專利名稱：半導體發(fā)光器件的制造方法和半導體發(fā)光器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導體發(fā)光器件的制造方法和利用這種方法制成的半導體發(fā)光器件，更具體地說，涉及一種制造在襯底上有多層膜的半導體器件的方法和用這種方法制成的半導體發(fā)光器件，其中的多層膜包括活性層。
用于從光學記錄介質(zhì)例如CD(小型光盤)和DVD(數(shù)字通用光盤)讀出(重放)信息和/或?qū)⑿畔懭?記錄)其中的光學傳感器包括半導體發(fā)光器件。
這樣的半導體發(fā)光器件的作為范例的結(jié)構(gòu)示于圖7A和圖7B，圖7A和圖7B分別是平面圖和沿圖7A中的ⅦB-ⅦB線取的剖面圖。這些圖所示的半導體器件在單個襯底101上有第一半導體激光元件L101和第二半導體激光元件L201，這兩元件在發(fā)光波長上彼此不同。半導體激光元件L101、L201分別包括多層薄膜圖案P101、P201和各自在其上形成的電流注入層105、205，而多層膜圖案P101、P201各自包括下覆蓋層102、202；各自有量子阱結(jié)構(gòu)的活性層103、203；和各自有不同于下覆蓋層102、202的導電類型的上覆蓋層104、204，它們按上面順序堆疊。
在這種半導體發(fā)光器件的制造工藝中，首先在例如GaAs(砷化鎵)制成的襯底101上，外延生長用于構(gòu)成第一半導體激光元件L101的、由AlGaAs基(砷化鋁鎵基)材料制成的多層膜。然后使多層膜構(gòu)成圖案，以便按預先確定的彼此間的間隔距離形成多個第一多層膜圖案P101。在此，單個第一多層膜圖案P101有大約150μm的均勻線寬。在襯底101上外延生長用于構(gòu)成多個第二半導體激光元件L201的、由AlGaInP基(鋁-鎵-銦-磷-基)材料制成的多層膜，然后，使多層膜構(gòu)成圖案，以便在每個相鄰的第一多層膜圖案P101之間形成多個有恒定寬度的第二多層膜圖案P201。
隨后，使各個多層膜圖案P101、P201的頂外延層形成圖案，以便在第一多層膜圖案P101的頂上形成第一電流注入層105，并且與此相似，在第二多層膜圖案P201的頂上形成第二電流注入層205，以便使電流注入層分別沿著兩圖案P101、P201的縱向方向延伸。這就在相應的多層膜圖案P101、P201中各自的活性層103、203內(nèi)形成電流阻塞(bottlenecking)層103a、203a(所謂帶)。然后把襯底101分成對，即在其上形成的第一多層膜圖案P101和第二多層膜圖案P201成為一對，然后把多層膜圖案P101、P201以及襯底101整個在垂直于它們的縱向方向的平面處劈開。這樣，就獲得在單一襯底101上有發(fā)光波長不同的半導體激光元件L101、L201的半導體發(fā)光器件。
在這樣獲得的半導體發(fā)光器件中，活性層103、203由于在多層膜圖案P101、P201兩端有劈開面而具有諧振結(jié)構(gòu)，使得從活性層103、203發(fā)出的光能產(chǎn)生諧振，并通過這樣的劈開面引出。
可是，有這樣結(jié)構(gòu)的半導體發(fā)光器件的不足之處在于由于界面能級、導熱不良和在劈開面附近的光密度大，在劈開面附近的活性層103、203的帶隙比在中心部分的小。因此，在包括AlGaInP基材料的半導體激光元件中，在帶203a的中心部分附近發(fā)出的光似乎在劈開面附近被吸收，這令人遺憾地增加了發(fā)熱量，限制了最大振蕩輸出和引起劈開面破裂。
