專利名稱：SiGeC半導(dǎo)體結(jié)晶及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種可以作為雙極型晶體管和場(chǎng)效應(yīng)晶體管利用的SiGeC半導(dǎo)體結(jié)晶及其制造方法。
以往，是通過(guò)將Si層和包含以Si為主成分的半導(dǎo)體層疊層后形成異質(zhì)結(jié)合，來(lái)嘗試制作以比現(xiàn)有的Si器件更高的速度工作的半導(dǎo)體器件的。作為與Si層形成異質(zhì)結(jié)合的材料，有望采用與Si同屬于IV族元素的混晶半導(dǎo)體的Si1-xGex和Si1-x-yGexCy。特別是由3種元素構(gòu)成的Si1-x-yGexCy混晶半導(dǎo)體，由于通過(guò)改變其組成比可以獨(dú)立地控制帶隙和晶格常數(shù)，因而半導(dǎo)體器件在設(shè)計(jì)上的自由度較大，非常受人關(guān)注。例如，如果適當(dāng)調(diào)整Si1-x-yGexCy的組成比，就能使之與Si結(jié)晶的晶格整合成為可能。而且，如果適當(dāng)調(diào)整Si1-x-yGexCy的組成比，在Si層和Si1-x-yGexCy層的異質(zhì)界面上，可以在傳導(dǎo)帶和價(jià)電子帶雙方產(chǎn)生異質(zhì)壁壘(bandoffset)。例如，在特開(kāi)平10-116919號(hào)公報(bào)中公開(kāi)了利用在Si/SiGeC層的界面上產(chǎn)生的傳導(dǎo)帶一側(cè)的異質(zhì)壁壘，以2維電子氣體作為載流子的可以高速工作的場(chǎng)效應(yīng)晶體管。
然而，現(xiàn)在在Si1-x-yGexCy混晶的制作中，采用將作為各元素Si、Ge以及C的始源的各種氣體分解，在Si層或者SiGe層上進(jìn)行外延成長(zhǎng)的化學(xué)氣相成長(zhǎng)法(CVD法)，和將作為各元素的始源的各種固體加熱蒸發(fā)，進(jìn)行結(jié)晶成長(zhǎng)的分子線外延成長(zhǎng)法(MBE法)。然后，為了把Si1-x-yGexCy層作為半導(dǎo)體器件的一部分來(lái)使用，在Si1-x-yGexCy層內(nèi)添加作為摻雜物的載流子用雜質(zhì)，有必要控制Si1-x-yGexCy層的導(dǎo)電型和電阻率。在Si1-x-yGexCy層中，作為p型摻雜物通常采用硼(B)，作為n型摻雜物通常采用磷(P)，眾所周知，通過(guò)在結(jié)晶成長(zhǎng)中添加摻雜物，就可以控制成長(zhǎng)層的導(dǎo)電型和電阻率。
圖4是表示本發(fā)明人為了對(duì)有關(guān)向Si1-x-yGexCy層進(jìn)行摻雜的問(wèn)題進(jìn)行探討而進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)，從該實(shí)驗(yàn)結(jié)果中獲得的Si1-x-yGexCy層的電阻率與C含有率之間關(guān)系的圖。采取了數(shù)據(jù)的試料的Si1-x-yGexCy層，作為元素Si的原料氣體采用Si2H6，作為元素Ge的原料氣體采用GeH4，作為元素C的原料氣體采用SiH3CH3，作為p型雜質(zhì)(摻雜物)的硼(B)的原料氣體采用B2H6(即現(xiàn)場(chǎng)摻雜)，是利用CVD法進(jìn)行外延成長(zhǎng)的as-grown的層。在該實(shí)驗(yàn)中，使Si2H6以及GeH4的流量和Si1-x-yGexCy層成長(zhǎng)時(shí)的溫度保持一定，只使SiH3CH3的流量發(fā)生變化。如該圖所示，對(duì)于C的含有率在0.45％以下的試料，即使C的含有率變化，電阻率也基本上保持一定，并且，電阻率值比較小。與此相對(duì)，C含有率在1.6％的Si1-x-yGexCy層的電阻率卻明顯地增大。即，表明了以下所述問(wèn)題以該方法進(jìn)行外延成長(zhǎng)的Si1-x-yGexCy層，直到成為不希望作為半導(dǎo)體器件的活性區(qū)域(例如FET的通道層、雙極型晶體管中的基極層等)使用的程度為止，呈現(xiàn)高電阻化狀態(tài)。
