專利名稱：利用硅控整流器的靜電放電保護(hù)電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種利用硅控整流器的靜電放電保護(hù)電路，具體地說，是一種防止因靜電放電所造成的暫態(tài)高電壓，對(duì)組件造成損害的保護(hù)電路。
利用金屬氧化硅技術(shù)所制造的設(shè)備尤其被懷疑因ESD而造成損害。這些設(shè)備僅有非常少量的串聯(lián)電阻介于輸入焊接點(diǎn)與裝置上的主動(dòng)電路之間。這些小的串聯(lián)電阻允許暫態(tài)的大電壓通過，造成大電流在很短的時(shí)間內(nèi)流經(jīng)主動(dòng)電路。通常這些暫態(tài)電壓會(huì)對(duì)設(shè)備的主動(dòng)電路造成嚴(yán)重的傷害。
因?yàn)镋SD對(duì)集成電路所造成的傷害可依賴電路的設(shè)計(jì)，去防止ESD所造成的影響。由于集成電路在電路制造過程特別容易受到ESD的損害，因此有很大的可能性會(huì)因單一集成電路的損害而造成整體電子設(shè)備無法工作。而這種對(duì)完全制造好的設(shè)備所需的修復(fù)工作通常是乏味且所花費(fèi)不用很高。然而，在集成電路中內(nèi)建可消除ESD的機(jī)制即可避免此種損害。
對(duì)于使用CMOS技術(shù)的裝置而言，利用硅控整流器(semiconductorcontrolled rectifier，SCR)對(duì)于防止ESD是一種理想的解決方案。SCR依藉所有CMOS電路原本就有的寄生橫向PNPN結(jié)構(gòu)提供了ESD結(jié)構(gòu)。SCR可鎖定一電壓，該電壓比損害MOS柵極氧化層所需的電壓還要低，而且SCR還有另一項(xiàng)優(yōu)點(diǎn)，那就適當(dāng)導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)，在集成電路所產(chǎn)生的熱會(huì)平均分布在很大的體積上。這種稱作橫向SCR(lateral SCR，LSCR)的SCR結(jié)構(gòu)被描述于美國(guó)專利5,012,317中。
參考

圖1-1為該美國(guó)專利的ESD保護(hù)裝置剖面圖，而該裝置相對(duì)應(yīng)的電路示意圖如圖1-2所示。在該習(xí)知技術(shù)的裝置中，包括PNPN型式裝置的SCR形式ESD保護(hù)裝置被置于輸入焊接點(diǎn)16與接地之間。該裝置包括一P型基底層10，而一N型井區(qū)11形成于其中；一第一P+區(qū)域或稱井區(qū)13，被置于該N型井區(qū)11中；以及一第一N+區(qū)域14，被置于該P(yáng)型基底層10以連接至接地。為了控制正向暫態(tài)，該裝置依藉雪崩介于N型井區(qū)11與P型基底層10之間的PN接面17進(jìn)入再生模式。
一順偏二極管被提供以控制負(fù)向暫態(tài)，該二極管包括在P型基底層10的一第二P+區(qū)域15，以連通介于該第一N+區(qū)域14與該P(yáng)型基底層10的PN接面18；一第二N+區(qū)域12，置于該N型井區(qū)11中，以連通介于該N型井區(qū)11與該第一P+層13的PN接面19。
在操作上，正向暫態(tài)造成電流流經(jīng)P+區(qū)域13，以倍增介于N型井區(qū)11與P型基底層10的PN接面17；而后電流經(jīng)由PN接面18由P型基底層10流至N+區(qū)域14到接地。而在反向暫態(tài)模式下，電流自接地由第二P+區(qū)域15流至P型基底層10；在此模式下，電流從P型基底層10，經(jīng)由PN接面17流至N型井區(qū)11，且經(jīng)由N型區(qū)域12至焊接點(diǎn)16。