為了克服上述的問題，提出能擴大活性層在劈開面附近的帶隙的所謂窗口結(jié)構(gòu)?？砂鸦谶@種窗口結(jié)構(gòu)的半導體發(fā)光器件粗略分為兩類，一類的多層膜圖案中劈開面旁邊填充有大帶隙材料，另一類的多層膜圖案中在劈開面附近擴散雜質(zhì)，以便破壞活性面的超晶格結(jié)構(gòu)來擴大帶隙。
可是，制造這種窗口結(jié)構(gòu)要求復雜的工藝和高精度的加工技術(shù)，這樣提高了半導體發(fā)光器件的生產(chǎn)成本和降低了產(chǎn)量。
例如，在制造發(fā)紅色激光的半導體發(fā)光器件中，以Zn(鋅)作為雜質(zhì)在劈開面附近向活性層擴散?？墒牵\往往會在活性層內(nèi)造成非發(fā)射敏感元件(sensor)，這是特性惡化的原因，并且如果出現(xiàn)在發(fā)光區(qū)域，就危及器件的可靠性。因此，有必要在劈開面附近使在活性層內(nèi)擴散的鋅量大，以便擴大帶隙，但必須使作為發(fā)光區(qū)域的中心區(qū)域處鋅量接近零。這樣，為了精確地控制鋅的擴散面積和擴散深度，需要先進的加工工藝。
因此，本發(fā)明的一個目的是提供能容易獲得窗口結(jié)構(gòu)而無需依賴先進工藝的半導體發(fā)光器件的制造方法和用這種方法獲得的半導體發(fā)光器件。
一種能達到上述目的的制造半導體發(fā)光器件的方法是制造這樣的半導體發(fā)光器件的方法，這半導體發(fā)光器件在襯底上有半導體發(fā)光元件，并且這方法以下述的工藝為特征。首先，使在襯底上形成的材料層形成這樣的凹槽圖案，它有加寬部分和在加寬部分兩側(cè)的變窄部分，變窄部分配備有開口，后者在寬度上比加寬部分的窄些。隨后，在襯底上形成多層膜以便覆蓋所述凹槽圖案，所述多層膜包括下復層，活性層和具有不同于下復層導電類型的上復層，它們按上述順序堆疊。此后，在多層膜上對應于凹槽圖案的區(qū)域內(nèi)形成電流注入層，以便電流注入層沿著凹槽圖案的縱向方向伸展。
在這種制造方法中，因為形成多層膜來覆蓋有加寬部分的凹槽圖案，所以，在凹槽圖案范圍內(nèi)形成的構(gòu)成所述多層膜的各個層的厚度，在凹槽圖案的加寬部分內(nèi)，比其兩側(cè)形成的變窄部分內(nèi)的大。這歸因于這樣的事實，即供應給加寬部分的源材料的量較供應給變窄部分的大(由供應量決定的速率)，并且還因為供應給變窄部分的源材料，由于在凹槽圖案的刻蝕出的側(cè)壁上部生長非正常膜而被消耗掉。這樣，通過使這多層膜形成圖案，同時把其上加寬部分內(nèi)形成的部分對準所述中心，而把其兩側(cè)上形成的部分對準所述邊緣，就能獲得一個這樣的半導體發(fā)光器件，其活性層邊緣處膜厚小于中心處的膜厚，因而所述半導體發(fā)光器件具有窗口結(jié)構(gòu)，其中在兩邊緣部分的活性層帶隙大于中心部分的帶隙。
本發(fā)明的半導體發(fā)光器件就是用上述方法獲得的器件，其中，在襯底上形成包括按以下次序堆疊的下復層，活性層和具有不同于該下復層導電類型的上復層的多層膜圖案，并且在這多層膜圖案上形成電流注入層帶，以便此電流注入層帶在多層膜圖案兩邊緣上伸展。其上的活性層具有以下特征這樣形成所述活性層，使得其沿著電流注入層縱向方向的兩端部分薄于中心部分。
