專利名稱：半導(dǎo)體裝置的制造方法、半導(dǎo)體裝置、窄間距用連接器、靜電傳動(dòng)器、壓電傳動(dòng)器、噴墨頭 ...的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置的制造方法、半導(dǎo)體裝置、窄間距用連接器、包含該窄間距用連接器的靜電傳動(dòng)器、壓電傳動(dòng)器、微機(jī)械、液晶面板以及使用了該靜電傳動(dòng)器、壓電傳動(dòng)器的噴墨頭、安裝了該噴墨頭的噴墨打印機(jī)、電子裝置。
背景技術(shù)：
以往，已知有在單晶硅晶片(以下，稱為硅晶片)上形成絕緣層的同時(shí)利用CVD法(或?yàn)R射法)和刻蝕在該絕緣層的上表面上形成布線等來制造半導(dǎo)體裝置的方法。
圖23是形成了半導(dǎo)體裝置的硅晶片的平面圖，圖24是將圖23中的A-A剖面圖的主要部分放大后示出的圖。
如圖23中所示，在硅晶片1的表面上夾住切割線5以柵格狀形成了多個(gè)半導(dǎo)體裝置3。這里示出的半導(dǎo)體裝置3具有在硅晶片1的表面的絕緣層4上形成了的IC7和從該IC7引出的微細(xì)布線9。
如圖25中所示，利用金剛石刀或被稱為旋轉(zhuǎn)的切割刀的薄的砂輪等的刀11沿切割線5將以這種方式在硅晶片1的表面上形成的多個(gè)半導(dǎo)體裝置3切成芯片狀。
被切成芯片狀的半導(dǎo)體裝置3例如經(jīng)由聚酰亞胺構(gòu)成的柔性基板(連接器)與外部基板以電的方式、機(jī)械的方式進(jìn)行連接。再有，使用含有導(dǎo)電性粒子的各向異性導(dǎo)電粘接劑等、利用加壓和加熱進(jìn)行半導(dǎo)體裝置3的端子電極與柔性基板的電極的連接。
但是，以上述方式制造的半導(dǎo)體基板存在以下的問題。
圖26(A)(B)是從硅晶片1切出的半導(dǎo)體裝置3的主要部分的放大圖。如圖26(A)中所示，由于切出半導(dǎo)體裝置3的緣故，沿切割線的端面1a的單晶面露出。此外，在硅晶片1的表面上形成的絕緣層4的厚度只有約5000～20000埃。因此，如圖26(B)中所示，在空氣中浮游的導(dǎo)電性的塵埃13以跨越絕緣層的方式附著于其上，存在半微細(xì)布線9與端面1a短路(邊緣短路)的可能性。
此外，如圖26(B)中所示，也存在下述的可能性在IC7與微細(xì)布線9的連接中使用的焊錫或?qū)щ娦哉辰觿┝鞒?、到達(dá)端面1a、從而產(chǎn)生短路(邊緣短路)。
半導(dǎo)體裝置3的表面的微細(xì)布線9以外的部分被絕緣層4所覆蓋。因此，在空氣中發(fā)生了靜電的情況下，在半導(dǎo)體裝置3的微細(xì)布線9上帶靜電，由于重復(fù)上述過程，故也存在微細(xì)布線9發(fā)生熔斷的問題。
再者，作為半導(dǎo)體裝置，包含例如靜電傳動(dòng)器、壓電傳動(dòng)器等的微機(jī)械、在窄間距用連接器上連接配置IC而構(gòu)成的半導(dǎo)體裝置的微機(jī)械等、液晶面板等。
發(fā)明的公開本發(fā)明的目的在于提供半導(dǎo)體裝置的制造方法、半導(dǎo)體裝置、窄間距用連接器、靜電傳動(dòng)器、壓電傳動(dòng)器等的微機(jī)械、包含該微機(jī)械的噴墨頭、噴墨打印機(jī)、液晶面板、電子裝置。
(1)與本發(fā)明的一個(gè)形態(tài)有關(guān)的半導(dǎo)體裝置的制造方法是對(duì)硅晶片進(jìn)行切割來制造多個(gè)半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于在上述硅晶片上以跨越切割線的方式形成被絕緣層覆蓋的槽，沿上述切割線對(duì)上述硅晶片進(jìn)行切割。
按照上述制造方法，在半導(dǎo)體裝置的外周面上形成絕緣層。因此，即使導(dǎo)電性的塵埃附著于半導(dǎo)體裝置的邊緣部上，也被在外周面上形成的絕緣層遮住，不到達(dá)硅結(jié)晶面上。因此，不會(huì)發(fā)生短路。
此外，即使安裝元件用的焊錫或?qū)щ娦哉辰觿┝鞒?，也被在外周面上形成的絕緣層遮住，不到達(dá)硅結(jié)晶面上。因此，在該情況下也不會(huì)發(fā)生短路。
(2)與本發(fā)明的另一個(gè)形態(tài)有關(guān)的半導(dǎo)體裝置的制造方法，在上述(1)中，在上述槽的底面上形成了絕緣層后，在該絕緣層上形成金屬膜。
通過這樣做，可防止空氣中的靜電使該金屬膜帶電、在半導(dǎo)體元件或布線部上帶靜電。此外，可防止使金屬膜帶因蓄積了靜電的人或蓄積了靜電的金屬與半導(dǎo)體裝置接觸而移動(dòng)的靜電、在半導(dǎo)體元件或布線部上直接帶靜電。
(3)與本發(fā)明的另一個(gè)形態(tài)有關(guān)的半導(dǎo)體裝置的制造方法，在上述(2)中，使上述金屬膜與上述硅晶片的結(jié)晶面導(dǎo)通。
通過這樣做，通過在組裝線上使支撐半導(dǎo)體基板的裝置接地、或在組裝后使結(jié)晶面接地，可使金屬膜帶靜電、同時(shí)使帶了電的靜電流走，能更可靠地防止靜電的不良影響。
(4)與本發(fā)明的另一個(gè)形態(tài)有關(guān)的半導(dǎo)體裝置的制造方法，在上述(1)至(3)中，將上述硅晶片的表面的結(jié)晶面定為(110)面，利用各向異性刻蝕在(110)面上形成上述槽。
如果在(110)面上進(jìn)行各向異性刻蝕，則可自由地設(shè)定被形成的槽的深度。因此，可形成與所預(yù)想的塵埃的大小(長(zhǎng)度)及元件的安裝中使用的焊錫或?qū)щ娦哉辰觿┑恼承院土繉?duì)應(yīng)的槽深。
(5)與本發(fā)明的另一個(gè)形態(tài)有關(guān)的半導(dǎo)體裝置的制造方法，在上述(1)至(3)中，將上述硅晶片的表面的結(jié)晶面定為(100)面，利用各向異性刻蝕在(100)面上形成上述槽。
如果在(100)面上進(jìn)行各向異性刻蝕，則可將槽的形狀形成為V字形，在將半導(dǎo)體裝置切成芯片狀時(shí)，就在半導(dǎo)體裝置的周圍形成傾斜狀的絕緣層，容易除去在切割時(shí)發(fā)生的塵埃或污物。
(6)與本發(fā)明的另一個(gè)形態(tài)有關(guān)的半導(dǎo)體裝置中，在形成了元件的基板的外周面上形成了絕緣層。
由于在半導(dǎo)體裝置的外周面上形成了絕緣層，故即使導(dǎo)電性的塵埃附著于半導(dǎo)體裝置的邊緣部上，也被在外周面上形成的絕緣層遮住，不到達(dá)基板面上。因此，不會(huì)短路。
此外，即使安裝元件用的焊錫或?qū)щ娦哉辰觿┝鞒?，也被在外周面上形成的絕緣層遮住，不到達(dá)基板面上。因此，此時(shí)，也不會(huì)短路。
(7)與本發(fā)明的另一個(gè)形態(tài)有關(guān)的半導(dǎo)體裝置，在上述(6)中，在上述外周面上形成了傾斜部。
由于在半導(dǎo)體裝置的周圍形成了傾斜部，故容易除去附著于半導(dǎo)體裝置的邊緣部上的塵埃和污物。
(8)與本發(fā)明的另一個(gè)形態(tài)有關(guān)的半導(dǎo)體裝置，在上述(6)中，在上述外周面上形成了臺(tái)階差部。
(9)與本發(fā)明的另一個(gè)形態(tài)有關(guān)的窄間距用連接器中，在基板上形成了多個(gè)第1端子電極和第2端子電極，形成了導(dǎo)電性地連接上述第1端子電極和上述第2端子電極用的布線，上述布線具有變換上述第1端子電極間的間距和上述第2端子電極間的間距的功能，在上述基板的外周面上形成了絕緣層。
由于在窄間距用連接器的外周面上形成了絕緣層，故即使導(dǎo)電性的塵埃附著于基板的外周部上，也被在外周面上形成的絕緣層遮住，不到達(dá)基板面上。因此，不會(huì)短路。
此外，即使在窄間距用連接器與連接對(duì)象物或外部基板的接合時(shí)使用的焊錫或?qū)щ娦哉辰觿┝鞒?，也被絕緣層遮住，不到達(dá)基板面上。因此，此時(shí)，也不會(huì)短路。
