專(zhuān)利名稱(chēng)：半導(dǎo)體芯片裝置及其封裝方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種半導(dǎo)體芯片，特別是一種半導(dǎo)體芯片裝置及其封裝方法。
隨著半導(dǎo)體制造技術(shù)的發(fā)展，現(xiàn)有的半導(dǎo)體芯片裝置中，其芯片表面上的焊墊變得越來(lái)越小，且焊墊間的距離亦會(huì)更加縮小，以致于使其與外部電路的電連接，變得非常不易，進(jìn)而影響生產(chǎn)效率，甚至影響半導(dǎo)體制造工藝的繼續(xù)發(fā)展。
本發(fā)明的目的在于提供一種便于與外部電路連接的半導(dǎo)體芯片裝置。
本發(fā)明的另一目的在于提供一種半導(dǎo)體芯片裝置的封裝方法。
為達(dá)到上述目的，本發(fā)明采取如下技術(shù)措施本發(fā)明的一種半導(dǎo)體芯片裝置的封裝方法，該半導(dǎo)體芯片裝置適于安裝至一個(gè)基板或另一個(gè)半導(dǎo)體芯片裝置上，該基板或半導(dǎo)體芯片裝置具有一個(gè)芯片安裝區(qū)域，該芯片安裝區(qū)域內(nèi)設(shè)有數(shù)個(gè)焊點(diǎn)；其包括如下步驟提供一個(gè)半導(dǎo)體芯片，該半導(dǎo)體芯片具有一個(gè)設(shè)有數(shù)個(gè)焊墊的焊墊安裝表面，每一焊墊上形成有一個(gè)導(dǎo)電觸點(diǎn)；在芯片的焊墊安裝表面上形成一個(gè)感光薄膜層；在感光薄膜層上置放一個(gè)覆蓋該感光薄膜層的對(duì)應(yīng)于該等導(dǎo)電觸點(diǎn)部分的光掩模，并且對(duì)該感光薄膜層進(jìn)行曝光處理；在移去光掩模之后，以化學(xué)沖洗手段把感光薄膜層被光掩模覆蓋部分沖洗去除至少一部分，以形成至少把對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電觸點(diǎn)頂端部分暴露的暴露孔；以錫膏充填每一暴露孔；以紅外線(xiàn)加熱方式使每一暴露孔的錫膏形成一適于與基板或另一半導(dǎo)體芯片裝置的對(duì)應(yīng)焊點(diǎn)電連接的導(dǎo)電焊點(diǎn)。
其中，所述半導(dǎo)體芯片的焊墊的位置不對(duì)應(yīng)于所述基板或另一個(gè)半導(dǎo)體芯片裝置的焊點(diǎn)的位置，且在以紅外線(xiàn)加熱的步驟之后，還包括如下步驟以導(dǎo)電金屬膠材料，在所述感光薄膜層上形成有導(dǎo)電體，各導(dǎo)電體具有一個(gè)與所述芯片的對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電焊點(diǎn)電連接的焊點(diǎn)連接部、一個(gè)與焊點(diǎn)連接部電連接且作為電路軌跡的延伸部和一個(gè)位于延伸部的自由端且其位置與所述基板或另一半導(dǎo)體芯片裝置的對(duì)應(yīng)的焊點(diǎn)的位置對(duì)應(yīng)的電連接部。
其中，在形成導(dǎo)電體步驟之后，還包括如下步驟在各導(dǎo)電體的電連接部上，形成一個(gè)連接觸點(diǎn)。
本發(fā)明的另一種半導(dǎo)體芯片裝置的封裝方法，該半導(dǎo)體芯片裝置適于安裝至一個(gè)基板或另一個(gè)半導(dǎo)體芯片裝置上，該基板或半導(dǎo)體芯片裝置具有一個(gè)芯片安裝區(qū)域，在芯片安裝區(qū)域內(nèi)設(shè)有數(shù)個(gè)焊點(diǎn)；包括如下步驟提供一個(gè)半導(dǎo)體芯片，該半導(dǎo)體芯片具有一個(gè)設(shè)有數(shù)個(gè)焊墊的焊墊安裝表面；在芯片的焊墊安裝表面上形成一個(gè)感光薄膜層；在感光薄膜層上置放一個(gè)覆蓋感光薄膜層的對(duì)應(yīng)于該芯片的焊墊部分的光掩模，并且對(duì)該感光薄膜層進(jìn)行曝光處理；在移去光掩模之后，以化學(xué)沖洗手段把感光薄膜層被光掩模覆蓋的部分沖洗去除，以形成將該芯片的對(duì)應(yīng)的焊墊暴露的暴露孔；以電鍍手段，在每一暴露孔的周壁上形成與對(duì)應(yīng)的焊墊電連接且延伸至感光薄膜層表面的導(dǎo)電連接體，該等導(dǎo)電連接體適于與所述基板或另一半導(dǎo)體芯片裝置的對(duì)應(yīng)的焊點(diǎn)電連接。
其中，所提供的半導(dǎo)體芯片的焊墊的位置不對(duì)應(yīng)于所述基板或另一半導(dǎo)體芯片裝置的焊點(diǎn)的位置，且在所述電鍍步驟之后，還包括如下步驟
以導(dǎo)電金屬膠材料，在所述感光薄膜層上形成導(dǎo)電體，各導(dǎo)電體具有一個(gè)與該芯片的對(duì)應(yīng)導(dǎo)電連接體電連接的連接體連接部、一個(gè)與連接體連接部電連接且作為電路軌跡的延伸部和一個(gè)位于該延伸部的自由端且其位置與所述基板或另一半導(dǎo)體芯片裝置的對(duì)應(yīng)焊點(diǎn)的位置對(duì)應(yīng)的電連接部。
