸可以使用機械手，例如，在機架64由金屬形成的情況下，也可以使用磁力等。在機架64上粘貼著膠片狀附屬膜材料100，此時，由于膠片狀附屬膜材料100的溫度降低至常溫左右，不會對機架64的拆卸產(chǎn)生障礙。
再有，如圖14(H)所示，通過使用機械手等將板狀物支撐部件60牽引到上方拆卸。此時，為使拆卸順暢地進行，從上方通過板狀物支撐部件60微量吹入空氣，使半導體晶片W與板狀物支撐部件60的剝離變得容易。
板狀物支撐部件60拆卸后，是剝離保護膠帶65，若保護膠帶65為UV硬化型的膠帶的情況下，為了使黏著力降低而容易剝離，如圖14(I)所示，可預先對保護膠帶65照射紫外線。
由于保護膠帶65被粘貼在板狀物支撐部件60上，形成為比半導體晶片W的外周大。因此，將從外周露出的部分用機械手110等卡住，另一方面由于半導體晶片W通過切割膠帶104被保持在臺面109上，如圖14(J)、(K)所示，能夠剝離保護膠帶65。
以往，由于保護膠帶65形成為與半導體晶片W以相同尺寸而被粘貼，在剝離時，需要使用專用的剝離膠帶進行初期剝離，在本發(fā)明中，由于保護膠帶65形成為比半導體晶片W大，所以可以容易的進行剝離。
這樣，通過切割膠帶104半導體晶片W與切割機架106成為一體，成為可以切割的狀態(tài)。
下面，就使用板狀物支撐部件60研磨半導體晶片W的內(nèi)面后，進行切割時的切割膠帶的粘貼及直到板狀物支撐部件60的剝離的機構(gòu)的第二例進行說明。
如從圖15(A)到15(F)所示的工序，與從圖14(A)到14(F)所示的工序相同，嵌合在板狀物支撐部件60的外周側(cè)的機架111是由具有伸縮性的金屬材料構(gòu)成，可以進行擴張。
作為此機架111，如圖16所示，具有兩個把持部112和環(huán)狀彈簧部件113，通過使這兩個把持部112在兩者在接近的方向及脫離的方向移動，彈簧部件113可以使用伸縮式樣的構(gòu)件。彈簧部件113嵌合在板狀物支撐部件60的外周的狀態(tài)稱為夾持狀態(tài)，彈簧部件113和板狀物支撐部件60間有間隙的狀態(tài)稱為解放狀態(tài)。
如圖15(G)所示，相對于反轉(zhuǎn)后的板狀物支撐部件60，使機架111擴張作為解放狀態(tài)而放松固定。在此時還不能拆卸機架111。
于是，如圖15(H)所示，使用機械手等將板狀物支撐部件60牽引到上方拆卸。此時，為使拆卸順暢地進行，從上方通過板狀物支撐部件60微量吹入空氣，使半導體晶片W和板狀物支撐部件60的剝離變得容易。
其次，如圖15(I)所示，保護膠帶65為UV硬化型膠帶的情況下，照射紫外線，使黏著力降低后，如圖15(J)、(K)所示，保護膠帶65通過機械手114等卡住，另一方面，半導體晶片W通過切割膠帶104被保持在臺面109上，剝離保護膠帶65。
此時，由于根據(jù)保護膠帶65的種類，或是黏著力很強或是保護膠帶65的自身變硬，在剝離時存在一直剝到半導體晶片W而使其破損的危險性，通過此機構(gòu)，由于機架111還沒有被拆卸，通過機架111使膠片狀附屬膜材料100和切割膠帶104成為被壓住的狀態(tài)。因此，即使施加可使半導體晶片W翹尾的力也可與其抵抗，使半導體晶片W不會破損。
最后，如圖15(L)所示，除去擴張的機架111，通過切割膠帶104半導體晶片W與切割機架109成為一體，形成在切割工序中可搬送的狀態(tài)。
下面，就如圖17所示的帶有疊加功能的板狀物支撐部件120進行說明。板狀物支撐部件120由板狀物支撐區(qū)域121、和從外周側(cè)支撐板狀物支撐區(qū)域121的支撐體127構(gòu)成，在支撐體127的外周，與機架126的內(nèi)周夾持面，形成具有夾持保護膠帶的外周夾持面125a的機架固定區(qū)域125。
在支撐體127的上面形成錐形的裝載部123，在其下部形成對應裝載部123的錐形的錐形的被裝載部124。于是，以支撐板狀物的狀態(tài)在重疊裝載板狀物支撐部件120時，為不使板狀物受到損傷，凹部122形成在板狀物支撐區(qū)域121的下部。
