專利名稱：集成電路中自調(diào)準(zhǔn)Cu擴(kuò)散阻擋層的制造方法
背景技術(shù)：
發(fā)明概述本發(fā)明提供一種制造微電子器件的方法，其中包括(a)在基片上形成第一介電層；(b)穿過第一介電層，形成具有內(nèi)壁的溝；(c)采用第一層阻擋層金屬襯在溝的內(nèi)壁上，并覆蓋在第一介電層的頂上；(d)采用填充金屬填充溝，并用一層填充金屬覆蓋在第一層阻擋層金屬的頂上，其中的填充金屬和阻擋層金屬具有基本上不同的去除選擇性；(e)從第一層阻擋層金屬的頂上去除填充金屬層，并在溝內(nèi)的填充金屬中形成凹槽，該凹槽延伸到第一介電層上第一層阻擋層金屬頂部下面的水平面；(f)采用阻擋層金屬填充這個(gè)凹槽，并在第一層阻擋層金屬的頂上任選地沉積第二層阻擋層金屬；(g)從第一介電層的頂部去除任選的第二層阻擋層金屬，保留凹槽內(nèi)的阻擋層金屬，使凹槽內(nèi)的阻擋層金屬與溝中下面的填充金屬的頂部相一致；(h)在第一介電層和凹槽內(nèi)的阻擋層金屬上沉積第二介電層。
本發(fā)明還提供一種微電子器件，其中包括基片和基片上的介電層；穿過介電層的具有內(nèi)壁的溝；溝內(nèi)壁上的阻擋層金屬襯里；在溝內(nèi)壁上襯里之間的溝中的填充金屬，其中填充金屬和阻擋層金屬具有基本上不同的去除選擇性；在填充金屬上的阻擋層金屬的覆層，該覆層跨越溝內(nèi)壁上的襯里，并與溝內(nèi)填充金屬的頂部相一致。
附圖簡(jiǎn)述

圖1示出一種現(xiàn)有技術(shù)的微電子器件，圖中示出較低的介電中間層(ILD)、金屬阻擋層、銅填充的連接、和在銅連接上的氮化硅層。
圖2示出一個(gè)現(xiàn)有技術(shù)的微電子器件，圖中示出在氮化硅層中切開的通路，有銅反濺射和沉積在通路的側(cè)壁上。
圖3示出微電子器件的一部分，該器件具有介電中間層、沉積在ILD上的阻擋層金屬、和沉積在阻擋層金屬上的銅。
圖4示出微電子器件的一部分，該器件具有介電中間層、沉積在ILD上的阻擋層金屬和銅，具有從ILD的頂部除去的銅和銅連接中的凹槽。
圖5示出圖4的微電子器件的一部分，該器件已在ILD和銅連接上沉積有阻擋層金屬。
圖6示出一種微電子器件，該器件已從ILD的頂部去除阻擋層金屬。
圖7示出圖6中的微電子器件，該器件已在銅連接上的阻擋層金屬上的ILD中切開一個(gè)通路。
對(duì)優(yōu)選實(shí)施方案的詳細(xì)說(shuō)明根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)，在圖1所示的基片2上形成第一介電中間層4。隨后在第一介電層中切開一個(gè)溝。然后在這個(gè)溝中襯上阻擋層金屬6，并用填充金屬8填平溝，填充金屬通常是銅。阻擋層金屬能防止銅遷移到第一介電層中。然后在銅和第一介電層的頂部沉積氮化硅擴(kuò)散阻擋層7，該層再用第二介電中間層16覆蓋。氮化硅能防止填充的銅滲入第二介電層中。作為圖2所示現(xiàn)有技術(shù)加工過程的下一個(gè)步驟，穿過第二介電層和穿過氮化硅蝕刻通道9，直至達(dá)到用銅填充的溝為止。此蝕刻使銅反濺射并沉積在通路的側(cè)壁上，以11表示。