其中，在所述形成導(dǎo)電體的步驟之后，還包括如下步驟在各導(dǎo)電體的電連接部上，形成一個(gè)連接觸點(diǎn)。
本發(fā)明的一種半導(dǎo)體芯片裝置，其適于安裝至一個(gè)基板或另一個(gè)半導(dǎo)體芯片裝置上，該基板或半導(dǎo)體芯片裝置具有一個(gè)芯片安裝區(qū)域，在芯片安裝區(qū)域內(nèi)設(shè)有數(shù)個(gè)焊點(diǎn)；包括一個(gè)半導(dǎo)體芯片，其具有一個(gè)設(shè)有數(shù)個(gè)焊墊的焊墊安裝表面，每一個(gè)焊墊上形成有一個(gè)導(dǎo)電觸點(diǎn)；一個(gè)形成在芯片的焊墊安裝表面上的感光薄膜層，該感光薄膜層對(duì)應(yīng)于導(dǎo)電觸點(diǎn)處形成有數(shù)個(gè)用以至少暴露對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電觸點(diǎn)的頂端部分的暴露孔；每一暴露孔填充有作為適于與對(duì)應(yīng)的焊點(diǎn)電連接的導(dǎo)電焊點(diǎn)的錫膏。
其中，所述半導(dǎo)體芯片的焊墊位置不對(duì)應(yīng)于所述基板或另一半導(dǎo)體芯片裝置的焊點(diǎn)的位置；還包括數(shù)個(gè)形成在所述感光薄膜層上的導(dǎo)電體，各導(dǎo)電體具有一個(gè)與對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電焊點(diǎn)電連接的焊點(diǎn)連接部、一個(gè)與焊點(diǎn)連接部電連接且作為電路軌跡的延伸部和一個(gè)位于該延伸部的自由端且其位置與所述基板或另一半導(dǎo)體芯片裝置的焊點(diǎn)的位置對(duì)應(yīng)的電連接部。
本發(fā)明的另一種半導(dǎo)體芯片裝置，包括一個(gè)半導(dǎo)體芯片，其具有一個(gè)設(shè)有數(shù)個(gè)焊墊的焊墊安裝表面，每一個(gè)焊墊上形成有一個(gè)導(dǎo)電觸點(diǎn)；一個(gè)形成在焊墊安裝表面上的感光薄膜層，該感光薄膜層對(duì)應(yīng)于該等導(dǎo)電觸點(diǎn)形成有數(shù)個(gè)用以至少暴露對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電觸點(diǎn)的頂端部分的暴露孔；每一暴露孔充填有作為導(dǎo)電焊點(diǎn)的錫膏；一個(gè)基板，其具有一個(gè)芯片安裝區(qū)域，該芯片安裝區(qū)域內(nèi)設(shè)有數(shù)個(gè)與芯片對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電焊點(diǎn)電連接的焊點(diǎn)。
本發(fā)明的再一種半導(dǎo)體芯片裝置，包括一個(gè)半導(dǎo)體芯片，其具有一個(gè)設(shè)有數(shù)個(gè)焊墊的焊墊安裝表面，每一個(gè)焊墊上形成有一個(gè)導(dǎo)電觸點(diǎn)；一個(gè)形成在焊墊安裝表面上的感光薄膜層，該感光薄膜層對(duì)應(yīng)于該等導(dǎo)電觸點(diǎn)形成有數(shù)個(gè)用以至少暴露對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電觸點(diǎn)的頂端部分的暴露孔；每一個(gè)暴露孔充填有作為導(dǎo)電焊點(diǎn)的錫膏；一個(gè)半導(dǎo)體芯片裝置，其具有一個(gè)芯片安裝區(qū)域，芯片安裝區(qū)域內(nèi)設(shè)有數(shù)個(gè)與該芯片的對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電焊點(diǎn)電連接的焊點(diǎn)。
結(jié)合附圖及實(shí)施例對(duì)本發(fā)明的結(jié)構(gòu)特征及方法特征詳細(xì)說(shuō)明如下


圖1至圖6本發(fā)明半導(dǎo)體芯片裝置的封裝方法第一實(shí)施例的流程示意圖；圖7本發(fā)明裝置的第一實(shí)施例與一基板或另一半導(dǎo)體芯片裝置結(jié)合的示意圖；圖8至圖11本發(fā)明半導(dǎo)體芯片裝置的封裝方法的第二實(shí)施例部分流程示意圖；圖12至圖14本發(fā)明半導(dǎo)體芯片裝置的封裝方法第三實(shí)施例的流程示意圖；圖15本發(fā)明第四實(shí)施例的示意圖；圖16本發(fā)明第五實(shí)施例的示意圖；圖17本發(fā)明第六實(shí)施例的示意圖；圖18本發(fā)明第七實(shí)施例的示意圖19本發(fā)明第八實(shí)施例的示意圖；圖20本發(fā)明第九實(shí)施例的示意圖。
本發(fā)明的半導(dǎo)體芯片裝置適于安裝至一基板或另一半導(dǎo)體芯片裝置(見(jiàn)圖7所示)上。該基板或半導(dǎo)體芯片裝置具有一個(gè)芯片安裝區(qū)域。芯片安裝區(qū)域內(nèi)設(shè)有數(shù)個(gè)焊點(diǎn)。
