專利名稱：固體電解電容的制造方法及固體電解電容的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及用于各種電子機器中的利用了固體電解質(zhì)層的固體電解電容的制造方法及固體電解電容。
圖8是表示上述以往的固體電解電容的構(gòu)成的剖面圖，在該圖中，20是通過把作為閥作用金屬的鉭金屬粉末壓合形成所需要的形狀，然后進行燒結(jié)而成的多孔質(zhì)的陽極體，21是由埋設在該陽極體20內(nèi)的鉭線構(gòu)成的陽極引出線。
22是在所述陽極體20外表面上形成的電介質(zhì)氧化被膜層，23是在該電介質(zhì)氧化被膜層22上形成的固體電解質(zhì)層，24是在該固體電解質(zhì)層23上形成的陰極層，該陰極層24是通過層壓碳和銀涂層而形成，這樣便構(gòu)成了電容單元25。26是與所述電容單元25的陽極引出線21連接的陽極端子，27是利用導電性粘接劑28粘合在陰極層24上的陰極端子，29是將所述陽極端子26和陰極端子27的一部分暴露在外表面封裝電容單元25的封裝樹脂，一般使用環(huán)氧系樹脂。另外，30是增強樹脂。
下面，參照圖9對這樣構(gòu)成的以往的固體電解電容的制造方法進行說明。圖9是表示以往的固體電解電容制造方法的制造工序圖，如該圖所示，首先，在成型、燒結(jié)工序(S91)中，通過把埋設有由鉭線構(gòu)成的陽極引出線21的鉭金屬粉末壓結(jié)成所需要的形狀，再將其進行燒結(jié)，從而制作出多孔質(zhì)的陽極體20。
然后，在化成工序(S92)中，通過使用磷酸進行陽極氧化處理，在所述陽極體20的外表面上形成電介質(zhì)氧化被膜層22。然后，在聚合工序(S93)中，通過把苯胺、吡咯、噻吩等單體溶液均勻地分散在所述陽極體20的外表面及細孔內(nèi)部，再使其與含有氧化劑的溶液接觸，或者相反地在把氧化劑均勻分散后，使其與所述單體溶液接觸，從而通過化學氧化聚合形成由導電性高分子構(gòu)成的固體電解質(zhì)層23。然后，在陰極形成工序(S94)中，進行碳涂覆、銀涂料涂覆、干燥，形成陰極層24，這樣便制造出電容單元25。
然后，在組裝工序(S95)中，通過把所述電容單元25的陽極引出線21與COM端子的陽極端子26焊接進行連接，并且，利用導電性粘接劑28使陰極層24與陰極端子27連接。然后，在模成形工序(S96)中，將所述陽極端子26和陰極端子27的一部分分別表露在外表面，用環(huán)氧系封裝樹脂29對電容單元25進行模成形，最后，在完成工序(S97)中，分割成獨立的各片進行檢查等，完成制造。
另外，形成所述固體電解質(zhì)層的其它方法例如特開平10-321474號公報中記載了下述技術，固體電解質(zhì)層是由第1固體電解質(zhì)層和第2固體電解質(zhì)層構(gòu)成的固體電解電容，其中，該第1固體電解質(zhì)層通過加熱聚苯胺或其衍生物的溶液形成，該第2固體電解質(zhì)層通過將聚吡咯或其衍生物進行電解聚合形成，由于可形成厚度均勻的固體電解質(zhì)層，所以可制造出靜電容量及阻抗特性優(yōu)良且可靠性良好的固體電解電容。
但是，采用所述以往的固體電解電容的制造方法，在聚合工序中，在反復多次進行化學氧化聚合，在陽極體20的外表面及細孔內(nèi)部形成由聚吡咯構(gòu)成的固體電解質(zhì)層23時，如

圖10、圖11所示，存在著在陽極體20的外表面及細孔內(nèi)部生成導電性高分子的殘渣31的問題。
該導電性高分子的殘渣31由于在進行化學氧化聚合時的聚合渣、未聚合的導電性高分子或氧化劑等破壞了電容單元25的外觀形狀，不僅降低了電容單元25的體積收容效率，使特性劣化，而且在最壞的情況下甚至會出現(xiàn)殘渣31從封裝樹脂29暴露出來的情況。因此，為了除去該殘渣31，在陰極層形成工序(S94)之前必須進行用毛刷或毛筆除去殘渣31從而使固體電解質(zhì)層23的表面平坦且校正外觀形狀的操作，但存在不僅降低了生產(chǎn)率，而且由于殘渣31的除去狀態(tài)損傷導電性高分子層23，導致特性劣化的擔心。
另外，在所述聚合工序(S93)中，在單體溶液和含有氧化劑的溶液中，當把被浸泡在其中一種溶液中的陽極體20再浸泡在另一種溶液中時，由于先浸泡了陽極體20的溶液又擴散到另一種溶液中，因此，陽極體20內(nèi)部的溶液濃度降低，陽極體20內(nèi)部的導電性高分子的形成量減少，因而在電介質(zhì)氧化被膜層22上不能覆蓋連續(xù)的由導電性高分子構(gòu)成的固體電解質(zhì)層23，造成靜電容量特性或阻抗特性劣化的問題。
因此，為了獲得用連續(xù)的由導電性高分子構(gòu)成的固體電解質(zhì)層23覆蓋陽極體20內(nèi)部的電介質(zhì)氧化被膜層22上，完全引出原來的容量，且阻抗特性低的固體電解電容，必須數(shù)十次地反復進行形成由導電性高分子構(gòu)成的固體電解質(zhì)層23的工序，存在生產(chǎn)率極低的問題。
另一方面，采用特開平10-321474號公報所公開的技術，在形成第1固體電解質(zhì)層中，通過在含有水的溶劑中溶解了聚合物狀的苯胺或其衍生物的溶液中進行加熱而形成，因而在其后形成第2固體電解質(zhì)層時，第1固體電解質(zhì)層的一部分溶解，存在不易提高靜電容量的問題。
