專利名稱：包括具有磁性損耗材料的金屬盒的電子部件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及包括金屬盒或金屬套的電子部件，具體地說，涉及包括具有磁性損耗材料的金屬盒的電子部件，該部件利用了在高頻下具有大的磁損耗特性的磁性物質(zhì)并且該部件中的磁性物質(zhì)具有有效抑制電磁干擾和不希望有的輻射的極佳復磁導率特性，所述干擾和輻射是由在高速操作類型的有源元件或高頻電子部件和電子裝置下有問題的金屬盒的反射或諧振所引起的。
目前，高速操作類型的高度集成的半導體器件已經(jīng)非常普及。作為一個例子，已知諸如隨機存取存儲器(RAM)、只讀存儲器(ROM)、微處理器(MPU)、中央處理單元(CPU)、或圖像處理器運算邏輯單元(IPALU)的邏輯電路元件。關(guān)于這些有源元件，計算速度和信號處理速度迅速地提高，以致通過高速電子電路的電子信號發(fā)送是產(chǎn)生電介質(zhì)高頻噪聲的主要原因，因為它伴隨電壓和電流的迅速變化。
另一方面，使得電子部件和裝置輕、薄和小型化在無限地取得快速進展。因此，半導體器件的集成度和印刷線路板上電子部件的插件密度顯著地提高。這樣，緊密集成或插件的電子部件或信號線路被安排得彼此極為接近。這種以及上述的高速信號處理易于引起電磁干擾，它甚至引起高頻或輻射噪聲。
在當前這樣的集成元件或線路板中，存在關(guān)于從電流供給線路到有源元件的所不期望的輻射問題。作為防止所述問題的對策，例如把諸如去耦電容等集總常數(shù)部件插入到電流供給線路。
可是，在高速電子集成元件或線路版中出現(xiàn)如下情況利用傳統(tǒng)集總常數(shù)電路作為先決條件的防噪聲措施沒有效果，因為由于所產(chǎn)生的噪聲包括更高的諧波分量，信號路徑起作分布常數(shù)的作用。
另外，包括金屬盒或金屬套的電子部件具有由金屬盒的輻射或諧振引起的電磁干擾或不期望的輻射問題，下文將金屬盒或金屬套稱為金屬盒。
本發(fā)明的目的是提供一種包括金屬盒的電子部件，其中由容納這樣的高速操作類型的半導體器件和電子電路的金屬盒引起的電磁干擾和不期望的輻射得到減少。
按照本發(fā)明，提供一種在金屬盒中包括電子電路或電路元件的電子部件。在本發(fā)明中，所述金屬盒具有由磁性損耗材料構(gòu)成的磁性薄膜。
這里，在按照本發(fā)明的包括金屬盒的電子部件中，最好是把所述磁性薄膜設(shè)置在金屬盒內(nèi)高頻電流通過的位置或至少在金屬盒的內(nèi)壁面的一部分。
另一方面，在按照本發(fā)明的包括金屬盒的電子部件中，最好是由磁性損耗材料來構(gòu)成所述磁性薄膜。磁性損耗材料具有由M-X-Y表示的組成物，其中M表示Fe、Co和Ni中的至少一個，X表示除M和Y以外的元素中的至少一個，并且Y表示F、N和O中的至少一個。磁性損耗材料是這樣一種窄帶磁性損耗材料在復磁導率特性中，虛部μ”的最大值μ”max出現(xiàn)在100MHz到10GHz的頻率范圍內(nèi)，相對帶寬bwr不大于200％，其中相對帶寬bwr是通過提取μ”值為最大值μ”max的50％的兩個頻率之間的頻率帶寬并以其中心頻率對所述頻率帶寬進行歸一化而得到的。另外，最好是由具有通過M-X-Y表示的組成物的磁性損耗材料來構(gòu)成所述磁性薄膜，其中M表示Fe、Co和Ni中的至少一個，X表示除M和Y以外的元素中的至少一個，并且Y表示F、N和O中的至少一個。磁性損耗材料是這樣的寬帶磁性損耗材料在復磁導率特性中，虛部μ”的最大值μ”max出現(xiàn)在100MHz到10GHz的頻率范圍內(nèi)，相對帶寬bwr不小于150％，其中相對帶寬bwr是通過提取μ”值為最大值μ”max的50％的兩個頻率之間的頻率帶寬并以其中心頻率對所述頻率帶寬進行歸一化而得到的。


