專利名稱：制作封裝輸出輸入端點的方法以及其結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種半導(dǎo)體封裝方法以及結(jié)構(gòu)，特別是有關(guān)于一種制作封裝輸出輸入端點的方法以及其結(jié)構(gòu)。


圖1A至圖1L所示為制作導(dǎo)電球體的先前技術(shù)。參照圖1A，首先形成一氮化矽層102于一具有復(fù)數(shù)個晶敉(die)及鋁墊101的半導(dǎo)體晶圓100上。鋁墊101供做晶粒與外界的輸入/輸出電性連接。氮化矽層102用以提供半導(dǎo)體晶圓100的表面絕緣及保護(hù)其上元件電路。圖案蝕刻此氮化矽層102，以于每一鋁墊101上方形成一開口。參照圖1B，接著形成一感光型聚乙酰胺膜層(polyimide)103于氮化矽層102上。利用圖案蝕刻方式將位于鋁墊101上方的感光型聚乙酰胺膜層103移除，以形成一窗口。參照圖1C，形成一銅種子層104于感光型聚乙酰胺膜層103上。接著，如圖1D所示，形成光阻圖案105于銅種子層104上，使用光阻圖案105做為一罩幕，經(jīng)曝光、顯影后，以電鍍方式沉積銅金屬層于未被光阻圖案105遮住的半導(dǎo)體晶圓100上方，形成導(dǎo)線連接圖案以重新分布導(dǎo)電通道(redistribution)106，以提供每一鋁墊101的輸入/輸出電性連接。之后，如圖1F所示移除光阻圖案105。參照圖1G，形成另一光阻圖案107于半導(dǎo)體晶圓100上方，使用光阻圖案107做為一罩幕，經(jīng)曝光、顯影后，以電鍍方式沉積銅金屬于未被光阻圖案107遮住的部分導(dǎo)線圖案106，以形成復(fù)數(shù)個銅柱(cu post)108于導(dǎo)線圖案106上，如圖1H所示。每一銅柱108電性連接至一鋁墊101。參照圖1I，接著，形成銅/鎳擴(kuò)散阻障層109于每一銅柱108上，以防止銅柱108被氧化及發(fā)生銅金屬擴(kuò)散現(xiàn)象。如圖1J所示，移除光阻圖案107。參照圖1K，使用蝕刻罩幕，蝕刻部分的銅種子層104。參照圖11，形成一有機材質(zhì)層110于半導(dǎo)體晶圓100上，并經(jīng)圖案蝕刻，以曝露出每一銅柱108。最后，以傳統(tǒng)植球方式(platingmethod)，于每一銅柱108上的銅/鎳擴(kuò)散阻障層109上方形成于錫球111。如此一來，錫球111耦合至每一晶粒，并提供其與外界做輸入/輸出電性連接。
參照圖1M，上述傳統(tǒng)制作導(dǎo)電球體的方法所形成的封裝結(jié)構(gòu)接合至其印刷電路板(PCB)112時，當(dāng)半導(dǎo)體晶圓100與印刷電路板112經(jīng)熱流(reflow)時，由于村料熱膨脹收縮系數(shù)不一致，在錫球111與銅柱108接面、錫球111與印刷電路板112的銅箔或銅墊片114接面及銅箔或銅墊片114與印刷電路板112接面較易受應(yīng)力作用，產(chǎn)生破裂現(xiàn)象，使半導(dǎo)體封裝元件電阻上升以及品質(zhì)信賴度降低。再者，上述傳統(tǒng)封裝制程使用鋼柱108做為鋁墊101與錫球111的電性連接，銅柱108的制程步驟不僅消耗相當(dāng)大量的電鍍銅金屬，亦使其制程步驟復(fù)雜度提高，因而增加上述傳統(tǒng)封裝制程費用。
據(jù)此，亟待提供一種改良的晶圓型態(tài)封裝方法，以克服上述傳統(tǒng)封裝制程的缺失。
本發(fā)明的另一目的是提供一種制作導(dǎo)電輸出/輸入端點的方法以及結(jié)構(gòu)，其以形成于半導(dǎo)體晶圓上的支撐件代替?zhèn)鹘y(tǒng)封裝結(jié)構(gòu)中的銅柱，以減少封裝制程中銅村質(zhì)的消耗，進(jìn)而降低封裝制程的復(fù)雜度及其費用。
