專利名稱：具有防護環(huán)控制電路的硅控整流器的制作方法
技術領域：
本發(fā)明有關一種在互補式金氧半導體晶體管元件中的硅控整流器，特別是有關一種連結修正橫向硅控整流器(PMSCR，bridging modified lateral siliconcontrolled rectifier having first conductivity type)。
(2)背景技術硅控整流器(SCR，silicon controlled rectifier)為一種已知的半導體閘流管(thyristors)。由于具有將高阻抗狀態(tài)切換至低阻抗狀態(tài)能力，因此廣泛地應用于電源裝置上?；谕瑯拥睦碛?，可將硅控整流器適當?shù)卦O計成一種非常有效的靜電放電保護電路。
參考圖1，具有保護環(huán)的具有第一導電性連結修正橫向硅控整流器(PMSCRwith guard ring structure，bridging modified lateral silicon controlledrectifier having first conductivity type with guard ring structure)110形成于底材100內。具有第一導電性連結修正橫向硅控整流器110包括具有第二導電性如N型的第一輕摻雜井區(qū)112及具有第一導電性如P型的第二輕摻雜井區(qū)114。一N+區(qū)域118形成于第一輕摻雜井區(qū)112內并且電性耦接陽極150，及一P+區(qū)域124形成于第二輕摻雜井區(qū)114，且電性耦接于陰極160。一P+區(qū)域120形成于第一輕摻雜井區(qū)112內，并電性耦接于陽極150。接著，一N+區(qū)域122形成在第二輕摻雜井區(qū)114內，并電性耦接于陰極160。然后，一N+區(qū)域126形成于第一輕摻雜井區(qū)112內并且電性耦接于陽極150。一P+區(qū)域128形成于第一輕摻雜井區(qū)112與第二輕摻雜井區(qū)114之間，使得P+區(qū)域128位于N+區(qū)域126與N+區(qū)域122之間，并且使得P+區(qū)域128與位于第一輕摻雜井區(qū)112及第二輕摻雜井區(qū)114的接合面116重疊。
接著，一場隔離區(qū)130形成于第一輕摻雜井區(qū)112內并位于N+區(qū)域118及P+區(qū)域120之間。然后，另一場隔離區(qū)132形成于第一輕摻雜井區(qū)112內并位于P+區(qū)域120及N+區(qū)域126之間。然后，一場隔離區(qū)134形成于第一輕摻雜井區(qū)112內，并位于N+區(qū)域126與P+區(qū)域128之間。接著，一場隔離區(qū)136形成于第二輕摻雜井區(qū)114內，并位于P+區(qū)域128及N+區(qū)域122之間。然后，再一場隔離區(qū)138形成于第二輕摻雜井區(qū)，并位于N+區(qū)域122及P+區(qū)域124之間。
在具有保護環(huán)的具有第一導電性連結修正橫向硅控整流器110中，額外加入的N+區(qū)域126用來做為保護環(huán)并收集由陰極160流到陽極150的電子，其保護環(huán)可以防止由過量電壓或是未過量電壓所產生的損害。因此，可以改善具有第一導電性連結修正橫向硅控整流器110的功率摧毀免疫能力。但是，很不幸的是，修正橫向硅控整流器或具有第一導電性連結修正橫向硅控整流器110中，當硅控整流器引發(fā)的時候，保護環(huán)就會收集電子而導致其靜電放電的效能不佳。