如圖1所示，首先提供一個(gè)半導(dǎo)體芯片1，半導(dǎo)體芯片1具有一個(gè)設(shè)置有數(shù)個(gè)焊墊11(圖式中僅顯示一個(gè))的焊墊安裝表面10。接著，利用現(xiàn)有技術(shù)，在每一個(gè)焊墊11上形成一個(gè)如導(dǎo)電金屬球般的導(dǎo)電觸點(diǎn)2。在本實(shí)施例中，導(dǎo)電觸點(diǎn)2為一個(gè)金球。
接著，如圖2所示，一個(gè)感光薄膜層3形成在芯片1的焊墊安裝表面10上。然后，如圖3所示，在感光薄膜層3上對(duì)應(yīng)該等導(dǎo)電觸點(diǎn)2的部分覆蓋一個(gè)光掩模4。然后，對(duì)感光薄膜層3進(jìn)行曝光(光蝕刻)處理，以使感光薄膜層3未被光掩模4覆蓋的部分硬化。
如圖4所示，在移去光掩模之后，利用控制沖洗時(shí)間，感光薄膜層3被光掩模4覆蓋的部分被沖洗去除，以形成僅將對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電觸點(diǎn)2的頂端部分暴露的暴露孔30。然后，再對(duì)感光薄膜層3進(jìn)行曝光處理，使感光薄膜層3未被沖洗去除的部分硬化。
接著，如圖5所示，以錫膏5充填每一個(gè)暴露孔30，之后，以紅外線(xiàn)加熱使錫膏5形成一個(gè)導(dǎo)電焊點(diǎn)，如圖6所示。
如圖7所示，本發(fā)明的半導(dǎo)體芯片裝置適于安裝至一個(gè)基板或另一個(gè)半導(dǎo)體芯片裝置6上。各導(dǎo)電焊點(diǎn)5透過(guò)在該基板或另一個(gè)半導(dǎo)體芯片裝置6的焊點(diǎn)(圖中未示)上的預(yù)先設(shè)置的導(dǎo)電體61與該基板或另一半導(dǎo)體芯片裝置6的對(duì)應(yīng)的焊點(diǎn)電連接。
如圖8至圖11所示，其為本發(fā)明半導(dǎo)體芯片裝置的封裝方法第二實(shí)施例的部分流程示意圖；如圖8所示，其與第一實(shí)施例相同，在芯片1的焊墊安裝表面10上形成一個(gè)感光薄膜層3，之后，在感光薄膜層3上對(duì)應(yīng)該等導(dǎo)電觸點(diǎn)2的部分覆蓋一個(gè)光掩模4，然后，對(duì)感光薄膜層3進(jìn)行曝光處理，以使感光薄膜層3上未被光掩模4覆蓋的部分硬化。
如圖9所示，與第一實(shí)施例不同之處，在移去光掩模之后，以現(xiàn)有沖洗技術(shù)，把感光薄膜層3被光掩模4覆蓋的部分沖洗去除，以形成對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電觸點(diǎn)2暴露的暴露孔30。每一暴露孔30的大小是恰好僅暴露對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電觸點(diǎn)2，而不會(huì)暴露芯片1的焊墊安裝表面10。
接著，如圖10所示，以錫膏5充填每一個(gè)暴露孔30，之后，以紅外線(xiàn)加熱，使錫膏5形成一個(gè)導(dǎo)電焊點(diǎn)，如圖11所示般。
應(yīng)要注意的是，當(dāng)半導(dǎo)體芯片裝置以如上述第二實(shí)施例的方法制成時(shí)，其亦如第一實(shí)施例一樣，適于安裝至一基板或另一半導(dǎo)體芯片裝置上。由于其安裝至基板或另一半導(dǎo)體芯片裝置的方式與第一實(shí)施例相同，不再贅述。
如圖12至圖14所示，其表示本發(fā)明半導(dǎo)體芯片裝置的封裝方法第三實(shí)施例的流程示意圖；如圖12所示，首先提供一個(gè)半導(dǎo)體芯片1。該半導(dǎo)體芯片1具有一個(gè)設(shè)有數(shù)個(gè)焊墊11(圖中僅顯示一個(gè))的焊墊安裝表面10。與第一和第二實(shí)施例不同，該等焊墊11上不形成導(dǎo)電觸點(diǎn)。
接著，如圖13所示，在芯片1的焊墊安裝表面10上形成一個(gè)感光薄膜層3，之后，在感光薄膜層3上對(duì)應(yīng)于焊墊11部分覆蓋一個(gè)光掩模4。然后，對(duì)感光薄膜層3進(jìn)行曝光處理，以使感光薄膜層3未被光掩模4覆蓋的部分硬化。
如圖14所示，在移去光掩模之后，以現(xiàn)有的沖洗技術(shù)，把感光薄膜層3被光掩模4覆蓋的部分沖洗去除，以形成暴露對(duì)應(yīng)焊墊11的暴露孔30。接著，以現(xiàn)有電鍍方式，在每一暴露孔30的周壁上形成與對(duì)應(yīng)的焊墊11電連接且延伸至感光薄膜層3表面的導(dǎo)電連接體7。
應(yīng)要注意的是，當(dāng)半導(dǎo)體芯片裝置第三實(shí)施例以上述方法制成時(shí)，其亦如第一和二實(shí)施例一樣，適于安裝至一個(gè)基板或另一個(gè)半導(dǎo)體芯片裝置上。由于其安裝至基板或另一半導(dǎo)體芯片裝置的方式與第一實(shí)施例相同，不再贅述。