如圖18所示，如果在板狀物支撐區(qū)域121中，通過保護膠帶以保持半導體晶片W的狀態(tài)，將板狀物支撐部件120多層重疊，在裝載部123中，成為支撐正上方的板狀物支撐部件120的被裝載部124的狀態(tài)，半導體晶片W在在凹部122中成為與正上方的板狀物支撐部件120非接觸的狀態(tài)。
因此，不會使半導體晶片W劃傷或破損，因而可以重疊堆積，不必使用如圖6所示的盒21、50那樣的容器就可以在工序之間搬送半導體晶片W，不僅可以節(jié)約用在容器上的成本，還可以節(jié)約收納空間。
下面，就具有可以適當加熱功能的板狀物支撐部件進行說明，根據(jù)保護膠帶65、膠片狀附屬膜材料100、切割膠帶104種類的不同，粘貼時會發(fā)生有必要將半導體晶片W加熱的情況。在這種情況下，以往，對用于工序處理的裝置附加加熱功能，在其上面設置夾具，采用在夾具上載置半導體晶片進行熱傳導的機構(gòu)。
但是，在這樣的機構(gòu)中，特別是變薄的半導體晶片因加熱而產(chǎn)生的微小的熱膨脹有可能誘發(fā)破裂。在必要加熱溫度達到100℃至150℃的溫度較高的膠片狀附屬膜材料的粘貼中會變得特別顯著，因此，最好對半導體晶片W的溫度進行部分地控制，如果實現(xiàn)就會抑制破裂。
在此，將電熱絲按幾何學布局在板狀物支撐部件60，120的內(nèi)部，不是全面均勻地加熱，而是按照難以誘發(fā)破裂的模式，一邊階段性的加熱一邊進行膠片狀附屬膜材料的粘貼。
作為電熱絲的布局，可以考慮例如在圖19、圖20、圖21所示的板狀物支撐部件130、131、132的板狀物支撐區(qū)域的內(nèi)部分別所具備得電熱絲133、134、135。每一種情況都是將用于向各模式供給電源的觸點136一組或多組設置于板狀物支撐部件130、131、132的外周部，如果在這些設置好的板狀物支撐部件130、131、132的裝置中對該觸點136供給電源的話，則能夠部分地加熱。在裝置側(cè)中，最好成為僅是通過設置板狀物支撐部件130、131、132就可以向觸點供給電源的機構(gòu)。
另外，如圖22所示的板狀物支撐部件140那樣，也是可以做成在板狀物支撐區(qū)域的內(nèi)部設置管部件141，在其中循環(huán)從裝置供給的溫度介質(zhì)的構(gòu)成。例如使用溫度高的液態(tài)鈉時就可以加熱，若使用象液態(tài)氮那樣的溫度低的物體則可以冷卻。在研磨半導體晶片W時，由于摩擦使溫度上升，此時進行冷卻，在膠片狀附屬膜材料100的粘貼時象加熱這樣的臨時應變的對應可以簡單地進行。
另外，在半導體晶片的加熱、冷卻以外，例如，在從裝置中拆卸板狀物支撐部件140時，通過板狀物支撐部件140自身加熱使其熱膨脹，可以容易地從裝置上拆卸下來。
這樣，在板狀物支撐部件130、131、132中電熱絲成為溫度位移部件，在板狀物支撐部件140中管部件成為溫度位移部件。另外，也可以在板狀物支撐部件的內(nèi)部配設珀耳帖元件，通過電壓的附加進行加熱、冷卻，使溫度發(fā)生變化。這種情況下，珀耳帖元件成為溫度位移部件。
如圖23所示的板狀物支撐部件150那樣，作為用于特定自身的識別部件通過將條形碼151安裝在底面?zhèn)鹊鹊穆冻雒嫔希诟鞴ば蛑羞M行搬送、加工時，可以在裝置情報、半導體晶片的情報、工序的管理方面利用。
另外，識別部件不僅局限于條形碼，例如，如圖24、圖25所示的板狀物支撐部件160、170那樣，將識別情報儲存在IC芯片161、171中也可以。在識別情報儲存在IC芯片的情況下，由于可以讀取及寫入，所以可具有跟蹤功能。
例如，在研磨半導體晶片的面的研磨裝置中，在設定作為目標的研磨量時，通過使用高度規(guī)等測定卡盤臺吸著面的高度，將這個高度作為基準面。因此，在使用板狀物支撐部件支撐半導體晶片進行研磨的情況下，若板狀物支撐部件的高度有偏差，就不能精密地控制研磨量。