根據(jù)圖3所示的本發(fā)明的第一個(gè)步驟，在基片2上附著第一介電中間層4。典型的基片包括那些適合加工成集成電路或其它微電子器件的材料。適合本發(fā)明的基片不排除包括一些半導(dǎo)體材料如砷化鎵(GaAs)、鍺、硅、硅鍺、鈮酸鋰、和包含硅的組合物如晶體硅、聚硅、無(wú)定形硅、晶體取向生長(zhǎng)的硅、二氧化硅(SiO2)、和它們的混合物。
可任選在基片的表面上有一些線路。在有線路存在時(shí)，這些線路一般是由眾所周知的石印技術(shù)形成的，可由金屬、氧化物、氮化物、或氧氮化物組成。適合線路的材料包括二氧化硅、氮化硅、氮化鈦、氮化鉭、鋁、鋁合金、銅、銅合金、鉭、鎢、和氧氮化硅。這些線路形成集成電路的導(dǎo)體或絕緣體。這些線路一般按一定距離互相嚴(yán)格隔開，該距離優(yōu)選約≤20μm，更優(yōu)選約≤1μm，最優(yōu)選約0.05至約1μm。
介電材料組合物，可以包括本領(lǐng)域熟知的制造微電子器件使用的各種介電形成材料。介電層不排除包括含硅的旋涂玻璃，即含硅的聚合物如烷氧基硅烷聚合物、硅倍半氧烷聚合物、硅氧烷聚合物、聚(亞芳基醚)、氟化聚(亞芳基醚)、其它聚合的介電材料、納米孔二氧化硅、或它們的混合物。
一種適合本發(fā)明使用的聚合介電材料，包括納米孔二氧化硅烷氧基硅烷聚合物，這種聚合物是由具有下列通式的烷氧基硅烷單體形成的 式中至少2個(gè)R基分別為C1-C4烷氧基，如果還有R基，剩下的R基分別選自氫、烷基、苯基、鹵素、被取代的苯基。每個(gè)R基優(yōu)選為甲氧基、乙氧基、或丙氧基。這種聚合物在市場(chǎng)上可以以NanoglassTM名稱從AllieSignal購(gòu)買。最優(yōu)選的烷氧基硅烷單體是四乙氧基硅烷(TEOS)。通式為[(HSiO1.5)xOy]n的氫硅氧烷、通式為(HSiO1.5)n的氫硅倍半氧烷、通式為[(HSiO1.5)xOy(RSiO1.5)z]n、[(HSiO1.5)x(RSiO1.5)y]n、和[(HSiO1.5)xOy(RSiO1.5)z]n的氫化有機(jī)硅氧烷也是適宜的，在這些聚合物的每一種通式中，x＝約6至約20，y＝1至約3，z＝約6至約20，n＝1至約4000，每個(gè)R分別為H、C1-C8烷基、或C6-C12芳基。重均分子量可為約1000至約220000。在優(yōu)選的實(shí)施方案中，n為約100至約800，產(chǎn)生的分子量為約5000至約45000。更優(yōu)選n為約250至約650，產(chǎn)生的分子量為約14000至約36000。在本發(fā)明的范圍內(nèi)，適合使用的聚合物不排除包括氫硅氧烷、氫硅倍半氧烷、氫甲基硅氧烷、氫乙基硅氧烷、氫丙基硅氧烷、氫丁基硅氧烷、氫叔丁基硅氧烷、氫苯基硅氧烷、氫甲基硅倍半氧烷、氫乙基硅倍半氧烷、氫丙基硅倍半氧烷、氫丁基硅倍半氧烷、氫叔丁基硅倍半氧烷、氫苯基硅倍半氧烷、和它們的混合物。適合使用的有機(jī)聚合物包括聚酰亞胺、氟化和未氟化的聚合物，特別是以商品名FLARETM，從AllieSignal有限責(zé)任公司買到的氟化和未氟化的聚(芳基醚)，和它們的共聚物混合物。優(yōu)選氫化有機(jī)硅氧烷、聚(亞芳基醚)、氟化聚(亞芳基醚)、和它們的混合物。本領(lǐng)域從美國(guó)專利5,155,175、5,114,780和5,115,082中，已經(jīng)知道適宜的聚(亞芳基醚)或氟化聚(亞芳基醚)。在1997年12月12日提交的，序號(hào)為08/990,157的美國(guó)專利申請(qǐng)中，公開了優(yōu)選的聚(亞芳基醚)和氟化聚(亞芳基醚)，在此引入該申請(qǐng)作為參考。