參考圖2，是表示具有外加N井保護環(huán)214的具有第一導電性連結修正橫向硅控整流器210。具有外加N+井保護環(huán)214的具有第一導電性連結修正橫向硅控整流器210形成在一底材200內。具有外加N+井保護環(huán)214的具有第一導電性連結修正橫向硅控整流器210包括具有第二導電性的第一輕摻雜井區(qū)212、具有第二導電性的第二輕摻雜井區(qū)214及具有第一導電性的第三輕摻雜井區(qū)216。第二輕摻雜井區(qū)214做為保護環(huán)以收集由陰極280傳送至陽極260的電子。接著，N+區(qū)域224位于第一輕摻雜井區(qū)212并且電性耦接于陽極260。然后，P+區(qū)226形成于第一輕摻雜井區(qū)212內并電性耦接于陽極260。一N+區(qū)域228形成于第三輕摻雜井區(qū)216，并電性耦接于陰極280。接下來，一P+區(qū)域230形成于第三輕摻雜井區(qū)216內，且電性耦接于陰極280。然后，N+區(qū)域232取代具有N型保護環(huán)的具有第一導電性的連結修正橫向硅控整流器(在圖1中表示)110中的P+區(qū)域128，并形成于第二輕摻雜井區(qū)214內且電性耦接于一高電位270。接著，一P+區(qū)域234取代在具有N型保護環(huán)的具有第一導電性連結修正橫向硅控整流器中的N+區(qū)域126，并形成于底材200與第一井區(qū)之間的第一接合面218重疊處。
然后，一場隔離區(qū)250形成于第一輕摻雜井區(qū)212內，并位于N+區(qū)域224及P+區(qū)域226之間。一場隔離區(qū)252位于第一輕摻雜井區(qū)212內，并位于P+區(qū)域226及P+區(qū)域234之間。一場隔離區(qū)254與部份底材200與第二輕摻雜區(qū)214的接合面220重疊。接著，一場隔離區(qū)256形成于第二輕摻雜井區(qū)214與第三輕摻雜井區(qū)216之間，且與部份的第二輕摻雜井區(qū)214與第三輕摻雜井區(qū)216的接合面222重疊。然后，一場隔離區(qū)258形成于第三輕摻雜井區(qū)216內。如同具有N保護環(huán)的具有第一導電性的連結修正橫向硅控整流器110中的N保護環(huán)126的功能，N井保護環(huán)214是用來收集由陰極傳送至陽極的電子。即當硅控整流器引發(fā)時，功率損耗免疫能力可以改善，但是一相同或是不同的高電壓施于N井保護環(huán)214以收集電子時，其靜電放電效能會被降低。
在具有保護環(huán)的具有第一導電性連接修正橫向硅控整流器110(如圖1)或210(如圖2)中，當陽極(150或260)電位上升到N-井(112或212)與P+(128或234)接合面的崩潰電壓(Breakdown volrage)時，此接合面會產生大量的電子空穴對(Electron-hole pairs)，其中電子會受到高電位吸引而進入陽極(150或260)，空穴受低電位吸引而進入陰極(160或280)；當電子進入陽極(150或260)時，會啟動寄生的PNP雙載子晶體管，因而對P-井(114或216)注入空穴；當空穴進入陰極(160或280)時，會啟動寄生的NPN雙載子晶體管，因而對N-井(112或212)注入電子；因此，這兩個雙載子晶體管會互相啟動對方而產生正回饋，最后就發(fā)生突然回返(Snapback)而進入低阻抗的維持(Holding)區(qū)間。若在靜電放電情形(ESD Event)中，此維持區(qū)間可有效地排掉(bypass)靜電放電電流(ESD current)。而N+126或N-井214保護環(huán)可以用來收集電子，以防止電子流入陽極(150或260)而造成PNP雙載子晶體管啟動，進而避免進入維持區(qū)而造成功率摧毀的問題；但是在靜電放電情形下，卻因不易進入維持區(qū)間而造成其靜電放電防護效果變差。