本發(fā)明的又一目的是提供一種制作導(dǎo)電輸出/輸入端點的方法以及結(jié)構(gòu)，其于半導(dǎo)體晶圓上形成具有足夠重宜厚度的支撐件，以代替?zhèn)鹘y(tǒng)封裝結(jié)構(gòu)中的銅柱，并且不須于支撐件上方植球，直接使用支撐件上方的導(dǎo)電線路(metal trace)與外界做電性連接，可節(jié)省植球步驟，以提高封裝制程產(chǎn)能。
根據(jù)以上所述的目的，本發(fā)明提供一種制作封裝輸出/輸入端點的方法。本發(fā)明方法包括提供具有供做輸入/輸出電性連接的復(fù)數(shù)個金屬墊形成于其上方的一半導(dǎo)體晶圓。形成一保護(hù)層于半導(dǎo)體晶圓上，且經(jīng)圖案蝕刻以形成一開口于每一金屬墊上方。形成復(fù)數(shù)個可移動支撐件于保護(hù)層上及形成一導(dǎo)電層于此些支撐件上方。圖案蝕刻此導(dǎo)電層以形成輸入/輸出導(dǎo)電通道布局(I/O redistribution)，其中于每一金屬墊與每一支撐件之間形成一導(dǎo)電線路(metal trace)。形成一絕緣層于半導(dǎo)體晶圓上方，并曝露出每一支撐件上方的導(dǎo)電線路。形成一導(dǎo)電凸塊于每一支撐件上方被曝露的導(dǎo)電線路上。借上述制程步驟，即完成本發(fā)明的封裝輸出/輸入端點制作。本發(fā)明封裝輸出/輸入端點結(jié)構(gòu)中的可變形移動支撐件，在應(yīng)力作用下，可于接著處附近來回變形移動，提供緩沖墊效果，以釋放應(yīng)力以防止導(dǎo)電凸塊(銅箔)與支撐件之間發(fā)生斷裂現(xiàn)象。
圖號說明100半導(dǎo)體晶圓 101鋁墊102氮化矽層 103感光型聚乙酰胺膜層104銅種子層 105光阻圖案106導(dǎo)電通道布局 107光阻圖案108銅柱 109銅/鎳擴(kuò)散阻障層110有機材質(zhì) 111錫球112印刷電路板 114銅箔或銅墊片200半導(dǎo)體晶圓 201金屬墊202保護(hù)層 203支撐件204導(dǎo)電層 205、206擴(kuò)散阻障層
207絕緣層208錫球300光阻借本發(fā)明方法形成支撐件，以取代傳統(tǒng)封裝制程的銅柱，可減少電鍍銅材質(zhì)的消耗，降低封裝制程復(fù)雜度，使封裝制程費用降低。另一方面，可以簡易的方法增加支撐件的垂直厚度，使包覆于支撐件外部的導(dǎo)電復(fù)合層直接與外界做電性連接，而不須要在支撐件上方形成導(dǎo)電凸塊，例如以植球方法形成錫球于支持件上方。因此，可節(jié)省形成導(dǎo)電凸塊的制程步驟，進(jìn)而提高制程產(chǎn)能(throughput)。
本發(fā)明制作封裝輸出/輸入端點的方法將借由以下較佳具體實施例及參照所附圖式，予以詳細(xì)說明。
圖2A至圖2E是本發(fā)明制作封裝輸出/輸入端點方法的第一較全具體實施例各制程步驟截面示意圖。參照圖2A，首先提供一具有復(fù)數(shù)個晶粒(die)(未示出)的半導(dǎo)體晶圓200，其中供做晶粒與外界輸入/輸出電性連接的復(fù)數(shù)個金屬墊201形成于半導(dǎo)體晶圓200上，且金屬墊201材質(zhì)可以是鋁、銅或其合金。參照圖2B，形成一保護(hù)層(passivation layer)202于半導(dǎo)體晶圓200上方，并圖案蝕刻此保護(hù)層202，以形成一開口于每一金屬墊201上方，以曝露出金屬墊201，使其可做電性連接。保護(hù)層202用以提供半導(dǎo)體晶圓200表面平坦度、絕緣及保護(hù)半導(dǎo)體晶圓200上的半導(dǎo)體元件電路。保護(hù)層202可以是二氧化矽層、氮化矽層、聚乙酰胺層(polyimide layer)或BCB層。