適合在本發(fā)明中使用的優(yōu)選的硅氧烷材料，在市場(chǎng)上可以以商品名AccuglassT-11、T-12、和T-14，從AllieSignal有限責(zé)任公司購(gòu)買。以商品名PurespinTM和AccuglassT-18、T23和T24，從AllieSignal有限責(zé)任公司購(gòu)買的甲基化的硅氧烷聚合物，也是適合使用的。
優(yōu)選的含硅介電樹脂，包括具有選自[(HSiO1.5)xOy]n、(HSiO1.5)n、[(HSiO1.5)xOy(RSiO1.5)z]n、[(HSiO1.5)x(RSiO1.5)y]n、和[(HSiO1.5)xOy(RSiO1.5)z]n通式的聚合物，式中x＝約6至約20，y＝1至約3，z＝約6至約20，n＝1至約4000，每個(gè)R分別為H、C1-C8烷基、或C6-C12芳基，在1997年10月22日提交的，序號(hào)為08/955,802的美國(guó)專利申請(qǐng)中，已經(jīng)公開這些內(nèi)容，在此引入該申請(qǐng)作為參考。某些有機(jī)含量低的含硅聚合物也是優(yōu)選的，例如具有通式I的聚合物[H-SiO1.5]n[R-SiO1.5]m，[H0.4-1.0SiO1.5-1.8]n[R0.4-1.0-SiO1.5-1.8]m，[H0-1.0-SiO1.5-2.0]n[R-SiO1.5]m，[H-SiO1.5]x[R-SiO1.5]y[SiO2]z，式中n和m之和，或x、y、z之和為約8至約5000，選擇x和y，使含碳的取代基的存在量＜約40摩爾％。具有結(jié)構(gòu)I的聚合物是低有機(jī)含量的，其中含碳取代基的存在量＜約40摩爾％。在1998年3月20日提交的，序號(hào)為09/044,831的美國(guó)專利申請(qǐng)中，更詳細(xì)地?cái)⑹隽诉@些聚合物，在此引入該申請(qǐng)作為參考。某些有機(jī)含量低的含硅的聚合物也是優(yōu)選的，例如具有通式II的聚合物[HSiO1.5]n[RSiO1.5]m，[H0.4-1.0SiO1.5-1.8]n[R0.4-1.0SiO1.5-1.8]m，[H0-1.0SiO1.5-2.0][RSiO1.5]m，式中n和m之和為約8至約5000，選擇m，使含碳的取代基存在量為約≥40厚爾％，和[HSiO1.5]x[RSiO1.5]y[SiO2]z；式中x、y和z之和為約8至約5000，選擇y，使含碳的取代基的存在量為約≥40摩爾％；其中R選自取代和未取代的直鏈和支鏈烷基、環(huán)烷基、取代和未取代的芳基、和它們的混合物。含碳取代基的具體摩爾％是原料量比例的函數(shù)。結(jié)構(gòu)II的聚合物，其有機(jī)含量高，其中含碳取代基的存在量為約≥40摩爾％。在1998年3月20日提交的，序號(hào)為09/044,798的美國(guó)專利申請(qǐng)中，更詳細(xì)地?cái)⑹隽诉@些聚合物。在此引入該申請(qǐng)作為參考。