因此，預先分別測定板狀物支撐部件的厚度，將測得的厚度作為條形碼等的識別情報附加到板狀物支撐部件上，通過讀取這些后再進行研磨，使按照各個板狀物支撐部件分別調(diào)整研磨量成為可能。這樣，即使在更換板狀物支撐部件進行研磨的情況下，也沒有必要變更基準面，在提高工作效率的同時，可以進行正確的研磨。
另外，在剝離保護膠帶的情況下，對于記錄剝離時的裝置的電阻值等各工序中的詳細數(shù)據(jù)也可預先記錄。而且，若將這些與管理晶片ID、品種情報、批量情報等工序的各種數(shù)據(jù)進行組合，則可以使用數(shù)據(jù)服務器就操作有關(guān)工序計劃的所有情報。
例如，在圖26所示的管理系統(tǒng)180中，對于從加工工序到數(shù)據(jù)服務器181的晶片ID、批量號碼、保護膠帶的厚度等的數(shù)據(jù)向數(shù)據(jù)服務器181轉(zhuǎn)送的同時，半導體晶片被搬送過來。
而且，在晶片厚度測定機構(gòu)182中，被搬送過來的半導體晶片的厚度被分別測定，使晶片ID、批量號碼等相對應，并被記憶在數(shù)據(jù)服務器中，在終端183中成為操作人員可以確認的狀態(tài)。
另一方面，從板狀物支撐部件供給機構(gòu)184被供給的板狀物支撐部件，在板狀物支撐部件厚度測定機構(gòu)185中其厚度被測定，例如對應其厚度的條形碼被粘貼在內(nèi)側(cè)。下面在條形碼讀取機構(gòu)186中，讀取其條形碼，其情報被轉(zhuǎn)送到數(shù)據(jù)服務器181。
在層壓裝置187中，將從保護膠帶供給機構(gòu)188被供給的保護膠帶在粘貼到半導體晶片表面的同時，通過板狀物支撐部件支撐粘貼著保護膠帶的半導體晶片，并向研磨機構(gòu)189搬送。
在研磨機構(gòu)189中，若半導體晶片的內(nèi)面被研磨，則在脫離機構(gòu)190中，板狀物支撐部件被拆卸，并被返回到條形碼讀取機構(gòu)186中。而且，在條形碼讀取機構(gòu)189中，不是再次測定厚度，僅是讀取條形碼，再次使板狀物支撐部件被再利用，進行其他的半導體晶片的研磨。
象這樣，在板狀物支撐部件上具備識別部件，通過將該識別情報在數(shù)據(jù)服務器181中進行管理，控制研磨量，可以形成所需要厚度的半導體晶片。
象以上所說明的那樣，有關(guān)本發(fā)明的板狀物支撐部件，由于可以將通過保護膠帶與機架成為一體的板狀物一體地支撐，即使是薄的板狀物也可穩(wěn)定地支撐。因此，在研磨裝置內(nèi)的搬送及向盒內(nèi)的收納能夠順暢進行的同時，研磨后的板狀物或芯片的剝離也可以容易地進行。
另外，通過將與板狀物成為一體的機架以板狀物支撐部件支撐，在研磨裝置中，不需要用于支撐機架的機構(gòu)，所以不必變更研磨裝置的卡盤臺的構(gòu)造。
即，有效利用現(xiàn)有的研磨裝置的構(gòu)造，使薄板狀物的搬送和向盒內(nèi)的收納及從保護膠帶的剝離成為可能。
權(quán)利要求
1.一種板狀物支撐部件，是通過保護膠帶支撐與機架成為一體的板狀物，其特征在于，至少由通過保護膠帶傳遞吸引力而支撐板狀物的板狀物支撐區(qū)域和固定該機架的機架固定區(qū)域構(gòu)成。
2.如權(quán)利要求1所述的板狀物支撐部件，其特征在于，板狀物支撐區(qū)域由多孔部件構(gòu)成。
3.如權(quán)利要求2所述的板狀物支撐部件，其特征在于，機架具有收容板狀物的收容開口部、和圍繞該收容開口部貼著保護膠帶的膠帶粘貼面，機架固定區(qū)域形成于板狀物支撐區(qū)域的下方。
4.如權(quán)利要求3所述的板狀物支撐部件，其特征在于，在機架固定區(qū)域中支撐固定機架時，該機架的表面位于板狀物支撐部件的下方。
5.如權(quán)利要求1至4中所述的板狀物支撐部件，其特征在于，機架固定區(qū)域由固定機架的固定部、和使機架脫離的脫離部構(gòu)成。