當結(jié)合附圖，根據(jù)下面對本發(fā)明的最近的最佳的作為范例的實施例的描述，就會更清楚本發(fā)明的上述的和其它的目的、特征和優(yōu)點。


圖1A到1D是解釋第一實施例的示意的平面圖和剖面圖；圖2A和2B是繼續(xù)圖1A到1D的解釋工藝過程的示意的平面圖和剖面圖；圖3A到3D是繼續(xù)圖2A和2B的解釋工藝過程的示意的平面圖和剖面圖；圖4是顯示在不同襯底上形成的Ⅳ族材料多層膜的膜厚度分布的曲線圖；圖5A到5D是解釋第二實施例的示意的平面圖和剖面圖；圖6A到6D是繼續(xù)圖5A到5D的解釋工藝過程的示意的平面圖和剖面圖；圖7A和7B是解釋傳統(tǒng)的半導體發(fā)光器件的例子的示意的平面圖和剖面圖。
此后將參考附圖，詳細描述半導體發(fā)光器件及其制造方法的實施例。
(第一實施例)圖1A到1D，圖2A和2B以及圖3A到3D是解釋本發(fā)明第一實施例的示意的平面圖和剖面圖。下面的段落描述以這樣的半導體發(fā)光器件來實施本發(fā)明，即它在同一個襯底上安裝著有不同發(fā)光波長的半導體激光元件(第一激光元件和第二激光元件)，在此將以其制造工藝開始解釋。
如圖1A到1D所示，有一例如用GaAs制成的n型襯底1?，F(xiàn)在選擇所謂偏角(off-angled)襯底作襯底1，其表面相對于GaAs晶面傾斜某一角度。更明確地說，偏角襯底的表面就結(jié)晶取向
或
(其中(-)表示負邏輯符號，用來表明倒置)的方向而言相對于GaAs晶體的面(001)最好有3°到15°的傾斜，更希望有10°的傾斜。
隨后，在襯底1的表面上，形成n型AlGaAs制成的緩沖層(在圖中未示出)，在其上形成第一多層膜16，后者包括按如下順序堆疊的n型AlGaAs制成的第一下復層12、包括單層或多層AlGaAs制成的量子阱結(jié)構(gòu)(780nm振蕩波長)的第一活性層13、p型AlGaAs制成的第一上復層14、和p型GaAs制成的第一蓋層15。現(xiàn)在可在第一下復層12與第一活性層13之間任選地形成引導層、其組成介乎這兩層的組成之間，并且在第一活性層13與第一上復層14之間任選地形成引導層，其組成介乎這兩層的組成之間。所有這些層都可以通過以MOVPE(金屬有機氣相外延生長)法作為其典型方法的外延生長法來形成。
隨后，在第一多層膜16上形成抗蝕圖案(在圖中未示出)，以便有選擇地覆蓋留作半導體激光元件的部分，并利用這抗蝕圖案作為掩模，把第一蓋層15到第一下復層12以及緩沖層中作為第一激光元件以外的部分，用濕蝕刻法刻蝕掉，例如用硫酸基溶液的非選擇性刻蝕和用氫氟酸溶液的AlGaAs選擇性刻蝕。
通過這樣的刻蝕，形成了有多條采用例如AlGaAs的Ⅲ族元素材料的帶的第一多層膜圖案16a，并且在各個相鄰的第一多層膜圖案16a之間伴隨形成多條凹槽圖案P。凹槽圖案包括有相對大的寬度的加寬部分W1和有較窄寬度的變窄部分W2，其中沿著凹槽圖案P的縱向方向，在每個加寬部分W1的兩側(cè)有變窄部分W2。加寬部分W1逐一地提供形成半導體發(fā)光器件的位置。這樣，就形成了第一多層膜圖案16a的側(cè)壁，這側(cè)壁有向?qū)挾确较蛏斐龅牟糠帧Ｔ谶@樣的凹槽圖案P中，暴露出準備在其上形成第二激光元件的襯底1的表面。
然后，在襯底1上形成抗蝕圖案(在圖中未示出)，以便只暴露出對應于加寬部分的底的襯底1表面，用這抗蝕圖案作為掩模來刻蝕襯底1的這個表面。這樣就使得在加寬部分W1暴露的襯底1的表面的高度比變窄部分W2的低。這樣來設(shè)定用這種刻蝕獲得的刻蝕深度“d”，使得在下一階段形成的多層膜中的活性層在加寬部分W1和變窄部分W2都有相同的表面高度。