(3)發(fā)明內容本發(fā)明的主要目的在于提供一種具有控制保護環(huán)的硅控整流器，利用控制電路控制的N型保護環(huán)，使得高阻抗/低阻抗是由靜電放電情形(ESD event，electrostatic discharge event)來決定。
本發(fā)明的另一目的是提供一種具有控制保護環(huán)的硅控整流器，由控制電路所控制的N型保護環(huán)，使得高阻抗/低阻抗由正常操作來決定，并使得功率摧毀免疫能力可以改善。
本發(fā)明的又一目的是提供一種具有控制保護環(huán)的硅控整流器，利用控制電路控制N型保護環(huán)，使得當硅控整流器引發(fā)時，控制N型保護環(huán)不會發(fā)生作用并且不會收集電子。
根據(jù)本發(fā)明一方面的一種具有控制保護環(huán)的硅控整流器，其特點是，包括一具有第一導電性連結修正橫向硅控整流器，包括具有一第二導電性的一第一輕摻雜井區(qū)及具有該第一導電性的一第二輕摻雜井區(qū)位于具有該第一導電性的一底材內，其中該第二輕摻雜井區(qū)鄰近于該第一輕摻雜井區(qū)，且該第二導電性與該第一導電性相反；一第一節(jié)點，電性耦接于具有該第二導電性的一第一重摻雜區(qū)及具有該第一導電性的該第二重摻雜區(qū)，其中每一該重摻雜區(qū)的濃度高于每一該輕摻雜井區(qū)；一第二節(jié)點，電性耦接于該具有該第一導電性的一第四重摻雜區(qū)及具有該第二導電性的該第三重摻雜區(qū)，其中該第二節(jié)點與該第一節(jié)點的電性相反；一控制保護環(huán)，位于該第一輕摻雜井區(qū)；一開關，具有一第一端點及一第二端點，其中該第一端點電性耦接于該第一重摻雜區(qū)及該第二端點電性耦接于該控制保護環(huán)；以及一控制電路，電性耦接于該開關。
根據(jù)本發(fā)明另一方面的一種具有控制保護環(huán)的硅控整流器，其特點是，包括一具有第一導電性連結修正橫向硅控整流器，包括具有一第二導電性的一第一輕摻雜井區(qū)、具有該第二導電性的一第二輕摻雜井區(qū)及具有該第一導電性的一第三輕摻雜井區(qū)位于具有該第一導電性的一底材內，其中，該第三輕摻雜井區(qū)鄰近于該第二輕摻雜井區(qū)，且該第二導電性與該第一導電性相反；一第一節(jié)點，電性耦接于具有一第二導電性的一第一重摻雜區(qū)及電性耦接于具有該第一導電性的該第二重摻雜區(qū)，其中，每一該重摻雜區(qū)的濃度高于每一該輕摻雜井區(qū)；一開關，具有一端點，其中該端點電性耦接于該第五重摻雜區(qū)；一第二節(jié)點，電性耦接于該開關，其中，該第二節(jié)點與該第一節(jié)點的電性相同；一第三節(jié)點，電性耦接于具有該第一導電性的一第四重摻雜區(qū)及電性耦接于具有該第二導電性的該第三重摻雜區(qū)，其中，該第三節(jié)點與該第一節(jié)點及該第二節(jié)點的該電性相反；以及一控制電路，電性耦接于該開關。
根據(jù)本發(fā)明又一方面的具有控制保護井環(huán)的硅控整流器，其特點是，包括一底材具有一第一導電性，具有一第二導電性的一第一輕摻雜井區(qū)、具有該第二導電性的一第二輕摻雜井區(qū)及具有該第一導電性的一第三輕摻雜井區(qū)位于該底材內并鄰近于該第二輕摻雜井區(qū)，其中，該第二導電性與該第一導電性相反；具有該第二導電性的一第一重摻雜區(qū)位于該第一輕摻雜井區(qū)內；具有該第一導電性的一第二重摻雜區(qū)位于該第一輕摻雜井區(qū)內；具有該第二導電性的一第三重摻雜區(qū