(10)與本發(fā)明的另一個(gè)形態(tài)有關(guān)的窄間距用連接器，在上述(9)中，在上述外周面上形成了傾斜部。
由于在窄間距用連接器的基板的外周面上形成了傾斜部，故容易除去附著于窄間距用連接器的邊緣部上的塵埃和污物。
(11)與本發(fā)明的另一個(gè)形態(tài)有關(guān)的窄間距用連接器，在上述(9)中，在上述外周面上形成了臺(tái)階差部。
(12)與本發(fā)明的另一個(gè)形態(tài)有關(guān)的窄間距用連接器，在上述(9)至(11)中，在上述絕緣層上形成了金屬膜。
通過這樣做，可防止空氣中的靜電使該金屬膜帶電、在窄間距用連接器的微細(xì)布線部上帶靜電。此外，可防止因蓄積了靜電的人或蓄積了靜電的金屬與半導(dǎo)體裝置接觸而使金屬膜帶有移動(dòng)的靜電、在半導(dǎo)體元件或布線部上直接帶靜電。
(13)與本發(fā)明的另一個(gè)形態(tài)有關(guān)的窄間距用連接器，在上述(12)中，使上述金屬膜與上述基板導(dǎo)通。
通過這樣做，通過在組裝線上使支撐窄間距用連接器的裝置接地、或在組裝后使結(jié)晶性基板接地，可使金屬膜帶靜電、同時(shí)可使帶了電的靜電流走，能更可靠地防止靜電的不良影響。
(14)與本發(fā)明的另一個(gè)形態(tài)有關(guān)的窄間距用連接器，在上述(9)至(13)中，上述基板的熱膨脹系數(shù)具有與上述連接對(duì)象物的熱膨脹系數(shù)大致相等或比上述連接對(duì)象物的熱膨脹系數(shù)小的特性。
這樣，通過使基板的熱膨脹系數(shù)與連接對(duì)象物的熱膨脹系數(shù)大致相等，在用加壓和加熱來連接端子電極的情況下，可將連接的端子電極間的相對(duì)位置的偏移抑制到最小限度。
此外，在使基板的熱膨脹系數(shù)比上述連接對(duì)象物的熱膨脹系數(shù)小的情況下，通過使基板的溫度比連接對(duì)象物側(cè)的溫度高來進(jìn)行連接，可得到同樣的效果。
(15)與本發(fā)明的另一個(gè)形態(tài)有關(guān)的窄間距用連接器，在上述(9)至(14)中，上述基板由單晶硅形成。
由于上述基板由單晶硅形成，故可提高散熱效果，同時(shí)可防止因溫度上升引起的電阻值的增大。
(16)與本發(fā)明的另一個(gè)形態(tài)有關(guān)的窄間距用連接器，在上述(15)中，上述單晶硅的結(jié)晶面是(100)面。
如果將單晶硅的結(jié)晶面定為(100)面，則通過對(duì)該面進(jìn)行各向異性刻蝕，可對(duì)該面形成構(gòu)成54.74度的V字形的槽部。再有，可利用在(100)面上被設(shè)定的(例如，由SiO2形成的)窗口的寬度來準(zhǔn)確地控制V字形的槽部的深度。
(17)與本發(fā)明的另一個(gè)形態(tài)有關(guān)的窄間距用連接器，在上述(15)中，上述單晶硅的結(jié)晶面是(110)面。
如果將單晶硅的結(jié)晶面定為(110)面，則通過對(duì)該面進(jìn)行各向異性刻蝕，可形成剖面為矩形的槽部。此時(shí)，可與槽寬無關(guān)地形成規(guī)定的深度的槽部。
(18)與本發(fā)明的另一個(gè)形態(tài)有關(guān)的微機(jī)械具有運(yùn)動(dòng)機(jī)構(gòu)部和形成了多個(gè)第1端子電極的第1基板，其中，具有形成了與上述多個(gè)第1端子電極導(dǎo)電性地連接用的第2端子電極的第2基板，在上述第2基板上形成了多個(gè)第3端子電極和導(dǎo)電性地連接上述第2端子電極與上述第3端子電極用的布線，上述布線具有變換上述第2端子電極間的間距和上述第3端子電極間的間距的功能，在上述第2基板的外周面上形成了絕緣層。
(19)與本發(fā)明的另一個(gè)形態(tài)有關(guān)的壓電傳動(dòng)器具有壓電元件和形成了多個(gè)第1端子電極的第1基板，其中，具有形成了與上述多個(gè)第1端子電極導(dǎo)電性地連接用的第2端子電極的第2基板，在上述第2基板上形成了多個(gè)第3端子電極和導(dǎo)電性地連接上述第2端子電極與上述第3端子電極用的布線，上述布線具有變換上述第2端子電極間的間距和上述第3端子電極間的間距的功能，在上述第2基板的外周面上形成了絕緣層。
(20)與本發(fā)明的另一個(gè)形態(tài)有關(guān)的靜電傳動(dòng)器具有靜電振子和形成了多個(gè)第1端子電極的第1基板，其中，具有形成了與上述多個(gè)第1端子電極導(dǎo)電性地連接用的第2端子電極的第2基板，在上述第2基板上形成了多個(gè)第3端子電極和導(dǎo)電性地連接上述第2端子電極與上述第3端子電極用的布線，上述布線具有變換上述第2端子電極間的間距和上述第3端子電極間的間距的功能，在上述第2基板的外周面上形成了絕緣層。
(21)與本發(fā)明的另一個(gè)形態(tài)有關(guān)的噴墨頭具有壓電元件和形成了多個(gè)第1端子電極的第1基板，利用上述壓電元件使墨滴噴出，其中，具有形成了與上述多個(gè)第1端子電極導(dǎo)電性地連接用的第2端子電極的第2基板，在上述第2基板上形成了多個(gè)第3端子電極和導(dǎo)電性地連接上述第2端子電極與上述第3端子電極用的布線，上述布線具有變換上述第2端子電極間的間距和上述第3端子電極間的間距的功能，在上述第2基板的外周面上形成了絕緣層。
(22)與本發(fā)明的另一個(gè)形態(tài)有關(guān)的噴墨頭具有靜電振子和形成了多個(gè)第1端子電極的第1基板，利用上述靜電振子使墨滴噴出，其中，具有形成了與上述多個(gè)第1端子電極導(dǎo)電性地連接用的第2端子電極的第2基板，在上述第2基板上形成了多個(gè)第3端子電極和導(dǎo)電性地連接上述第2端子電極與上述第3端子電極用的布線，上述布線具有變換上述第2端子電極間的間距和上述第3端子電極間的間距的功能，在上述第2基板的外周面上形成了絕緣層。
(23)與本發(fā)明的另一個(gè)形態(tài)有關(guān)的噴墨打印機(jī)具有形成了壓電元件和形成了多個(gè)第1端子電極的第1基板的噴墨頭，其中，具有形成了與上述多個(gè)第1端子電極導(dǎo)電性地連接用的第2端子電極的第2基板，在上述第2基板上形成了多個(gè)第3端子電極和導(dǎo)電性地連接上述第2端子電極與上述第3端子電極用的布線，上述布線具有變換上述第2端子電極間的間距和上述第3端子電極間的間距的功能，在上述第2基板的外周面上形成了絕緣層。
(24)與本發(fā)明的另一個(gè)形態(tài)有關(guān)的噴墨打印機(jī)具有形成了靜電振子和形成了多個(gè)第1端子電極的第1基板的噴墨頭，其中，具有形成了與上述多個(gè)第1端子電極導(dǎo)電性地連接用的第2端子電極的第2基板，在上述第2基板上形成了多個(gè)第3端子電極和導(dǎo)電性地連接上述第2端子電極與上述第3端子電極用的布線，上述布線具有變換上述第2端子電極間的間距和上述第3端子電極間的間距的功能，在上述第2基板的外周面上形成了絕緣層。
在上述的(18)至(24)的發(fā)明中，由于在第2基板的外周面上形成了絕緣層，故即使導(dǎo)電性的塵埃附著于第2基板的外周部上，也被在外周面上形成的絕緣層遮住，不到達(dá)具有導(dǎo)電性的面上。因此，不會(huì)短路。
此外，即使在第2基板與連接對(duì)象物或外部基板的接合時(shí)使用的焊錫或?qū)щ娦哉辰觿┝鞒?，也被絕緣層遮住，不到達(dá)具有導(dǎo)電性的面上。因此，此時(shí)，也不會(huì)短路。
(25)與本發(fā)明的另一個(gè)形態(tài)有關(guān)的液晶裝置是在第1基板與第2基板之間夾持了液晶，在上述第1基板或上述第2基板中的一個(gè)基板上形成了多個(gè)第1端子電極的液晶裝置，其中，具有形成了與上述多個(gè)第1端子電極導(dǎo)電性地連接用的第2端子電極的第3基板，在上述第3基板上形成了多個(gè)第3端子電極和導(dǎo)電性地連接上述第2端子電極與上述第3端子電極用的布線，上述布線具有變換上述第2端子電極間的間距和上述第3端子電極間的間距的功能，在上述第3基板的外周面上形成了絕緣層。