參照圖2C，接著，形成復(fù)數(shù)個支撐件(supporting element)2 03于保護(hù)層202上。支撐件203與保護(hù)層202之間不需要有良好的接著性，以使支撐件203受到外力作用時，例如受到后續(xù)步驟因熱脹冷縮所產(chǎn)生的應(yīng)力作用時，可于保護(hù)層202上形變或移動，以釋放作用于其上的外力(應(yīng)力)。支撐件203可以鋼版印刷方法形成于保護(hù)層202上，其材質(zhì)可為綠漆、彈性膠或錫球罩幕材質(zhì)(solder mask material)或軟質(zhì)金屬或合金。亦可以微影蝕刻制程形成光阻材質(zhì)的支撐件203于保護(hù)層202上。任何與保護(hù)層202之間不具良好接著性，可以鋼版印刷方法或微影蝕刻制程制作的材質(zhì)皆適合供做本發(fā)明支撐件202。支撐件202的截面形狀可以是矩形、梯形或倒梯形，視本發(fā)明封裝制程需要而定。
參照圖2D，接著，形成一導(dǎo)電層204于保護(hù)層202上，使其包覆整個支撐件203。圖案蝕刻此導(dǎo)電層204，于保護(hù)層202上形成輸入/輸出導(dǎo)電通道用以重新分布導(dǎo)電線路(I/O redistribution)，使于每一金屬墊201與一支撐件203之間形成一導(dǎo)電線路(metal trace)，以提供金屬墊201與外界的輸入/輸出電性連接。導(dǎo)電層204可以是濺鍍、無電解電鍍或電鍍方法組合沉積形成，也可以是多層金屬組合而成，以達(dá)較佳緩沖及導(dǎo)電效果。以較佳實施例而言，可于圖案蝕刻導(dǎo)電層204以形成重新分布導(dǎo)電線路(I/O redistribution)之前形成一雙重擴(kuò)散阻障層(diffusion barrier dual layer)205及206于導(dǎo)電層204上，以防止導(dǎo)電層204的擴(kuò)散作用及被氧化。然后，圖案蝕刻導(dǎo)電層204及擴(kuò)散阻障層205及206。導(dǎo)電層204可以是一銅金屬層，而其擴(kuò)散阻障層205及206可以是銅/鎳/金層或銅/鎳/鈀層或銅/鎳/銀層或其相關(guān)合金金屬層。此外，導(dǎo)電層204可以是鋁金屬層，而其擴(kuò)散阻障層205及206可以是鈦/氮化矽層或相關(guān)合金。支撐件203可移動地形成于保護(hù)層202上，其移動空間受限于包覆在其外部的導(dǎo)電層204與擴(kuò)散阻障層205及206，而使支撐件203仍被限制于原來的接著處，不會有脫落之虞。
參照圖2E，接著，形成一絕緣層207于保護(hù)層202與輸入/輸出導(dǎo)電通道布局上。圖案蝕刻此絕緣層207以曝露出每一支撐件203上方的導(dǎo)電線路(metal trace)。此絕緣層207較佳具有光感性，其可以是聚乙酰胺、BCB、環(huán)氧樹脂或其它可旋涂(spin coating)、印刷(printing)或?qū)訅悍?laminating)形成的有機材質(zhì)。接下來，形成一導(dǎo)電凸塊208于每一支撐件203上方的導(dǎo)電線路上。導(dǎo)電凸塊208可以是一錫球，可以錫膏印刷步驟形成錫膏于支撐件203上方的導(dǎo)電線路上，再將錫膏經(jīng)熱流(reflow)成錫球。導(dǎo)電凸塊207與包覆支撐件203的導(dǎo)電線路即建立了金屬墊201與外界的電性通道，使半導(dǎo)體晶圓200上的晶?？膳c外界做電性連接。根據(jù)上述圖2A至圖2E所示的制程步驟，即可完成本發(fā)明的封裝輸出輸入端點。
本發(fā)明第一較佳具體實施例所提供的封裝結(jié)構(gòu)中，可變形移動的支撐件203可提供緩沖(cushion)的效果。當(dāng)本發(fā)明封裝結(jié)構(gòu)在熱脹冷縮所產(chǎn)生的應(yīng)力作用下，此緩沖的效果可釋放此應(yīng)力，防止支持件203與導(dǎo)電凸塊208的接面發(fā)生斷裂現(xiàn)象。故借本發(fā)明方法可改善導(dǎo)電凸塊208的接面關(guān)系。