為了解決所述問題，本發(fā)明的第1個發(fā)明是一種固體電解電容的制造方法，包括在閥作用金屬構(gòu)成的陽極體的表面形成電介質(zhì)氧化被膜層的工序，把該陽極體浸泡在聚合物骨架內(nèi)具有親水基的導電性高分子水溶液中，然后將其取出，進行加熱處理，從而在所述電介質(zhì)氧化被膜層上形成導電性高分子層的工序，在所述導電性高分子層上覆蓋含有由雜環(huán)化合物或其衍生物構(gòu)成的單體的溶液，然后通過把含有該單體的溶液中的單體進行聚合形成聚合膜，然后進行用于除去殘留在該聚合膜上的殘渣的洗滌，然后通過對其進行干燥形成第1固體電解質(zhì)層的工序，和在所述第1固體電解質(zhì)層上形成陰極層的工序，依照該方法具有下述作用可提高生產(chǎn)率，可穩(wěn)定地制造低阻抗特性、漏電電流特性優(yōu)良且靜電容量高的產(chǎn)品。
第2個發(fā)明是一種制造方法，是在第1個發(fā)明中，聚合物骨架內(nèi)具有親水基的導電性高分子為單體的苯胺、吡咯、噻吩、呋喃的任意一種衍生物，依照該方法具有下述作用可獲得高導電性，能夠制造在高頻區(qū)域的阻抗特性優(yōu)良的固體電解電容。
第3個發(fā)明是一種制造方法，是在第2個發(fā)明中，聚合物骨架內(nèi)具有親水基的導電性高分子為具有磺酸基的自身膠漿型導電性高分子，第4個發(fā)明是一種制造方法，聚合物骨架內(nèi)具有親水基的導電性高分子為(化2)中表示的苯胺衍生物，依照該方法具有下述作用可通過簡單的工序制造高頻區(qū)域的阻抗特性及漏電電流特性優(yōu)良且耐電壓高的固體電解電容。
其中，(化2)的R表示氫、烷基、烷氧基、羥基或硝基。
第5個發(fā)明是一種制造方法，是在第1個發(fā)明中，聚合物骨架內(nèi)具有親水基的導電性高分子的水溶液的表面張力為70×10-3N/m以下，依照該方法具有下述作用，可提高向電介質(zhì)氧化被膜層的浸透性。
另外，如果水溶液的表面張力超過70×10-3N/m，向電介質(zhì)氧化被膜層的浸透性變差，因而不理想。
第6個發(fā)明是一種制造方法，是在第1個發(fā)明中，在160～250℃的溫度范圍內(nèi)進行加熱處理，依照該方法具有下述作用，可使導電性高分子層的一部分親水基分離，降低相對于水的溶解性。
另外，在加熱處理的溫度低于160℃時，導電性高分子層相對于水的溶解性高，不能提高靜電容量及耐電壓，另外，如果超過250℃，向?qū)щ娦愿叻肿訉拥臒釕Ω?，漏電電流特性變差，因而不理想?br> 第7個發(fā)明是一種制造方法，是在第1個發(fā)明中，使用氧化劑通過化學氧化聚合進行第1固體電解質(zhì)層的形成，第8個發(fā)明是一種制造方法，如下所述進行形成第1固體電解質(zhì)層的工序把陽極體以給定時間浸泡在單體溶液或氧化溶液的任意一種溶液中，然后再把所述陽極體以給定時間浸泡在另一種溶液中形成聚合膜，然后反復進行至少多次電介質(zhì)氧化被膜的修復操作，另外，第9個發(fā)明是一種制造方法，使氧化溶液的溫度為在空氣中保持的溫度以下，依照該方法具有下述作用可制造出高頻區(qū)域的阻抗特性及漏電電流特性優(yōu)良且導電性高的固體電解質(zhì)層。
第10個發(fā)明是一種制造方法，是在第1個發(fā)明中，用電解聚合進行第1固體電解質(zhì)層的形成，另外，第11個發(fā)明是一種制造方法，電解聚合是在至少含有雜環(huán)化合物或其衍生物的單體、pH調(diào)節(jié)劑和水的pH小于5的水溶液中進行聚合，依照該方法具有下述作用可提高聚合速度，并且可制造出即使在初始及電容被放置在高溫中的條件下阻抗特性也優(yōu)良的固體電解電容。
第12個發(fā)明是一種制造方法，是在第1個發(fā)明中，作為用于除去殘渣的洗滌，至少進行除去陽極體外表面殘渣的洗滌或除去殘留在陽極體細孔內(nèi)部殘渣的洗滌中的任意一種，第13個發(fā)明是一種制造方法，作為除去陽極體外表面殘渣的洗滌或除去殘留在陽極體細孔內(nèi)部殘渣的洗滌進行下述任意一種使用冷水、熱水、有機溶劑等液體、空氣、氣體中的任意一種的噴淋洗滌，或利用所述液體的超聲波洗滌，或吹洗，依照該方法具有下述作用可更有效地獲得第8個發(fā)明的作用，并且可降低固體電解質(zhì)層的漏電電流特性。
第14個發(fā)明是一種制造方法，是在第1個發(fā)明中，在形成第1固體電解質(zhì)層的工序之后，設置在不同于形成第1固體電解質(zhì)層的條件的條件下形成固體電解質(zhì)層的第2固體電解質(zhì)層形成工序，依照該方法具有下述作用可獲得漏電電流特性降低了的導電性高的固體電解質(zhì)層。
第15個發(fā)明是一種制造方法，是在第1個發(fā)明中，在形成第1固體電解質(zhì)層的工序之后，設置在不同于形成第1固體電解質(zhì)層的條件的條件下形成固體電解質(zhì)層的第2固體電解質(zhì)層形成工序和形成由不同于第1固體電解質(zhì)層及第2固體電解質(zhì)層的導電性高分子構(gòu)成的固體電解質(zhì)層的第3固體電解質(zhì)層的工序，第16個發(fā)明是一種制造方法，該形成第3固體電解質(zhì)層的工序為反復進行至少1次以上下述工序把陽極體以給定時間浸泡在含有單體、氧化劑及導電性高分子粒子的懸濁液中的工序和接著將所述陽極體從溶液中取出在溶液外保持給定時間的工序，另外，第17個發(fā)明是一種制造方法，懸濁液是通過混合給定量的單體和氧化劑生成導電性高分子粒子，然后再加入單體的物質(zhì)，依照該方法具有下述效果能夠更有效地得到通過第14個發(fā)明得到的作用。
第18個發(fā)明是一種制造方法，是在第15個發(fā)明中，用電解聚合進行第3固體電解質(zhì)層的形成，另外，第19個發(fā)明是一種制造方法，電解聚合為在至少含有雜環(huán)化合物或其衍生物的單體、pH調(diào)節(jié)劑和水的pH小于5的水溶液中進行聚合，依照該方法具有下述作用可提高聚合速度，可制造出即使在初始及電容被放置在高溫中的條件下阻抗特性也優(yōu)良的固體電解電容。