隨后，如圖2A和2B所示，形成n型緩沖層(在圖中未示出)，它包括GaAs層和在其上堆疊的InGaP(銦-鎵-磷)層，以便覆蓋第一多層膜圖案16a和凹槽圖案P。進而，在這樣的緩沖層上形成由例AlGaInP這樣的Ⅳ族元素材料制成的第二多層膜26，后者包括按順序堆疊的通常由AlGaInP制成的n型第二下復層22、包括單層或多層AlGaAs制成的量子阱結(jié)構(gòu)的第二活性層23(振蕩波長為650nm)、p型AlGaInP制成的第二上復層24、和p型GaAs制成的第二蓋層25?，F(xiàn)在可在第二下復層22與第二活性層23之間任選地形成引導層，其組成介乎這兩層的組成之間，并且在第二活性層23與第二上復層24之間任選地形成引導層，其組成介乎這兩層的組成之間。所有這些層都可以通過以MOVPE(金屬有機氣相外延生長)法作為其典型方法的外延生長法來形成。
隨后，在第二多層膜26上形成抗蝕圖案(在圖中未示出)，以便有選擇地覆蓋留作第二半導體激光元件的部分，如圖3A到3D所示，即，覆蓋各個相鄰的第一多層膜圖案16a之間的凹槽圖案P，并利用這抗蝕圖案作為掩模，把第二多層膜26中作為第二半導體激光元件以外的部分，用濕蝕刻法刻蝕掉，其中用硫酸基溶液刻蝕蓋層，用磷酸/氫氟酸基混合溶液選擇性地刻蝕Ⅳ族元素的層，并用氫氟酸基溶液刻蝕下復層。跟著，在把第一多層膜圖案16a和第二多層膜圖案26a做成受保護的電流注入?yún)^(qū)域時，對第一蓋層15和第二蓋層25進行刻蝕。這樣，就形成從第一蓋層15構(gòu)成圖案的第一電流注入層15a和從第二蓋層25構(gòu)成圖案的第二電流注入層25a。使電流注入層15a、25a分別沿著多層膜圖案16a、26a延伸，結(jié)果在第一活性層13內(nèi)電流注入層15a正下方的部分內(nèi)形成一條帶13a，而與此相似，在第二活性層23內(nèi)電流注入層25a正下方的部分內(nèi)形成一條帶23a。
此后，雖然在圖中未示出，形成通常用Ti/Pt/Au(鈦/鉑/金)制成的p型電極以便連接到電流注入層15a、25a，而同時保持與多層膜圖案16a、26a絕緣，并且形成通常用AuGe/Ni/Au(金-鍺/鎳/金)制成的n型電極以便連接到襯底1。
隨后，例如在電流注入層15a、25a之間把襯底1分開，以便使彼此相鄰的第一多層膜圖案16a與第二多層膜圖案26a形成一對。
然后，在與電流注入層15a、25a的縱向方向垂直的方向上，在形成第二多層膜圖案26a的凹槽圖案P的變窄部分W2的中心處，把襯底1、第二多層膜圖案26a和第一多層膜圖案16a劈開。這樣，就制成半導體發(fā)光器件，每個劃分成的半導體發(fā)光器件有在圖3A和3B中用雙點劃線圍出的區(qū)域“a”。
這樣獲得的半導體發(fā)光器件有包括第一活性層13的第一激光元件和包括第二活性層23的第二激光元件，而第一活性層13和第二活性層23的組成彼此不同。
如圖2A和2B所描述的，在這樣的制造方法中，形成第二多層膜26以便覆蓋有加寬部分W1的凹槽圖案P，其中凹槽圖案P由第一多層膜圖案16a構(gòu)成。