另一方面，參照圖3A及圖3B，根據(jù)本發(fā)明方法的第二較佳具體實施例，可于導(dǎo)電凸塊208形成之前，形成一光阻圖案300于絕緣層207上。以光阻圖案300為一蝕刻罩幕，移除每一支撐件203表面上由導(dǎo)電層204及擴(kuò)散阻障層205及206組成的部分導(dǎo)電線路及部分絕緣層207，以曝露出部分支撐件203。之后，再移除光阻圖案300及位于導(dǎo)電線路下方的支撐件203，以形成復(fù)數(shù)個鷗翼狀導(dǎo)電線路(gull-wing metal trace)于半導(dǎo)體晶圓200上，如圖3B所示。接著，形成導(dǎo)電凸塊208于每一鷗翼狀導(dǎo)電線路(gull-wing metal trace)上方。導(dǎo)電凸塊208可以是錫球，其制作方式與第一較佳具體實施例相同。由于此鷗翼狀導(dǎo)電線路(gull-wingmetal trace)下方呈縷空狀，其緩沖墊效果更佳，更有利于改善導(dǎo)電凸塊208與其接面關(guān)系，可更有效防止接面的斷裂現(xiàn)象。再者，參考圖3B，當(dāng)鷗翼狀導(dǎo)電線路的直立高度h愈大時，其對抗應(yīng)力、釋放應(yīng)力的效果更佳。
根據(jù)本發(fā)明另一方面，可增加支撐件203的垂直厚度，例如調(diào)整印刷用的鋼版于半導(dǎo)體晶圓200上方的高度，以增加做為支撐件203材質(zhì)的綠漆、彈性膠或錫球罩幕材質(zhì)的垂直厚度，或增加做為支撐件203材質(zhì)的光阻厚度。借此，可以不需要在支撐件203上方形成導(dǎo)電凸塊208，而使用支撐件203上方的導(dǎo)電線路直接與外界做電性連接。除此之外，可以上述方法增加支撐件203的垂直厚度后，再根據(jù)本發(fā)明第二較全具體實施例的制程步驟形成垂直高度增加的鷗翼狀導(dǎo)電線路，使其可與外界直接做電性連接，并且此鷗翼狀導(dǎo)電線路的直立高度愈大，其對抗應(yīng)力、釋放應(yīng)力的效果會更佳。如此一來，可節(jié)省形成導(dǎo)電凸塊208的制程步驟，進(jìn)而提高本發(fā)明方法的產(chǎn)能(throughput)。
本發(fā)明方法所提供的晶圓型態(tài)封裝結(jié)構(gòu)不僅可有效解決傳統(tǒng)封裝制程的銅柱與錫球接面斷裂現(xiàn)象，以提高半導(dǎo)體元件封裝品質(zhì)，同時以費用較低廉、制程較簡單的材質(zhì)制作支撐件203，代替銅柱，可大大減少銅材質(zhì)消耗，使封裝制程費用明顯降低。此外，借增加支撐件203的垂直厚度，使其上方的導(dǎo)電線路可直接與外界做電性連接，以節(jié)省形成導(dǎo)電凸塊208的制程步驟，例如減少植球步驟，故又可提高產(chǎn)能。
本發(fā)明雖以較佳實施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明的范圍，任何熟習(xí)此項技藝者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可做些許的更動與潤飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視權(quán)利要求范圍所界定的為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種輸出輸入端點的結(jié)構(gòu)，其包括一半導(dǎo)體晶圓，該半導(dǎo)體晶圓上具有供做輸入/輸出電性連接的復(fù)數(shù)個金屬墊；一保護(hù)層于該半導(dǎo)體晶圓上，該保護(hù)層具有復(fù)數(shù)個開口于該金屬墊上方；復(fù)數(shù)個可移動支撐件于該保護(hù)層上；復(fù)數(shù)條導(dǎo)電線路于該金屬墊與該支撐件之間的該保護(hù)層上，每一該導(dǎo)電線路是于一對該金屬墊與該支撐件之間提供輸入/輸出電性連接；及一絕緣層于該保護(hù)層及該導(dǎo)電線路上方，且曝露出該支撐件上方的部分該導(dǎo)電線路；及復(fù)數(shù)個導(dǎo)電凸塊于該支撐件上方的該導(dǎo)電線路上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的輸出輸入端點的結(jié)構(gòu)，其特征在于上述的支撐件為矩形、梯形或倒梯形。