第20個發(fā)明是一種制造方法，是在第1、14或15個發(fā)明中，作為形成第1固體電解質(zhì)層的工序，在進行除去殘留在聚合膜上的殘渣的洗滌之前進行電介質(zhì)氧化被膜的修復，依照該方法具有下述作用可進一步降低漏電電流。
第21個發(fā)明是一種制造方法，是在第1、14或15個發(fā)明中，在陰極層形成工序之后進行熱處理，另外，第22個發(fā)明是一種制造方法，在230～280℃的溫度范圍內(nèi)進行熱處理，具有下述作用能夠提高固體電解質(zhì)層與陰極層的密合性，提高低阻抗及漏電電流特性。
第23個發(fā)明是一種固體電解電容，通過第1～22個發(fā)明中任意一個記載的固體電解電容的制造方法制造，第24個發(fā)明是在第23個發(fā)明中，導電性高分子層的殘渣小于5重量％，通過該結(jié)構(gòu)具有下述作用可穩(wěn)定地制造出低阻抗特性、漏電電流特性優(yōu)良，且靜電容量高的產(chǎn)品。
圖2是本發(fā)明實施方式2的洗滌裝置的正面剖視圖。
圖3是表示該實施方式的噴淋洗滌后的電容單元的主視圖。
圖4是表示本發(fā)明實施方式3的噴淋洗滌后的陽極體細孔內(nèi)部的剖視圖。
圖5是表示本發(fā)明實施方式4的固體電解電容制造方法的制造工序圖。
圖6是表示本發(fā)明實施方式6的固體電解電容制造方法的制造工序圖。
圖7是本發(fā)明實施方式10的固體電解電容的特性圖。
圖8是表示以往的固體電解電容結(jié)構(gòu)的剖面圖。
圖9是表示以往的固體電解電容制造方法的制造工序圖。
圖10是表示通過以往的固體電解電容制造方法在陽極體表面生成的殘渣的主視圖。
圖11是表示通過以往的固體電解電容的制造方法在陽極體的細孔內(nèi)部生成的殘渣的剖面圖。
其中，1-電容單元，2-陽極引出線，3-配置桿，4A、4B-噴淋噴嘴，5-噴霧狀的水，6-水箱，7-水，8-泵，9-配管，10-噴淋室主體，11-蓋體。
然后，導電性高分子層形成工序(S3)把形成了所述電介質(zhì)氧化被膜層的陽極體浸泡在聚合物骨架內(nèi)具有親水基的導電性高分子水溶液中(S31)，然后將其取出，使作為溶劑的水揮發(fā)。然后進行加熱處理(S32)，形成導電性高分子層。
然后，第1固體電解質(zhì)層形成工序(S4)在形成了所述導電性高分子層的陽極體外表面及細孔內(nèi)部均勻分散由雜環(huán)化合物及其衍生物構(gòu)成的單體溶液，然后與氧化溶液接觸，或相反地在均勻分散氧化溶液后，使其接觸單體溶液，從而通過化學氧化聚合形成雜環(huán)化合物的聚合膜(S41)。然后，通過洗滌除去形成該聚合膜時生成的殘留在聚合膜上的殘渣(S42)，再通過對該除去了殘渣的聚合膜進行干燥(S43)，在陽極體上形成了由雜環(huán)化合物構(gòu)成的第1固體電解質(zhì)層。
然后，在陰極層形成工序(S5)中，在所述陽極體上進行碳涂覆、銀涂料涂覆和干燥，形成陰極層，由此制作出電容單元。
然后在組裝工序(S6)中，通過把所述電容單元的陽極引出線焊接在COM端子的陽極端子上進行結(jié)合，再把陰極層通過導電性粘接劑連接在陰極端子上。然后，在模成型工序(S7)中，使所述陽極端子和陰極端子的一部分分別暴露在外表面，用環(huán)氧類封裝樹脂對電容單元進行成形，最后在完成工序(S8)中，截斷成單片進行檢查等，完成制作。
通過這種制造方法，可提高生產(chǎn)率，可穩(wěn)定地制造出低阻抗特性、漏電電流特性優(yōu)良且靜電容量高的固體電解電容。
下面，通過實施例進行詳細說明。
首先在成型、燒結(jié)工序(S1)中，把埋設有由鉭線構(gòu)成的陽極引出線的鉭金屬粉末壓結(jié)成所需要的形狀，將其進行燒結(jié)從而制作出多孔質(zhì)的陽極體。
然后，電介質(zhì)氧化被膜層的形成(S2)，通過利用磷酸水溶液進行陽極氧化處理，在所述陽極體的外表面形成電介質(zhì)氧化被膜層。
然后，導電性高分子層的形成(S3)，把形成了所述電介質(zhì)氧化被膜層的陽極體浸泡在溶解了聚苯胺10wt％的表面張力為70×10-3N/m的水溶液中(S31)，該聚苯胺由用乙基取代(化2)中的R的單體得到，然后將其取出，使作為溶劑的水揮發(fā)。然后在160℃下進行5分鐘加熱處理(S32)，形成導電性高分子層。
然后，第1固體電解質(zhì)層的形成(S4)，在所述陽極體外表面及細孔內(nèi)部均勻分散吡咯單體溶液后，與氧化溶液接觸，從而通過化學氧化聚合形成聚吡咯的聚合膜(S41)，然后，用醋酸水溶液對陽極體的電介質(zhì)氧化被膜層進行修復。然后通過洗滌除去形成該聚合膜時生成的殘留在聚合膜上的殘渣(S42)，再對該除去了殘渣的聚合膜進行干燥(S43)，反復進行該操作3次，在陽極體上形成由聚吡咯構(gòu)成的第1固體電解質(zhì)層。
另外，吡咯單體溶液使用在含有乙二醇10wt％的水溶液中溶解吡咯使之為1.0mol/l、作為摻雜劑溶解烷基萘磺酸鈉使之為0.25mol/l制備而成的溶液，另外，氧化溶液使用在含有乙二醇10wt％的水溶液中作為氧化劑溶解硫酸鐵(III)使之為0.75mol/l、作為摻雜劑溶解烷基萘磺酸鈉使之為0.05mol/l、作為添加劑溶解硫酸使之為0.75mol/l制備而成的溶液。
然后，陰極層的形成(S5)，在所述陽極體上進行碳涂覆、銀涂料涂覆和干燥，形成陰極層，由此制作出電容單元。
然后組裝工序(S6)通過把所述電容單元的陽極引出線焊接在COM端子的陽極端子上進行結(jié)合，再把陰極層通過導電性粘接劑連接在陰極端子上。然后，在模成型工序(S7)中，使所述陽極端子和陰極端子的一部分分別暴露在外表面，用環(huán)氧類封裝樹脂對電容單元進行成形，最后在完成工序(S8)中，截斷成單片進行檢查等，制作出固體電解電容。