6.如權(quán)利要求1或2中所述的板狀物支撐部件，其特征在于，機架具有收容板狀物的收容開口部、和圍繞該收容開口部在內(nèi)周面上支撐保護膠帶的內(nèi)周支撐面，機架固定區(qū)域形成于板狀物支撐區(qū)域的下方，接受該內(nèi)周支撐面，并在與該內(nèi)周支撐面之間具有夾持該保護膠帶的外周夾持面。
7.如權(quán)利要求6所述的板狀物支撐部件，其特征在于，機架可以選擇夾持狀態(tài)和解放狀態(tài)地構(gòu)成。
8.如權(quán)利要求1至7中所述的板狀物支撐部件，其特征在于，在支撐板狀物的狀態(tài)下可以裝載。
9.如權(quán)利要求8所述的板狀物支撐部件，其特征在于，在內(nèi)面形成以非接觸方式接受被支撐在層疊狀態(tài)中正下方的板狀物支撐部件上的板狀物的凹部、和圍繞該凹部支撐正上方的板狀物支撐部件的裝載部、及圍繞該凹部被支撐在該正下方的板狀物支撐部件上的被裝載部。
10.如權(quán)利要求1至9中所述的板狀物支撐部件，其特征在于，在板狀物支撐區(qū)域中配設溫度位移部件。
11.如權(quán)利要求10所述的板狀物支撐部件，其特征在于，溫度位移部件被配設成可將被支撐在板狀物支撐區(qū)域的板狀物的所期望的部分進行加熱或冷卻。
12.如權(quán)利要求10或11中所述的板狀物支撐部件，其特征在于，溫度位移部件是使溫度媒體流通的管材、電熱絲、珀耳帖元件中的任意一種。
13.如權(quán)利要求1至12中所述的板狀物支撐部件，其特征在于，具有用于自我特定的識別部件。
14.如權(quán)利要求13所述的板狀物支撐部件，其特征在于，識別部件是條形碼、IC芯片中的任一種。
15.一種板狀物支撐部件的使用方法，是在至少具有吸引保持板狀物的卡盤臺、和研磨在該卡盤臺上被吸引保持的板狀物的研磨機構(gòu)的研磨裝置中，其特征在于，由以下工序組成將被支撐在權(quán)利要求1至14中所述的板狀物支撐部件上的板狀物裝載放置于該卡盤臺上的工序；通過該研磨機構(gòu)研磨被支撐在該板狀物支撐部件上的板狀物的工序；在該研磨完成后，將被支撐在該板狀物支撐部件上的板狀物從該卡盤臺上搬出的工序。
16.如權(quán)利要求15所述的板狀物支撐部件的使用方法，其特征在于，在研磨被支撐在板狀物支撐部件上的板狀物的工序完成后，包含以下工序在該板狀物的表面上粘貼膠片狀的附屬膜材料的工序；和在該膠片狀附屬膜材料上粘貼切割膠帶的同時，在該切割膠帶的外周上粘貼切割機架的工序。
17.如權(quán)利要求16所述的板狀物支撐部件的使用方法，其特征在于，包含在膠片狀附屬膜材料上粘貼切割膠帶的同時，在該切割膠帶的外周上粘貼切割機架后，將機架和板狀物支撐部件及保護膠帶從板狀物上卸下的工序。
18.如權(quán)利要求15至17中所述的板狀物支撐部件的使用方法，其特征在于，板狀物為半導體晶片、被再配置配線的半導體基板、被再配置配線的被樹脂密封的半導體基板。
全文摘要
一種板狀物支撐部件及其使用方法，即使是通過研磨變薄的剛性降低的板狀物，也可以不變更研磨裝置的構(gòu)造而順暢地進行在研磨裝置內(nèi)的搬送及向盒內(nèi)的收納。使用至少由支撐板狀物的板狀物支撐區(qū)域11、固定機架15的機架固定區(qū)域13構(gòu)成的板狀物支撐部件10，通過保護膠帶16支撐與機架15成為一體的板狀物W，在將其吸引保持在研磨裝置的卡盤臺25上進行研磨的同時，在研磨裝置內(nèi)的半導體晶片的搬送以及向盒內(nèi)的收納也以通過板狀物支撐部件10被支撐的狀態(tài)進行。
文檔編號H01L21/683GK1412831SQ02129869
公開日2003年4月23日 申請日期2002年8月20日 優(yōu)先權(quán)日2001年10月18日
發(fā)明者下別府祐三, 手代木和雄, 吉本和浩, 渡部光久, 新城嘉昭, 森俊, 矢嶋興一, 木村祐輔 申請人:富士通株式會社, 株式會社迪思科