圖1是按照本發(fā)明的第一實施例中的電介質(zhì)諧振器濾波器的正面截面圖；圖2是按照本發(fā)明的第二實施例中的調(diào)諧箱的示意截面圖；圖3是按照本發(fā)明的一個實施例中的濺射裝置的示意結(jié)構(gòu)圖；圖4示出按照本發(fā)明的一個實施例中的樣品1的μ”與頻率的關(guān)系的例子；圖5示出一個比較樣品1的μ”與頻率的關(guān)系的例子；圖6示出盒諧振測量系統(tǒng)；圖7示出圖6所示的盒諧振與抑制和吸收材料面積的關(guān)系；圖8是盒諧振輻射的測量裝置的示意結(jié)構(gòu)圖；和圖9示出由于盒諧振減小而抑制EMI輻射的例子。
在描述本發(fā)明的實施例之前將詳細描述本發(fā)明的情況。
本發(fā)明人曾經(jīng)發(fā)明了高頻下磁性損耗大的復合磁性物質(zhì)并發(fā)現(xiàn)通過把上述復合磁性物質(zhì)置于接近不期望的輻射源的位置來有效抑制由上述半導體器件或電子電路產(chǎn)生的不期望的輻射的方法。從目前的研究知道，通過向所述電子電路提供對應的電阻系數(shù)部件可以獲得利用磁性損耗來衰減不期望的輻射的上述操作裝置，所述電子電路是不期望的輻射的源。對應的電阻系數(shù)部件的大小依賴于磁性損耗項或磁性物質(zhì)的虛部μ”的大小。更具體地說，當磁性物質(zhì)面積固定時，相應地插入到電路中的電阻系數(shù)部件的大小通常與所述磁性物質(zhì)的μ”和厚度成正比。因此在較小或較薄的磁性物質(zhì)中，需要較大的μ”來達到對不期望的輻射的所需衰減。
例如，為了借助于諸如半導體器件的模子的內(nèi)部部分的微小區(qū)域中的磁性損耗物質(zhì)來測量不期望的輻射，需要磁性虛部μ”有極大的值，以致與傳統(tǒng)的磁性損耗材料相比較，所需的磁性物質(zhì)應該有極大的μ”值。
在借助于濺射法或蒸汽沉積法對軟磁性物質(zhì)進行研究的過程中，本發(fā)明人的研究集中在微小磁性金屬微粒均勻地分布在諸如陶瓷的非磁性物質(zhì)中的顆粒狀磁性物質(zhì)的極佳磁導率特性上。作為對磁性金屬微粒和包圍所述微粒的非磁性物質(zhì)的微結(jié)構(gòu)的研究結(jié)果，他們發(fā)現(xiàn)，當顆粒磁性物質(zhì)中的磁性金屬微粒的含量在特定范圍時，可以在高頻范圍得到大的磁性損耗特性。曾經(jīng)有許多對具有M-X-Y組成物的顆粒磁性物質(zhì)的研究，其中M表示磁性金屬元素，Y表示O、N或F中的一個，以及X表示除M和Y以外的元素，已經(jīng)知道顆粒磁性物質(zhì)具有較低損耗的大飽和磁化。在這種M-X-Y顆粒磁性物質(zhì)中，飽和磁化的大小取決于M成分的體積比。因此，為了得到大飽和磁化，M成分的體積比應該較高。為此，已經(jīng)把M-X-Y顆粒磁性物質(zhì)中M成分的比率限制在能夠達到這樣一種飽和磁化的范圍內(nèi)，即飽和磁化通常為只包含M成分的大塊金屬磁性物質(zhì)的飽和磁化的80％或者更大，這樣在一般的使用中M-X-Y顆粒磁性物質(zhì)被用作為高頻感應器元件或變壓器的磁心。