在所述實施例1中，使用溶解了由用乙氧基取代(化2)中R的單體得到的聚苯胺5wt％的水溶液，在180℃下進行5分鐘加熱處理，除此以外與實施例1同樣地進行導電性高分子層的形成，制作固體電解電容。
在所述實施例1中，使用溶解了由用乙氧基取代(化2)中R的單體得到的聚苯胺5wt％的水溶液，在200℃下進行5分鐘加熱處理，除此以外與實施例1同樣地進行導電性高分子層的形成，制作固體電解電容。
在所述實施例1中，使用溶解了由(化2)中的R為氫的單體得到的聚苯胺5wt％的水溶液，在250℃下進行5分鐘加熱處理，除此以外與實施例1同樣地進行導電性高分子層的形成，制作固體電解電容。
在所述實施例1中，使用溶解了由用硝基取代(化2)中R的單體得到的聚苯胺5wt％的水溶液，在200℃下進行5分鐘加熱處理，除此以外與實施例1同樣地進行導電性高分子層的形成，制作固體電解電容。

在所述實施例1中，使用溶解了由用羥基取代(化2)中R的單體得到的聚苯胺5wt％的水溶液，在200℃下進行5分鐘加熱處理，除此以外與實施例1同樣地進行導電性高分子層的形成，制作固體電解電容。
在所述實施例1中，使用溶解了由用乙基取代(化2)中R的單體得到的聚苯胺5wt％的水溶液，在200℃下進行5分鐘加熱處理，除此以外與實施例1同樣地進行導電性高分子層的形成，制作固體電解電容。
在所述實施例1中，使用添加了乙醇使表面張力為50×10-3N/m的水溶液，除此以外與實施例1同樣地進行導電性高分子層的形成(S3)，制作固體電解電容。
在所述實施例1中，使用添加了氟系表面活性劑使表面張力為40×10-3N/m的水溶液，除此以外與實施例1同樣地進行導電性高分子層的形成(S3)，制作固體電解電容。
在所述實施例1中，使用溶解了由用甲氧基取代(化2)中R的單體得到的聚苯胺1wt％的水溶液，在180℃下進行5分鐘加熱處理，除此以外與實施例1同樣地進行導電性高分子層的形成(S3)，制作固體電解電容。
在所述實施例1中，使用溶解了由用甲氧基取代(化2)中R的單體得到的聚苯胺0.5wt％的水溶液，在180℃下進行1、5、10、20、30分鐘加熱處理，除此以外與實施例1同樣地進行導電性高分子層的形成(S3)，制作加熱處理時間不同的固體電解電容。
在所述實施例1中，在硝酸錳30％水溶液中浸泡，自然干燥后，在300℃下進行10分鐘熱分解處理形成二氧化錳層，除此以外與實施例1同樣地進行導電性高分子層的形成(S3)，制作固體電解電容。
對所述實施例1～11及比較例1的固體電解電容進行老化，然后對電容的特性進行測定。在(表1)中記錄了這些結(jié)果。該結(jié)果是對各固體電解電容分別測定10個的平均值。
另外，在(表1)中的漏電電流表示外加額定電壓1分鐘后的電流值。另外，耐電壓表示在以0.2V/sec進行電壓掃描時的電流變極點的電壓。
從(表1)可以看出，依照實施例1～11和比較例1，通過浸入在聚合物骨架內(nèi)具有親水基的導電性高分子的水溶液中(S31)，然后將其取出在160～250℃下進行加熱處理(S32)，從而可抑制導電性高分子層相對于水的溶解性，隨后即使使用含有水的聚合液形成固體電解質(zhì)層(S4)，也可以獲得良好的靜電容量和阻抗特性。
另外，實施例8通過使聚合物骨架內(nèi)具有親水基的導電性高分子水溶液的表面張力為50×10-3N/m，與實施例1比較可提高向電介質(zhì)氧化被膜層的浸透性，因而具有提高電容特性的效果。
(實施方式2)在所述實施方式1中，使用圖2所示的洗滌裝置進行構(gòu)成第1固體電解質(zhì)層形成工序(S4)一部分的洗滌工序(S42)。
圖2是用于進行所述洗滌工序的洗滌裝置的正面剖面圖，在該圖中，1是電容單元(形成聚吡咯的第1固體電解質(zhì)層)，2是從該電容單元1引出的陽極引出線，3是電容單元1的陽極引出線2在多處以給定間隔通過焊接結(jié)合的配置桿。4A是為了對所述電容單元1進行噴淋洗滌在電容單元1上部設置的噴淋噴嘴，在該圖的下部設置槽或孔，也就是說使之向著電容單元1噴淋狀地噴射水。5是從該噴淋噴嘴4A噴射出的噴霧狀水，6是水箱，7是填充在該水箱6內(nèi)的水，8是通過配管9把水箱6內(nèi)的水7壓送到噴淋噴嘴4A的泵，10是噴淋室主體，11是蓋體。
然后，使用這樣構(gòu)成的洗滌裝置，從噴淋噴嘴4A以1.0kg/cm2的壓力向電容單元1噴射10秒鐘水5，一旦暫停，再次反復進行相同操作，進行噴淋洗滌。另外，將所述壓力改變?yōu)?.3kg/cm2、0.5kg/cm2、1.0kg/cm2、1.5kg/cm2進行噴淋洗滌時的殘渣殘留量進行比較，結(jié)果如(表2)所示。
從(表2)可以看出，從噴淋噴嘴4A向電容單元1進行噴淋洗滌時的壓力只要為0.5kg/cm2以上的壓力，即可獲得良好的效果。
圖3表示進行了所述噴淋洗滌形成了第1固體電解質(zhì)層的電容單元1，如該圖所示，在配置桿3上連接的電容單元1的外表面均勻形成了由聚吡咯構(gòu)成的第1固體電解質(zhì)層，該殘渣確實被除去。
本發(fā)明的固體電解電容的制造方法，通過設置用于除去在聚合膜形成工序中生成的殘渣的洗滌工序，可以制造出形成均勻固體電解質(zhì)層的品質(zhì)優(yōu)秀的固體電解電容。
(實施方式3)本發(fā)明實施方式3的特征是，作為用于除去殘渣的洗滌(S42)，進行除去陽極體外表面殘渣的洗滌和除去殘留在陽極體細孔內(nèi)部殘渣的洗滌，作為所述除去陽極體外表面殘渣的洗滌，進行使用冷水、熱水、有機溶劑等液體、空氣、氣體的任意一種的噴淋洗滌，或利用所述液體的超聲波洗滌，或吹洗中的任意一種，另外，作為所述除去殘留在陽極體細孔內(nèi)部殘渣的洗滌，進行采用冷水、熱水、有機溶劑等液體的洗滌或超聲波洗滌的固體電解電容的制造方法，配合所述實施方式2所述發(fā)明的作用，可制造出更高性能的固體電解電容。