(26)與本發(fā)明的另一個(gè)形態(tài)有關(guān)的電子裝置具有液晶裝置，其中上述液晶裝置具有第1基板和第2基板，在第1基板與第2基板之間夾持了液晶，在上述第1基板或上述第2基板中的一個(gè)基板上形成了多個(gè)第1端子電極，具有形成了與上述多個(gè)第1端子電極導(dǎo)電性地連接用的第2端子電極的第3基板，在上述第3基板上形成了多個(gè)第3端子電極和導(dǎo)電性地連接上述第2端子電極與上述第3端子電極用的布線，上述布線具有變換上述第2端子電極間的間距和上述第3端子電極間的間距的功能，在上述第3基板的外周面上形成了絕緣層。
在上述的(25)或(26)的發(fā)明中，由于在第3基板的外周面上形成了絕緣層，故即使導(dǎo)電性的塵埃附著于第3基板的外周部上，也被在外周面上形成的絕緣層遮住，不到達(dá)結(jié)晶面上。因此，不會(huì)短路。
此外，即使在第3基板與第1基板或第2基板的接合時(shí)使用的焊錫或?qū)щ娦哉辰觿┝鞒?，也被絕緣層遮住，不到達(dá)結(jié)晶面上。因此，此時(shí)，也不會(huì)短路。
附圖的簡(jiǎn)單說明

圖1是示出了本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)1的窄間距用連接器和與該連接器連接的連接對(duì)象物的端子部分的正面圖。
圖2(A)(B)是本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)1的窄間距用連接器中的邊緣部的剖面放大圖。
圖3是形成了多個(gè)本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)1的窄間距用連接器的硅晶片的正面圖。
圖4是本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)1的窄間距用連接器的制造工序(其1)的說明圖。
圖5是本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)1的窄間距用連接器的制造工序(其2)的說明圖。
圖6是本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)1的窄間距用連接器的制造工序(其3)的說明圖。
圖7是本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)2的窄間距用連接器的制造工序的主要部分的說明圖。
圖8是本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)2的另一形態(tài)的窄間距用連接器的制造工序的主要部分的說明圖。
圖9是本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)3的窄間距用連接器的制造工序的主要部分的說明圖。
圖10是本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)4的窄間距用連接器的制造工序的主要部分的說明圖。
圖11是本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)5的半導(dǎo)體裝置(IC芯片)的斜視圖。
圖12是本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)5的作用的說明圖。
圖13是與本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)5進(jìn)行了比較的現(xiàn)有例的說明圖。
圖14(A)(B)是示出本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)6的靜電傳動(dòng)器的結(jié)構(gòu)的說明圖。
圖15是本實(shí)施形態(tài)6的壓電傳動(dòng)器的說明圖。
圖16是本實(shí)施形態(tài)7的噴墨頭的說明圖。
圖17是本實(shí)施形態(tài)8的噴墨打印機(jī)的內(nèi)部的說明圖。
圖18是本實(shí)施形態(tài)8的噴墨打印機(jī)的外觀圖。
圖19(A)(B)是本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)9的微機(jī)械的一例的說明圖。
圖20是作為本實(shí)施形態(tài)10的另一例的光調(diào)制裝置的說明圖。
圖21是本實(shí)施形態(tài)11的液晶面板的說明圖。
圖22是本實(shí)施形態(tài)12的電子裝置的說明圖。
圖23是現(xiàn)有的形成了半導(dǎo)體裝置的硅晶片的平面圖。
圖24是放大了圖23中的A-A剖面圖的主要部分而示出的圖。
圖25是現(xiàn)有的半導(dǎo)體裝置的制造工序的說明圖。
圖26(A)(B)是從硅晶片切出的現(xiàn)有的半導(dǎo)體裝置的主要部分的放大圖。
用于實(shí)施發(fā)明的最佳形態(tài)實(shí)施形態(tài)1圖1是本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)1的窄間距用連接器的平面圖。在窄間距用連接器20中，如圖1中所示，在由單晶硅構(gòu)成的基板21上經(jīng)絕緣層形成了輸入布線25和輸出布線27，再安裝了驅(qū)動(dòng)器IC23。輸入布線25、輸出布線27的端部分別成為端子電極25a、27a。而且，變換了輸入側(cè)和輸出側(cè)的布線數(shù)、布線間距。
再有，端子電極25a、27a的數(shù)目隨與輸出側(cè)連接的連接對(duì)象物50不同而不同。在連接對(duì)象物50被安裝到打印頭上的靜電傳動(dòng)器的情況下，根據(jù)其個(gè)數(shù)而變動(dòng)，但有時(shí)在輸入側(cè)為幾十條以上、在輸出側(cè)達(dá)到幾百條。
在基板21的周端部上形成了從表面開始朝向底面一側(cè)凹陷的臺(tái)階差部29，在該臺(tái)階差部29上也形成了上述的絕緣層。
圖2(A)是圖1中的A-A剖面圖，圖2(B)是圖1中的B-B剖面圖。
在本實(shí)施形態(tài)中，由于在窄間距用連接器20的周端部上形成了臺(tái)階差部29，在該臺(tái)階差部29上也形成了絕緣層31，故例如即使在空氣中的導(dǎo)電性的塵埃附著了的情況下，如圖2(A)中所示，附著于輸入布線25上的塵埃32被在臺(tái)階差部29上形成的絕緣層遮住，不到達(dá)結(jié)晶面33上。因而，不會(huì)短路。
此外，即使將驅(qū)動(dòng)器IC23連接到輸入布線25上用的焊錫或?qū)щ娦哉辰觿┝鞒?，如圖2(B)中所示，也被在臺(tái)階差部29上形成的絕緣層遮住，不到達(dá)結(jié)晶面上。因此，此時(shí)，也不會(huì)短路。
此外，由于窄間距用連接器20以單晶硅為基體材料，故可將熱膨脹系數(shù)抑制得較小，可抑制接合時(shí)的端子電極附近的基體材料的伸展，同時(shí)，與成為打引頭側(cè)的基體材料的玻璃的熱膨脹系數(shù)的差也小。因此，在兩者的接合時(shí)，可將因熱膨脹系數(shù)的差異引起的連接用端子電極的位置偏移抑制到最小限度。
圖3是形成了多個(gè)窄間距用連接器20的硅晶片的平面圖。如圖3中所示，在硅晶片上以柵格狀形成多個(gè)窄間距用連接器20。而且，在鄰接的窄間距用連接器20相互間沿切割線形成了槽30a。通過沿該槽30a的中央部進(jìn)行切割，形成了窄間距用連接器20。而且，在槽30a的表面上形成了絕緣層，利用切割，該槽30a成為窄間距用連接器20的臺(tái)階差部29。
圖4～圖6是在硅晶片30上形成布線和槽30a的工序的說明圖，示出了圖3中的C-C剖面的一部分。