這些聚合物可以以純的或凈態(tài)(不與任何溶劑混合)介電組合物的形式存在，或以溶液存在，在溶液中它們與溶劑混合。當(dāng)存在溶劑時(shí)，聚合物的存在量?jī)?yōu)選約1重量％至約50重量％，更優(yōu)選約3重量％至約20重量％。溶劑成分的存在量，優(yōu)選為介電材料組合物的約50重量％至約99重量％，更優(yōu)選約80重量％至約97重量％。適宜的溶劑不排除包括非質(zhì)子溶劑如包括環(huán)戊酮、環(huán)己酮、和環(huán)辛酮在內(nèi)的環(huán)酮類；環(huán)酰胺如N-烷基吡咯烷酮，其中烷基具有1至約4個(gè)碳原子，N-環(huán)己基-吡咯烷酮，和它們的混合物。
在制造時(shí)，將介電組合物沉積在適宜的基片上，因而在基片上形成聚合物層?？刹捎帽绢I(lǐng)域眾所周知的常規(guī)旋涂、浸涂、輥涂、噴霧、化學(xué)蒸氣沉積法、或液面涂法進(jìn)行沉積。旋涂是最優(yōu)選的?；暇酆衔飳拥暮穸瓤梢愿淖儯Q于沉積方法和參數(shù)的設(shè)置，厚度一般可為約500④至約50000④，優(yōu)選約2000④至約12000④。施加在基片上的介電組合物量，可為約1ml至約10ml，優(yōu)選約2ml至約8ml。在優(yōu)選的實(shí)施方案中，根據(jù)已知的旋涂技術(shù)，將液態(tài)介電組合物旋涂在基片的上表面上。施加聚合物層的方法，優(yōu)選將液態(tài)介電組合物施加在基片的中央，然后以約500至約6000rpm，優(yōu)選以約1500至約4000rpm的轉(zhuǎn)速，旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)輪上的基片約5秒至約60秒，優(yōu)選約10秒至約30秒，以便將溶液在整個(gè)基片的表面上均勻地展開。聚合物層的密度優(yōu)選約1g/cm3至約3g/cm3。
可任選地加熱介電層，排除殘留的溶劑，或提高其分子量?？刹捎贸Ｒ?guī)的裝置進(jìn)行加熱如在空氣中或在惰性氣氛中在電熱板上加熱，或在空氣中或在惰性氣氛中在爐中或在烘箱中加熱，或在真空爐中或在真空烘箱中加熱。加熱溫度優(yōu)選約80℃至約500℃，更優(yōu)選約150℃至約425℃。這步加熱優(yōu)選進(jìn)行約1分鐘至約360分鐘，更優(yōu)選約2分鐘至約60分鐘。聚合物層也可任選地暴露在光合光中，例如UV光，以便增加其分子量。曝光量可為約100mJ/cm2至約300mJ/cm2。
介電層4可任選地全部暴露在電子束的輻照下，使介電材料固化。電子束輻照可在任何室中進(jìn)行，該室具有對(duì)室內(nèi)放置的基片進(jìn)行電子束輻照的裝置。優(yōu)選電子束輻照步驟采用大面積電子束源的寬、大電子束進(jìn)行輻照。優(yōu)選采用具有大面積電子源的電子束室。適宜的電子束室，在市場(chǎng)上可以以商品名“ElectronCureTM”從ElectronVision——AllieSignal有限責(zé)任公司的一個(gè)部門——購(gòu)買。在美國(guó)專利5,003,178中，敘述了這種裝置的操作原理和性能特征，在此引入其公開內(nèi)容作為參考。