下面，參照附圖對本發(fā)明實施方式3的固體電解電容的制造方法進行說明。
在形成第1固體電解質(zhì)層的工序(S4)中生成的聚吡咯聚合膜的殘渣，大致區(qū)別為在陽極體外表面產(chǎn)生的殘渣與在陽極體細孔內(nèi)部產(chǎn)生的殘渣，所述在陽極體外表面產(chǎn)生的殘渣可通過使用冷水(使用熱水效果更好)或空氣的噴淋洗滌充分除去，在陽極體細孔內(nèi)部產(chǎn)生的殘渣則通過使用超聲波洗滌能夠更有效地除去。另外，圖3表示除去所述在陽極體外表面產(chǎn)生的殘渣后的陽極體，圖4表示除去在陽極體細孔內(nèi)部產(chǎn)生的殘渣后的狀態(tài)。
(實施方式4)本發(fā)明實施方式4的特征是，在第1固體電解質(zhì)層形成工序(S4)之后，設置在不同的條件下形成固體電解質(zhì)層的第2固體電解質(zhì)層的形成工序(S4｀)的固體電解電容的制造方法，配合所述實施方式1所述發(fā)明的作用，可制造出更高性能的固體電解電容。
下面，參照附圖對本發(fā)明實施方式4的固體電解電容的制造方法進行說明。
圖5是表示本發(fā)明實施方式4的固體電解電容制造方法的制造工序圖，本實施方式4是在所述實施方式1的第1固體電解質(zhì)層形成工序(S4)之后，設置第2固體電解質(zhì)層形成工序(S4′)。該第2固體電解質(zhì)層形成工序(S4｀)是在與所述第1固體電解質(zhì)層形成工序(S4)不同的條件下形成固體電解質(zhì)層，更具體地說，在第2固體電解質(zhì)層形成工序中使用的單體溶液使用在含有乙二醇10wt％的水溶液中作為單體溶解吡咯達到0.75mol/l，作為摻雜劑溶解烷基萘磺酸鈉達到0.25mol/l制備而成的溶液，氧化溶液使用在含有乙二醇10wt％的水溶液中作為氧化劑溶解硫酸鐵(III)達到0.75mol/l，作為摻雜劑溶解烷基萘磺酸鈉達到0.05mol/l，作為添加劑溶解硫酸達到0.75mol/l制備而成的溶液，在把單體溶液均勻地分散在所述第1固體電解質(zhì)層形成工序(S4)形成的固體電解質(zhì)層上之后，使其與氧化溶液接觸，從而通過化學氧化聚合形成聚吡咯的聚合膜。然后通過冷水水洗或熱水水洗除去剩余的氧化劑，然后進行電介質(zhì)氧化被膜層的修復，然后進行冷水水洗或熱水水洗，再通過干燥，在陽極體上形成由聚吡咯構(gòu)成的固體電解質(zhì)層。
所述第2固體電解質(zhì)層形成工序(S4｀)的條件相對于第1固體電解質(zhì)層形成工序的條件改變了吡咯單體溶液的濃度，但其它地也有降低第2固體電解質(zhì)層形成工序的吡咯單體溶液濃度的方法。
這樣，相對于第1固體電解質(zhì)層形成工序的條件改變第2固體電解質(zhì)層形成工序的條件，抑制第2固體電解質(zhì)層形成工序中的化學氧化聚合反應，從而由于可把導電性高分子的固體電解質(zhì)層均勻地形成至陽極體細孔內(nèi)部，因而可制造出更高性能的固體電解電容。
(實施方式5)本發(fā)明實施方式5的特征在于，第2固體電解質(zhì)層形成工序(S4｀)至少反復進行一次以上把陽極體浸泡在單體溶液中給定時間的工序，然后把所述陽極體浸泡在氧化溶液中給定時間的工序，然后把所述陽極體從溶液中取出在空氣中保持給定時間的工序的固體電解電容的制造方法，配合所述實施方式4所述發(fā)明的作用，可制造出更高性能的固體電解電容。
下面，對本發(fā)明實施方式5的固體電解電容的制造方法進行說明。
在所述實施方式4中，第2固體電解質(zhì)層形成工序(S4｀)在把單體溶液均勻分散后與氧化溶液接觸，從而通過化學氧化聚合形成聚吡咯的聚合膜。這時，在依次浸泡在單體溶液及氧化溶液中后，把陽極體從溶液中取出，在空氣中保持給定時間。這樣可充分進行陽極體細孔內(nèi)部的化學氧化聚合反應。另外，通過使在所述空氣中保持的溫度高于氧化溶液的溫度，可進一步促進化學氧化聚合反應。
然后通過冷水水洗或熱水水洗除去剩余的氧化劑，然后進行電介質(zhì)氧化被膜層的修復，最后進行冷水水洗或熱水水洗，干燥。通過反復多次進行該一系列操作，可獲得更均勻的固體電解質(zhì)層。
(實施方式6)本發(fā)明實施方式6的特征是，在第1固體電解質(zhì)層形成工序(S4)之后，設置在不同于該條件下形成固體電解質(zhì)層的第2固體電解質(zhì)層形成工序(S4｀)和形成由不同于第1固體電解質(zhì)層及第2固體電解質(zhì)層的導電性高分子構(gòu)成的固體電解質(zhì)層的第3固體電解質(zhì)層形成工序(S4″)的固體電解電容的制造方法，配合所述實施方式4所述發(fā)明的作用，可制造出更高性能的固體電解電容。
下面參照附圖對本發(fā)明實施方式6的固體電解電容的制造方法進行說明。
圖6是表示本發(fā)明實施方式6的固體電解電容制造方法的制造工序圖，本實施方式6是在所述實施方式1的第1固體電解質(zhì)層形成工序(S4)之后設置第2固體電解質(zhì)層形成工序(S4｀)和第3固體電解質(zhì)層形成工序(S4＂)，所述第3固體電解質(zhì)層形成工序(S4＂)是形成由不同于所述第1固體電解質(zhì)層形成工序(S4)的導電性高分子構(gòu)成的固體電解質(zhì)層的工序。
更具體地說，作為第1固體電解質(zhì)層形成工序(S4)，如所述實施方式1所述，在形成了電介質(zhì)氧化被膜層的陽極體表面均勻地分散吡咯單體溶液，然后使其接觸氧化溶液，或相反地在均勻地分散氧化劑后，使其接觸吡咯單體溶液，從而通過化學氧化聚合形成聚吡咯的聚合膜。然后通過冷水水洗或熱水水洗除去多余的氧化劑，然后進行電介質(zhì)氧化被膜層的修復，然后通過洗滌除去形成該聚合膜時生成的殘留在聚合膜上的殘渣，對該除去了殘渣的聚合膜進行干燥，從而在陽極體上形成由聚吡咯構(gòu)成的固體電解質(zhì)層。