習(xí)知技術(shù)的SCR形式ESD保護(hù)裝置有效的保護(hù)集成電路，避免因靜電放電所產(chǎn)生的高暫態(tài)電壓與大電流對(duì)電路所造成的傷害。然而，該習(xí)知技術(shù)的ESD保護(hù)裝置仍有一些缺點(diǎn)，包括高觸發(fā)電壓、導(dǎo)通時(shí)間慢、以及導(dǎo)通電壓對(duì)制作工藝流程變異很敏銳。習(xí)知技術(shù)的ESD保護(hù)裝置也缺乏對(duì)不同I/O應(yīng)用的可調(diào)性(tunability)。本發(fā)明借助提供內(nèi)建一可變串連電阻的SCR裝置排除習(xí)知技術(shù)的缺點(diǎn)，該可變串連電阻存在于N型井區(qū)或P型基底連接處，詳述如后。
本發(fā)明的技術(shù)解決方案是參照美國(guó)專利5,012,317的LSCR結(jié)構(gòu)，在N井區(qū)或P型基底提供SCR裝置一個(gè)可變串聯(lián)電阻，并借助調(diào)整該串聯(lián)電阻的阻值，達(dá)到保護(hù)電路的SCR效能的最佳化。
根據(jù)本發(fā)明的一種利用硅控整流器的靜電放電保護(hù)電路，置于一節(jié)點(diǎn)與一參考電位間，包括一第一導(dǎo)電形式的淡摻雜半導(dǎo)體材料的第一區(qū)域，其中該第一區(qū)域形成具有一上表面的一基體；一第二導(dǎo)電形式的淡摻雜半導(dǎo)體材料的第二區(qū)域，該第二區(qū)域置于該第一區(qū)域的該上表面；
一第一導(dǎo)電形式的濃摻雜半導(dǎo)體材料的第三區(qū)域，該第三區(qū)域置于該第二區(qū)域的該上表面，其中該第三區(qū)域電性連接至該節(jié)點(diǎn)；一第二導(dǎo)電形式的濃摻雜半導(dǎo)體材料的第四區(qū)域，該第四區(qū)域置于該第一區(qū)域的該上表面，其中該第四區(qū)域電性連接至該參考電位；一第二導(dǎo)電形式的濃摻雜半導(dǎo)體材料的第五區(qū)域，該第五區(qū)域置于該第二區(qū)域的該上表面；一第一導(dǎo)電形式的濃摻雜半導(dǎo)體材料的第六區(qū)域，該第六區(qū)域置于該第一區(qū)域的該上表面，其中該第六區(qū)域電性連接至該參考電位；特點(diǎn)是，還有一電阻，其具有連接至該節(jié)點(diǎn)的一第一端點(diǎn)，以及連接至該第五區(qū)域的一第二端點(diǎn)。
所說的第一導(dǎo)電形式為P型，該第二導(dǎo)電形式為N型；所說的電阻為可變電阻；可利用聚焦陽離子光束所形成；也可利用激光所形成；所說的節(jié)點(diǎn)為一集成電路的一焊接點(diǎn)，該參考電位為接地。
根據(jù)本發(fā)明與上述的技術(shù)方案屬于的同一發(fā)明構(gòu)思，還提供另一種利用硅控整流器的靜電放電保護(hù)裝置，置于一節(jié)點(diǎn)與一參考電位間，包括一第一導(dǎo)電形式的淡摻雜半導(dǎo)體材料的第一區(qū)域，其中該第一區(qū)域形成具有一上表面的一基體；一第二導(dǎo)電形式的淡摻雜半導(dǎo)體材料的第二區(qū)域，該第二區(qū)域置于該第一區(qū)域的該上表面；一第一導(dǎo)電形式的濃摻雜半導(dǎo)體材料的第三區(qū)域，該第三區(qū)域置于該第二區(qū)域的該上表面，其中該第三區(qū)域電性連接至該節(jié)點(diǎn)；一第二導(dǎo)電形式的濃摻雜半導(dǎo)體材料的第四區(qū)域，該第四區(qū)域置于該第一區(qū)域的該上表面，其中該第四區(qū)域電性連接至該參考電位；一第二導(dǎo)電形式的濃摻雜半導(dǎo)體材料的第五區(qū)域，該第五區(qū)域置于該第二區(qū)域的該上表面；