如圖15所示，其表示本發(fā)明半導(dǎo)體芯片裝置第四實(shí)施例。本半導(dǎo)體芯片裝置的實(shí)施例也適于安裝在一個(gè)具有數(shù)個(gè)焊點(diǎn)且該等焊點(diǎn)的位置與芯片1的焊墊11的位置不對(duì)應(yīng)的基板或另一個(gè)半導(dǎo)體芯片裝置(圖中未示)上。與第一實(shí)施例不同處是，本實(shí)施例中，在形成導(dǎo)電焊點(diǎn)5之后，是以導(dǎo)電金屬膠材料，在感光薄膜層3上形成有導(dǎo)電體8。在本實(shí)施例中，導(dǎo)電金屬膠可為摻雜有金、銀、銅、鐵、錫和鋁等導(dǎo)電金屬材料中之一種的導(dǎo)電金屬膠。各導(dǎo)電體8具有一個(gè)與對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電焊點(diǎn)5電連接的焊點(diǎn)連接部800、一個(gè)與焊點(diǎn)連接部800電連接且作為電路軌跡的延伸部801和一個(gè)位于延伸部801的自由端，且其位置與該基板的對(duì)應(yīng)焊點(diǎn)的位置對(duì)應(yīng)的電連接部802。
應(yīng)注意的是，在本實(shí)施例中，導(dǎo)電體8以印刷手段形成。
接著，在各導(dǎo)電體8的電連接部802上，以現(xiàn)有技術(shù)形成一個(gè)如導(dǎo)電金屬球狀的連接觸點(diǎn)9。
如圖16所示，其表示本發(fā)明半導(dǎo)體芯片裝置第五實(shí)施例。本實(shí)施例的半導(dǎo)體芯片裝置亦適于安裝在一個(gè)具有數(shù)個(gè)焊點(diǎn)且焊點(diǎn)的位置與芯片1的焊墊11的位置不對(duì)應(yīng)的基板或另一個(gè)半導(dǎo)體芯片裝置(圖中未示)上。與第二實(shí)施例不同處是，本實(shí)施例中，在形成導(dǎo)電焊點(diǎn)5之后，以導(dǎo)電金屬膠材料，在感光薄膜層3上形成有導(dǎo)電體8。在本實(shí)施例中，該導(dǎo)電金屬膠可為摻雜有金、銀、銅、鐵、錫和鋁等導(dǎo)電金屬材料中的一種金屬膠。各導(dǎo)電體8具有一個(gè)與對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電焊點(diǎn)5電連接的焊點(diǎn)連接部800、一個(gè)與焊點(diǎn)連接部800電連接且作為電路軌跡的延伸部801和一個(gè)位于延伸部801的自由端且其位置與該基板的對(duì)應(yīng)焊點(diǎn)的位置對(duì)應(yīng)的電連接部802。
應(yīng)要注意的是，在本實(shí)施例中，該等導(dǎo)電體8以印刷手段形成。
接著，在各導(dǎo)電體8的電連接部802上，以現(xiàn)有技術(shù)形成一個(gè)如導(dǎo)電金屬球般的連接觸點(diǎn)9。
如圖17所示，其表示本發(fā)明半導(dǎo)體芯片裝置的第六實(shí)施例。本半導(dǎo)體芯片裝置的實(shí)施例適于安裝在一個(gè)具有數(shù)個(gè)焊點(diǎn)且該等焊點(diǎn)的位置是與芯片1的焊墊11的位置不對(duì)應(yīng)的基板或另一半導(dǎo)體芯片裝置(圖中未示)上。與第三實(shí)施例不同的是，本實(shí)施例中，在形成導(dǎo)電連接體7之后，是以導(dǎo)電金屬膠材料，于感光薄膜層3上形成有導(dǎo)電體8，導(dǎo)電金屬膠可為摻雜有金、銀、銅、鐵、錫和鋁等導(dǎo)電金屬材料中的一種的導(dǎo)電金屬膠。各導(dǎo)電體8具有一個(gè)與對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電連接體7電連接的連接部800、一與連接體連接部800電連接且作為電路軌跡的延伸部和一位于該延伸部的自由端且其位置與基板的對(duì)應(yīng)的焊點(diǎn)的位置對(duì)應(yīng)的電連接部802。
應(yīng)要注意的是，在本實(shí)施例中，該等導(dǎo)電體8以印刷手段形成。
接著，在各導(dǎo)電體8的電連接部802上，以現(xiàn)有技術(shù)形成一個(gè)如導(dǎo)電金屬球般的連接觸點(diǎn)9。
如圖18所示，其表示本發(fā)明第七實(shí)施例。與第四實(shí)施例不同，連接觸點(diǎn)9是與導(dǎo)電體8一體形成。
如圖19所示，其表示本發(fā)明第八實(shí)施例。與第四實(shí)施例不同，連接觸點(diǎn)9是與導(dǎo)電體8一體形成。
如圖20所示，其表示本發(fā)明第九實(shí)施例。與第四實(shí)施例不同，連接觸點(diǎn)9是與導(dǎo)電體8一體形成。