作為對具有M-X-Y組成物(其中M表示磁性金屬元素，Y表示O、N或F中的一個，以及X表示除M和Y以外的元素)的顆粒磁性材料中M成分的比率大范圍地進行分析的結(jié)果，本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)當磁性金屬M的含量在一定范圍時，任何組成物系統(tǒng)都在高頻范圍表現(xiàn)出大的磁性損耗。
在M成分的比率表示飽和磁化達到只包含M成分的大塊金屬磁性物質(zhì)的飽和磁化的80％或者更大的最高范圍是至今已經(jīng)普遍研究的具有較高飽和磁化和較低損耗的M-X-Y顆粒磁性物質(zhì)的范圍。在該范圍的材料被用于諸如上述高頻感應器的高頻微磁性裝置，因為該材料具有大數(shù)值的實數(shù)部分磁導率(μ’)和大數(shù)值的飽和磁化?？墒请娮柘禂?shù)低，因為影響電阻系數(shù)的X-Y成分的比率低。當薄膜厚度由于上面的原因變厚時，高頻磁導率在高頻范圍中會按照渦流損耗的出現(xiàn)而惡化，以致上述材料不適合比較厚的磁性薄膜作為防噪聲措施。在M成分的比率表示飽和磁化為只包含M成分的大塊金屬磁性物質(zhì)的飽和磁化的80％或更小、和60％或更大的范圍內(nèi)，電阻系數(shù)比較大，通常為100μΩ·cm或更大，以致即使在材料的厚度只為幾個μm時渦流損耗也小，并且磁性損耗是幾乎由自然諧振引起的損耗。這樣，磁性虛部μ”的頻率分布寬度會窄，這適合于窄帶頻率范圍內(nèi)的噪聲應付(高頻電流抑制)。在M成分的比率表示飽和磁化為只包含M成分的大塊金屬磁性物質(zhì)的飽和磁化的60％或更小、和35％或更大的范圍內(nèi)，電阻系數(shù)更大，通常為500μΩ·cm或更大，以致渦流損耗極小，并且M成分之間小磁性干擾引起較大的旋轉(zhuǎn)熱攪動并由此引起產(chǎn)生自然諧振的頻率的波動。結(jié)果，磁性虛部μ”在寬范圍表現(xiàn)出較大值。這樣，這種范圍的組成物適合于寬帶中的高頻電流抑制。
另一方面，在M成分的比率比按照本發(fā)明的范圍的比率更加小的范圍內(nèi)，M成分之間的磁性干擾難以出現(xiàn)并且所述范圍由此變得特別順磁。
為抑制高頻電流而在電子電路附近設(shè)置磁性損耗材料時，設(shè)計材料的基準是通過磁性損耗材料虛部μ”和磁性損耗材料的厚度δ之積μ”·δ給出的。為有效地抑制幾百MHz頻率的高頻電流，通常需要μ”·δ≥1000(μm)。因此，需要μ”=1000的磁性損耗材料具有1μm或更大的厚度。因此，最好不使用容易產(chǎn)生渦流損耗的具有低電阻系數(shù)的材料。在具有100μΩ·cm或更大電阻系數(shù)的組成物中，即在按照本發(fā)明的組成物系統(tǒng)中，合適的范圍為M成分的比率表示飽和磁化為只包含M成分的大塊金屬磁性物質(zhì)的飽和磁化的80％或更小并且不會出現(xiàn)特別順磁磁性、也就是說M成分的比率表示飽和磁化為只包含M成分的大塊金屬磁性物質(zhì)的飽和磁化35％或更大。
鑒于這種情況，本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)上述顆粒磁性物質(zhì)可用于包含金屬盒的電子部件，這導致了本發(fā)明。
