技術(shù)編號(hào)：6845483
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。背景技術(shù)發(fā)明概述本發(fā)明提供一種制造微電子器件的方法，其中包括(a)在基片上形成第一介電層；(b)穿過(guò)第一介電層，形成具有內(nèi)壁的溝；(c)采用第一層阻擋層金屬襯在溝的內(nèi)壁上，并覆蓋在第一介電層的頂上；(d)采用填充金屬填充溝，并用一層填充金屬覆蓋在第一層阻擋層金屬的頂上，其中的填充金屬和阻擋層金屬具有基本上不同的去除選擇性；(e)從第一層阻擋層金屬的頂上去除填充金屬層，并在溝內(nèi)的填充金屬中形成凹槽，該凹槽延伸到第一介電層上第一層阻擋層金屬頂部下面的水平面；(...
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