以下，根據(jù)圖4～圖6說明布線和槽30a的形成工序。
首先，如圖4(a)中所示，對(duì)單晶硅晶片33的表面進(jìn)行了清洗后，如圖4(b)中所示，在其表面上涂敷光致抗蝕劑膜37。
然后，在涂敷了光致抗蝕劑膜37后，如圖4(c)中所示，利用光刻進(jìn)行構(gòu)圖，除去形成槽30a的部分的光致抗蝕劑膜37。
其后，以光致抗蝕劑膜37為掩模，使用KOH水溶液或乙二胺水溶液等的刻蝕液，對(duì)單晶硅晶片33的表面進(jìn)行各向異性刻蝕。
再有，在該例中，使用了表面的結(jié)晶面由(110)面構(gòu)成的單晶硅晶片。由于(110)面對(duì)于單晶硅晶片33的表面在垂直方向(單晶硅晶片33的厚度方向)上具有大的結(jié)晶方位依存性，故可形成不被槽30a的寬度所左右的底切(undercut)極少的剖面為矩形的槽30a。在圖4(d)中示出形成了槽30a的狀態(tài)。
再有，可根據(jù)如果附著于窄間距用連接器20的表面而被預(yù)想的塵埃的大小(長(zhǎng)度)及驅(qū)動(dòng)器IC23的安裝中使用的焊錫或?qū)щ娦哉辰觿┑恼承院土縼碓O(shè)定槽30a的深度。
在形成了槽30a后，如圖5(e)中所示，從單晶硅晶片33的表面的表面除去光致抗蝕劑膜37，其后，如圖5(f)中所示，在單晶硅晶片33的表面和槽30a上形成SiO2膜31。將SiO2膜31的厚度定為約5000～20000埃，利用由CVD法淀積的BPSG(硼磷硅酸鹽玻璃)來形成，或使用干法熱氧化或濕法熱氧化等來形成。
在以這種方式在單晶硅晶片33的表面和槽30a上形成SiO2膜31后，將單晶硅晶片33配置在壓力為2～5m Torr、溫度為150～300℃的氬氣氛中，以Al-Cu、Al-Si-Cu、Al-Si、Ni、Cr、Au等為靶，用DC9～12kW輸入功率進(jìn)行濺射，以200～20000埃的厚度淀積形成具有與這些靶相同的組成的輸入輸出布線25、27用的金屬膜41。在圖5(g)中示出金屬膜41的形成后的狀態(tài)。
再有，也可以Cr為基底淀積厚度約為1000埃的Au來形成金屬膜41。
在以這種方式在SiO2膜31的表面上形成了金屬膜41后，如圖6(h)中所示，在金屬膜41上涂敷光致抗蝕劑膜37。其后，利用先刻進(jìn)行構(gòu)圖，如圖6(i)中所示，除去形成輸入輸出布線25、27的部分以外的光致抗蝕劑膜。再者，以光致抗蝕劑膜37為掩模，對(duì)金屬膜41進(jìn)行刻蝕，如圖6(j)中所示，在單晶硅晶片33的表面上形成輸入輸出布線25、27，再除去輸入輸出布線25、27上的光致抗蝕劑膜。
然后，利用未圖示的刀，沿在槽30a的底面上被設(shè)定的切割線39進(jìn)行切割，如圖6(k)中所示，將鄰接的窄間距用連接器20切開，成為芯片狀。
再有，由于將槽30a的底面的寬度尺寸設(shè)定得比刀的厚度尺寸大，故沿切割線39使刀通過，在刀的兩側(cè)形成臺(tái)階差部29。
在本實(shí)施形態(tài)1中，在窄間距用連接器20的全周(4邊)上形成了槽30a，但根據(jù)窄間距用連接器20的形態(tài)，也可只在縱向的兩側(cè)邊緣部設(shè)置槽30a。
實(shí)施形態(tài)2在上述實(shí)施形態(tài)1中，示出了全部除去槽30a內(nèi)的金屬膜的例子。但是，如圖7(a)中所示，也可在槽30a中留下金屬膜41。這樣，如果在槽30a中留下金屬膜41，則在切割后，如圖7(b)中所示，在臺(tái)階差部29上留下金屬膜41，使其包圍窄間距用連接器20的周圍。
通過這樣做，可防止使該金屬膜41帶空氣中的靜電、使窄間距用連接器20的輸入輸出布線25、27帶電。此外，可防止使金屬膜41帶因蓄積了靜電的人或蓄積了靜電的金屬與半導(dǎo)體裝置接觸而移動(dòng)的靜電、在半導(dǎo)體元件或輸入輸出布線25、27上直接帶靜電。由此，可防止輸入輸出布線25、27的熔斷。
再有，為了在金屬膜41上留下槽30a，在圖6(h)中示出的光致抗蝕劑膜37的構(gòu)圖時(shí)，可在槽30a中也留下光致抗蝕劑膜37。
再有，如圖8(a)中所示，也可在除槽30a的中央部的切割線外的部分上形成槽30a的金屬膜41。
通過這樣做，與在槽30a的整個(gè)底面上留下金屬膜41的情況相比，可防止金屬附著于用作切割機(jī)械的刀的金剛石刀上及金屬堵塞在被稱為旋轉(zhuǎn)的切割刀的薄的砂輪上等，可延長(zhǎng)刀的壽命。
實(shí)施形態(tài)3再者，也可使槽30a的金屬膜41與硅的單晶面導(dǎo)通。通過這樣做，由于通過在組裝線上使支撐基板21的裝置接地、或在組裝后使硅的單晶面33接地，可使槽部33a的金屬膜41帶靜電、同時(shí)使帶了電的靜電流走，能更可靠地防止在窄間距用連接器20的輸入輸出布線25、27上帶靜電。
再有，為了使在槽30a上形成的金屬膜41與硅的單晶面33導(dǎo)通，可如以下那樣做。
如說明了實(shí)施形態(tài)1的圖5(f)中所示那樣，在硅晶片30上形成槽30a的同時(shí)形成了絕緣層后，利用氟的刻蝕，如圖9(a)中所示，除去槽30a的底部的絕緣層31的一部分。在該狀態(tài)下淀積用于輸入輸出布線的金屬膜。然后，涂敷抗蝕劑膜，通過進(jìn)行構(gòu)圖、刻蝕，如圖9(b)中所示，可在槽部的底面上留下金屬膜41的同時(shí)使金屬膜41與硅的單晶面33導(dǎo)通。
實(shí)施形態(tài)4在上述的例子中，示出了槽部33a的剖面形狀為矩形的情況，但也可如圖10(a)中所示，使槽部33a的剖面形狀為V字形。通過這樣做，在將窄間距用連接器20切成芯片狀時(shí)，如圖10(b)中所示，由于可在窄間距用連接器20的周圍形成傾斜狀的絕緣層30，故容易除去在切割時(shí)發(fā)生的塵埃或污物。
再有，為了形成V字形的槽，可使用在硅晶片的表面上露出的結(jié)晶面為(100)面的晶片。
在上述實(shí)施形態(tài)1～4中，作為半導(dǎo)體裝置的例子示出了安裝了驅(qū)動(dòng)器IC23的窄間距用連接器20。但是，本發(fā)明不限于此，可廣泛地應(yīng)用于其它半導(dǎo)體裝置，例如靜電傳動(dòng)器、壓電傳動(dòng)器等的微機(jī)械、液晶面板等。
實(shí)施形態(tài)5圖11是本發(fā)明的另一實(shí)施形態(tài)的斜視圖。在本實(shí)施形態(tài)中，在IC芯片51的外周面上形成傾斜面52和臺(tái)階差部53，同時(shí)，在這些傾斜面52和臺(tái)階差部53上形成了絕緣層。
這樣，通過在IC芯片51的外周面上形成絕緣層，可防止在IC芯片51的端子電極54與外部端子的連接時(shí)的邊緣短路。
即，如圖12中所示，在端子電極54與引線鍵合的導(dǎo)線55與載帶封裝的引線56的連接時(shí)，由于形成了絕緣層，導(dǎo)線55或引線56難以與結(jié)晶面接觸，故不產(chǎn)生邊緣短路。
在圖13中示出的現(xiàn)有的IC芯片57中，在導(dǎo)線55或引線56的連接時(shí)存在邊緣短路的危險(xiǎn)，為了避免這一點(diǎn)，必須使導(dǎo)線55或引線56以向上方浮起h或h’的方式進(jìn)行變形。因此，增加了IC芯片57的厚度。
與此不同，按照本實(shí)施形態(tài)，不需要這樣的變形，可使IC芯片57變薄。
再有，在載帶封裝(TAB)的電極的連接中，使用Au-Au連接、Au-Sn連接等的金屬連接。此外，在引線鍵合中的導(dǎo)線55使用Au或Al那樣的金屬導(dǎo)線。圖示的導(dǎo)線55表示鋁導(dǎo)線的鍥狀鍵合。
實(shí)施形態(tài)6圖14是示出本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)6的靜電傳動(dòng)器59的結(jié)構(gòu)的說明圖。
在圖14中示出的靜電傳動(dòng)器59用作噴墨打印機(jī)中的噴墨頭，是利用微機(jī)械技術(shù)的微細(xì)加工形成的微小結(jié)構(gòu)的傳動(dòng)器。