現(xiàn)將參考附圖來描述本發(fā)明的實施例。
參考圖1，圖中示出了按照本發(fā)明的實施例中的電介質(zhì)諧振器的結(jié)構(gòu)的一部分。在該實施例中，電介質(zhì)諧振器形成濾波器11。
濾波器11包括電介質(zhì)諧振器23、25、27和29，各個電介質(zhì)諧振器通過各個支撐物15、17、19和21設(shè)置在形成金屬腔的金屬盒13的底面上。用于支撐體15、17、19和21的材料通常是電介質(zhì)諧振器的Q值盡可能不惡化的材料。
金屬盒13的兩側(cè)分別具有包括輸入/輸出探頭31和33的輸入/輸出端子35和37。設(shè)置金屬蓋39，以便蓋住形成金屬腔的金屬盒13的上端的開口部分。用于調(diào)整頻率的金屬螺絲41、43、45和47連接到金屬蓋39，以便可以通過調(diào)整電介質(zhì)諧振器23、25、27和29與金屬螺絲41、43、45和47之間的各個間隔來調(diào)整頻率。
輸入/輸出探頭31和33連接到金屬盒15的內(nèi)部，這是由于它們在電磁場中分別連接到電介質(zhì)諧振器23和29。作為電磁場連接的最合適位置，連接位幾乎等于圓柱電介質(zhì)諧振器23和29的中心位。
上述結(jié)構(gòu)幾乎與傳統(tǒng)的電介質(zhì)諧振器濾波器的結(jié)構(gòu)相同。
可是，按照本發(fā)明的實施例中的電介質(zhì)諧振器濾波器與傳統(tǒng)的不同由Feα-AIβ-Oγ構(gòu)成的顆粒磁性薄膜51是以濺射法形成在構(gòu)成金屬腔的金屬盒13和金屬蓋39的整個內(nèi)表面。
形成顆粒磁性薄膜51可以抑制濾波器11內(nèi)部部件間的電磁干擾和不需要的電磁波輻射，或者吸收來自外部的高頻噪聲。
在上述第一實施例中，F(xiàn)eα-Alβ-Oγ用作為顆粒磁性薄膜51?？墒牵景l(fā)明定義使用由M-X-Y通用式表示的磁性物質(zhì)而不限于上述第一實施例。
參考圖2，在按照本發(fā)明的第二實施例的調(diào)諧箱73中，其上組裝有諸如屏蔽板57、IC器件59、電容器61、感應器63和環(huán)形感應器65等電子部件的布線板67裝在包括金屬盒53盒金屬蓋55的金屬盒中。另外有伸出金屬盒的聲音插孔69。
上述結(jié)構(gòu)幾乎與傳統(tǒng)調(diào)諧箱的結(jié)構(gòu)相同?？墒前凑毡景l(fā)明第二實施例中的調(diào)諧箱與傳統(tǒng)的調(diào)諧箱不同之處在于由Feα-Alβ-Oγ構(gòu)成的顆粒磁性薄膜71是以濺射法形成在構(gòu)成金屬盒的金屬盒53和金屬蓋55的整個內(nèi)表面。
形成顆粒磁性薄膜71可以達到對調(diào)諧箱73內(nèi)部部件間電磁干擾和不需要的電磁波輻射的抑制，或者吸收來自外部的高頻噪聲。
在上述第二實施例中，F(xiàn)eα-AIβ-Oγ用作為顆粒磁性薄膜71?？墒?，本發(fā)明定義由M-X-y通用式表示的磁性物質(zhì)而不限于上述第二接下來，將參考圖3來描述按照本發(fā)明的M-X-Y顆粒磁性物質(zhì)的結(jié)構(gòu)的實施例和其制造方法。