電子束輻照的溫度優(yōu)選約20℃至約450℃，更優(yōu)選約50℃至約400℃，最優(yōu)選約200℃至約400℃。電子束的能量?jī)?yōu)選約0.5KeV至約30KeV，更優(yōu)選約3至約10KeV。電子劑量?jī)?yōu)選約1至約50000μC/cm2，更優(yōu)選約50至約20,000μC/cm2。電子束設(shè)備中的氣體環(huán)境，可以是任一種下列氣體氮、氧、氫、氬、氫和氮的混合物、氨、氙、或這些氣體的任一組合。電子束電流優(yōu)選約1至約40mA，更優(yōu)選約5至約20mA。電子束輻照步驟優(yōu)選采用均勻的大面積電子束源的寬、大電子束進(jìn)行輻照，電子束輻照覆蓋的面積為約4至約256平方英寸。
然后采用眾所周知的光刻技術(shù)，使用光刻膠組合物，在介電層中形成溝。光刻膠組合物可以是正加工或負(fù)加工，一般可在市場(chǎng)上購(gòu)買。適宜的正性膠的光刻膠，在本領(lǐng)域是眾所周知的，它可包括鄰-醌二迭氮輻照敏化劑。鄰-醌二迭氮敏化劑包括在序號(hào)為2,797,213、3,106,465、3,148,983、3,130,047、3,201,329、3,785,825、和3,802,885的美國(guó)專利中公開的鄰-醌-4-或-5-苯磺酰-二迭氮。在采用鄰-醌二迭氮時(shí)，優(yōu)選的粘合樹脂包括不溶于水但可溶于堿性水溶液的或能溶漲的粘合樹脂，粘合樹脂優(yōu)選線型酚醛清漆。例如，在市場(chǎng)上可以以商品名AZ-P4620，從新澤西州薩莫維爾的Clariant公司獲得適宜的正性膠的光致介電樹脂。然后使光刻膠通過掩模以成象方式受到光合輻照如光譜中可見、紫外或紅外區(qū)域光的光合輻照，或采用電子束、離子或中子束、或X-射線輻射掃描。光合輻照可以采取不相干性光或相干性光的形式，例如激光器的光。然后采用適宜的溶劑，例如堿性水溶液，以成象方式使光刻膠顯影。任選加熱光刻膠，固化其成象部分，然后顯影，除去未成象的部分，并界定通路的掩模。然后采用本領(lǐng)域眾所周知的蝕刻技術(shù)形成通路。其次，從介電材料表面上全部去除光刻膠，并采用等離子體蝕刻蝕刻通路的內(nèi)壁。在美國(guó)專利5,174,856和5,200,031中敘述了能夠進(jìn)行蝕刻的等離子體發(fā)生器。
其次，采用阻擋層金屬6襯在第一介電中間層的溝槽和頂部上，該阻擋層金屬將介電材料與沉積進(jìn)帶襯溝中的填充金屬隔開。適宜的阻擋層金屬包括鈦、氮化鈦、鉭、和氮化鉭?？梢圆捎帽娝苤臑R射、蒸發(fā)、電鍍、或蒸氣沉積技術(shù)施加這類金屬。
其次，采用填充溝8的導(dǎo)電金屬填充帶襯的溝6，并在圖3所示已固化的介電材料4的頂上也形成頂層10。適宜的填充金屬包括在制造微電子器件中一般采用的鋁、鋁合金、銅、銅合金、鉭、鎢、鈦、或其它金屬。然而，銅是最優(yōu)選的?？刹捎谜魵獬练e、濺射、蒸發(fā)等技術(shù)施加這類金屬。選擇填充金屬和阻擋層金屬的一個(gè)重要標(biāo)準(zhǔn)是它們具有顯著不同的去除選擇性特征。也就是說(shuō)，去除阻擋層的加工步驟不會(huì)去除填充金屬，反之亦然。
