技術(shù)編號(hào):6837204
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置的制造方法、半導(dǎo)體裝置、窄間距用連接器、包含該窄間距用連接器的靜電傳動(dòng)器、壓電傳動(dòng)器、微機(jī)械、液晶面板以及使用了該靜電傳動(dòng)器、壓電傳動(dòng)器的噴墨頭、安裝了該噴墨頭的噴墨打印機(jī)、電子裝置。背景技術(shù) 以往,已知有在單晶硅晶片(以下,稱為硅晶片)上形成絕緣層的同時(shí)利用CVD法(或?yàn)R射法)和刻蝕在該絕緣層的上表面上形成布線等來(lái)制造半導(dǎo)體裝置的方法。圖23是形成了半導(dǎo)體裝置的硅晶片的平面圖,圖24是將圖23中的A-A剖面圖的主要部分放大后示出的圖。...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。