)位于該第三輕摻雜井區(qū)內；具有該第一導電性的一第四重摻雜區(qū)位于該第三輕摻雜井區(qū)內；具有該第二導電性的一第五重摻雜區(qū)位于該第二輕摻雜井區(qū)內；具有該第一導電性的一第六重摻雜區(qū)位于該底材與該第一輕摻雜井區(qū)之間，使得具有該第六重摻雜區(qū)與部份該第一輕摻雜井區(qū)及該底材重疊；一第一節(jié)點，電性耦接于該第一重摻雜區(qū)及電性耦接于該第二重摻雜區(qū)；一開關，具有一端點，其中，該端點電性耦接于該第五重摻雜區(qū)；一第二節(jié)點，電性耦接于該開關；一控制電路，電性耦接于該開關；以及一第三節(jié)點，電性耦接于該第三重摻雜區(qū)及電性耦接于該第四重摻雜區(qū)。
本發(fā)明提供了一種具有控制保護環(huán)的具有第一導電性連結修正橫向硅控整流器(PMSCR with controlled guard ring，bridging modified lateral siliconcontrolled rectifier of first conductivity type with controlled guard ring)，其保護環(huán)由開關(switch)，如金氧半導體晶體管(MOS transistor，metal oxidesemiconductor transistor)控制以收集電子或者是使保護環(huán)沒有任何作用。在正常操作時，開關為低阻抗(即表示金氧半導體晶體管為開啟狀態(tài))，其保護環(huán)呈現(xiàn)短路至陽極或高電位，使得保護環(huán)可以收集電子并且可以增加功率摧毀免疫能力。此外，在靜電放電情形過程中，其開關呈現(xiàn)高阻抗(其金氧半導體晶體管為關閉狀態(tài))，此時保護環(huán)沒有任何作用。因此，靜電放電效能不會被降低。
為進一步說明本發(fā)明的目的、結構特點和效果，以下將結合附圖對本發(fā)明進行詳細的描述。
(4)


圖1是表示傳統(tǒng)具有N保護環(huán)(N ring)的具有第一導電性連結修正橫向硅控整流器的截面示意圖；圖2是表示傳統(tǒng)具有N井保護環(huán)(N well ring)的具有第一導電性連結修正橫向硅控整流器的截面示意圖；圖3是根據(jù)本發(fā)明的具有控制N保護環(huán)(controlled N ring)的具有第一導電性連結修正橫向硅控整流器的截面示意圖；圖4是根據(jù)本發(fā)明的表示圖3結構的電路布局的示意圖；圖5是根據(jù)本發(fā)明的表示具有控制N井保護環(huán)(controlled N well ring)的具有第一導電性連結修正橫向硅控整流器的截面示意圖；以及圖6是根據(jù)本發(fā)明的表示圖7的電路布局的示意圖。
(5)具體實施方式
參考圖3及圖4，圖3是表示具有控制N型保護環(huán)的第一導電性連結修正橫向硅控整流器(PMSCR of first conductivity type with controlled N guardring structure)310，它形成在底材300內，其中底材300具有第一導電性如P型，并包括第一輕摻雜井區(qū)312形成于底材300內，且此第一輕摻雜井區(qū)312具有第二導電性，如N型。此外，第二輕摻雜井區(qū)314形成于底材300內并鄰近于第一輕摻雜井區(qū)312，其中第二輕摻雜井區(qū)314具有第一導電性，如P型，且第一導電性與第二導電性的電性相反。