圖5是表示對(duì)與采用圖4所示數(shù)據(jù)的試料基本相同的方法所制作的試料，進(jìn)行2次離子質(zhì)量分析后所獲得的Si1-x-yGexCy層的B濃度與C含有率之間關(guān)系的圖。這是為了以下所述的目的而進(jìn)行的實(shí)驗(yàn)。即，當(dāng)通過(guò)在Si1-x-yGexCy層中現(xiàn)場(chǎng)摻入硼來(lái)進(jìn)行導(dǎo)入時(shí)，由于Si1-x-yGexCy層的C含有率而使硼的摻雜效率多少有些變化，為此，需要確認(rèn)圖4所示的電阻率是否受到了硼的濃度的影響。但是，采取了圖5的數(shù)據(jù)的試料與采取了圖4的數(shù)據(jù)的試料并不相同，如圖5所示，Si1-x-yGexCy層中的B濃度，對(duì)Si1-x-yGexCy層的C含有率并沒(méi)有太大的依賴關(guān)系。而且，如圖5所示，Si1-x-yGexCy層的C含有率越大，Si1-x-yGexCy層的B濃度越有增大的傾向，據(jù)此，可以確認(rèn)圖4所示的B濃度為1.6％的試料中的電阻率增大并不是由于B濃度的不足所引起的。
為此，本發(fā)明人推定，在Si1-x-yGexCy層的C含有率大的區(qū)域中，電阻率增大的原因可能是在由現(xiàn)場(chǎng)摻雜的外延成長(zhǎng)時(shí)B并沒(méi)有被充分活性化所引起。以往，當(dāng)用CVD法的半導(dǎo)體層(Si層和Si1-xGex層)的外延成長(zhǎng)時(shí)，在現(xiàn)場(chǎng)摻入摻雜物時(shí)，為了在半導(dǎo)體層的外延成長(zhǎng)的同時(shí)使慘雜物活性化，與通過(guò)離子注入法進(jìn)行雜質(zhì)摻雜的情況不同，認(rèn)為此時(shí)不需要進(jìn)行用來(lái)使摻雜物活性化的熱處理。如圖4所示，即使在Si1-x-yGexCy層中，在C含有率為0.45％以下時(shí)，由于在as-grown狀態(tài)下電阻率小，所以可以直接作為半導(dǎo)體器件的活性區(qū)域來(lái)采用Si1-x-yGexCy層。然而，如果Si1-x-yGexCy層的C含有率變大，就可能會(huì)產(chǎn)生象這樣的、用現(xiàn)有的思考方法不能解決的問(wèn)題。特別是，當(dāng)Si1-x-yGexCy層中的C含有率超過(guò)1％時(shí)，經(jīng)驗(yàn)表明各種特性會(huì)有很大的變化，因此，雖然只用圖4所示的數(shù)據(jù)還不能確認(rèn)，但可以認(rèn)為C含有率在1％附近就是使電阻率增大的臨界值。
本發(fā)明的SiGeC半導(dǎo)體結(jié)晶的制造方法，包括在襯底上，使具有用添加了載流子用雜質(zhì)的Si1-x-yGexCy(0＜x＜1，0.01≤y＜1)所表示的組成的SiGeC半導(dǎo)體結(jié)晶外延成長(zhǎng)的步驟(a)和實(shí)施用于使所述SiGeC半導(dǎo)體結(jié)晶中的載流子用雜質(zhì)活性化的熱處理的步驟(b)。
根據(jù)該方法，從經(jīng)驗(yàn)上可以確認(rèn)可以降低SiGeC層的電阻率。以往，雖然現(xiàn)場(chǎng)摻雜的雜質(zhì)被認(rèn)為可以和外延成長(zhǎng)一起被活性化，但這并不能適用于SiGeC層，可以推定即使是現(xiàn)場(chǎng)摻雜的雜質(zhì)，也是由熱處理使其充分活性化。
所述熱處理溫度是在700℃以上、1000℃以下的范圍內(nèi)，據(jù)此就可以特別地將雜質(zhì)有效活性化。
當(dāng)所述外延成長(zhǎng)是以Si、Ge、C和B中的至少任意一種材料的氫化物來(lái)作為原料的化學(xué)氣相成長(zhǎng)法時(shí)，本發(fā)明的意義更大。
本發(fā)明的SiGeC半導(dǎo)體結(jié)晶是把包含載流子用雜質(zhì)的Si1-zGez(0＜z＜1)層，和載流子用雜質(zhì)的濃度比該Si1-zGez層更低的Si1-wCw(0.01≤w＜1)層2組以上交互疊層而構(gòu)成，并作為具有以Si1-x-yGexCy(0＜x＜1，0.01≤y＜1)所表示的組成的SiGeC半導(dǎo)體結(jié)晶來(lái)發(fā)揮作用。