然后，作為第2固體電解質(zhì)層形成工序(S4｀)，如所述實施方式4所述，在把吡咯單體溶液均勻地分散在第1固體電解質(zhì)層形成工序形成的固體電解質(zhì)層上之后，接觸氧化溶液，從而通過化學氧化聚合形成聚吡咯的聚合膜。然后通過冷水水洗或熱水水洗除去多余的氧化劑，然后進行電介質(zhì)氧化被膜層的修復，然后進行冷水水洗或熱水水洗，干燥，從而在陽極體上形成由聚吡咯構(gòu)成的固體電解質(zhì)層。
然后，第3固體電解質(zhì)層形成工序(S4＂)，使用作為懸濁液在含有乙二醇10wt％的水溶液中溶解亞乙基二氧噻吩達到1.0mol/l，作為氧化劑溶解對甲苯磺酸鐵達到0.75mol/l，作為摻雜劑溶解烷基萘磺酸鈉達到0.15mol/l制備而成的溶液，把所述第2固體電解質(zhì)層形成工序中形成了固體電解質(zhì)層的陽極體浸泡在所述懸濁液中給定時間，然后取出，保持給定時間后經(jīng)過冷水水洗或熱水水洗除去多余的懸濁液，然后進行冷水水洗或熱水水洗，干燥，從而在陽極體上形成由聚噻吩構(gòu)成的固體電解質(zhì)層。
這樣，通過使用聚噻吩作為第3固體電解質(zhì)層，分開使用導電性高分子材料，可制造出更高性能的固體電解電容。
(實施方式7)本發(fā)明實施方式7的特征是，在上述實施方式6中，在第3固體電解質(zhì)層形成工序(S4＂)中，通過電解聚合形成固體電解質(zhì)層，可提高聚合速度，并且即使在初期將電容放置在高溫中的條件下也能夠得到阻抗特性優(yōu)良的固體電解電容。
下面，對本發(fā)明實施方式7的固體電解電容的制造方法進行說明。
在上述實施方式6中，除了浸泡在含有亞乙基二氧噻吩0.5mol/l和烷基萘磺酸鹽0.1mol/l和用于提高液體穩(wěn)定性的異丙醇的水溶液中，通過使導電性高分子層上的一部分與作用電極接觸，在3V的穩(wěn)定電壓下進行30分鐘的電解聚合，使由聚亞乙基二氧噻吩構(gòu)成的導電性高分子均勻地析出以外，與實施方式6同樣進行第3固體電解質(zhì)層形成工序(S4＂)制作固體電解電容。
依照上述制造方法，除了上述實施方式6所述發(fā)明的作用之外，可制造出更高性能的固體電解電容。
(實施方式8)本發(fā)明實施方式8的特征是，第3固體電解質(zhì)層形成工序(S4＂)反復進行在含有陽極體的單體、氧化劑及導電性高分子粒子的懸濁液中浸泡一定時間的工序，以及從溶液中取出上述陽極體，在溶液外保持一定時間的工序至少1次以上，制造固體電解電容的方法，除了上述實施方式6所述發(fā)明的作用之外，可制造出更高性能的固體電解電容。
下面，對本發(fā)明實施方式8的固體電解電容的制造方法進行說明。
在上述實施方式6中，在所述第3固體電解質(zhì)層形成工序中，在懸濁液中浸泡一定時間，然后取出，保持一定時間后，通過用水洗滌或用熱水洗滌除去多余的懸濁液，然后用水洗滌或用熱水洗滌，干燥。這一系列操作反復進行數(shù)次，可獲得更均勻的由聚噻吩構(gòu)成的固體電解質(zhì)層。
(實施方式9)本發(fā)明實施方式9的特征是，在上述實施方式1或4或6的任意一種方式中，在陰極層形成工序(S5)之后，對形成了固體電解質(zhì)層的陽極體進行熱處理的固體電解電容的制造方法，采用該方法可完全除去殘留在聚合膜上的有機物并且可固化固體電解質(zhì)層，因而具有能夠得到容量特性及ESR特性優(yōu)良的固體電解電容的作用。
下面，用實施例對本發(fā)明實施方式9的固體電解電容的制造方法進行說明。
在上述實施方式1中，除形成第1固體電解質(zhì)層，接著形成陰極層后，在250℃下對形成了該固體電解質(zhì)層的陽極體進行熱處理以外，與實施方式1同樣制作固體電解電容。
在上述實施方式4中，除形成第2固體電解質(zhì)層，接著形成陰極層后，在250℃下對形成了該固體電解質(zhì)層的陽極體進行熱處理以外，與實施方式4同樣制作固體電解電容。
在上述實施方式6中，除形成第2固體電解質(zhì)層，接著形成陰極層后，在250℃下對形成了該固體電解質(zhì)層的陽極體進行熱處理以外，與實施方式6同樣制作固體電解電容。
采用上述背景技術一項中說明的方法制作固體電解電容。
對于上述實施例12～14及比較例2的固體電解電容，測定120Hz下的容量特性、100kHz下的ESR特性的結(jié)果如(表3)所示。
從(表3)可以看出，與比較例相比實施例12～14的固體電解電容容量特性、ESR特性優(yōu)良。
這樣在陰極層形成工序后對形成了固體電解質(zhì)層的陽極體進行熱處理，能夠?qū)⒐腆w電解質(zhì)層完全固化，提高密合性，因此可以得到容量特性和ESR特性優(yōu)良的固體電解電容。
另外，熱處理的溫度優(yōu)選230℃～280℃的范圍，熱處理溫度低于230℃時不能完全固化固體電解質(zhì)層，當超過280℃時，固體電解質(zhì)層發(fā)生變化，不能獲得良好的容量特性、ESR特性。
(實施方式10)本發(fā)明實施方式10的特征是，使第1固體電解質(zhì)層的殘渣低于5重量％，具有下述作用通過盡可能減少殘渣可以得到體積收容效率優(yōu)良的高性能固體電解電容。
下面，對本發(fā)明實施方式10的固體電解電容進行說明。
本實施方式10是盡可能減少第1固體電解質(zhì)層形成工序(S4)中殘存在聚合膜上的殘渣，對上述殘渣產(chǎn)生的特性進行比較的結(jié)果如圖7所示。
從圖7中可明確看出，通過將第1固體電解質(zhì)層形成工序中除去殘渣后的殘渣抑制在低于5重量％時，可減少ESR的劣化。