圖4表示在平襯底上形成的、Ⅳ族元素制成的第二多層膜(包括GaAs制成的第二蓋層)中每一部分的膜厚度的測量值，和在平襯底上利用Ⅳ族元素在凹槽圖案內(nèi)形成的第二多層膜(包括GaAs制成的第二蓋層)中每一部分的膜厚度的測量值。此外，令所有部分的薄膜的形成條件都相同。如圖所示，薄膜的形成導致在平襯底上的膜的厚度大于在凹槽圖案內(nèi)的膜的厚度，這表明在以較寬開口暴露的平面上，Ⅳ族元素制成的多層膜生長較厚。這歸因于這樣的事實，即供應到以較寬開口暴露的部分的源材料的量較大(由供應量決定的速率)，并且還歸因于供應給變窄部分的源材料，似乎由于在凹槽圖案的刻蝕出的側(cè)壁上部生長非正常膜而被消耗掉。
根據(jù)這種觀察，為覆蓋有加寬部分W1的凹槽圖案P而形成的第二多層膜26，在這加寬部分W1內(nèi)生長得比在凹槽圖案P內(nèi)的變窄部分W2內(nèi)的厚，如沿ⅡB-ⅡB線所取的剖面2B所示。此外，在第一實施例中，劈開第二多層膜圖案26a，使得其上的在加寬部分W1內(nèi)形成的部分成為中心部分，并且使得其上的在變窄部分W2內(nèi)形成的部分成為邊緣部分，如在圖3A和3B中用雙點劃線所表示的那樣，圖3A和3B是沿ⅢB-ⅢB線所取的剖面圖。這使得含有這樣劈開第二多層膜圖案26a的第二激光元件具有這樣的活性層23，它的兩邊緣部分都薄于中心部分，即，第二激光元件的活性層23有薄的邊緣和大的帶隙的窗口結(jié)構(gòu)。
此外，在第一實施例中，凹槽圖案P的加寬部分W1的底的高度比變窄部分的低了“d”的量，如圖1A到1D所示。通過以第二下復層22來消除在加寬部分W1和變窄部分W2的高度差，使得在加寬部分W1和變窄部分W2中都以大致相同的高度來形成第二活性層23。這樣，從第二活性層23中心部分的發(fā)光區(qū)域發(fā)射的光，能無損失地直線地被引導到端部的劈開面，從而能保證有效的諧振。
如上所述，通過只加入簡單的工藝步驟，例如基于粗略對準來形成凹槽圖案P，而無需加入高精度工藝，第一實施例就能保證容易地制造出這樣的雙波長半導體發(fā)光器件，使其上任一半導體激光元件(第二激光元件)具有窗口結(jié)構(gòu)。通過使Ⅳ族元素(AlGaInP)的半導體激光元件有窗口結(jié)構(gòu)，也能用Ⅳ族元素的半導體激光元件來獲得穩(wěn)定的發(fā)光，而長期以來，用這種半導體激光元件獲得穩(wěn)定的光發(fā)射一直是個難題。
雖然第一實施例涉及以雙波長半導體發(fā)光器件來實施本發(fā)明，但本發(fā)明也可以應用到制造單波長半導體發(fā)光器件上。這種器件可以簡單地通過把第一多層膜圖案改變成簡單的凸起圖案來獲得，而在第一實施例中，這第一多層膜圖案用來構(gòu)成Ⅲ族元素(AlGaAs)第一激光元件。下面將描述這種第二實施例的制造方法。
(第二實施例)圖5A到5D和圖6A到6D是解釋本發(fā)明第二實施例的示意的平面圖和剖面圖。下面的段落描述以這樣的半導體發(fā)光器件來實施本發(fā)明，這半導體發(fā)光器件在同一襯底上有單個或多個有相同發(fā)光波長的半導體激光元件，在此將以其制造工藝來開始解釋。
如圖5A到5D所示，與在第一實施例所用的相似，有n型偏角GaAs襯底(今后簡稱為“襯底”)1。在這樣的襯底1的表面上，以排列的方式形成例如3μm厚的多個凸起的AlGaAs圖案Pa，其中，與第一實施例相似，在襯底1上伴隨著也形成凹槽圖案P。由于形成凸起圖案Pa的結(jié)果而構(gòu)成的一個凹槽圖案P可以在加寬部分W1與相鄰的凹槽圖案P連接。在這情況下，在去掉雙點劃線所描出的區(qū)域后，單個的凸起圖案Pa就呈現(xiàn)島狀。