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的輸出輸入端點的結(jié)構(gòu)，其特征在于上述的支撐件選自下列材質(zhì)錫球罩幕材質(zhì)、彈性膠及光阻。
4.一種輸出輸入端點的結(jié)構(gòu)，其包括一半導(dǎo)體晶圓，該半導(dǎo)體晶圓上具有供做輸入/輸出電性連接的復(fù)數(shù)個金屬墊；一保護(hù)層于該半導(dǎo)體晶圓上，該保護(hù)層具有復(fù)數(shù)個開口于該金屬墊上方；復(fù)數(shù)條直立鷗翼狀(gull wing)導(dǎo)電線路于該保護(hù)層及該金屬墊上，每一該直立鷗翼狀導(dǎo)電線路提供輸入/輸出電性連接一該金屬墊；及復(fù)數(shù)個導(dǎo)電凸塊于該直立鷗翼狀導(dǎo)電線路上方。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的輸出輸入端點的結(jié)構(gòu)，其特征在于上述的直立鷗翼狀導(dǎo)電線路包含銅/鎳/金。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的輸出輸入端點的結(jié)構(gòu)，其特征在于上述的直立鷗翼狀導(dǎo)電線路包含銅/鎳/鈀。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的輸出輸入端點的結(jié)構(gòu)，其特征在于上述的直立鷗翼狀導(dǎo)電線路包含鈦/氮化鈦/鋁或相關(guān)合金。
8.一種制作封裝輸出輸入端點的方法，其包括提供一半導(dǎo)體晶圓，該半導(dǎo)體晶圓上具有供做輸入/輸出電性連接的復(fù)數(shù)個金屬墊形成于其上方；形成一保護(hù)層于該半導(dǎo)體晶圓上，以形成一開口于每一該金屬墊上方；形成復(fù)數(shù)個支撐件于該保護(hù)層上；形成一導(dǎo)電層于該支撐件上方；圖案蝕刻該導(dǎo)電層以形成導(dǎo)電通道圖案，其中上述導(dǎo)電通道圖案于每一該金屬墊與該支撐件之間形成電性連接；形成一絕緣層于該半導(dǎo)體晶圓上方，并曝露出每一該支撐件上方的該導(dǎo)電線路；及形成一導(dǎo)電凸塊于每一該支撐件上方被曝露的該導(dǎo)電線路上。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制作封裝輸出輸入端點的方法，其特征在于于該導(dǎo)電層形成之前，更包含形成一擴(kuò)散阻障層于核導(dǎo)電層上。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制作封裝輸出輸入端點的方法，其特征在于于該導(dǎo)電凸塊形成之前，更包含形成一光阻圖案于該絕緣層上，以該光阻圖案為一蝕刻罩幕，移除每一該支撐件表面的部分該導(dǎo)電線路及部分該絕緣層，以曝露出部分該支撐件，移除該光阻圖案及位于該導(dǎo)電線路下方的該支撐件，以形成復(fù)數(shù)個鷗翼狀導(dǎo)電線路(gull-wing metaltrace)于該半導(dǎo)體晶圓上。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制作封裝輸出輸入端點的方法，其特征在于于該導(dǎo)電凸塊形成之前，更包含形成一光阻圖案于該絕緣層上，以該光阻圖案為一蝕刻罩幕，移除每一該支撐件表面的部分該導(dǎo)電線路及部分該絕緣層，以曝露出部分該支撐件，移除該光阻圖案及位于該導(dǎo)電線路下方的該支撐件，以形成復(fù)數(shù)個鷗翼狀導(dǎo)電線路(gull-wing metaltrace)于該半導(dǎo)體晶圓上。