一第一導(dǎo)電形式的濃摻雜半導(dǎo)體材料的第六區(qū)域，該第六區(qū)域置于該第一區(qū)域的該上表面；特點(diǎn)是，還有一電阻，其具有連接至該節(jié)點(diǎn)的參考電位端點(diǎn)，以及連接至該第六區(qū)域的一第二端點(diǎn)。所說的第一導(dǎo)電形式為P型，該第二導(dǎo)電形式為N型；所說的電阻為可變電阻；其可利用一聚焦陽離子光束所形成；也可利用一雷射所形成；所說的節(jié)點(diǎn)為一集成電路的一焊接點(diǎn)，該參考電位為接地。
根據(jù)本發(fā)明與上述的技術(shù)方案屬于的同一發(fā)明構(gòu)思，還提供另一種利用硅控整流器的靜電放電保護(hù)電路，置于一節(jié)點(diǎn)與一參考電位間，包括一PNPN型式裝置，置于一輸入焊接點(diǎn)與接地之間，其中該P(yáng)NPN型式裝置包括一P型基底層，一N型井區(qū)，一P+區(qū)域，置于鄰接該P(yáng)+區(qū)域的一第一N+區(qū)域，與連接至該參考電位的一第二N+區(qū)域；其特征在于，還有一電阻，具有連接至該節(jié)點(diǎn)的一第一端點(diǎn)，以及連接至該第一N+區(qū)域的一第二端點(diǎn)。
所說的電阻為可變電阻；其可利用一聚焦陽離子光束所形成；也可利用一雷射所形成；所說的節(jié)點(diǎn)為一集成電路的一焊接點(diǎn)，該參考電位為接地。
本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)是具有顯著的技術(shù)進(jìn)步，由于在ESD保護(hù)裝置的輸入焊接點(diǎn)與第二N+區(qū)域之間或在第二P+區(qū)域與接地之間設(shè)置一可變電阻，達(dá)到最佳化的保護(hù)，該電阻改善了導(dǎo)通特性，并且降低了裝置的觸發(fā)電壓。
本發(fā)明諸多優(yōu)點(diǎn)部分還將詳細(xì)描述于如后的說明書中。
圖2-2為本發(fā)明SCR形式的ESD保護(hù)裝置示意圖；圖3為傳統(tǒng)SCR形式的ESD保護(hù)裝置與本發(fā)明SCR形式的ESD保護(hù)裝置的I-V特性曲線圖；以及圖4為本發(fā)明SCR形式的ESD保護(hù)裝置的第二實(shí)施例剖面圖。圖中符號(hào)說明1～習(xí)知技術(shù)ESD保護(hù)裝置；2～本發(fā)明第一實(shí)施例ESD保護(hù)裝置；3～本發(fā)明第二實(shí)施例ESD保護(hù)裝置；10～P型基底層；11～N型井區(qū)；12～第二N+區(qū)域；13～第一P+區(qū)域；14～第一N+區(qū)域；15～第二P+區(qū)域；16～焊接點(diǎn)；17～PN接面；18～PN接面；19～PN接面；20～P型基底層；21～N型井區(qū)；22～第二N+區(qū)域；23～第一P+層；24～第一N+區(qū)域；25～第二P+區(qū)域；26～串聯(lián)電阻；
27～輸入焊接點(diǎn)；28～PN接面；29～PN接面；30～曲線；31～曲線；32～曲線；40～P型基底層；41～N井區(qū)；42～第二N+區(qū)域；43～第一P+區(qū)域；44～第一N+區(qū)域；45～串聯(lián)電阻；46～第二P+區(qū)域；47～焊接點(diǎn)；48～PN接面；49～PN接面；60～PN接面；61～PN接面；200～晶體管；以及201～晶體管。