分別個(gè)別地制作以晶片狀態(tài)制造多個(gè)的、沿切割線對(duì)其進(jìn)行切斷而被制造的噴墨頭本體部60和用于對(duì)其進(jìn)行外部布線的連接部，將其連接起來而得到本實(shí)施形態(tài)6的噴墨頭。再有，連接部與實(shí)施形態(tài)1～4中示出的窄間距用連接器20相同。
如圖14中所示，噴墨頭本體部60成為夾住硅基板70、在上側(cè)具有相同的硅制的噴嘴板72的同時(shí)、分別在下側(cè)層疊了硼硅酸玻璃制的玻璃基板74的3層結(jié)構(gòu)。
在此，在中央的硅基板70上設(shè)置了獨(dú)立的5個(gè)墨室76、連結(jié)這5個(gè)墨室76的1個(gè)共同墨室78和起到連通該共同墨室78與各墨室76的供給路80的功能的槽。
而且，通過利用噴嘴板72塞住這些槽，各部分被區(qū)分地形成，成為墨室76或供給路80。
此外，在硅基板70的背面一側(cè)，設(shè)置了5個(gè)與各墨室76對(duì)應(yīng)地獨(dú)立的凹部，通過利用玻璃基板74塞住該凹部，形成了具有在圖22中用尺寸q示出的高度的振動(dòng)室71。而且，在硅基板70上的各墨室76與振動(dòng)室71的隔壁成為可進(jìn)行彈性變形的振子的振動(dòng)板66。
在噴嘴板72上并在與各墨室76的前端部對(duì)應(yīng)的位置上形成噴嘴62，與各墨室76連通。
再有，使用微機(jī)械技術(shù)的微細(xì)加工技術(shù)來形成在硅基板70上設(shè)置的槽和在噴嘴板72上設(shè)置的噴嘴62。
在在振動(dòng)板66和玻璃基板74上設(shè)置了彼此對(duì)置的對(duì)置電極90。
再有，利用密封部84密封了在硅基板70與對(duì)置電極90之間被形成的微細(xì)的間隙。
此外，將各自的玻璃基板74上的對(duì)置電極90引出到圖中左側(cè)的端部側(cè)，形成了端子電極86。在形成了該端子電極86的基板的端部上，如在實(shí)施形態(tài)1中所示，形成具有絕緣層的臺(tái)階差部87。
然后，將另外制作的窄間距用連接器20連接到端子電極86上，成為具有連接部的噴墨頭。
說明上述那樣構(gòu)成的噴墨頭本體部60的工作。
從未圖示的墨罐通過墨供給口對(duì)共同墨室78供給墨。然后，將供給共同墨室78的墨通過墨供給路80供給各墨室76。在該狀態(tài)下，如果對(duì)對(duì)置電極施加電壓，則利用在其間發(fā)生的靜電力將振動(dòng)板66以靜電方式吸引到玻璃基板74一側(cè)而振動(dòng)。利用因該振動(dòng)板66的振動(dòng)而發(fā)生的墨室76的內(nèi)壓變動(dòng)，從噴嘴62噴出墨液滴。
在本實(shí)施形態(tài)中，由于在噴墨頭本體部60和窄間距用連接器20中的連接部上設(shè)置了具有絕緣層的臺(tái)階差部，故可起到以下的效果。
即，在噴墨頭本體部60與窄間距用連接器20的連接時(shí)，即使接合時(shí)使用的焊錫或?qū)щ娦哉辰觿┝鞒觯脖唤^緣層遮住，不到達(dá)具有導(dǎo)電性的硅基板面上。因此，不會(huì)短路(邊緣短路)。
此外，即使導(dǎo)電性的塵埃附著于噴墨頭本體部60和窄間距用連接器20的端子電板部上，也被在外周面上形成的絕緣層遮住，不到達(dá)硅基板面上。因此，此時(shí)也不會(huì)短路(邊緣短路)。
實(shí)施形態(tài)7圖15是本實(shí)施形態(tài)這的壓電傳動(dòng)器的說明圖。
壓電傳動(dòng)器91具備在兩側(cè)形成了外部電極93a、93b的壓電振子93和保持該壓電振子93的保持構(gòu)件95。在保持構(gòu)件95上形成了突起部97，在突起部97的接合區(qū)A中將壓電振子93接合到保持構(gòu)件95上。將壓電振子93的外部電極93a、93b(圖中用粗線示出的部分)從壓電振子93的兩側(cè)面分別延長(zhǎng)到第1面93的中程。
此外，也將在保持構(gòu)件95上形成的用粗線示出的電極95a、95b從兩外緣分別延長(zhǎng)到突起部97的中程。然后，在突起部97上設(shè)定的接合區(qū)A中以剛體方式接合壓電振子93與保持構(gòu)件95，同時(shí)，連接壓電振子93的外部電極93a、93b與保持構(gòu)件的電極95a、95b，使其導(dǎo)通。
再者，將實(shí)施形態(tài)1中示出的窄間距用連接器20連接到保持構(gòu)件的電極95a、95b上，經(jīng)窄間距用連接器20將來自外部的信號(hào)輸入到壓電傳動(dòng)器91中。
這樣，在該實(shí)施形態(tài)6中，也通過使用窄間距用連接器20，可防止窄間距用連接器20與保持構(gòu)件95的電極95a、95b的接合時(shí)的短路(邊緣短路)。
再有，如果在與保持構(gòu)件95中的窄間距用連接器20的接合部上設(shè)置具有絕緣層的臺(tái)階差部，則能更可靠地防止接合時(shí)的短路(邊緣短路)。
實(shí)施形態(tài)8圖16是示出使用了圖15中示出的壓電傳動(dòng)器91的噴墨頭98的概念圖。在由流路形成構(gòu)件103和振動(dòng)板105形成的墨流路99的前端上接合了備有噴嘴101的噴嘴板108，在其相對(duì)一側(cè)的端部上配置了墨供給路108。而且，將壓電傳動(dòng)器91設(shè)置成機(jī)械的作用面93d與振動(dòng)板95相接，配置成與墨流路99相對(duì)。而且，壓電振子93的兩側(cè)的外部電極93a、93b與保持構(gòu)件的電極95a、95b連接，保持構(gòu)件95的電極95a、95b經(jīng)窄間距用連接器20將來自外部的信號(hào)輸入到壓電傳動(dòng)器91中。
在該結(jié)構(gòu)中，如果將墨充填到墨流路99內(nèi)(直到噴嘴101的前端)、驅(qū)動(dòng)上述壓電傳動(dòng)器91，則使機(jī)械的作用面93d同時(shí)發(fā)生高效率的膨脹變形和撓性變形，得到圖16的上下方向的非常大的有效位移。利用該變形，振動(dòng)板95如用圖中的點(diǎn)線所示那樣與機(jī)械的作用面93d對(duì)應(yīng)地變形，在墨流路99內(nèi)產(chǎn)生大的壓力變化(體積變化)。利用該壓力變化，在圖中的箭頭方向上從噴嘴101噴出墨滴，由于該高效率的壓力變化，墨的噴出也是效率非常高的。
通過使用在外周面上形成了絕緣層的窄間距用連接器20，如在實(shí)施形態(tài)7中已說明的那樣，由于可防止短路，故可提高噴墨頭98本身的可靠性。
實(shí)施形態(tài)9如圖17中所示，將與上述的實(shí)施形態(tài)7有關(guān)的噴墨頭98安裝在座111上來使用。將座111以可自由移動(dòng)的方式安裝在導(dǎo)軌113上，將其位置控制在由滾筒115送出的用紙117的寬度方向上。在圖18中示出的噴墨打印機(jī)119上裝備該圖17的機(jī)構(gòu)。再有，也可將該噴墨頭98作為行打印機(jī)的行頭來安裝。此時(shí)，不需要座111。
此外，在此舉出使用壓電傳動(dòng)器91向邊緣方向噴出墨滴的類型的噴墨頭98和使用該噴墨頭98的噴墨打印機(jī)為例進(jìn)行了說明，但在使用了采用上述的實(shí)施形態(tài)7中示出的靜電傳動(dòng)器從正面?zhèn)葒姵瞿蔚念愋偷膰娔^60的情況下，也成為同樣的結(jié)構(gòu)。
實(shí)施形態(tài)10圖19涉及作為與本實(shí)施形態(tài)有關(guān)的微機(jī)械的一例的微泵，圖19(A)是微泵的俯視圖，圖19(B)是其剖面圖。
微泵為用2片玻璃板122和123以夾層狀?yuàn)A住由微機(jī)械加工方法加工的硅基板121的結(jié)構(gòu)，從吸入側(cè)管124吸入液體，向吸出側(cè)管125噴出液體。