與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有如下效果由于本發(fā)明的半導(dǎo)體芯片裝置中形成有導(dǎo)電連接體，使其便于與外部電路電連接，進(jìn)而可提高半導(dǎo)體芯片裝置的生產(chǎn)效率。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體芯片裝置的封裝方法，該半導(dǎo)體芯片裝置適于安裝至一個(gè)基板或另一個(gè)半導(dǎo)體芯片裝置上，該基板或半導(dǎo)體芯片裝置具有一個(gè)芯片安裝區(qū)域，該芯片安裝區(qū)域內(nèi)設(shè)有數(shù)個(gè)焊點(diǎn)，其特征在于，包括如下步驟提供一個(gè)半導(dǎo)體芯片，該半導(dǎo)體芯片具有一個(gè)設(shè)有數(shù)個(gè)焊墊的焊墊安裝表面，每一焊墊上形成有一個(gè)導(dǎo)電觸點(diǎn)；在芯片的焊墊安裝表面上形成一個(gè)感光薄膜層；在感光薄膜層上置放一個(gè)覆蓋該感光薄膜層的對(duì)應(yīng)于該等導(dǎo)電觸點(diǎn)部分的光掩模，并且對(duì)該感光薄膜層進(jìn)行曝光處理；在移去光掩模之后，以化學(xué)沖洗手段把感光薄膜層被光掩模覆蓋部分沖洗去除至少一部分，以形成至少把對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電觸點(diǎn)頂端部分暴露的暴露孔；以錫膏充填每一暴露孔；以紅外線(xiàn)加熱方式使每一暴露孔的錫膏形成一適于與基板或另一半導(dǎo)體芯片裝置的對(duì)應(yīng)焊點(diǎn)電連接的導(dǎo)電焊點(diǎn)。
2.如權(quán)利要求1所述的封裝方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體芯片的焊墊的位置不對(duì)應(yīng)于所述基板或另一個(gè)半導(dǎo)體芯片裝置的焊點(diǎn)的位置，且在以紅外線(xiàn)加熱的步驟之后，更包括如下的步驟以導(dǎo)電金屬膠材料，在所述感光薄膜層上形成有導(dǎo)電體，各導(dǎo)電體具有一個(gè)與所述芯片的對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電焊點(diǎn)電連接的焊點(diǎn)連接部、一個(gè)與焊點(diǎn)連接部電連接且作為電路軌跡的延伸部和一個(gè)位于延伸部的自由端且其位置與所述基板或另一半導(dǎo)體芯片裝置的對(duì)應(yīng)的焊點(diǎn)的位置對(duì)應(yīng)的電連接部。
3.如權(quán)利要求2所述的封裝方法，其特征在于，在形成導(dǎo)電體步驟之后，更包括如下步驟在各導(dǎo)電體的電連接部上，形成一個(gè)連接觸點(diǎn)。
4.如權(quán)利要求3所述的封裝方法，其特征在于，在所述形成連接觸點(diǎn)的步驟中，所述連接觸點(diǎn)為導(dǎo)電錫球。
5.如權(quán)利要求3所述的封裝方法，其特征在于，在所述形成連接觸點(diǎn)的步驟中，所述導(dǎo)電觸點(diǎn)與所述導(dǎo)電體一體形成。
6.如權(quán)利要求1所述的封裝方法，其特征在于，所提供的半導(dǎo)體芯片上，所述導(dǎo)電觸點(diǎn)為導(dǎo)電錫球。
7.如權(quán)利要求2所述的封裝方法，其特征在于，在所述形成導(dǎo)電體的步驟中，導(dǎo)電金屬膠為摻雜有金、銀、銅、鐵、錫和鋁等導(dǎo)電金屬材料中之一的導(dǎo)電金屬膠。
8.如權(quán)利要求1所述的封裝方法，其特征在于，在所述化學(xué)沖洗步驟中，是利用控制沖洗時(shí)間使感光薄膜層被光掩模覆蓋的部分僅被沖洗去除一部分，以形成僅將對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電觸點(diǎn)的頂端部分暴露的暴露孔；在化學(xué)沖洗步驟之后，該方法還包括步驟再對(duì)感光薄膜層進(jìn)行曝光處理。
9.一種半導(dǎo)體芯片裝置的封裝方法，該半導(dǎo)體芯片裝置適于安裝至一個(gè)基板或另一個(gè)半導(dǎo)體芯片裝置上，該基板或半導(dǎo)體芯片裝置具有一個(gè)芯片安裝區(qū)域，在芯片安裝區(qū)域內(nèi)設(shè)有數(shù)個(gè)焊點(diǎn)，其特征在于，包括如下步驟提供一個(gè)半導(dǎo)體芯片，該半導(dǎo)體芯片具有一個(gè)設(shè)有數(shù)個(gè)焊墊的焊墊安裝表面；在芯片的焊墊安裝表面上形成一個(gè)感光薄膜層；在感光薄膜層上置放一個(gè)覆蓋感光薄膜層的對(duì)應(yīng)于該芯片的焊墊部分的光掩模，并且對(duì)該感光薄膜層進(jìn)行曝光處理；在移去光掩模之后，以化學(xué)沖洗手段把感光薄膜層被光掩模覆蓋的部分沖洗去除，以形成暴露該芯片的對(duì)應(yīng)焊墊的暴露孔；以電鍍手段，在每一暴露孔的周壁上形成與對(duì)應(yīng)的焊墊電連接且延伸至感光薄膜層表面的導(dǎo)電連接體，該等導(dǎo)電連接體適于與所述基板或另一半導(dǎo)體芯片裝置的對(duì)應(yīng)的焊點(diǎn)電連接。