據(jù)此，把Si1-zGez層和Si1-wCw層一體化，作為1個(gè)SiGeC半導(dǎo)體結(jié)晶來(lái)發(fā)揮作用，同時(shí)在Si1-zGez層內(nèi)，利用即使不進(jìn)行特別處理也能在as-grown狀態(tài)下使載流子用雜質(zhì)活性化這一點(diǎn)，可以獲得適合作為半導(dǎo)體器件的活性區(qū)域來(lái)利用的具有比較小的電阻率的SiGeC半導(dǎo)體結(jié)晶。
通過(guò)使所述Si1-zGez層和Si1-wCw層的厚度比產(chǎn)生離散的量子化準(zhǔn)位的厚度更薄，使Si1-zGez層和Si1-wCw層更可靠地一體化，作為1個(gè)SiGeC半導(dǎo)體結(jié)晶來(lái)發(fā)揮作用。
具體地說(shuō)，最好是使所述Si1-zGez層和Si1-wCw層分別具有1.0nm以下的厚度。
圖2是表示在本發(fā)明的制造方法中，相對(duì)于RTA溫度變化的B摻雜Si1-x-yGexCy半導(dǎo)體結(jié)晶的電阻率變化數(shù)據(jù)的圖。
圖3是表示本發(fā)明實(shí)施例2中的B摻雜Si1-x-yGexCy半導(dǎo)體結(jié)晶構(gòu)成的概略剖面圖。
圖4是表示B摻雜Si1-x-yGexCy層的電阻率與C含有率之間關(guān)系的圖。
圖5是表示由2次離子質(zhì)量分析結(jié)果所獲得的Si1-x-yGexCy層的B濃度與C含有率之間關(guān)系的圖。
具體實(shí)施例方式
下面，參照


根據(jù)本發(fā)明的SiGeC半導(dǎo)體結(jié)晶及其制造方法的實(shí)施例。
實(shí)施例1圖1(a)、(b)是表示本發(fā)明實(shí)施例1中的B摻雜Si1-x-yGexCy半導(dǎo)體結(jié)晶的制造工序的概略剖面圖。圖2是表示在本發(fā)明的制造方法中，相對(duì)于RTA溫度變化的B摻雜Si1-x-yGexCy半導(dǎo)體結(jié)晶的電阻率變化數(shù)據(jù)的圖。
首先，在圖1(a)所示的工序中，在主面為{001}面的Si襯底101上，采用超高真空化學(xué)氣相成長(zhǎng)法(Ultra High Vacuum ChemicalVapor Deposition，UHV-CVD)，使厚度約為300nm的B摻雜Si1-x-yGexCy層102外延成長(zhǎng)。此時(shí)，作為構(gòu)成Si1-x-yGexCy層的元素中的元素Si的原料氣體采用Si2H6，作為元素Ge的原料氣體采用GeH4，作為元素C的原料氣體采用SiH3CH3，作為p型雜質(zhì)(摻雜物)的硼(B)的原料氣體采用B2H6(即現(xiàn)場(chǎng)摻雜)。此時(shí)，Si2H6以及GeH4的流量和Si1-x-yGexCy層成長(zhǎng)時(shí)的溫度(約490℃)保持一定，而只使SiH3CH3的流量變化。成長(zhǎng)壓力約為0.133Pa(＝1×10-3Torr)，成長(zhǎng)溫度為490℃。用x線衍射法對(duì)B摻雜Si1-x-yGexCy層102中的組成進(jìn)行評(píng)價(jià)，結(jié)果，Si的含有率為82.5％，Ge的含有率為13.2％，C的含有率為1.6％。而且，利用2次離子質(zhì)量分析法對(duì)Si1-x-yGexCy層102進(jìn)行評(píng)價(jià)，結(jié)果，B濃度為2.6×1013atoms·cm-3。
然后，如圖1(b)所示，對(duì)Si1-x-yGexCy層102，施行快速熱退火(Rapid Thermal AnnealingRTA)的熱處理后，作為B摻雜Si1-x-yGexCy結(jié)晶層103。此時(shí)，在1個(gè)氣壓的氮?dú)?N2)中，使熱處理的最高溫度例如為950℃，使在最高溫度下的保持時(shí)間約為15秒。