其工作原理是這樣的，通過對(duì)粘貼在硅基板121的中央部上形成的隔膜126上的壓電元件127施加電壓，使其發(fā)生撓性變化，使壓力室128內(nèi)的壓力變化，通過使與該壓力室128在空間上連續(xù)的吸入側(cè)閥膜129和噴出側(cè)閥膜131位移，使吸入閥132和噴出閥133開閉，將流體從吸入側(cè)管124壓送到噴出側(cè)管125中。再有，在圖19(B)中所示，壓力室128和吸入側(cè)閥膜129的上側(cè)的空間與噴出側(cè)閥膜131的下側(cè)的空間是連續(xù)的。
在該例中，也與上述的實(shí)施形態(tài)6或7相同，經(jīng)與本發(fā)明有關(guān)的窄間距用連接器20進(jìn)行與外部的布線。而且，通過使用窄間距用連接器20，可防止接合時(shí)的短路，可提高微機(jī)械本身的可靠性。
實(shí)施形態(tài)11圖20是示出與本實(shí)施形態(tài)有關(guān)的另一例的光調(diào)制裝置的主要部分的組裝分解斜視圖。
該光調(diào)制裝置大致由硅基板140、玻璃基板150和覆蓋基板170構(gòu)成。
硅基板140具有被配置在矩陣上的多個(gè)微小反射鏡141。該多個(gè)微小反射鏡141內(nèi)的沿一方向、例如圖20的X方向配置的微小反射鏡141由扭轉(zhuǎn)桿143進(jìn)行了連結(jié)。再者，包圍配置多個(gè)微小反射鏡141的區(qū)域，設(shè)置了框狀部145。將多條扭轉(zhuǎn)桿143的兩端分別連結(jié)到該框狀部145上。此外，在微小反射鏡141的與扭轉(zhuǎn)桿143的連結(jié)部分的周圍，形成了狹縫，通過形成該狹縫，朝向扭轉(zhuǎn)桿143的繞軸線方向的傾斜驅(qū)動(dòng)變得容易。再者，在微小反射鏡141的表面上形成了反射層141a。而且，通過傾斜地驅(qū)動(dòng)微小反射鏡141，相對(duì)于該微小反射鏡141入射的光的反射方向發(fā)生變化。然后，通過控制使光朝向規(guī)定反射方向反射的時(shí)間，可進(jìn)行光的調(diào)制。在玻璃基板150上形成了傾斜地驅(qū)動(dòng)微小反射鏡141用的電路。
玻璃基板150在中央?yún)^(qū)域上具有凹部151，在其周圍具有豎起部153。在豎起部153的一邊上切出缺口，成為電極取出口155，在該電極取出口155的外側(cè)形成了與凹部151連續(xù)的電極取出板部157。此外，在玻璃基板150的凹部151上具有多個(gè)支撐部159，該多個(gè)支撐部159在x方向上相鄰的2個(gè)微小反射鏡141間的與扭轉(zhuǎn)桿143相對(duì)的位置上從凹部151開始突出地被形成，具有與豎起部153的頂板相同的高度。再者，在玻璃基板150的凹部151和電極取出板部157上形成了布線圖形部161。該布線圖形部161在與夾住扭轉(zhuǎn)桿143的兩側(cè)的微小反射鏡141的背面相對(duì)的位置上分別具有第1、第2地址電極163、165。而且，沿Y方向配置的第1地址電極163共同地連接到第1共同布線167上。同樣，沿Y方向配置的第2地址電極165共同地連接到第2共同布線169上。
在具有上述結(jié)構(gòu)的玻璃基板150上以陽極接合的方式與硅基板140接合。此時(shí)，硅基板140的扭轉(zhuǎn)桿143的兩端部和框狀部145與玻璃基板150的豎起部153接合。再者，硅基板140的扭轉(zhuǎn)桿143的中間部與玻璃基板150的支撐部159進(jìn)行陽極接合。再者，其后，在硅基板140的框狀部145上接合覆蓋基板170。然后，在從框狀部145切離的位置上對(duì)與框狀部145連結(jié)的各自的扭轉(zhuǎn)桿143的兩端部進(jìn)行切割。再者，利用密封材料對(duì)包含在玻璃基板150的豎起部153上切出缺口而形成的電極取出口155的邊緣部進(jìn)行密封，完成光調(diào)制裝置。
然后，與上述的實(shí)施形態(tài)6～10相同，經(jīng)與本發(fā)明有關(guān)的窄間距用連接器20，將已完成的光調(diào)制裝置的第1共同布線167和第2共同布線169與安裝了驅(qū)動(dòng)IC的載帶封裝體等的柔性基板連接，將來自外部的信號(hào)輸入到光調(diào)制裝置中。
通過以這種方式使用窄間距用連接器，可防止接合時(shí)的短路，可提高光調(diào)制裝置本身的可靠性。
再有，即使是形成微小反射鏡和控制微小反射鏡的有源元件的具有與上述結(jié)構(gòu)類似的結(jié)構(gòu)的光調(diào)制裝置，也能使用本發(fā)明的窄間距用連接器。
實(shí)施形態(tài)12圖21是示出與本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)11有關(guān)的液晶面板的一例的說明圖，示出了在陣列工序和單元工序已結(jié)束的模塑工序的階段、即安裝驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的電子電路等以便能對(duì)液晶單元進(jìn)行電控制之前的狀態(tài)。即，液晶面板180具備液晶單元181、窄間距用連接器182和安裝了驅(qū)動(dòng)IC183的載帶封裝體184。
再有，該例的窄間距用連接器182與實(shí)施形態(tài)1的窄間距用連接器20不同，只形成布線圖形，沒有安裝驅(qū)動(dòng)器IC。但是，其它的結(jié)構(gòu)基本上與窄間距用連接器20相同，在外周面上形成了具有絕緣層的臺(tái)階差部189。
液晶單元181是在2片例如基板181a、181b間注入液晶材料并進(jìn)行密封而形成的，在一個(gè)基板181a(在圖21中位于上側(cè)的基板)上形成像素電板、與像素電極連接的薄膜晶體管、與薄膜晶體管的源、柵導(dǎo)電性地連接的源線、數(shù)據(jù)線等，在另一個(gè)基板181b(在圖21中位于下側(cè)的基板)上配置了例如對(duì)置電極、濾色片等。
然后，在模塑工序中，使在液晶單元181上形成的端子電極185與窄間距用連接器182的窄間距的端子電極186重合，或使這些端子電極185與窄間距的端子電極27a夾住導(dǎo)電性構(gòu)件而重合，利用加壓和加熱進(jìn)行連接。
此外，將窄間距用連接器182的窄間距的端子電極186的從另一方擴(kuò)展延伸的布線圖形的末端的端子電極187與載帶封裝體184的端子188連接起來，由此，使端子電極185與驅(qū)動(dòng)IC183導(dǎo)通。
在該例中，與上述的實(shí)施形態(tài)相同，通過使用具有在外周面上有絕緣層的臺(tái)階差部189的窄間距用連接器182，可防止接合時(shí)的短路，可提高液晶面板本身的可靠性。
實(shí)施形態(tài)13圖22示出了利用實(shí)施形態(tài)11中示出的液晶面板的電子裝置的一例、即攜帶電話機(jī)。
將液晶面板用作圖22中示出的攜帶電話機(jī)190的顯示部191。而且，通過使用利用了上述的窄間距用連接器182的可靠性高的液晶面板，可提高攜帶電話機(jī)190本身的可靠性。
權(quán)利要求書按照條約第19條的修改1．(補(bǔ)正后)一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，對(duì)硅晶片進(jìn)行切割來制造多個(gè)半導(dǎo)體裝置，其特征在于在上述硅晶片上以跨越切割線的方式形成被絕緣層覆蓋了的槽，在該槽的底面上形成了絕緣層后，在該絕緣層上形成金屬膜，沿上述切割線對(duì)上述硅晶片進(jìn)行切割。
2．(刪除)3．(補(bǔ)正后)如權(quán)利要求1中所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于使上述金屬膜與上述硅晶片的結(jié)晶面導(dǎo)通。