然后如第一實施例那樣，把暴露在加寬部分W1內(nèi)的襯底1的表面刻蝕掉，以便獲得比變窄部分W2內(nèi)的更低的高度。這樣設(shè)置用這種刻蝕獲得的刻蝕深度“d”，使得在下一階段形成的多層膜中的活性層在加寬部分W1和變窄部分W2中都有相同的表面高度。
隨后，如圖6A到6D所示，在襯底1上形成有相似于第一實施例中的第二多層膜的結(jié)構(gòu)的多層膜46。即，形成n型緩沖層(在圖中未示出)，它包括GaAs層和在其上堆疊的InGaP層，進而，在這樣的緩沖層上形成Ⅳ族元素制成的多層膜46，后者包括相繼堆疊的通常由AlGaInP制成的n型下復層42、包括單層或多層InGaP制成的量子阱結(jié)構(gòu)的活性層43、p型AlGaInP制成的上復層44、和p型GaAs制成的蓋層45。此外，下復層42與第二活性層43之間任選地形成引導層，其組成介乎這兩層的組成之間，并且在活性層43與上復層44之間也形成引導層，其組成介乎這兩層的組成之間。所有這些層都可以通過以MOVPE(金屬有機氣相外延生長)法作為典型方法的外延生長法來形成。
隨后，如圖6A到6D所示，在多層膜上形成抗蝕圖案(在圖中未示出)，以便有選擇地覆蓋留作半導體激光元件的部分，即，在相鄰凸起圖案Pa之間的凹槽圖案P上，利用這抗蝕圖案作為掩模，把多層膜46中作為第一半導體激光元件以外的部分，用濕蝕刻法刻蝕掉，其中用硫酸基溶液刻蝕蓋層45，用磷酸/氫氟酸基混合溶液選擇性地刻蝕Ⅳ族元素層，并用氫氟酸基溶液刻蝕下復層42。通過這種刻蝕，在凹槽圖案P內(nèi)形成了多層膜圖案46a，從而與凸起圖案Pa聯(lián)系在一起。
隨后，通過把蓋層45形成圖案，而在多層膜圖案46a的上部形成電流注入層45a，結(jié)果在電流注入層45a正下方的第一活性層43內(nèi)形成了帶43a。
然后，如第一實施例所描述的那樣，形成電極(在圖中未示出)，并把襯底1劃分開，使劃分成的部分具有其上形成的多層膜圖案46a的一個帶或多個帶。
然后在垂直于電流注入層45a的縱向的方向上，在凹槽圖案P的變窄部分W2的中心處劈開多層膜圖案46a。這樣，就制成半導體發(fā)光器件，每個分割成的半導體發(fā)光器件具有在圖中用雙點劃線圍出的區(qū)域“a”。
在這樣獲得的半導體發(fā)光器件中，形成構(gòu)成半導體激光元件的多層膜46以便覆蓋凹槽圖案P，而凹槽圖案P的形成是與凸起圖案Pa的形成相關(guān)聯(lián)的，如圖5A到5D所示。這樣的半導體發(fā)光器件將有類似于第一實施例中的半導體發(fā)光器件的第二激光元件的窗口結(jié)構(gòu)。
此外，凹槽圖案P的加寬部分W1的底的高度比變窄部分的低了“d”的量。這使得活性層43以大致相同的高度形成，象在第一實施例中的情況那樣，從而所發(fā)的光能無損失地直線地被引導到端部的劈開面，從而能保證有效的諧振。
如上所述，第二實施例也適合于通過只加入簡單的工藝步驟，例如基于粗略對準來形成凹槽圖案P，而無需加入高精度工藝，就能獲得有窗口結(jié)構(gòu)的半導體發(fā)光器件。