圖2為表示使RTA溫度(最高溫度)變化時(shí)的B摻雜Si1-x-yGexCy結(jié)晶層103的電阻率相對(duì)于熱處理溫度(RTA的最高溫度)的依賴關(guān)系。在圖2所示的數(shù)據(jù)，是在RTA中的最高溫度在700℃到1050℃之間變化，熱處理時(shí)間為一定的15秒的情況下獲得。標(biāo)記為●的數(shù)據(jù)表示B摻雜Si1-x-yGexCy結(jié)晶層103的電阻率。標(biāo)記為■的數(shù)據(jù)表示為了和本發(fā)明進(jìn)行比較所形成的B摻雜Si1-xGex層(Ge的含有率為13％)的電阻率對(duì)熱處理溫度的依賴關(guān)系。如該圖所示，B摻雜Si1-x-yGexCy結(jié)晶層103的電阻率(標(biāo)記為●)，在熱處理溫度700℃到900℃的范圍內(nèi)，隨著熱處理溫度的上升而單調(diào)減少。然后，B摻雜Si1-x-yGexCy結(jié)晶層103的電阻率，在熱處理溫度900℃到1000℃的范圍內(nèi)基本上保持一定值，而當(dāng)熱處理溫度超過(guò)1000℃時(shí)，再次增大。但是，任一情況下的B摻雜Si1-x-yGexCy結(jié)晶層103，通過(guò)在外延成長(zhǎng)后進(jìn)行熱處理，比as-grown狀態(tài)電阻率要降低一些。另一方面，B摻雜Si1-xGex層的電阻率(標(biāo)記為■)無(wú)論是否進(jìn)行RTA都小，并且保持為一定值。即，對(duì)于B摻雜Si1-xGex層，為在外延成長(zhǎng)后的活性化進(jìn)行熱處理是完全沒(méi)有意義的。
從以上所述可知，通過(guò)伴隨現(xiàn)場(chǎng)摻雜的外延成長(zhǎng)形成Si1-x-yGexCy層后，通過(guò)對(duì)Si1-x-yGexCy層進(jìn)行熱處理，可以降低Si1-x-yGexCy層的電阻率。即，以往，雖然存在著在通過(guò)現(xiàn)場(chǎng)摻雜的外延成長(zhǎng)的包含1％以上的摻雜物的Si1-x-yGexCy層中電阻率高的問(wèn)題，但該問(wèn)題通過(guò)在Si1-x-yGexCy層的外延成長(zhǎng)后進(jìn)行熱處理可以抑制電阻率的增大。
如圖2所示，特別是，通過(guò)在溫度為700℃～1020℃的范圍內(nèi)進(jìn)行熱處理(RTA)，可以獲得Si1-x-yGexCy層的電阻率確切地降低的效果。
進(jìn)一步，通過(guò)在溫度為900℃～1000℃的范圍內(nèi)進(jìn)行熱處理，Si1-x-yGexCy層的電阻率確切地降低的效果更加明顯。
在本實(shí)施例中，雖然作為載流子生成用雜質(zhì)是采用硼(B)的情況下進(jìn)行了說(shuō)明，但本發(fā)明并不局限于有關(guān)實(shí)施例，也可以適用于作為載流子生成用雜質(zhì)采用磷(P)的情況。
在作為本申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán)主張基礎(chǔ)的申請(qǐng)(特願(yuàn)平2000-086154號(hào))之后，在文獻(xiàn)(Epitaxial growth of Si1-x-yGexCyfilm on Si(100)in aSiH4-GeH4-Ch3SiH3reaction，(A.Ichikawa et.al.Thin Solid Film369(2000)167-170))中，報(bào)告了通過(guò)伴隨現(xiàn)場(chǎng)摻雜的外延成長(zhǎng)法形成的P摻雜Si1-x-yGexCy層的電阻率在as-grown狀態(tài)下較大，從沒(méi)有記載如何抑制該電阻率增大的方法的這一點(diǎn)可知，以比較高的含有率摻入包含C的雜質(zhì)的Si1-x-yGexCy層的低電阻率化問(wèn)題還沒(méi)有解決。對(duì)此，根據(jù)本發(fā)明，在通過(guò)簡(jiǎn)單處理就可以降低摻雜雜質(zhì)的Si1-x-yGexCy層的電阻這一點(diǎn)上具有很大的意義。
此外，采用Si1-x-yGexCy結(jié)晶制作場(chǎng)效應(yīng)晶體管和雙極型晶體管等器件時(shí)，所述熱處理工序可以兼作為例如源極、漏極區(qū)域的活性化工序和多晶硅電極的活性化工序等熱處理工序，也可以獲得同樣的效果。
而且，在本實(shí)施例中，雖然采用UHV-CVD法進(jìn)行Si1-x-yGexCy層的外延成長(zhǎng)，但本發(fā)明并不局限于有關(guān)實(shí)施例，對(duì)于用減壓氣相成長(zhǎng)法(LP-CVD)等其他成長(zhǎng)方法制作的Si1-x-yGexCy結(jié)晶層，也可以獲得相同的效果。