類似于圖1-1中習(xí)知技術(shù)的裝置，負(fù)向暫態(tài)是由ESD保護(hù)電路中的順偏二極管所控制。該二極管包括由P型基底層所提供的一第二P+區(qū)域25，以通過介于第一N+區(qū)域24與P型基底層20的PN接面29；一N型材料的第二N+區(qū)域22，置于N型井區(qū)21，以通過介于N型井區(qū)21與第一P+層23的PN接面60。在反向暫態(tài)模式下，電流自接地經(jīng)由第二P+區(qū)域25流至P型基底層20；在此模式下，電流自P型基底層20經(jīng)由PN接面28流至N型井區(qū)21，且經(jīng)由N+區(qū)域22流至焊接點(diǎn)27。
本發(fā)明的ESD防護(hù)電路不同于習(xí)知技術(shù)的裝置，依藉外加一可調(diào)、串聯(lián)電阻26在焊接點(diǎn)27與第二N+區(qū)域22之間。在正向暫態(tài)模式下，PN當(dāng)接面28崩潰時(shí)，許多電子和電穴對(duì)隨之產(chǎn)生。電子流經(jīng)由串聯(lián)電阻26流至N+區(qū)域22；同樣地，電穴流經(jīng)由P型基底電阻Rp-sub流至P+區(qū)域25。電子和電穴流藉由順偏NPN和PNP晶體管的基極射極接面，活化NPN和PNP雙載子晶體管。串聯(lián)電阻26減少了對(duì)P+區(qū)域23和N井區(qū)順偏所需時(shí)間。因此，PNP晶體管可比習(xí)知技術(shù)中的裝置更快被導(dǎo)通。再者，本發(fā)明的裝置相較于習(xí)知技術(shù)展現(xiàn)了更優(yōu)異的ESD效能。
串聯(lián)電阻26提供了本發(fā)明ESD保護(hù)電路一些習(xí)知技術(shù)的裝置所未提及的優(yōu)點(diǎn)。由于電阻26的緣故，ESD裝置展現(xiàn)了低觸發(fā)電壓的優(yōu)點(diǎn)。舉例來說，在極端況下，串聯(lián)電阻26可大到使焊接點(diǎn)27與N+區(qū)域22間的路徑為開路的狀態(tài)；而PNP晶體管的開路基極崩潰電壓BVCEO可由下列關(guān)系式表示BVCEO=BVCEO(βO)1n]]>其中β0為在低集電極偏壓下的共射極電流增益，其中乘法因子是單一的。舉例來說，如果共射極電流增益是100，則開路基極崩潰電壓將會(huì)約為開路射極崩潰電壓的三分之一。因此，在本發(fā)明中，增加電阻RA的阻值，意即增加串聯(lián)電阻26的阻值，將隨之減少崩潰電壓。就另一量化的例子，在傳統(tǒng)CMOS技術(shù)0.5μM制作過程中，BVCEO或N井區(qū)與P基底區(qū)域的崩潰電壓大約為30至50V。NPN晶體管的β電流增益約為20至150，而n的值約為1到2之間。
串聯(lián)電阻26也降低了導(dǎo)通SCR裝置所需的時(shí)間。由于電阻26可有效率地降低觸發(fā)電壓，所以較小的電流即可觸發(fā)SCR至導(dǎo)通模式(″ON″mode)。因此本發(fā)明的SCR裝置比傳統(tǒng)LSCR裝置有較快的導(dǎo)通特性；此優(yōu)點(diǎn)對(duì)于充電裝置模式ESD(charged-device-model-ESD，CDM-ESD)的應(yīng)用尤其實(shí)用。由于CDM-ESD比原本靜電放電能量有較快的波形，習(xí)知的SCR裝置通常無法進(jìn)入″ON″模式，以防止CDM-ESD。通常這種形式的放電在傳統(tǒng)SCR裝置被激活前，會(huì)造成電路組件的損害。然而本發(fā)明的SCR裝置由于具有低觸發(fā)電壓與快速導(dǎo)通時(shí)間，因此能更有效的防止快速波形如CDM-ESD。