然后，從介電材料的頂上去除填充金屬，并在填充金屬的最上部形成凹槽12。這個(gè)凹槽可以采用不同的方法形成，例如采用化學(xué)-機(jī)械拋光(CMP)、等離子體蝕刻、濕法蝕刻、和電拋光的適當(dāng)組合形成。改進(jìn)CMP方法的一種方式是使填充金屬過度拋光，因而去除多余的填充金屬。另一種方法是在常規(guī)CMP步驟之后，進(jìn)行等離子體蝕刻、濕法蝕刻或電拋光。這里關(guān)鍵的要求是，去除填充金屬需要有填充金屬對(duì)阻擋層金屬的高選擇性?，F(xiàn)在將另一個(gè)阻擋層金屬沉積在第一阻擋層6上，阻擋層金屬填入凹槽12，并形成圖5所示的填充凹槽14。采用與上述相同的方法沉積阻擋層金屬。
其次，采用化學(xué)-機(jī)械拋光(CMP)、等離子蝕刻、濕法蝕刻或電拋光的方法，從第一介電材料中間層4上去除金屬阻擋層，形成圖6所示的構(gòu)件?？梢钥吹剑畛涞慕饘巽~8，現(xiàn)在已被阻擋層金屬完全封閉，因而不需要氮化硅層。除頂部以外，阻擋層金屬又處在其所有側(cè)面上的第一介電材料中間層4內(nèi)。如在圖7中所看到的，在圖6的構(gòu)件上再施加上述任一種介電材料的第二介電中間層16?，F(xiàn)在可采用石印和蝕刻技術(shù)，在上部的第二介電層中切出通路18。在圖7中可以看到，該通路是清潔的，即沒有銅反濺射到通路壁上。此外，由于凹槽14中的阻擋層金屬是導(dǎo)電的，電可通過它與銅8連通。采用金屬阻擋層不會(huì)明顯地增加電容。迄今為止，采用氮化硅介電材料不增加電容是不可能的。如圖7所示，本發(fā)明的實(shí)施還解決了Cu在通路側(cè)壁上的沉積問題，因?yàn)樵诘入x子體蝕刻和濺射蝕刻過程中，銅是用阻擋層金屬覆蓋的。本發(fā)明的另一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是，覆蓋的阻擋層金屬完全能自調(diào)準(zhǔn)與下面銅的連接。現(xiàn)在可采用與上述相似的技術(shù)用金屬填充這些通路。應(yīng)當(dāng)理解，可以重復(fù)這些步驟，相互在基片上形成一系列適宜的層和導(dǎo)電的路徑。
權(quán)利要求
1.一種用于形成微電子器件的方法，其中包括(a)在基片上形成第一介電層；(b)穿過第一介電層，形成具有內(nèi)壁的溝；(c)采用第一層阻擋層金屬襯在溝的內(nèi)壁上，并覆蓋在第一介電層的頂上；(d)采用填充金屬填充溝，并采用一層填充金屬覆蓋在第一層阻擋層金屬的頂上，其中填充金屬和阻擋層金屬具有基本上不同的去除選擇性；(e)從第一層阻擋層金屬的頂上去除填充金屬層，并在溝內(nèi)的填充金屬中形成凹槽，該凹槽延伸到第一介電層上第一層阻擋層金屬頂部下面的水平面；(f)采用阻擋層金屬填充凹槽，在第一層阻擋層金屬的頂上任選地沉積第二層阻擋層金屬；(g)從第一介電層的頂部去除任選的第二層阻擋層金屬，并留下凹槽中的阻擋層金屬，使凹槽中的阻擋層金屬與溝中下面的填充金屬的頂部相一致；(h)在第一介電層上和在凹槽內(nèi)的阻擋層金屬上沉積第二介電層。
2.權(quán)利要求1的方法，其中第一介電層包括含硅的聚合物、烷氧基硅烷聚合物、硅倍半氧烷聚合物、硅氧烷聚合物、聚(亞芳基醚)、氟化聚(亞芳基醚)、納米孔二氧化硅、或它們的組合。
3.權(quán)利要求1的方法，其中基片包括半導(dǎo)體或絕緣材料。