10.如權(quán)利要求9所述的封裝方法，其特征在于，所提供的半導(dǎo)體芯片的焊墊的位置不對(duì)應(yīng)于所述基板或另一半導(dǎo)體芯片裝置的焊點(diǎn)的位置，且在所述電鍍步驟之后，還包括如下步驟以導(dǎo)電金屬膠材料，在所述感光薄膜層上形成導(dǎo)電體，各導(dǎo)電體具有一個(gè)與該芯片的對(duì)應(yīng)導(dǎo)電連接體電連接的連接體連接部、一個(gè)與連接體連接部電連接且作為電路軌跡的延伸部和一個(gè)位于該延伸部的自由端且其位置與所述基板或另一半導(dǎo)體芯片裝置的對(duì)應(yīng)的焊點(diǎn)的位置對(duì)應(yīng)的電連接部。
11.如權(quán)利要求10所述的封裝方法，其特征在于，在所述形成導(dǎo)電體的步驟之后，還包括如下步驟在各導(dǎo)電體的電連接部上，形成一個(gè)連接觸點(diǎn)。
12.如權(quán)利要求1 1所述的封裝方法，其特征在于，在所述形成連接觸點(diǎn)步驟中，所述連接觸點(diǎn)為導(dǎo)電錫球。
13，如權(quán)利要求11所述的封裝方法，其特征在于，在所述形成連接觸點(diǎn)的步驟中，所述導(dǎo)電觸點(diǎn)是與所述導(dǎo)電體一體形成。
14.如權(quán)利要求10所述的封裝方法，其特征在于，在所述形成導(dǎo)電體步驟中，導(dǎo)電金屬膠為摻雜有金、銀、銅、鐵、錫和鋁等導(dǎo)電金屬中之一的導(dǎo)電金屬膠。
15.一種半導(dǎo)體芯片裝置的封裝方法，其特征在于，包括如下步驟提供一個(gè)半導(dǎo)體芯片，該半導(dǎo)體芯片具有一個(gè)設(shè)有數(shù)個(gè)焊墊的焊墊安裝表面，每一焊墊上形成有一個(gè)導(dǎo)電觸點(diǎn)；在芯片的焊墊安裝表面上形成一個(gè)感光薄膜層；在該感光薄膜層上置放一個(gè)覆蓋該感光薄膜層的對(duì)應(yīng)于該等導(dǎo)電觸點(diǎn)部分的光掩模，并且對(duì)該感光薄膜層進(jìn)行曝光處理；在移去光掩模之后，以化學(xué)沖洗手段把感光薄膜層被光掩模覆蓋的部分沖洗去除至少一部分，以形成至少把對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電觸點(diǎn)的頂端部分暴露的暴露孔；以錫膏充填每一暴露孔；以紅外線(xiàn)加熱使每一暴露孔的錫膏形成一導(dǎo)電焊點(diǎn)；提供一個(gè)基板，該基板具有一個(gè)芯片安裝區(qū)域，在該芯片安裝區(qū)域內(nèi)設(shè)有數(shù)涸與所述芯片的對(duì)應(yīng)導(dǎo)電焊點(diǎn)電連接的焊點(diǎn)。
16.一種半導(dǎo)體芯片裝置的封裝方法，其特征在于，包括如下步驟提供一個(gè)半導(dǎo)體芯片，該半導(dǎo)體芯片具有一個(gè)設(shè)有數(shù)個(gè)焊墊的焊墊安裝表面，在每一焊墊上形成有一個(gè)導(dǎo)電觸點(diǎn)；在芯片的焊墊安裝表面上形成一個(gè)感光薄膜層；在該感光薄膜層上置放一個(gè)覆蓋感光薄膜層的對(duì)應(yīng)于該等導(dǎo)電觸點(diǎn)部分的光掩模，并且對(duì)該感光薄膜層進(jìn)行曝光處理；在移去光掩模之后，以化學(xué)沖洗手段把感光薄膜層被光掩模覆蓋的部分沖洗去除至少一部分，以形成至少把對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電觸點(diǎn)的頂端部分暴露的暴露孔；以錫膏充填每一個(gè)暴露孔；以紅外線(xiàn)加熱使每一暴露孔的錫膏形成一導(dǎo)電焊點(diǎn)；提供一個(gè)半導(dǎo)體芯片裝置，該半導(dǎo)體芯片裝置具有一個(gè)芯片安裝區(qū)域，在該芯片安裝區(qū)域內(nèi)設(shè)有數(shù)涸與芯片的對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電焊點(diǎn)電連接的焊點(diǎn)。
17.一種導(dǎo)體芯片裝置的封裝方法，其特征在于，包括如下步驟提供一個(gè)半導(dǎo)體芯片，該半導(dǎo)體芯片具有一個(gè)設(shè)置有數(shù)個(gè)焊墊的焊墊安裝表面；形成一感光薄膜層于該芯片的焊墊安裝表面上；在該感光薄膜層上置放一個(gè)覆蓋該感光薄膜層的對(duì)應(yīng)于該半導(dǎo)體芯片的焊墊部分的光掩模，并且對(duì)該感光薄膜層進(jìn)行曝光處理；在移去光掩模之后，以化學(xué)沖洗手段把感光薄膜層被光掩模覆蓋的部分沖洗去除，以形成暴露對(duì)應(yīng)焊墊的暴露孔；以電鍍手段，在每一暴露孔的周壁上形成與對(duì)應(yīng)的焊墊電連接且延伸至該感光薄膜層表面的導(dǎo)電連接體；提供一個(gè)基板，該基板具有一個(gè)芯片安裝區(qū)域，在芯片安裝區(qū)域內(nèi)設(shè)有數(shù)個(gè)與芯片的對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電連接體電連接的焊點(diǎn)。