本發(fā)明ESD保護(hù)電路的串聯(lián)電阻26的更進(jìn)一步優(yōu)點(diǎn)根源于該電阻的可調(diào)性。串聯(lián)電阻26被設(shè)計(jì)成一可變電阻，該可變電阻在晶圓制作后可被調(diào)整，而該晶圓是ESD保護(hù)電路所在之處。因此，根據(jù)所需的觸發(fā)電壓位準(zhǔn)、導(dǎo)通速度、以及ESD效能，電阻26可被修正以提供ESD保護(hù)電路所需的特性。電阻26可依藉傳統(tǒng)各種不同的方式以調(diào)整其電阻值。這些方式包括利用激光，如商用FA工具激光切割器(commercial FA tool-laser cutter)或聚焦離子光束(focused ion beam)。當(dāng)所有制作集成電路的制造過程皆已完成后，這些方式可被用來調(diào)整電阻26的電阻值。
圖2-2為本發(fā)明圖2-1第一實(shí)施例的電路示意圖。如圖2-2所示，電阻26與N井區(qū)21所提供的電阻串聯(lián)；晶體管200是由P+區(qū)域23、N井區(qū)21、以及P基底層20所形成的PNP接面而形成；圖2-2中的N井區(qū)21以及P基底層20由他們所形成的電阻組件來表示。晶體管201是由N+區(qū)域22、N井區(qū)21、P基底20以及N+區(qū)域24所形成的NPN接面而形成；圖2-2中的N井區(qū)21以及P基底層20由他們所形成的電阻組件來表示。
圖3為傳統(tǒng)SCR形式的ESD保護(hù)裝置與本發(fā)明SCR形式的ESD保護(hù)裝置的I-V特性曲線圖。曲線30代表傳統(tǒng)SCR形式的ESD保護(hù)裝置在未加入串聯(lián)電阻26的I-V曲線；而曲線31與32分別代表本發(fā)明SCR形式的ESD保護(hù)裝置在串聯(lián)電阻26被設(shè)計(jì)為RA1與RA2時(shí)的I-V曲線，其中RA1＞RA2。如圖3所示，用來操作ESD保護(hù)電路的觸發(fā)電壓會(huì)隨著串聯(lián)電阻26的電阻值增加而減小。
圖4為本發(fā)明SCR形式的ESD保護(hù)裝置的第二實(shí)施例剖面圖。類似于第一實(shí)施例ESD保護(hù)電路裝置，本發(fā)明的第二實(shí)施例包括SCR形式裝置，該裝置包括介于輸入焊接點(diǎn)47與接地之間的PNPN結(jié)構(gòu)。該裝置包括形成于P型基底層40的N井區(qū)41；一第一P+區(qū)域43置于N井區(qū)41中；以及一第一N+區(qū)域44置于P型基底層40中以連接至接地。而PNPN接面由第一P+區(qū)域43、N井區(qū)41、P型基底層40所構(gòu)成；第一N+區(qū)域44依藉進(jìn)入再生模式控制正向暫態(tài)。當(dāng)正向暫態(tài)造成電流流經(jīng)P+區(qū)域43，以倍增介于N井區(qū)41與P型基底層40的PN接面48時(shí)，裝置會(huì)進(jìn)入再生模式。電流隨后自P型基底層40經(jīng)由PN接面49流至N+區(qū)域44到接地。
類似圖2-1的裝置，負(fù)向暫態(tài)依賴ESD保護(hù)電路所提供的順偏二極管而被控制。該二極管包括在P型基底層的一第二P+區(qū)域46，以通過介于該第一N+區(qū)域44與該P(yáng)型基底層40的PN接面49；一第二N+區(qū)域42，置于該N型井區(qū)41中，以通過介于該N型井區(qū)41與該第一P+層43的PN接面61。在反向暫態(tài)模式下，電流自接地由第二P+區(qū)域46流至P型基底層40；在此模式下，電流從P型基底層40，經(jīng)由PN接面48流至N型井區(qū)41，且經(jīng)由N型區(qū)域42至焊接點(diǎn)47。