本發(fā)明也能應用于制造有陣列型高輸出的半導體激光元件的半導體發(fā)光器件。雖然實施例1和2涉及其中半導體發(fā)光器件具有利用Ⅳ族元素例如AlGaInP制成的多層膜的窗口結(jié)構(gòu)的情況，在用Ⅲ族元素例如AlGaAs制成的多層膜的半導體發(fā)光器件中；或者由包括GaN基(氮化鎵基)材料或ZnSe基(鋅-硒-基)材料構(gòu)成的半導體發(fā)光器件中，也可形成這種窗口結(jié)構(gòu)，它們都獲得好的結(jié)果?？墒且赋?，當用這GaN基材料或這ZnSe基材料制造半導體發(fā)光器件時，需要為復層、活性層和其它層適當?shù)剡x擇源材料，并為刻蝕這些層選擇溶液。
權(quán)利要求
1．一種制造半導體發(fā)光器件的方法，所述半導體發(fā)光器件在襯底上有半導體發(fā)光元件，所述方法包括下面的步驟使在所述襯底上形成的材料層構(gòu)成圖案，從而構(gòu)成這樣的凹槽圖案，它有加寬部分和在所述加寬部分兩側(cè)的變窄部分，所述變窄部分的開口在寬度上比所述加寬部分的窄些；在所述襯底上形成多層膜來覆蓋所述凹槽圖案，所述多層膜包括下復層，活性層和具有不同于所述下復層的導電類型的上復層，其中所述各層按上述順序堆疊；在所述多層膜上對應于所述凹槽圖案的區(qū)域內(nèi)形成電流注入層，以便所述電流注入層沿著所述凹槽圖案的縱向伸展。
2．權(quán)利要求1的制造半導體發(fā)光器件的方法，其特征在于在以所述多層膜覆蓋所述凹槽圖案之前，去掉在所述凹槽圖案的加寬部分內(nèi)所暴露的所述襯底的表面，使其達到比所述變窄部分內(nèi)的更深的深度。
3．權(quán)利要求1的制造半導體發(fā)光器件的方法，其特征在于構(gòu)成所述凹槽圖案的所述材料層包括多層膜，后者構(gòu)成在所述襯底上形成的其它半導體發(fā)光元件。
4．一種在襯底上具有半導體發(fā)光元件的半導體發(fā)光器件，它包括多層膜圖案，它包括下復層，活性層和具有不同于所述下復層的導電類型的上復層，其中所述各層按上述順序堆疊；和在所述多層膜圖案上形成的電流注入層，所述電流注入層在所述多層膜圖案的兩邊緣上伸展；其中這樣形成所述活性層，使得它的沿著所述電流注入層縱向的兩端部部分薄于中心部分。
5．權(quán)利要求4的半導體發(fā)光器件，其特征在于在所述多層膜圖案的寬度方向，所述多層膜圖案兩側(cè)有凸出的圖案，用于限制所述多層膜圖案兩邊緣部分的寬度，所述寬度方向也就是大致垂直于所述電子注入層的縱向的方向。
6．權(quán)利要求5的半導體發(fā)光器件，其特征在于所述凸出的圖案構(gòu)成多層膜圖案，所述多層膜圖案構(gòu)成在所述襯底上形成的其它半導體發(fā)光元件。
7．權(quán)利要求4的半導體發(fā)光器件，其特征在于使在所述多層膜圖案下面的所述襯底的表面，在中心部分的高度，比沿所述電流注入層的縱向的兩邊緣部分的低。
全文摘要
一種能容易獲得窗口結(jié)構(gòu)而無需依賴先進工藝的半導體發(fā)光器件的制造方法。在本發(fā)明的方法中,使在襯底上形成的第一多層膜構(gòu)成圖案而形成凹槽圖案,后者有加寬部分和在此加寬部分兩旁的變窄部分。然后在此襯底上,通過相繼生長n型第二下復層,第二活性層,p型第二上復層和p型蓋層,從而外延生長第二多層膜來覆蓋凹槽圖案。然后使蓋層形成圖案,從而在凹槽圖案內(nèi)的第二多層膜上形成電流注入層,使得電流注入層沿著這凹槽圖案的縱向延伸。
文檔編號H01S5/16GK1311553SQ0111085
公開日2001年9月5日 申請日期2001年2月28日 優(yōu)先權(quán)日2000年2月29日
發(fā)明者平田照二, 成井啟修 申請人:索尼公司