參考圖3，濺射裝置77具有能夠借助于真空泵79抽真空的真空室81中的目標樣品臺83和基底85。目標樣品臺83連接到RF功率源87。目標樣品臺83具有目標89和置于其上的芯片91?？扉T(shutter)91位于目標樣品臺83和基底85之間以便蓋住基底。標號93表示用于向真空室供氣的供氣部分。
(樣品1)如圖3所示，在下面的表1所示的條件下利用濺射法在玻璃基底43上形成顆粒磁性薄膜。在磁場下對處在真空中的濺射的薄膜進行2小時的300℃溫度的熱處理來得到樣品1。
對所得到的樣品1的用熒光X射線光譜法分析的結(jié)果，薄膜的組成物是Fe72Al11O17樣品1具有2.0μm的薄膜厚度、530μΩ·cm的直流電阻系數(shù)、18奧斯特(1.42×103A/m)的Hk、16800高斯(1.68T)的Ms和148％的相對帶寬bwr，所述相對帶寬bwr是通過提取μ”值為最大μ”max的50％的兩個頻率之間的頻率帶寬并在其中心頻率對所述頻率帶寬進行歸一化而得到的。樣品1的飽和磁化與只包含M成分的金屬磁性物質(zhì)的飽和磁化的比率為72.2％。
表1
檢查μ-f響應以便檢查樣品1的磁性損耗特性。把已經(jīng)處理成條狀的樣品1插入檢測線圈中并用外加的偏磁場來測量阻抗，以便可以測量μ-f響應，然后得到磁性虛部μ”的頻率特性。
(比較樣品1)用相同的方法和在除Al2O3芯片數(shù)量設(shè)置為90外與樣品1相同的條件下產(chǎn)生比較樣品1。
對所產(chǎn)生的比較樣品1的熒光X射線光譜法分析的結(jié)果，薄膜的組成物是Fe86Al6O8。比較樣品1具有1.2μm的厚度、74μΩ·cm的直流電阻系數(shù)、22奧斯特(1.74×103A/m)的各向異性磁場Hk、和18800高斯(1.88T)的Ms。比較樣品1的飽和磁化與只包含M成分的金屬磁性物質(zhì)的飽和磁化的比率{Ms(M-X-Y)/Ms(M)}×100為85.7％。
參考圖4，可以看到，按照本發(fā)明的樣品1的μ”-f響應具有極高的峰值和快速的下落，并且諧振頻率高約700MHz。
參考圖5，可以看到，在比較樣品1的μ”-f響應中，比較樣品1在對大飽和磁化Ms的響應中表現(xiàn)出大的μ”，同時頻率上升時由于所述樣品的電阻系數(shù)較低而產(chǎn)生渦流損耗，并且較低頻率范圍的磁導率(磁損耗特性)由此出現(xiàn)惡化，以致高頻磁導率特性會更壞。
按照這些結(jié)果，應該指出，按照本發(fā)明的樣品1的磁性物質(zhì)在高頻范圍表現(xiàn)出極大的磁性損耗特性。
參考圖6，盒諧振測量系統(tǒng)91中，作為待測量的對象并具有各邊為300mm的立方體結(jié)構(gòu)的金屬盒93被認為是待測量的電子裝置的盒。金屬盒93在其內(nèi)表面具有顆粒磁性薄膜51。分別地，在所述內(nèi)部表面的一面設(shè)置端子部分97，而在上述面的另一鄰近面設(shè)置端子部分97。一個端子部分95連接到頻譜分析儀99，而所述另一個端子部分95連接到跟蹤振蕩器101。頻譜分析儀99和跟蹤振蕩器101彼此連接。
參考圖7，雖然a從未形成，分別地，b示出樣品45為面積45×45；c示出面積65×65；d示出面積85×85；e示出面積105×105；f示出面積125×125；g示出面積145×145；h示出面積165×165；i示出面積185×185；j示出面積205×205；k示出面積225×225；l示出面積245×245；和m示出面積265×265。