在第二實(shí)施例中，串聯(lián)電阻45被置于第二P+區(qū)域46與接地之間。在此實(shí)施例中，Rp-sub被更改為相對(duì)于第一實(shí)施例的RV WEII。
本發(fā)明雖以較佳實(shí)施例公開如上，然而它不是用來限定本發(fā)明，任何熟習(xí)此項(xiàng)制造工藝者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可做些許的更動(dòng)與潤(rùn)飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以本專利申請(qǐng)所界定的范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種利用硅控整流器的靜電放電保護(hù)電路，置于一節(jié)點(diǎn)與一參考電位間，包括一第一導(dǎo)電形式的淡摻雜半導(dǎo)體材料的第一區(qū)域，其中該第一區(qū)域形成具有一上表面的一基體；一第二導(dǎo)電形式的淡摻雜半導(dǎo)體材料的第二區(qū)域，該第二區(qū)域置于該第一區(qū)域的該上表面；一第一導(dǎo)電形式的濃摻雜半導(dǎo)體材料的第三區(qū)域，該第三區(qū)域置于該第二區(qū)域的該上表面，其中該第三區(qū)域電性連接至該節(jié)點(diǎn)；一第二導(dǎo)電形式的濃摻雜半導(dǎo)體材料的第四區(qū)域，該第四區(qū)域置于該第一區(qū)域的該上表面，其中該第四區(qū)域電性連接至該參考電位；一第二導(dǎo)電形式的濃摻雜半導(dǎo)體材料的第五區(qū)域，該第五區(qū)域置于該第二區(qū)域的該上表面；一第一導(dǎo)電形式的濃摻雜半導(dǎo)體材料的第六區(qū)域，該第六區(qū)域置于該第一區(qū)域的該上表面，其中該第六區(qū)域電性連接至該參考電位；其特征在于，還有一電阻，其具有連接至該節(jié)點(diǎn)的一第一端點(diǎn)，以及連接至該第五區(qū)域的一第二端點(diǎn)。
2.如權(quán)利要求1所述的利用硅控整流器的靜電放電保護(hù)電路，其特征在于，所述的第一導(dǎo)電形式為P型，該第二導(dǎo)電形式為N型。
3.如權(quán)利要求1所述的利用硅控整流器的靜電放電保護(hù)電路，其特征在于，所述的電阻為可變電阻。
4.如權(quán)利要求1所述的利用硅控整流器的靜電放電保護(hù)電路，其特征在于，所述的電阻利用聚焦陽離子光束所形成。
5.如權(quán)利要求1所述的利用硅控整流器的靜電放電保護(hù)電路，其特征在于，所述的電阻利用激光所形成。
6.如權(quán)利要求1所述的利用硅控整流器的靜電放電保護(hù)電路，其特征在于，所述的節(jié)點(diǎn)為一集成電路的一焊接點(diǎn)，該參考電位為接地。
7.一種利用硅控整流器的靜電放電保護(hù)裝置，置于一節(jié)點(diǎn)與一參考電位間，包括一第一導(dǎo)電形式的淡摻雜半導(dǎo)體材料的第一區(qū)域，其中該第一區(qū)域形成具有一上表面的一基體；一第二導(dǎo)電形式的淡摻雜半導(dǎo)體材料的第二區(qū)域，該第二區(qū)域置于該第一區(qū)域的該上表面；一第一導(dǎo)電形式的濃摻雜半導(dǎo)體材料的第三區(qū)域，該第三區(qū)域置于該第二區(qū)域的該上表面，其中該第三區(qū)域電性連接至該節(jié)點(diǎn)；一第二導(dǎo)電形式的濃摻雜半導(dǎo)體材料的第四區(qū)域，該第四區(qū)域置于該第一區(qū)域的該上表面，其中該第四區(qū)域電性連接至該參考電位；一第二導(dǎo)電形式的濃摻雜半導(dǎo)體材料的第五區(qū)域，該第五區(qū)域置于該第二區(qū)域的該上表面；一第一導(dǎo)電形式的濃摻雜半導(dǎo)體材料的第六區(qū)域，該第六區(qū)域置于該第一區(qū)域的該上表面；其特征在于，還有一電阻，其具有連接至該節(jié)點(diǎn)的參考電位端點(diǎn)，以及連接至該第六區(qū)域的一第二端點(diǎn)。