4．(補(bǔ)正后)如權(quán)利要求1或3中所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于上述硅晶片的表面的結(jié)晶面是(100)面，利用各向異性刻蝕在(100)面上形成上述槽。
5．(補(bǔ)正后)如權(quán)利要求1或3中所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于上述硅晶片的表面的結(jié)晶面是(110)面，利用各向異性刻蝕在(110)面上形成上述槽。
6．一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于在形成了元件的基板的外周面上形成了絕緣層。
7．如權(quán)利要求6中所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于上述外周面具有傾斜部。
8．如權(quán)利要求6中所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于上述外周面具有臺(tái)階差部。
9．一種窄間距用連接器，其中，在基板上形成了多個(gè)第1端子電極和第2端子電極，形成了導(dǎo)電性地連接上述第1端子電極和上述第2端子電極用的布線，上述布線具有變換上述第1端子電極間的間距和上述第2端子電極間的間距的功能，其特征在于在上述基板的外周面上形成了絕緣層。
10．如權(quán)利要求9中所述的窄間距用連接器，其特征在于上述外周面具有傾斜部。
11．如權(quán)利要求9中所述的窄間距用連接器，其特征在于
上述外周面具有臺(tái)階差部。
12．如權(quán)利要求9至11的任一項(xiàng)中所述的窄間距用連接器，其特征在于在上述絕緣層上形成了金屬膜。
13．如權(quán)利要求12中所述的窄間距用連接器，其特征在于上述金屬膜與上述基板導(dǎo)通。
14．如權(quán)利要求9至13的任一項(xiàng)中所述的窄間距用連接器，其特征在于上述基板的熱膨脹系數(shù)具有與上述連接對(duì)象物的熱膨脹系數(shù)大致相等或比上述連接對(duì)象物的熱膨脹系數(shù)小的特性。
15．如權(quán)利要求9至14的任一項(xiàng)中所述的窄間距用連接器，其特征在于上述基板由單晶硅形成。
16．如權(quán)利要求15中所述的窄間距用連接器，其特征在于上述單晶硅的結(jié)晶面是(100)面。
17．如權(quán)利要求15中所述的窄間距用連接器，其特征在于上述單晶硅的結(jié)晶面是(110)面。
18．一種微機(jī)械，具有運(yùn)動(dòng)機(jī)構(gòu)部和形成了多個(gè)第1端子電極的第1基板，其特征在于具有形成了與上述多個(gè)第1端子電極導(dǎo)電性地連接用的第2端子電極的第2基板，在上述第2基板上形成了多個(gè)第3端子電極和導(dǎo)電性地連接上述第2端子電極與上述第3端子電極用的布線，上述布線具有變換上述第2端子電極間的間距和上述第3端子電極間的間距的功能，在上述第2基板的外周面上形成了絕緣層。
19．一種壓電傳動(dòng)器，具有壓電元件和形成了多個(gè)第1端子電極的第1基板，其特征在于具有形成了與上述多個(gè)第1端子電極導(dǎo)電性地連接用的第2端子電極的第2基板，在上述第2基板上形成了多個(gè)第3端子電極和導(dǎo)電性地連接上述第2端子電極與上述第3端子電極用的布線，
上述布線具有變換上述第2端子電極間的間距和上述第3端子電極間的間距的功能，在上述第2基板的外周面上形成了絕緣層。
20．一種靜電傳動(dòng)器，具有靜電振子和形成了多個(gè)第1端子電極的第1基板，其特征在于具有形成了與上述多個(gè)第1端子電極導(dǎo)電性地連接用的第2端子電極的第2基板，在上述第2基板上形成了多個(gè)第3端子電極和導(dǎo)電性地連接上述第2端子電極與上述第3端子電極用的布線，上述布線具有變換上述第2端子電極間的間距和上述第3端子電極間的間距的功能，在上述第2基板的外周面上形成了絕緣層。
21．一種噴墨頭，具有壓電元件和形成了多個(gè)第1端子電極的第1基板，利用上述壓電元件使墨滴噴出，其特征在于具有形成了與上述多個(gè)第1端子電極導(dǎo)電性地連接用的第2端子電極的第2基板，在上述第2基板上形成了多個(gè)第3端子電極和導(dǎo)電性地連接上述第2端子電極與上述第3端子電極用的布線，上述布線具有變換上述第2端子電極間的間距和上述第3端子電極間的間距的功能，在上述第2基板的外周面上形成了絕緣層。
22．一種噴墨頭，具有靜電振子和形成了多個(gè)第1端子電極的第1基板，利用上述靜電振子使墨滴噴出，其特征在于具有形成了與上述多個(gè)第1端子電極導(dǎo)電性地連接用的第2端子電極的第2基板，在上述第2基板上形成了多個(gè)第3端子電極和導(dǎo)電性地連接上述第2端子電極與上述第3端子電極用的布線，上述布線具有變換上述第2端子電極間的間距和上述第3端子電極間的間距的功能，在上述第2基板的外周面上形成了絕緣層。
23．一種噴墨打印機(jī)，具有形成了壓電元件和形成了多個(gè)第1端子電極的第1基板的噴墨頭，其特征在于
具有形成了與上述多個(gè)第1端子電極導(dǎo)電性地連接用的第2端子電極的第2基板，在上述第2基板上形成了多個(gè)第3端子電極和導(dǎo)電性地連接上述第2端子電極與上述第3端子電極用的布線，上述布線具有變換上述第2端子電極間的間距和上述第3端子電極間的間距的功能，在上述第2基板的外周面上形成了絕緣層。
24．一種噴墨打印機(jī)，具有形成了靜電振子和形成了多個(gè)第1端子電極的第1基板的噴墨頭，其特征在于具有形成了與上述多個(gè)第1端子電極導(dǎo)電性地連接用的第2端子電極的第2基板，在上述第2基板上形成了多個(gè)第3端子電極和導(dǎo)電性地連接上述第2端子電極與上述第3端子電極用的布線，上述布線具有變換上述第2端子電極間的間距和上述第3端子電極間的間距的功能，在上述第2基板的外周面上形成了絕緣層。
25．一種液晶裝置，其中，在第1基板與第2基板之間夾持了液晶，在上述第1基板或上述第2基板中的一個(gè)基板上形成了多個(gè)第1端子電極，其特征在于具有形成了與上述多個(gè)第1端子電極導(dǎo)電性地連接用的第2端子電極的第3基板，在上述第3基板上形成了多個(gè)第3端子電極和導(dǎo)電性地連接上述第2端子電極與上述第3端子電極用的布線，上述布線具有變換上述第2端子電極間的間距和上述第3端子電極間的間距的功能，在上述第3基板的外周面上形成了絕緣層。
26．一種具有液晶裝置的電子裝置，其特征在于上述液晶裝置具有第1基板和第2基板，在第1基板與第2基板之間夾持了液晶，在上述第1基板或上述第2基板中的一個(gè)基板上形成了多個(gè)第1端子電極，具有形成了與上述多個(gè)第1端子電極導(dǎo)電性地連接用的第2端子電極的第3基板，
在上述第3基板上形成了多個(gè)第3端子電極和導(dǎo)電性地連接上述第2端子電極與上述第3端子電極用的布線，上述布線具有變換上述第2端子電極間的間距和上述第3端子電極間的間距的功能，在上述第3基板的外周面上形成了絕緣層。
權(quán)利要求
1．一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，對(duì)硅晶片進(jìn)行切割來制造多個(gè)半導(dǎo)體裝置，其特征在于在上述硅晶片上以跨越切割線的方式形成被絕緣層覆蓋了的槽，沿上述切割線對(duì)上述硅晶片進(jìn)行切割。
2．如權(quán)利要求1中所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于在上述槽的底面上形成了絕緣層后，在該絕緣層上形成金屬膜。
3．如權(quán)利要求2中所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于使上述金屬膜與上述硅晶片的結(jié)晶面導(dǎo)通。