接著，具有第二導電性的第一重摻雜區(qū)318形成在第一輕摻雜井區(qū)312，并且電性耦接于陽極350。在本發(fā)明中，位于底材300內的每一個重摻雜區(qū)的濃度都高于每一輕摻雜井區(qū)的濃度。具有第一導電性的第二重摻雜區(qū)320形成于第一輕摻雜井區(qū)312內，并且電性耦接至陽極350及開關(switch)370的第一端點(terminal)372。其中，開關370可以是金氧半導體晶體管(MOStransistor，metal oxide semiconductor transistor)，并且由一電阻電容電路(RC circuit，resistor-capacitor circuit)380(在圖4中表示)來控制開關370的功能。接著，具有第二導電性的第三重摻雜區(qū)322形成在第二輕摻雜井區(qū)314內，且電性耦接于陰極360。
然后，具有第一導電性的第四重摻雜區(qū)324形成在第二輕摻雜井區(qū)314內，并且電性耦接于陰極360。接下來，作為保護環(huán)的具有第二導電性的第五重摻雜區(qū)326形成于第一輕摻雜井區(qū)312，并電性耦接于開關370的第二端點374。然后，具有第一導電性的第六重摻雜區(qū)328形成在第一輕摻雜井區(qū)312與第二輕摻雜井區(qū)314之間，使得第六重摻雜區(qū)328重疊于第一輕摻雜井區(qū)312及第二輕摻雜井區(qū)314的接合面(junction)316。然后，第一場隔離區(qū)330可以是溝渠隔離結構(trench或isolation structure)或是場氧化區(qū)(fieldoxide region)形成在第一輕摻雜井區(qū)312內，并位于第一重摻雜區(qū)318與第二重摻雜區(qū)320之間。接著，第二場隔離區(qū)332形成在第一輕摻雜井區(qū)312內，并位于第二重摻雜區(qū)320與第五重摻雜區(qū)326之間。然后，第三場隔離區(qū)334形成于第一輕摻雜井區(qū)312內，且位于第五重摻雜區(qū)326及第六重摻雜區(qū)328之間。接下來，第四場隔離區(qū)336形成于第二輕摻雜井區(qū)314內，并位于第六重摻雜區(qū)328及第三重摻雜區(qū)322之間。然后，第五場隔離區(qū)338形成于第二輕摻雜井區(qū)314內，并位于第三重摻雜區(qū)322及第四重摻雜區(qū)324之間。
參考圖4，圖4是圖3的電路布局示意圖。圖中參考標號380為電阻電容電路(resistor-capacitor circuit)、參考標號382為電阻器及參考標號384為電容器，其中該電阻電容電路380是作為控制電路。電阻電容電路380分別電性耦接于陽極350、開關370及陰極360。此外，開關370的第一端點372電性耦接于第二重摻雜區(qū)320，第二端點374則電性耦接于至控制N保護環(huán)(第三重摻雜區(qū)326)，其中電阻電容電路380是用來控制開關370。且此電阻、電容經適當?shù)倪x擇，以使其啟動速度介于正常操作的啟動速度及靜電放電的啟動速度之間。在正常操作時，當施予一電壓于具有控制保護環(huán)的具有第一導電性修正橫向硅控整流器310時，若有過高的電位，使得具有控制保護環(huán)的具有第一導電性修正橫向硅控整流器310產生引發(fā)，由于電阻電容電路380的反應速度可以跟得上正常操作的電壓上升速度，使得開關370的狀態(tài)呈現(xiàn)為開啟(on)且為低阻抗，使得電壓可經由高壓焊墊(未在圖中表示)通過金氧半導體晶體管370至控制N保護環(huán)326，保護環(huán)可以收集由陰極360傳送至陽極350的電子以增加功率摧毀免疫能力。