而且，在本實(shí)施例中，雖然進(jìn)行的是根據(jù)RTA的熱處理，在爐內(nèi)退火法等任何種類的熱處理方法中也可以獲得相同的效果。
實(shí)施例2下面，說(shuō)明根據(jù)實(shí)施例2的B摻雜Si1-x-yGexCy結(jié)晶層103的構(gòu)造以及制造方法。
圖3為表示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的半導(dǎo)體超晶格構(gòu)造的示意剖面圖。通過(guò)UHV-CVD法，在Si襯底111上，對(duì)具有包含載流子用雜質(zhì)的硼(B)的以Si1-zGez(0＜z＜1)表示的組成的B摻雜SiGe層113(厚度為1nm)、具有比B摻雜SiGe層113的載流子用雜質(zhì)的濃度要低的以Si1-wCw(0.01≤w＜1)表示的組成的無(wú)摻雜SiC層112(厚度為1nm)進(jìn)行150周期疊層后，外延成長(zhǎng)超晶格結(jié)構(gòu)104。此時(shí)，作為元素Si的原料氣體采用Si2H6，作為元素Ge的原料氣體采用GeH4，作為元素C的原料氣體采用SiH3CH3，作為p型雜質(zhì)(摻雜物)的硼(B)的原料氣體采用B2H6(即現(xiàn)場(chǎng)摻雜)。此時(shí)，成長(zhǎng)壓力約為0.133Pa(＝1×10-3Torr)，成長(zhǎng)溫度為490℃。用x線衍射法，對(duì)B摻雜SiGe層113的組成進(jìn)行評(píng)價(jià)后的結(jié)果表明，Ge的含有率為26.4％。用x線衍射法，對(duì)無(wú)摻雜SiC層113中的組成進(jìn)行評(píng)價(jià)后的結(jié)果表明，C的含有率為3.2％。而且，對(duì)B摻雜SiGe層112用2次離子質(zhì)量分析法進(jìn)行評(píng)價(jià)后的結(jié)果表明，B濃度為5.2×1018atoms·cm-3。此外，在無(wú)摻雜SiC層113中并不是有意識(shí)地進(jìn)行摻雜，而是利用摻雜用氣體的殘留和擴(kuò)散來(lái)包含低濃度的B。
根據(jù)本實(shí)施例制作的Si1-zGez/Si1-wCw疊層后構(gòu)成的超晶格結(jié)構(gòu)104，由于是SiC層以及SiGe層不出現(xiàn)量子效果的程度的薄的超晶格結(jié)構(gòu)，不會(huì)形成離散的量子準(zhǔn)位。然后，SiC層112以及SiGe層113的性質(zhì)被平均化(所謂的一體化)，超晶格結(jié)構(gòu)104整體作為一個(gè)Si1-x-yGexCy層(0＜x＜1，0.01≤y＜1)發(fā)揮作用在該Si1-x-yGexCy層(Si1-zGez/Si1-wCw短周期超晶格)中，平均的Si、Ge、C以及B的濃度分別約為85.2％、13.2％、1.6％、2.6×1018atoms·cm-3，可以認(rèn)為是和圖1所示Si1-x-yGexCy層102具有相同的構(gòu)成。
因此，根據(jù)本實(shí)施例，可以發(fā)揮和實(shí)施例1相同的效果。并且，具有的優(yōu)點(diǎn)是，在本實(shí)施例的SiGeC半導(dǎo)體結(jié)晶的制造工序中，沒(méi)有必要施行象實(shí)施例1的熱處理，就可以在as-grown狀態(tài)下實(shí)現(xiàn)低電阻化。
而且，在超晶格結(jié)構(gòu)104中，B只摻雜在SiGe層113中，在SiC層112中基本上不包含B。如圖2以及圖4所示，在SiGe層113的B在as-grown狀態(tài)下作為摻雜物活性化。而且，在制造工序中，在SiGe層113中雖然有可能混入極微量的C，如圖4所示，只要是在0.45％以下程度的C的存在就不會(huì)引起在SiGe層中的電阻率的增大。