18.一種半導(dǎo)體芯片裝置的封裝方法，其特征在于，包括如下步驟提供一個(gè)半導(dǎo)體芯片，該半導(dǎo)體芯片具有一個(gè)設(shè)有數(shù)個(gè)焊墊的焊墊安裝表面；在芯片的焊墊安裝表面上形成一個(gè)感光薄膜層；在該感光薄膜層上置放一個(gè)覆蓋感光薄膜層的對(duì)應(yīng)于該半導(dǎo)體芯片的焊墊部分的光掩模，并且對(duì)該感光薄膜層進(jìn)行曝光處理；在移去光掩模之后，以化學(xué)沖洗手段把感光薄膜層被光掩模覆蓋的部分沖洗去除，以形成暴露對(duì)應(yīng)焊墊的暴露孔；以電鍍手段，在每一暴露孔的周壁上形成與對(duì)應(yīng)的焊墊電連接且延伸至該感光薄膜層表面的導(dǎo)電連接體；提供一半導(dǎo)體芯片裝置，該半導(dǎo)體芯片裝置具有一個(gè)芯片安裝區(qū)域，在芯片安裝區(qū)域內(nèi)設(shè)有數(shù)涸與對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電連接體電連接的焊點(diǎn)。
19.一種半導(dǎo)體芯片裝置，其適于安裝至一個(gè)基板或另一個(gè)半導(dǎo)體芯片裝置上，該基板或半導(dǎo)體芯片裝置具有一個(gè)芯片安裝區(qū)域，在芯片安裝區(qū)域內(nèi)設(shè)有數(shù)個(gè)焊點(diǎn)；其特征在于，包括一個(gè)半導(dǎo)體芯片，其具有一個(gè)設(shè)有數(shù)個(gè)焊墊的焊墊安裝表面，每一個(gè)焊墊上形成有一個(gè)導(dǎo)電觸點(diǎn)；一個(gè)形成在芯片的焊墊安裝表面上的感光薄膜層，該感光薄膜層對(duì)應(yīng)于導(dǎo)電觸點(diǎn)處形成有數(shù)個(gè)用以至少暴露對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電觸點(diǎn)的頂端部分的暴露孔；每一暴露孔填充有適于與對(duì)應(yīng)的焊點(diǎn)電連接的導(dǎo)電焊點(diǎn)的錫膏。
20.如權(quán)利要求19所述的裝置，其特征在于，所述半導(dǎo)體芯片的焊墊位置不對(duì)應(yīng)于所述基板或另一半導(dǎo)體芯片裝置的焊點(diǎn)的位置；還包括數(shù)個(gè)形成在所述感光薄膜層上的導(dǎo)電體，各導(dǎo)電體具有一個(gè)與對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電焊點(diǎn)電連接的焊點(diǎn)連接部、一個(gè)與焊點(diǎn)連接部電連接且作為電路軌跡的延伸部和一個(gè)位于該延伸部的自由端且其位置與所述基板或另一半導(dǎo)體芯片裝置的焊點(diǎn)的位置對(duì)應(yīng)的電連接部。
21.如權(quán)利要求20所述的裝置，其特征在于，還包括形成在所述導(dǎo)電體的電連接部上的連接觸點(diǎn)。
22.如權(quán)利要求21所述的裝置，其特征在于，所述連接觸點(diǎn)為導(dǎo)電錫球。
23.如權(quán)利要求21所述的裝置，其特征在于，所述連接觸點(diǎn)與所述導(dǎo)電體一體形成。
24.如權(quán)利要求19所述的裝置，其特征在于，所述導(dǎo)電觸點(diǎn)為導(dǎo)電錫球。
25.如權(quán)利要求20所述的裝置，其特征在于，所述導(dǎo)電體由導(dǎo)電金屬膠形成，導(dǎo)電金屬膠為摻雜有金、銀、銅、鐵、錫和鋁等導(dǎo)電金屬材料中之一的導(dǎo)電金屬膠。
26.一種半導(dǎo)體芯片裝置，其適于安裝至一個(gè)基板或另一個(gè)半導(dǎo)體芯片裝置上，該基板或半導(dǎo)體芯片裝置具有一個(gè)芯片安裝區(qū)域，在芯片安裝區(qū)域內(nèi)設(shè)有數(shù)個(gè)焊點(diǎn)，其特征在于，包括一個(gè)半導(dǎo)體芯片，其具有一個(gè)設(shè)有數(shù)個(gè)焊墊的焊墊安裝表面；一個(gè)形成在焊墊安裝表面上的感光薄膜層，感光薄膜層對(duì)應(yīng)于該半導(dǎo)體芯片的焊墊形成有數(shù)個(gè)用以暴露對(duì)應(yīng)焊墊的暴露孔；形成在每一個(gè)暴露孔的周壁上與該芯片的對(duì)應(yīng)焊墊電連接且延伸至感光薄膜層表面的導(dǎo)電連接體，該等導(dǎo)電連接體適于與對(duì)應(yīng)的焊點(diǎn)電連接。
27.如權(quán)利要求26所述的裝置，其特征在于，所述焊墊的位置不對(duì)應(yīng)于所述基板或另一半導(dǎo)體芯片裝置的焊點(diǎn)的位置，該裝置還包括數(shù)個(gè)形成在所述感光薄膜層上的導(dǎo)電體，各導(dǎo)電體具有一個(gè)與所述芯片的對(duì)應(yīng)導(dǎo)電連接體電連接的連接體連接部、一個(gè)與連接體連接部電連接且作為電路軌跡的延伸部和一個(gè)位于延伸部的自由端且其位置與所述基板或另一半導(dǎo)體芯片裝置的對(duì)應(yīng)焊點(diǎn)的位置對(duì)應(yīng)的電連接部。
28.如權(quán)利要求27所述的裝置，其特征在于，還包括形成在各導(dǎo)電體的電連接部上的連接觸點(diǎn)。
29.如權(quán)利要求28所述的裝置，其特征在于，所述連接觸點(diǎn)為導(dǎo)電錫球。