8.如權(quán)利要求7所述的利用硅控整流器的靜電放電保護(hù)電路，其特征在于，所述的第一導(dǎo)電形式為P型，該第二導(dǎo)電形式為N型。
9.如權(quán)利要求7所述的利用硅控整流器的靜電放電保護(hù)電路，其特征在于，所述的電阻為可變電阻。
10.如權(quán)利要求7所述的利用硅控整流器的靜電放電保護(hù)電路，其特征在于，所述的電阻為利用一聚焦陽離子光束所形成。
11.如權(quán)利要求7所述的利用硅控整流器的靜電放電保護(hù)電路，其特征在于，所述的電阻利用一雷射所形成。
12.如權(quán)利要求7所述的利用硅控整流器的靜電放電保護(hù)電路，其特征在于，所述的節(jié)點(diǎn)為一集成電路的一焊接點(diǎn)，該參考電位為接地。
13.一種利用硅控整流器的靜電放電保護(hù)電路，置于一節(jié)點(diǎn)與一參考電位間，包括一PNPN型式裝置，置于一輸入焊接點(diǎn)與接地之間，其中該P(yáng)NPN型式裝置包括一P型基底層，一N型井區(qū)，一P+區(qū)域，置于鄰接該P(yáng)+區(qū)域的一第一N+區(qū)域，與連接至該參考電位的一第二N+區(qū)域；其特征在于，還有一電阻，具有連接至該節(jié)點(diǎn)的一第一端點(diǎn)，以及連接至該第一N+區(qū)域的一第二端點(diǎn)。
14.如權(quán)利要求13所述的利用硅控整流器的靜電放電保護(hù)電路，其特征在于，所述的電阻為可變電阻。
15.如權(quán)利要求13所述的利用硅控整流器的靜電放電保護(hù)電路，其特征在于，所述的電阻為利用一聚焦陽離子光束所形成。
16.如權(quán)利要求13所述的利用硅控整流器的靜電放電保護(hù)電路，其特征在于，所述的電阻為利用一雷射所形成。
17.如權(quán)利要求13所述的利用硅控整流器的靜電放電保護(hù)電路，其特征在于，所述的節(jié)點(diǎn)為一集成電路的一焊接點(diǎn)，該參考電位為接地。
全文摘要
一種利用硅控整流器的靜電放電保護(hù)電路，該電路包括一P型基底層，含一N型井區(qū)，一第一P+層，置于N型井區(qū)中；和一第一N+層，置于P型基底層中以連接至接地。為了控制正向暫態(tài)，該裝置依助雪崩介于N型井區(qū)與P型基底層之間的PN接面進(jìn)入再生模式。還有一順偏二極管控制負(fù)向暫態(tài)，該二極管包括在P型基底層的一第二P+區(qū)域，以通過介于該第一N+區(qū)域與該P(yáng)型基底層的PN接面；一第二N+區(qū)域，置于該N型井區(qū)中，以通過介于該N型井區(qū)與該第一P+層的PN接面；一可變電阻被置于輸入焊接點(diǎn)與第二N+區(qū)域之間，以最佳化ESD保護(hù)裝置的效能；該電阻改善了導(dǎo)通特性，并且降低了裝置的觸發(fā)電壓。
文檔編號(hào)H01L27/00GK1447488SQ0210811
公開日2003年10月8日 申請(qǐng)日期2002年3月26日 優(yōu)先權(quán)日2002年3月26日
發(fā)明者蘇源茂, 俞大立 申請(qǐng)人:華邦電子股份有限公司