(實施方式11)本發(fā)明實施方式11的特征是，通過電解聚合形成第1固體電解質(zhì)層，這樣可提高聚合速度，并且在初期階段，即使將電容放置在高溫中的條件下也能得到阻抗特性優(yōu)良的固體電解電容。
下面，對本發(fā)明實施方式11的固體電解電容制造方法進行說明。
使用帶有引線的鋁蝕刻箔(aluminum etched foil)作為陽極體。通過用3％己二酸銨水溶液對其進行陽極氧化處理，在上述陽極體的外表面形成電介質(zhì)氧化被膜。
接著，導電性高分子層的形成是將形成了上述電介質(zhì)氧化被膜的陽極體浸泡在下述水溶液中，即溶解由用乙氧基取代(化2)中R得到的單體獲得的聚苯胺5wt％的表面張力為70×10-3N/m的水溶液，然后將其取出，揮發(fā)掉作為溶劑的水。然后在200℃下進行加熱處理5分鐘，從而形成導電性高分子層。
接著，第1固體電解質(zhì)的形成通過下述方法進行，使用預先將吡咯單體0.5mol/l與烷基萘磺酸鈉0.1mol/l混合后，加入作為溶劑的水和作為pH調(diào)整劑的丙基磷酸酯，將pH值調(diào)整到2的聚合液，使聚合開始用電極與鋁蝕刻箔表面接觸，用2V的聚合電壓進行電解聚合，然后進行洗滌，用于除去殘存在聚合膜上的殘渣，干燥。
接著，陰極層的形成(S5)是通過在上述陽極體上涂覆碳，涂覆銀涂料，進行干燥，形成陰極層，這樣便獲得了電容元件。然后用環(huán)氧樹脂進行封裝，制成固體電解電容。
在上述實施例15中，除了第1固體電解質(zhì)層按照下述方法形成以外，與實施例15同樣制作固體電解電容。所述方法為在陽極體的外表面及細孔內(nèi)部均勻地分散吡咯單體溶液，然后使其與氧化溶液接觸，通過化學氧化聚合形成聚吡咯的聚合膜，然后用醋酸水溶液對陽極體的電介質(zhì)氧化被膜層進行修復。接著，通過洗滌除去在形成該聚合膜時生成的殘留在聚合膜上的殘渣，將該除去殘渣后的聚合膜干燥，該操作反復進行3次。
另外，吡咯單體溶液使用在含有乙二醇10wt％的水溶液中溶解吡咯達到1.0mol/l，溶解作為摻雜劑的烷基萘磺酸鈉達到0.25mol/l配制而成的溶液，另外氧化溶液使用在含有乙二醇10wt％的水溶液中溶解作為氧化劑的硫酸鐵(III)達到0.75mol/l，溶解作為摻雜劑的烷基萘磺酸鈉達到0.05mol/l，溶解作為添加劑的硫酸達到0.75mol/l配制而成的溶液。
在上述實施例15中，除了浸泡在30％的硝酸錳水溶液中，使之自然干燥后，在300℃下進行熱分解處理10分鐘，形成二氧化錳層以外，與實施例16同樣形成導電性高分子層制作固體電解電容。
對上述實施例16及比較例3及4的固體電解電容進行老化，然后測定電容的特性。其結(jié)果如(表4)所示。該結(jié)果是取對各固體電解電容分別測試10個得到的平均值。
從(表4)可以看出，實施例15的固體電解電容通過使用pH低的聚合液進行電解聚合，與比較例3通過化學氧化聚合形成的固體電解電容相比，特別是在阻抗及漏電電流特性方面有了大幅度的改善。而且，與比較例4通過在二氧化錳層的表面進行電解聚合形成固體電解質(zhì)層的固體電解電容相比，特別是在靜電容量及漏電電流特性方面也很優(yōu)良。
依照本發(fā)明，通過在把陽極體浸泡在聚合物骨架內(nèi)具有親水基的導電性高分子水溶液后，將其取出進行加熱處理，在所述陽極體上形成導電性高分子層的工序和在所述導電性高分子層上覆蓋含有由雜環(huán)化合物或其衍生物構(gòu)成的單體的溶液，然后通過把含有該單體的溶液中的單體進行聚合形成聚合膜，然后進行用于除去殘留在該聚合膜上的殘渣的洗滌后，對其進行干燥，形成第1固體電解質(zhì)層的工序，并且在形成固體電解質(zhì)層時利用噴淋洗滌等方法除去聚合工序中生成的固體電解質(zhì)殘渣，因此，可制造出形成均勻的固體電解質(zhì)層且可靠性優(yōu)良的固體電解電容。
另外，通過在第1固體電解質(zhì)層形成工序之后，設置在不同于第1固體電解質(zhì)層形成工序的條件下形成固體電解質(zhì)層的第2固體電解質(zhì)層形成工序的制造方法，或在第1固體電解質(zhì)層形成工序之后，設置在不同于第1固體電解質(zhì)層形成工序的條件下形成固體電解質(zhì)層的第2固體電解質(zhì)層形成工序和形成由不同于第1固體電解質(zhì)層和第2固體電解質(zhì)層的導電性高分子構(gòu)成的固體電解質(zhì)層的第3固體電解質(zhì)層形成工序的制造方法，可提高容量特性或ESR特性，制造出可靠性高的產(chǎn)品。
并且，通過在陰極層形成工序之后對形成了固體電解質(zhì)層的陽極體進行熱處理，可完全除去殘留在聚合膜上的有機物，同時可把固體電解質(zhì)層固定化，因此，具有能夠制造出容量特性及ESR特性優(yōu)良的固體電解電容的效果。
化2
表1額定電壓6.3WV(D尺寸7.3×4.3×2.8mm)

表2


表3


表4


權利要求
1.一種固體電解電容的制造方法，其特征在于，包括在由閥作用金屬構(gòu)成的陽極體表面形成電介質(zhì)氧化被膜層的工序，把該陽極體浸泡在聚合物骨架內(nèi)具有親水基的導電性高分子水溶液中，然后將其取出，進行加熱處理，從而在所述電介質(zhì)氧化被膜層上形成導電性高分子層的工序，在所述導電性高分子層上覆蓋含有由雜環(huán)化合物或其衍生物構(gòu)成的單體的溶液，然后通過把含有該單體的溶液中的單體進行聚合形成聚合膜，然后進行用于除去殘留在該聚合膜上的殘渣的洗滌，然后對其進行干燥，從而形成第1固體電解質(zhì)層的工序，和在所述第1固體電解質(zhì)層上形成陰極層的工序。
2.根據(jù)權利要求1所述的固體電解電容的制造方法，其特征在于，在聚合物骨架內(nèi)具有親水基的導電性高分子為單體的苯胺、吡咯、噻吩、呋喃中的任意一種的衍生物。