12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制作封裝輸出輸入端點的方法，其特征在于上述的金屬墊包含鋁、銅或其合金。
13.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制作封裝輸出輸入端點的方法，其特征在于上述的保護(hù)層選自下列材質(zhì)二氧化矽、氮化矽、聚乙酰胺(polyimide)及BCB材質(zhì)。
14.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制作封裝輸出輸入端點的方法，其特征在于上述的支撐件以鋼版印刷方法形成。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的制作封裝輸出輸入端點的方法，其特征在于上述的支撐件包含錫膏罩幕材質(zhì)(solder mask material)。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的制作封裝輸出輸入端點的方法，其特征在于上述的支撐件包含彈性膠或綠漆。
17.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制作封裝輸出輸入端點的方法，其特征在于上述的支撐件以微影蝕刻制程形成。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的制作封裝輸出輸入端點的方法，其特征在于上述的支撐件包含光阻。
19.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制作封裝輸出輸入端點的方法，其特征在于上述的支撐件為矩形、梯形或倒梯形。
20.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制作封裝輸出輸入端點的方法，其特征在于上述的導(dǎo)電層以濺鍍、無電解電鍍或電鍍方法沉積形成。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的制作封裝輸出輸入端點的方法，其特征在于上述的導(dǎo)電層包含銅。
22.根據(jù)權(quán)利要求20所述的制作封裝輸出輸入端點的方法，其特征在于上述的導(dǎo)電層包含鋁。
23.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制作封裝輸出輸入端點的方法，其特征在于形成該導(dǎo)電層之前，更包含形成一擴(kuò)散阻障層于該導(dǎo)電層上。
24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的制作封裝輸出輸入端點的方法，其特征在于上述的擴(kuò)散阻障層包含銅/鎳/金、銅/鎳/鈀、銅/鎳/銀或其相關(guān)合金金屬層。
25.根據(jù)權(quán)利要求22所述的制作封裝輸出輸入端點的方法，其特征在于形成該導(dǎo)電層之前，更包含形成一擴(kuò)散阻障層于該導(dǎo)電層上。
26.根據(jù)權(quán)利要求25所述的制作封裝輸出輸入端點的方法，其特征在于上述的擴(kuò)散阻障層包合鈦/氮化鈦金屬層。
27.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制作封裝輸出輸入端點的方法，其特征在于上述的絕緣層選自下列各種材質(zhì)聚乙酰胺(polyimide)、BCB及環(huán)氧樹脂(epoxy)。