按照圖7，變明顯的是諧振強度依賴于顆粒磁性薄膜面積。
參考圖8，盒諧振輻射測量裝置中，作為待測量的對象并具有各邊為300mm的立方體結(jié)構(gòu)的金屬盒93被認為是待測量的電子裝置的盒。金屬盒93在其內(nèi)表面具有顆粒磁性薄膜51。分別地，在所述內(nèi)部表面的一面設(shè)置端子部分95，而在上述面的鄰近另一面設(shè)置設(shè)置端子部分97。一個端子部分95伸出形成露出端子95a，而另一個端子部分97連接到跟蹤振蕩器。為進行測量，把對數(shù)-周期天線(500MHz-2GHz)用作為設(shè)置在頻譜分析儀99中的天線103，使得天線的頂部面向露出端子95a。樣品是尺寸為265×265mm顆粒磁性薄膜。頻譜分析儀99和跟蹤振蕩器101彼此連接。
參考圖9，盒中電場強度增加時，從諸如電纜觀察到盒諧振頻率的強電場?？梢钥吹?，作為對上面所述的應付措施，提供顆粒磁性薄膜51來抑制盒的諧振并且也抑制向空間的磁輻射。
在上面的描述中，只提到了具有Fe86Al6O8的組成物的顆粒磁性薄膜?？墒秋@然，在按照本發(fā)明的顆粒磁性薄膜中，即使在由M-X-Y來表示其通用式的磁性物質(zhì)的成分如下時也能達到相同的效果M成分是Ni、Fe或Co；X成分是C、B、Si、Al、Mg、Ti、Zn、Hf、Sr、Nb、Ta或稀土元素或其組合物；Y成分是或者F、N或O或者其組合物。
關(guān)于形成薄膜的方法，可以采用諸如蒸汽沉積的方法，盡管在上面的實施例中使用濺射法。另外，形成方法可以是離子束沉積或氣體沉積。只要可以均勻地產(chǎn)生按照本發(fā)明的磁性損耗材料，沒有限制。
電介質(zhì)諧振器和調(diào)諧箱被描述為按照本發(fā)明實施例的金屬盒，但是顯然，本發(fā)明可以應用于包含任何其它金屬盒的電子部件，諸如裝在金屬盒中的個人計算機。
如上所述，按照本發(fā)明，有可能提供一種包括具有磁性薄膜的金屬盒的電子部件，所述磁性薄膜高頻磁性損耗特性優(yōu)良、極有效地消除包括金屬盒的電子部件的不期望的電磁波。
權(quán)利要求
1．一種在金屬盒中包括電子電路或電路元件的電子部件，其中所述金屬盒具有由磁性損耗材料構(gòu)成的磁性金屬薄膜。
2．按照權(quán)利要求1的電子部件，其特征在于所述磁性薄膜設(shè)置在所述金屬盒中的位置，其中高頻電流通過所述位置。
3．按照權(quán)利要求1的電子部件，其特征在于所述磁性薄膜設(shè)置在所述金屬盒的內(nèi)壁表面的至少一部分上。
4．按照權(quán)利要求3的電子部件，其特征在于所述磁性薄膜設(shè)置在所述金屬盒的整個內(nèi)壁表面上。
5．按照權(quán)利要求1到4中任何一項的電子部件，其特征在于所述磁性薄膜是由具有用M-X-Y表示的組成物的磁性損耗材料構(gòu)成的，其中M表示Fe、Co和Ni中的至少一個，X表示除M和Y以外的元素中的至少一個，以及Y表示F、N和O中的至少一個，并且所述磁性損耗材料是這樣一種窄帶磁性損耗材料在復磁導率特性中，虛部μ”的最大值μ”max出現(xiàn)在100MHz到10GHz的頻率范圍內(nèi)，相對帶寬bwr不大于200％，所述相對帶寬bwr是通過提取μ”值為所述最大值μ”max的50％的兩個頻率之間的頻率帶寬并按其中心頻率對所述頻率帶寬進行歸一化而得到的。