3.根據(jù)權利要求2所述的固體電解電容的制造方法，其特征在于，在聚合物骨架內(nèi)具有親水基的導電性高分子為具有磺酸基的自身膠漿型導電性高分子。
4.根據(jù)權利要求3所述的固體電解電容的制造方法，其特征在于，在聚合物骨架內(nèi)具有親水基的導電性高分子為(化1)中表示的苯胺衍生物。 化1
5.根據(jù)權利要求1所述的固體電解電容的制造方法，其特征在于，在聚合物骨架內(nèi)具有親水基的導電性高分子水溶液的表面張力為70×10-3N/m以下。
6.根據(jù)權利要求1所述的固體電解電容的制造方法，其特征在于，在160～250℃的溫度范圍內(nèi)進行加熱處理。
7.根據(jù)權利要求1所述的固體電解電容的制造方法，其特征在于，使用氧化劑通過化學氧化聚合進行第1固體電解質(zhì)層的形成。
8.根據(jù)權利要求7所述的固體電解電容的制造方法，其特征在于，形成第1固體電解質(zhì)層的工序是把陽極體浸泡在單體溶液或氧化溶液中的任意一種溶液中給定時間，然后再把所述陽極體浸泡在另一種溶液中給定時間，形成聚合膜，然后反復進行至少多次電介質(zhì)氧化被膜的修復操作。
9.根據(jù)權利要求8所述的固體電解電容的制造方法，其特征在于，氧化溶液的溫度為在空氣中保持的溫度以下。
10.根據(jù)權利要求1所述的固體電解電容的制造方法，其特征在于，用電解聚合進行第1固體電解質(zhì)層的形成。
11.根據(jù)權利要求10所述的固體電解電容的制造方法，其特征在于，電解聚合是在至少含有雜環(huán)化合物或其衍生物的單體、pH調(diào)節(jié)劑和水的pH小于5的水溶液中進行聚合。
12.根據(jù)權利要求1所述的固體電解電容的制造方法，其特征在于，作為用于除去殘渣的洗滌，至少進行除去陽極體外表面殘渣的洗滌或除去殘留在陽極體細孔內(nèi)部殘渣的洗滌中的任意一種。
13.根據(jù)權利要求12所述的固體電解電容的制造方法，其特征在于，作為除去陽極體外表面殘渣的洗滌或除去殘留在陽極體細孔內(nèi)部的殘渣的洗滌，進行使用冷水、熱水、有機溶劑等液體、空氣、氣體中的任意一種的噴淋洗滌，或利用所述液體的超聲波洗滌，或吹洗中的任意一種。
14.根據(jù)權利要求1所述的固體電解電容的制造方法，其特征在于，在形成第1固體電解質(zhì)層的工序之后，設置在不同于形成第1固體電解質(zhì)層的條件的條件下形成固體電解質(zhì)層的第2固體電解質(zhì)層形成工序。
15.根據(jù)權利要求1所述的固體電解電容的制造方法，其特征在于，在形成第1固體電解質(zhì)層的工序之后，設置在不同于形成第1固體電解質(zhì)層的條件的條件下形成固體電解質(zhì)層的第2固體電解質(zhì)層形成工序和形成由不同于第1固體電解質(zhì)層及第2固體電解質(zhì)層的導電性高分子構(gòu)成的固體電解質(zhì)層的第3固體電解質(zhì)層形成工序。
16.根據(jù)權利要求15所述的固體電解電容的制造方法，其特征在于，形成第3固體電解質(zhì)層的工序是反復進行至少1次以上把陽極體浸泡在含有單體、氧化劑及導電性高分子粒子的懸濁液中給定時間的工序和然后將所述陽極體從溶液中取出在溶液外保持給定時間的工序。
17.根據(jù)權利要求16所述的固體電解電容的制造方法，其特征在于，懸濁液是通過混合給定量的單體和氧化劑生成導電性高分子粒子，然后再加入單體的液體。
18.根據(jù)權利要求15所述的固體電解電容的制造方法，其特征在于，用電解聚合進行第3固體電解質(zhì)層的形成。
19.根據(jù)權利要求18所述的固體電解電容的制造方法，其特征在于，電解聚合是在至少含有雜環(huán)化合物或其衍生物的單體、pH調(diào)節(jié)劑和水的pH小于5的水溶液中進行聚合。
20.根據(jù)權利要求1、14或15所述的固體電解電容的制造方法，其特征在于，作為形成第1固體電解質(zhì)層的工序，在進行除去殘留在聚合膜上的殘渣的洗滌之前進行電介質(zhì)氧化被膜的修復。
21.根據(jù)權利要求1、14或15所述的固體電解電容的制造方法，其特征在于，在陰極層形成工序之后進行熱處理。
22.根據(jù)權利要求21所述的固體電解電容的制造方法，其特征在于，在230～280℃的溫度范圍進行熱處理。
23.一種固體電解電容，采用權利要求1～22中任意一項所述的固體電解電容的制造方法制造。
24.根據(jù)權利要求23所述的固體電解電容，其特征在于，導電性高分子層的殘渣小于5重量％。
全文摘要
一種制造固體電解電容的方法,把陽極體浸泡在聚合物骨架內(nèi)具有親水基的導電性高分子水溶液中,然后將其取出,進行加熱處理,從而在所述陽極體上形成導電性高分子層,然后在所述導電性高分子層上覆蓋含有由雜環(huán)化合物或其衍生物構(gòu)成的單體的溶液,然后通過把含有該單體的溶液中的單體進行聚合形成聚合膜,然后進行用于除去殘留在該聚合膜上的殘渣的洗滌,然后對其進行干燥,從而形成第1固體電解質(zhì)層,通過采用該制造方法,可提高生產(chǎn)效率,穩(wěn)定地制造出可靠性高的產(chǎn)品。本發(fā)明解決了由于形成固體電解質(zhì)層時生成的殘渣導致性能下降的問題,其目的在于提供一種可制造出性能優(yōu)良的產(chǎn)品的固體電解電容的制造方法及固體電解電容。
文檔編號H01G9/00GK1369888SQ0210453
公開日2002年9月18日 申請日期2002年2月8日 優(yōu)先權日2001年2月8日
發(fā)明者細川知子, 辻康暢, 加藤壽孝, 林千春, 渡邊善博 申請人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社