此外，在靜電放電情形中，由于電容電阻電路380的反應速度無法跟上靜電放電的電流速度，使得開關370為高阻抗(即表示開關370為關閉的狀態(tài))，使得控制保護環(huán)沒有任何的作用。因此，靜電放電防護的效能不會被降低。
參考圖5及圖6，圖5表示具有控制N井保護環(huán)結構的具有第一導電性連結修正橫向硅控整流器410形成于底材400內。具有第二導電性的第一輕摻雜井區(qū)412及具有第二導電性的第二輕摻雜井區(qū)414同時形成于底材400內。此外，具有第一導電性的第三輕摻雜井區(qū)416形成在底材400內，并鄰近于第二輕摻雜井區(qū)414。接著，具有第二導電性的第一重摻雜區(qū)430形成于第一輕摻雜井區(qū)412，且與第一節(jié)點460電性耦接，其中第一節(jié)點460為陽極。然后，具有第一導電性的第二重摻雜區(qū)432形成于第一輕摻雜井區(qū)412內，并與第一節(jié)點460電性耦接。接下來，具有第二導電性的第三重摻雜區(qū)434形成于第三輕摻雜井區(qū)416，并且與第三節(jié)點490電性耦接，其中第三節(jié)點490可以是陰極。然后，具有第一導電性的第四重摻雜區(qū)436形成于第三輕摻雜井區(qū)416，并且與第三節(jié)點490電性耦接。
接著，具有第二導電性的第五重摻雜區(qū)438形成于第二輕摻雜井區(qū)414內，并且電性耦接于第一端點480，且第一端點480電性耦接于開關470，其中開關470是電性耦接于第二節(jié)點482，此第二節(jié)點482可為陽極或其他高電位。然后，具有第一導電性的第六重摻雜區(qū)440形成在底材400及第一輕摻雜井區(qū)412之間，使得第六重摻雜區(qū)440重疊于位于第一輕摻雜井區(qū)412與底材400之間的接合面418。接著，第一場隔離區(qū)442形成在第一輕摻雜井區(qū)412內，并位于第一重摻雜區(qū)430及第二重摻雜區(qū)432之間。然后，第二場隔離區(qū)444形成于第一輕摻雜井區(qū)412內，并位于第二重摻雜區(qū)432及第六重摻雜區(qū)440之間。接下來，第三場隔離區(qū)446形成于底材400與第二輕摻雜井區(qū)414的第二接合面420之間，并且位于第六重摻雜區(qū)440與第五重摻雜區(qū)438之間。接著，第四場隔離區(qū)448形成于第二輕摻雜井區(qū)414及第三輕摻雜井區(qū)416之間的第三接合面422上，并位于第五重摻雜區(qū)438與第三重摻雜區(qū)434之間。然后，第五場隔離區(qū)450形成于第三輕摻雜井區(qū)416內，并位于第三重摻雜區(qū)434及第四重摻雜區(qū)436之間。
接著，參考圖6，圖6是表示圖5中具有控制N井保護環(huán)結構414的具有第一導電性連結修正橫向硅控整流器410的電路布局示意圖。參考標號502為電阻電容電路500中的電阻器，參考標號504為電阻電容電路500中的電容器。在本發(fā)明的實施例中，電阻電容電路500可以控制開關470的狀態(tài)(開或是關)并進一步控制N井保護環(huán)414的作用。在本發(fā)明的實施例中，開關470可以是金氧半導體晶體管。其開關470與電阻電容電路500之間電性耦接并且開關470的一端點480與位于底材內的第五重摻雜區(qū)438電性耦接。此外，電阻電容電路500分別與第一節(jié)點460及第三節(jié)點490之間電性耦接。