30.如權(quán)利要求28所述的裝置，其特征在于，所述連接觸點(diǎn)是與所述導(dǎo)電體一體形成。
31.如權(quán)利要求27所述的裝置，其特征在于，導(dǎo)電體是由導(dǎo)電金屬膠形成，導(dǎo)電金屬膠為摻雜有金、銀、銅、鐵、錫和鋁等導(dǎo)電金屬材料中之一的導(dǎo)電金屬膠。
32.一種半導(dǎo)體芯片裝置，其特征在于，包括一個(gè)半導(dǎo)體芯片，其具有一個(gè)設(shè)有數(shù)個(gè)焊墊的焊墊安裝表面，每一個(gè)焊墊上形成有一個(gè)導(dǎo)電觸點(diǎn)；一個(gè)形成在焊墊安裝表面上的感光薄膜層，該感光薄膜層對(duì)應(yīng)于該等導(dǎo)電觸點(diǎn)形成有數(shù)個(gè)用以至少暴露對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電觸點(diǎn)的頂端部分的暴露孔；每一暴露孔充填有作為導(dǎo)電焊點(diǎn)的錫膏；一個(gè)基板，其具有一個(gè)芯片安裝區(qū)域，該芯片安裝區(qū)域內(nèi)設(shè)有數(shù)個(gè)與芯片對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電焊點(diǎn)電連接的焊點(diǎn)。
33.一種半導(dǎo)體芯片裝置，其特征在于，包括一個(gè)半導(dǎo)體芯片，其具有一個(gè)設(shè)有數(shù)個(gè)焊墊的焊墊安裝表面，每一個(gè)焊墊上形成有一個(gè)導(dǎo)電觸點(diǎn)；一個(gè)形成在焊墊安裝表面上的感光薄膜層，該感光薄膜層對(duì)應(yīng)于該等導(dǎo)電觸點(diǎn)形成有數(shù)個(gè)用以至少暴露對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電觸點(diǎn)的頂端部分的暴露孔；每一個(gè)暴露孔充填有作為導(dǎo)電焊點(diǎn)的錫膏；一個(gè)半導(dǎo)體芯片裝置，其具有一個(gè)芯片安裝區(qū)域，芯片安裝區(qū)域內(nèi)設(shè)有數(shù)個(gè)與該芯片的對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電焊點(diǎn)電連接的焊點(diǎn)。
34.一種半導(dǎo)體芯片裝置，其特征在于，包括一個(gè)半導(dǎo)體芯片，其具有一個(gè)設(shè)有數(shù)個(gè)焊墊的焊墊安裝表面；一個(gè)形成在焊墊安裝表面上的感光薄膜層，該感光薄膜層對(duì)應(yīng)于焊墊形成有數(shù)個(gè)用以暴露對(duì)應(yīng)焊墊的暴露孔；每一個(gè)暴露孔的周壁上形成于有與對(duì)應(yīng)的焊墊電連接且延伸至該感光薄膜層表面的導(dǎo)電連接體；一個(gè)基板，其具有一個(gè)芯片安裝區(qū)域，該芯片安裝區(qū)域內(nèi)設(shè)有數(shù)個(gè)與芯片的對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電連接體電連接的焊點(diǎn)。
35.一種半導(dǎo)體芯片裝置，其特征在于，包括一個(gè)半導(dǎo)體芯片，其具有一個(gè)設(shè)有數(shù)個(gè)焊墊的焊墊安裝表面；一個(gè)形成在焊墊安裝表面上的感光薄膜層，該感光薄膜層對(duì)應(yīng)于焊墊形成有數(shù)個(gè)用以暴露對(duì)應(yīng)的焊墊的暴露孔；每一個(gè)暴露孔的周壁上形成有與對(duì)應(yīng)的焊墊電連接且延伸至該感光薄膜層表面的導(dǎo)電連接體；一個(gè)半導(dǎo)體芯片裝置，其具有一個(gè)芯片安裝區(qū)域，該芯片安裝區(qū)域內(nèi)設(shè)有數(shù)個(gè)與芯片對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電連接體電連接的焊點(diǎn)。
全文摘要
一種半導(dǎo)體芯片裝置及其封裝方法,本方法的步驟:半導(dǎo)體芯片上具有帶焊墊的焊墊安裝表面,每一焊墊上有一導(dǎo)電觸點(diǎn);在安裝表面上形成一感光薄膜層;對(duì)薄膜層進(jìn)行光蝕刻,形成暴露導(dǎo)電觸點(diǎn)的暴露孔;以錫膏充填暴露孔;使其形成一導(dǎo)電焊點(diǎn)。本裝置包括:一半導(dǎo)體芯片,其具有一帶焊墊的焊墊安裝表面,每一焊墊上形成有一導(dǎo)電觸點(diǎn);一形成在焊墊安裝表面上的感光薄膜層,其對(duì)應(yīng)于導(dǎo)電觸點(diǎn)處形成有填充錫膏的暴露孔。本裝置便于與外部電路電連接。
文檔編號(hào)H01L21/60GK1368758SQ0110260
公開(kāi)日2002年9月11日 申請(qǐng)日期2001年2月2日 優(yōu)先權(quán)日2001年2月2日
發(fā)明者陳怡銘 申請(qǐng)人:陳怡銘