4．如權(quán)利要求1至3的任一項(xiàng)中所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于上述硅晶片的表面的結(jié)晶面是(100)面，利用各向異性刻蝕在(100)面上形成上述槽。
5．如權(quán)利要求1至3的任一項(xiàng)中所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于上述硅晶片的表面的結(jié)晶面是(110)面，利用各向異性刻蝕在(110)面上形成上述槽。
6．一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于在形成了元件的基板的外周面上形成了絕緣層。
7．如權(quán)利要求6中所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于上述外周面具有傾斜部。
8．如權(quán)利要求6中所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于上述外周面具有臺(tái)階差部。
9．一種窄間距用連接器，其中，在基板上形成了多個(gè)第1端子電極和第2端子電極，形成了導(dǎo)電性地連接上述第1端子電極和上述第2端子電極用的布線，上述布線具有變換上述第1端子電極間的間距和上述第2端子電極間的間距的功能，其特征在于在上述基板的外周面上形成了絕緣層。
10．如權(quán)利要求9中所述的窄間距用連接器，其特征在于上述外周面具有傾斜部。
11．如權(quán)利要求9中所述的窄間距用連接器，其特征在于上述外周面具有臺(tái)階差部。
12．如權(quán)利要求9至11的任一項(xiàng)中所述的窄間距用連接器，其特征在于在上述絕緣層上形成了金屬膜。
13．如權(quán)利要求12中所述的窄間距用連接器，其特征在于上述金屬膜與上述基板導(dǎo)通。
14．如權(quán)利要求9至13的任一項(xiàng)中所述的窄間距用連接器，其特征在于上述基板的熱膨脹系數(shù)具有與上述連接對(duì)象物的熱膨脹系數(shù)大致相等或比上述連接對(duì)象物的熱膨脹系數(shù)小的特性。
15．如權(quán)利要求9至14的任一項(xiàng)中所述的窄間距用連接器，其特征在于上述基板由單晶硅形成。
16．如權(quán)利要求15中所述的窄間距用連接器，其特征在于上述單晶硅的結(jié)晶面是(100)面。
17．如權(quán)利要求15中所述的窄間距用連接器，其特征在于上述單晶硅的結(jié)晶面是(110)面。
18．一種微機(jī)械，具有運(yùn)動(dòng)機(jī)構(gòu)部和形成了多個(gè)第1端子電極的第1基板，其特征在于具有形成了與上述多個(gè)第1端子電極導(dǎo)電性地連接用的第2端子電極的第2基板，在上述第2基板上形成了多個(gè)第3端子電極和導(dǎo)電性地連接上述第2端子電極與上述第3端子電極用的布線，上述布線具有變換上述第2端子電極間的間距和上述第3端子電極間的間距的功能，在上述第2基板的外周面上形成了絕緣層。
19．一種壓電傳動(dòng)器，具有壓電元件和形成了多個(gè)第1端子電極的第1基板，其特征在于具有形成了與上述多個(gè)第1端子電極導(dǎo)電性地連接用的第2端子電極的第2基板，在上述第2基板上形成了多個(gè)第3端子電極和導(dǎo)電性地連接上述第2端子電極與上述第3端子電極用的布線，上述布線具有變換上述第2端子電極間的間距和上述第3端子電極間的間距的功能，在上述第2基板的外周面上形成了絕緣層。
20．一種靜電傳動(dòng)器，具有靜電振子和形成了多個(gè)第1端子電極的第1基板，其特征在于具有形成了與上述多個(gè)第1端子電極導(dǎo)電性地連接用的第2端子電極的第2基板，在上述第2基板上形成了多個(gè)第3端子電極和導(dǎo)電性地連接上述第2端子電極與上述第3端子電極用的布線，上述布線具有變換上述第2端子電極間的間距和上述第3端子電極間的間距的功能，在上述第2基板的外周面上形成了絕緣層。
21．一種噴墨頭，具有壓電元件和形成了多個(gè)第1端子電極的第1基板，利用上述壓電元件使墨滴噴出，其特征在于具有形成了與上述多個(gè)第1端子電極導(dǎo)電性地連接用的第2端子電極的第2基板，在上述第2基板上形成了多個(gè)第3端子電極和導(dǎo)電性地連接上述第2端子電極與上述第3端子電極用的布線，上述布線具有變換上述第2端子電極間的間距和上述第3端子電極間的間距的功能，在上述第2基板的外周面上形成了絕緣層。
22．一種噴墨頭，具有靜電振子和形成了多個(gè)第1端子電極的第1基板，利用上述靜電振子使墨滴噴出，其特征在于具有形成了與上述多個(gè)第1端子電極導(dǎo)電性地連接用的第2端子電極的第2基板，在上述第2基板上形成了多個(gè)第3端子電極和導(dǎo)電性地連接上述第2端子電極與上述第3端子電極用的布線，上述布線具有變換上述第2端子電極間的間距和上述第3端子電極間的間距的功能，在上述第2基板的外周面上形成了絕緣層。
23．一種噴墨打印機(jī)，具有形成了壓電元件和形成了多個(gè)第1端子電極的第1基板的噴墨頭，其特征在于具有形成了與上述多個(gè)第1端子電極導(dǎo)電性地連接用的第2端子電極的第2基板，在上述第2基板上形成了多個(gè)第3端子電極和導(dǎo)電性地連接上述第2端子電極與上述第3端子電極用的布線，上述布線具有變換上述第2端子電極間的間距和上述第3端子電極間的間距的功能，在上述第2基板的外周面上形成了絕緣層。
24．一種噴墨打印機(jī)，具有形成了靜電振子和形成了多個(gè)第1端子電極的第1基板的噴墨頭，其特征在于具有形成了與上述多個(gè)第1端子電極導(dǎo)電性地連接用的第2端子電極的第2基板，在上述第2基板上形成了多個(gè)第3端子電極和導(dǎo)電性地連接上述第2端子電極與上述第3端子電板用的布線，上述布線具有變換上述第2端子電極間的間距和上述第3端子電極間的間距的功能，在上述第2基板的外周面上形成了絕緣層。
25．一種液晶裝置，其中，在第1基板與第2基板之間夾持了液晶，在上述第1基板或上述第2基板中的一個(gè)基板上形成了多個(gè)第1端子電極，其特征在于具有形成了與上述多個(gè)第1端子電極導(dǎo)電性地連接用的第2端子電極的第3基板，在上述第3基板上形成了多個(gè)第3端子電極和導(dǎo)電性地連接上述第2端子電極與上述第3端子電極用的布線，上述布線具有變換上述第2端子電極間的間距和上述第3端子電極間的間距的功能，在上述第3基板的外周面上形成了絕緣層。
26．一種具有液晶裝置的電子裝置，其特征在于上述液晶裝置具有第1基板和第2基板，在第1基板與第2基板之間夾持了液晶，在上述第1基板或上述第2基板中的一個(gè)基板上形成了多個(gè)第1端子電極，具有形成了與上述多個(gè)第1端子電極導(dǎo)電性地連接用的第2端子電極的第3基板，在上述第3基板上形成了多個(gè)第3端子電極和導(dǎo)電性地連接上述第2端子電極與上述第3端子電極用的布線，上述布線具有變換上述第2端子電極間的間距和上述第3端子電極間的間距的功能，在上述第3基板的外周面上形成了絕緣層。
全文摘要
本發(fā)明提供不因空氣中浮游的塵埃而產(chǎn)生短路的半導(dǎo)體裝置的制造方法、半導(dǎo)體裝置、窄間距用連接器、靜電傳動(dòng)器、壓電傳動(dòng)器等的微機(jī)械、包含這些微機(jī)械的噴墨頭、噴墨打印機(jī)、液晶面板以及電子裝置。在對(duì)硅晶片(30)進(jìn)行切割來制造多個(gè)半導(dǎo)體裝置(20)的方法中,在上述硅晶片上以跨越切割線的方式形成被絕緣層覆蓋的槽(30a),沿上述切割線對(duì)上述硅晶片進(jìn)行切割。
文檔編號(hào)H01L21/78GK1297584SQ00800468
公開日2001年5月30日 申請(qǐng)日期2000年3月31日 優(yōu)先權(quán)日1999年3月31日
發(fā)明者佐藤英一 申請(qǐng)人:精工愛普生株式會(huì)社