如同具有控制N保護環(huán)結構的具有第一導電性連結修正橫向硅控整流器310一樣，在正常操作時，若有一過大電壓施于具有控制N井保護環(huán)的具有第一導電性連結橫向修正硅控整流器410而使其被引發(fā)，由于電阻電容電路500的反應速度跟得上正常操作的電壓上升速度，其開關470的狀態(tài)則會開啟而成為低阻抗，使得高電位可以經由高壓焊墊傳送至金氧半導體晶體管470，再傳送至N井保護環(huán)414，并使得N井保護環(huán)414可以收集由第三節(jié)點490傳送至第一節(jié)點460的電子而抑制正回饋的發(fā)生，避免此硅控整流器進入維持區(qū)間，進而改善功率摧毀免疫能力；若在靜電放電情形時，由于電阻電容電路500的啟動速度跟不上靜電放電的速度，因此，開關470來不及開啟而呈現(xiàn)高阻抗狀態(tài)，換言之，N井保護環(huán)就呈現(xiàn)浮動狀態(tài)而不會收集任何電子，因而正回饋就不會被抑制，此硅控整流器就可以順利進入維持區(qū)間，因此不會降低靜電放電的防護能力。
此外，在本發(fā)明的一實施例中，第一節(jié)點460與第二節(jié)點482可以分別電性耦接于不同的電壓。因此，具有N井保護環(huán)的具有第一導電性連結修正橫向硅控整流器410，可以藉由不同的應用電壓來控制。另外，在本發(fā)明的另一個實施例中，第二節(jié)點482可以與第一節(jié)點460電性耦接，使得第一節(jié)點460與第二節(jié)點482電性耦接于一個應用電壓。因此，具有N井保護環(huán)的具有第一導電性連結修正橫向硅控整流器410可以由單一一個應用電壓來控制。
當然，本技術領域中的普通技術人員應當認識到，以上的實施例僅是用來說明本發(fā)明，而并非用作為對本發(fā)明的限定，只要在本發(fā)明的實質精神范圍內，對以上所述實施例的變化、變型都將落在本發(fā)明權利要求書的范圍內。
權利要求
1.一種具有控制保護環(huán)的硅控整流器，其特征在于，包括一具有第一導電性連結修正橫向硅控整流器，包括具有一第二導電性的一第一輕摻雜井區(qū)及具有該第一導電性的一第二輕摻雜井區(qū)位于具有該第一導電性的一底材內，其中該第二輕摻雜井區(qū)鄰近于該第一輕摻雜井區(qū)，且該第二導電性與該第一導電性相反；一第一節(jié)點，電性耦接于具有該第二導電性的一第一重摻雜區(qū)及具有該第一導電性的該第二重摻雜區(qū)，其中每一該重摻雜區(qū)的濃度高于每一該輕摻雜井區(qū)；一第二節(jié)點，電性耦接于該具有該第一導電性的一第四重摻雜區(qū)及具有該第二導電性的該第三重摻雜區(qū)，其中該第二節(jié)點與該第一節(jié)點的電性相反；一控制保護環(huán)，位于該第一輕摻雜井區(qū)；一開關，具有一第一端點及一第二端點，其中該第一端點電性耦接于該第一重摻雜區(qū)及該第二端點電性耦接于該控制保護環(huán)；以及一控制電路，電性耦接于該開關。
2.如權利要求1所述的具有控制保護環(huán)的硅控整流器，其特征在于，該第一節(jié)點為一陽極。
3.如權利要求1所述的具有控制保護環(huán)的硅控整流器，其特征在于，該第二節(jié)點為一陰極。
4.一種具有控制保護環(huán)的硅控整流器，其特征在于，包括一具有第一導電性連結修正橫向硅控整流器，包括具有一第二導電性的一第一輕摻雜井區(qū)、具有該第二導電性的一第二輕摻雜井區(qū)及具有該第一導電性的一第三輕摻雜井區(qū)位于具有該第一導電性的一底材內，其中，該第三輕摻雜井區(qū)鄰近于該第二輕摻雜井區(qū)，且該第二導電性與該第一導電性相反；一第一節(jié)點，電性耦接于具有一第二導電性的一第一重摻雜區(qū)及電性耦接于具有該第一導電性的該第二重摻雜區(qū)，其中，每一該重摻雜區(qū)的濃度高于每一該輕摻雜井區(qū)；一開關，具有一端點，其中該端點電性耦接于該第五重摻雜區(qū)；一第二節(jié)點，電性耦接于該開關，其中，該第二節(jié)點與該第一節(jié)點的電性相同；一第三節(jié)點，電性耦接于具有該第一導電性的一第四重摻雜區(qū)及電性耦接于具有該第二導電性的該第三重摻雜區(qū)，其中，該第三節(jié)點與該第一節(jié)點及該第二節(jié)點的該電性相反；以及一控制電路，電性耦接于該開關。