28.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制作封裝輸出輸入端點的方法，其特征在于上述的導(dǎo)電凸塊以植球(plating)及印刷(print)方法任一者形成。
29.根據(jù)權(quán)利要求28所述的制作封裝輸出輸入端點的方法，其特征在于上述的導(dǎo)電凸塊包含錫球。
30.一種制作封裝輸出輸入端點的方法，其包括提供一半導(dǎo)體晶圓，該半導(dǎo)體晶圓上具有供做輸入/輸出電性連接的復(fù)數(shù)個金屬墊形成于其上方；形成一保護(hù)層于該半導(dǎo)體晶圓上，以形成一開口于每一該金屬墊上方；形成復(fù)數(shù)個可移動支撐件于該保護(hù)層上；形成一導(dǎo)電層于該支撐件上方；及圖案蝕刻該導(dǎo)電層以形成一導(dǎo)電線路于每一該金屬墊與一該支撐件之間。
31.根據(jù)權(quán)利要求30所述的制作封裝輸出輸入端點的方法，其特征在于于該導(dǎo)電線路形成之前，更包含形成一擴(kuò)散阻障層于該導(dǎo)電層上。
32.根據(jù)權(quán)利要求30所述的制作封裝輸出輸入端點的方法，其特征在于更包含形成一光阻圖案于該導(dǎo)電線路上方，以該光阻圖案為一蝕刻罩幕，移除每一該支撐件表面的部分該導(dǎo)電線路，以曝露出部分該支撐件，移除該光阻圖案及位于該導(dǎo)電線路下方的該支撐件，以形成復(fù)數(shù)個鷗翼狀導(dǎo)電線路(gull-wing metal trace)于該半導(dǎo)體晶圓上。
33.根據(jù)權(quán)利要求31所述的制作封裝輸出輸入端點的方法，其特征在于更包含形成一光阻圖案于該導(dǎo)電線路上方，以該光阻圖案為一蝕刻罩幕，移除每一該支撐件表面的部分該導(dǎo)電線路，以曝露出部分該支撐件，移除該光阻圖案及位于該導(dǎo)電線路下方的該支撐件，以形成復(fù)數(shù)個鷗翼狀導(dǎo)電線路(gull-wing metal trace)于該半導(dǎo)體晶圓上。
34.根據(jù)權(quán)利要求30所述的制作封裝輸出輸入端點的方法，其特征在于上述的支撐件以網(wǎng)版印刷方法形成。
35.根據(jù)權(quán)利要求34所述的制作封裝輸出輸入端點的方法，其特征在于上述的支撐件包含錫膏罩幕材質(zhì)(solder mask material)。
36.根據(jù)權(quán)利要求34所述的制作封裝輸出輸入端點的方法，其特征在于上述的支撐件包含彈性膠。
37.根據(jù)權(quán)利要求30所述的制作封裝輸出輸入端點的方法，其特征在于上述的支撐件以微影蝕刻制程形成。
38.根據(jù)權(quán)利要求37所述的制作封裝輸出輸入端點的方法，其特征在于上述的支撐件包合光阻。
全文摘要
本發(fā)明揭露一種制作封裝輸出輸入端點的方法以及其結(jié)構(gòu)；本發(fā)明是以形成于半導(dǎo)體晶圓上的可移動支撐件取代傳統(tǒng)封裝制程的銅柱，并圖案蝕刻包覆于支撐件外部的導(dǎo)電復(fù)合層，以形成半導(dǎo)體晶圓上的金屬墊與支撐件之間的導(dǎo)電線路(metal traces)，以提供金屬墊與外界的輸入/輸出電性連接；在應(yīng)力作用下，此支撐件可于接著處附近產(chǎn)生變形位移，提供緩沖效果，以釋放應(yīng)力。借由包覆在支撐件外部的導(dǎo)電復(fù)合層可限制其移動空間，使其仍受限于原來的接著處；本發(fā)明方法可解決傳統(tǒng)晶圓型態(tài)在封裝時的錫球(sofderball)與印刷電路板(PCB)上銅箔或銅箔和印刷電路板接面間容易斷裂的現(xiàn)象，進(jìn)而提高封裝元件品質(zhì)信賴度。
文檔編號H01L21/768GK1447425SQ0210801
公開日2003年10月8日 申請日期2002年3月22日 優(yōu)先權(quán)日2002年3月22日
發(fā)明者林明輝, 孫文彬, 陳世立, 楊文彬 申請人:裕沛科技股份有限公司