6．按照權(quán)利要求5的電子部件，其特征在于所述磁性損耗材料的飽和磁化在只包含M成分的金屬磁性物質(zhì)的飽和磁化的80％到60％的范圍內(nèi)。
7．按照權(quán)利要求1到4的電子部件，其特征在于所述磁性薄膜是由具有用M-X-Y表示的組成物的磁性損耗材料構(gòu)成的，其中M表示Fe、Co和Ni中的至少一個，X表示除M和Y以外的元素中的至少一個，以及Y表示F、N和O中的至少一個，所述磁性損耗材料是這樣一種寬帶磁性損耗材料在復磁導率特性中，虛部μ”的最大值μ”max出現(xiàn)在100MHz到10GHz的頻率范圍內(nèi)，相對帶寬bwr不小于200％，所述相對帶寬bwr是通過提取μ”值為所述最大值μ”max的50％的兩個頻率之間的頻率帶寬并按其中心頻率對所述頻率帶寬進行歸一化而得到的。
8．按照權(quán)利要求7的電子部件，其特征在于所述磁性損耗材料的飽和磁化在只包含M成分的金屬磁性物質(zhì)的飽和磁化的60％到35％的范圍內(nèi)。
9．按照權(quán)利要求5或6的電子部件，其特征在于所述磁性損耗材料是具有從100μΩ·cm到700μΩ·cm范圍的直流電阻系數(shù)的窄帶磁性損耗材料。
10．按照權(quán)利要求7或8的電子部件，其特征在于所述磁性損耗材料是具有大于500μΩ·cm的直流電阻系數(shù)的寬帶磁性損耗材料。
11．按照權(quán)利要求5到10中任何一項的電子部件，其特征在于所述磁性損耗材料的X成分是C、B、Si、Al、Mg、Ti Zn、Hf、Sr、Nb、Ta和稀土元素中的至少一個。
12．按照權(quán)利要求5到11中任何一項的電子部件，其特征在于所述磁性薄膜的M以分散在X-Y組合物基體中的顆粒性形式存在。
13．按照權(quán)利要求5到11中任何一項的電子部件，其特征在于以顆粒性形式存在的粒子M的平均粒子直徑在1nm到40nm的范圍內(nèi)。
14．按照權(quán)利要求5到12中任何一項的電子部件，其特征在于所述磁性損耗材料具有600奧斯特(4.74×104A/m)或更小的各向異性磁場Hk。
15．按照權(quán)利要求5到14中任何一項的電子部件，其特征在于所述磁性損耗材料由從Feα-Alβ-Oγ和Feα-Siβ-Oγ中選擇的式子表示。
16．按照權(quán)利要求5到15中任何一項的電子部件，其特征在于所述磁性損耗材料是由濺射和蒸汽沉積中的至少一種方法來形成的。
17．按照權(quán)利要求5到16中任何一項的電子部件，其特征在于所述磁性損耗材料具有0.3μm到20μm范圍的厚度。
全文摘要
一種在金屬盒中包括電子電路或電路元件的電子部件(11)，其金屬盒內(nèi)表面的至少一部分具有由磁性損耗材料構(gòu)成的磁性薄膜(51)。磁性損耗材料的組成物由M－X－Y表示，M為Fe、Co和Ni中的至少一個，X為除M和Y外的元素中的至少一個，Y為N、F和O中的至少一個。復磁導率特性中虛部μ”的最大值在100MHz－10GHz的頻率范圍內(nèi)出現(xiàn)，相對帶寬不大于200%。有可能提供包括高速操作型半導體器件和/或電子電路的電子部件并且不期望的輻射得到減小。
文檔編號H01F10/26GK1316373SQ01116568
公開日2001年10月10日 申請日期2001年4月4日 優(yōu)先權(quán)日2000年4月4日
發(fā)明者栗倉由夫, 龜井浩二, 白鳥聰 申請人:株式會社東金