5.如權利要求4所述的具有控制保護環(huán)的硅控整流器，其特征在于，所述的第一節(jié)點與該第二節(jié)點為一陽極。
6.如權利要求5所述的具有控制保護環(huán)的硅控整流器，其特征在于，所述的第一節(jié)點與該第二節(jié)點分別電性耦接于不同的應用電壓。
7.如權利要求5所述的具有控制保護環(huán)的硅控整流器，其特征在于，所述的第二節(jié)點電性耦接于該第一節(jié)點，使得該第一節(jié)點與該第二節(jié)點電性耦接于一個應用電壓。
8.如權利要求4所述的具有控制保護環(huán)的硅控整流器，其特征在于，所述的第三節(jié)點為一陰極。
9.一種具有控制保護井環(huán)的硅控整流器，其特征在于，包括一底材具有一第一導電性，具有一第二導電性的一第一輕摻雜井區(qū)、具有該第二導電性的一第二輕摻雜井區(qū)及具有該第一導電性的一第三輕摻雜井區(qū)位于該底材內并鄰近于該第二輕摻雜井區(qū)，其中，該第二導電性與該第一導電性相反；具有該第二導電性的一第一重摻雜區(qū)位于該第一輕摻雜井區(qū)內；具有該第一導電性的一第二重摻雜區(qū)位于該第一輕摻雜井區(qū)內；具有該第二導電性的一第三重摻雜區(qū)位于該第三輕摻雜井區(qū)內；具有該第一導電性的一第四重摻雜區(qū)位于該第三輕摻雜井區(qū)內；具有該第二導電性的一第五重摻雜區(qū)位于該第二輕摻雜井區(qū)內；具有該第一導電性的一第六重摻雜區(qū)位于該底材與該第一輕摻雜井區(qū)之間，使得具有該第六重摻雜區(qū)與部份該第一輕摻雜井區(qū)及該底材重疊；一第一節(jié)點，電性耦接于該第一重摻雜區(qū)及電性耦接于該第二重摻雜區(qū)；一開關，具有一端點，其中，該端點電性耦接于該第五重摻雜區(qū)；一第二節(jié)點，電性耦接于該開關；一控制電路，電性耦接于該開關；以及一第三節(jié)點，電性耦接于該第三重摻雜區(qū)及電性耦接于該第四重摻雜區(qū)。
10.如權利要求9所述的具有控制保護環(huán)的硅控整流器，其特征在于，所述的第二輕摻雜井區(qū)為一控制保護井環(huán)。
11.如權利要求9所述的具有控制保護環(huán)的硅控整流器，其特征在于，所述的控制電路為一電阻電容電路。
12.如權利要求11所述的具有控制保護環(huán)的硅控整流器，其特征在于，所述的控制電路控制該開關。
全文摘要
本發(fā)明提供一種具有防護環(huán)控制電路的具有第一導電性連結修正橫向硅控整流器，它利用控制電路，如開關控制具有第一導電性連結修正橫向硅控整流器。在正常操作時，開關為低阻抗以使保護環(huán)呈現(xiàn)短路于高電位并且收集電子以增加功率摧毀免疫能力。此外，在靜電放電的情形時，開關為高阻抗使得保護環(huán)沒有任何作用。因此，具有保護控制電路的具有第一導電性連結修正橫向硅控整流器可以同時增加靜電放電效能以及在高壓焊墊的應用中增加功率摧毀免疫能力。
文檔編號H01L29/74GK1464565SQ0212469
公開日2003年12月31日 申請日期2002年6月21日 優(yōu)先權日2002年6月21日
發(fā)明者賴純祥, 劉孟煌, 蘇醒, 盧道政 申請人:旺宏電子股份有限公司