此外，在本實(shí)施例中，雖然是設(shè)定SiC層112以及SiGe層113的厚度為1nm，采用對(duì)該2個(gè)層進(jìn)行150周期疊層的超晶格結(jié)構(gòu)，但本發(fā)明并不局限于有關(guān)實(shí)施例。通過(guò)將包含高濃度的載流子用雜質(zhì)的Si1-zGez層和幾乎不包含載流子用雜質(zhì)的Si1-wCw層進(jìn)行疊層，就可以切實(shí)地獲得使載流子用雜質(zhì)活性化的作用，獲得作為1個(gè)Si1-x-yGexCy層來(lái)發(fā)揮功能的疊層結(jié)構(gòu)。但是，如果Si1-zGez層或者Si1-wCw層產(chǎn)生量子化準(zhǔn)位，則由于擔(dān)心出現(xiàn)其他特性，希望Si1-zGez層以及Si1-wCw層的厚度均在不出現(xiàn)量子化準(zhǔn)位的程度上。
特別是，如果Si1-zGez層以及Si1-wCw層的厚度分別在1nm以下，則由于在各層中可以確實(shí)地消除量子化準(zhǔn)位，所以希望各層的厚度在1nm以下。不過(guò)，Si1-zGez層和Si1-wCw層的厚度可以互不相等。
在本實(shí)施例中，雖然采用UHV-CVD法，通過(guò)交替使Si1-zGez層以及Si1-wCw層外延成長(zhǎng)，來(lái)形成了Si1-x-yGexCy層，但本發(fā)明并不局限于有關(guān)實(shí)施例，對(duì)于用減壓氣相成長(zhǎng)法(LP-CVD)等其他成長(zhǎng)方法制作的Si1-zGez層以及Si1-wCw層所構(gòu)成的Si1-x-yGexCy結(jié)晶層，也可以獲得相同的效果。
本發(fā)明用于具有Si/SiGeC或SiGe/SiGeC異質(zhì)結(jié)構(gòu)的場(chǎng)效應(yīng)型晶體管和雙極型晶體管。
權(quán)利要求
1.一種SiGeC半導(dǎo)體結(jié)晶的制造方法，其特征是包括在襯底上，使具有用添加了載流子用雜質(zhì)的Si1-x-yGexCy(0＜x＜1，0.01≤y＜1)所表示的組成的SiGeC半導(dǎo)體結(jié)晶外延成長(zhǎng)的步驟(a)；實(shí)施用于使所述SiGeC半導(dǎo)體結(jié)晶中的載流子用雜質(zhì)活性化的熱處理的步驟(b)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的SiGeC半導(dǎo)體結(jié)晶的制造方法，其特征是所述熱處理的溫度是在700℃以上、1000℃以下的范圍內(nèi)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的SiGeC半導(dǎo)體結(jié)晶的制造方法，其特征是所述外延成長(zhǎng)是以Si、Ge、C和B中的至少任意一種材料的氫化物作為原料的化學(xué)氣相成長(zhǎng)法。
4.一種SiGeC半導(dǎo)體結(jié)晶，其特征是把2組以上的、包含載流子用雜質(zhì)的Si1-zGez(0＜z＜1)層和載流子用雜質(zhì)的濃度比該Si1-zGez層更低的Si1-wCw(0.01≤w＜1)層交替疊層而構(gòu)成；作為具有以Si1-x-yGexCy(0＜x＜1，0.01≤y＜1)所表示的組成的SiGeC半導(dǎo)體結(jié)晶來(lái)發(fā)揮作用。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的SiGeC半導(dǎo)體結(jié)晶，其特征是所述Si1-zGez層和Si1-wCw層的厚度比產(chǎn)生離散的量子化準(zhǔn)位的厚度更薄。
6.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的SiGeC半導(dǎo)體結(jié)晶，其特征是所述Si1-zGez層和Si1-wCw層分別具有1.0nm以下的厚度。
全文摘要
在Si襯底101上,利用UHV－CVD法,使B摻雜Si
文檔編號(hào)H01L29/161GK1365522SQ01800687
公開(kāi)日2002年8月21日 申請(qǐng)日期2001年3月27日 優(yōu)先權(quán)日2000年3月27日
發(fā)明者齋藤?gòu)? 神澤好彥, 能澤克彌, 久保實(shí) 申請(qǐng)人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社