4.權(quán)利要求1的方法，其中基片包括砷化鎵、鍺、硅、硅鍺、鈮酸鋰、和含硅的組合物、或它們的組合。
5.權(quán)利要求1的方法，其中填充金屬包括銅。
6.權(quán)利要求1的方法，其中阻擋層金屬包括選自鈦、氮化鈦、鉭、和氮化鉭的材料。
7.權(quán)利要求1的方法，其中采用選自化學(xué)機(jī)械拋光、等離子體蝕刻、濕法蝕刻、和電拋光的一種或多種方法，去除填充金屬。
8.根據(jù)權(quán)利要求1的方法生產(chǎn)的微電子器件。
9.權(quán)利要求1的方法還包括(i)形成穿過第二個(gè)介電層，延伸到凹槽內(nèi)阻擋層金屬的通路，并采用金屬填充該通路。
10.權(quán)利要求9的方法，其中填充金屬包括銅。
11.權(quán)利要求9的方法，其中阻擋層金屬包括選自鈦、氮化鈦、鉭、和氮化鉭的材料。
12.權(quán)利要求9的方法，其中采用金屬填充通路，該金屬選自鋁、鋁合金、銅、銅合金、鉭、鎢、鈦、和它們的混合物。
13.根據(jù)權(quán)利要求9的方法生產(chǎn)的微電子器件。
14.一種微電子器件，其中包括基片和基片上的介電層；穿過該介電層的具有內(nèi)壁的溝；溝內(nèi)壁上的阻擋層金屬襯里；在溝內(nèi)壁上襯里之間的溝中的填充金屬，其中填充金屬和阻擋層金屬具有基本上不同的去除選擇性；在填充金屬上的阻擋層金屬的覆層，該覆層跨越溝內(nèi)壁上的襯里，并與溝內(nèi)填充金屬的頂部相一致。
15.權(quán)利要求14的微電子器件，還包括在介電層和阻擋層金屬覆層上的第二介電層。
16.權(quán)利要求15的微電子器件，還包括穿過第二介電層延伸到覆層的通路，和填充該通路的金屬。
17.權(quán)利要求16的微電子器件，其中采用金屬填充通道，該金屬選自鋁、鋁合金、銅、銅合金、鉭、鎢、鈦、和它們的混合物。
18.權(quán)利要求14的微電子器件，其中介電層包括含硅的聚合物、烷氧基硅烷聚合物、硅倍半氧烷聚合物、硅氧烷聚合物、聚(亞芳基醚)、氟化聚(亞芳基醚)、納米孔二氧化硅、或它們的組合。
19.權(quán)利要求14的微電子器件，其中基片包括砷化鎵、鍺、硅、硅鍺、鈮酸鋰、含硅的組合物、和它們的組合。
20.權(quán)利要求14的微電子器件，其中填充金屬包括銅。
21.權(quán)利要求14的微電子器件，其中阻擋層金屬包括選自鈦、氮化鈦、鉭、和氮化鉭的材料。
全文摘要
本申請(qǐng)涉及一種自調(diào)準(zhǔn)金屬擴(kuò)散阻擋層的微電子器件。這種微電子器件具有基片(2)和基片上的介電層(4)。穿過介電層(4)形成具有內(nèi)壁的溝。在溝的內(nèi)壁上具有阻擋層金屬(6)的襯里,填充金屬(8)位于溝內(nèi)壁襯里之間的溝內(nèi)。填充金屬(8)和阻擋層金屬(6)具有基本上不同的去除選擇性。阻擋層金屬的覆層(14)位于填充金屬上,該覆層跨越溝內(nèi)壁上的襯里,并與溝內(nèi)填充金屬的頂部相一致。
文檔編號(hào)H01L21/02GK1369112SQ00811466
公開日2002年9月11日 申請(qǐng)日期2000年6月9日 優(yōu)先權(quán)日1999年6月9日
發(fā)明者H·鐘 申請(qǐng)人:聯(lián)合訊號(hào)公司