專利名稱：電子裝置、其制造方法及其制造裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電子裝置、其制造方法及其制造裝置，例如涉及無引線小型面安裝型的晶體管或二極管等的半導(dǎo)體裝置的電子裝置、其制造方法及其制造裝置。
圖9A～C示出現(xiàn)有的無引線小型面安裝型的晶體管的結(jié)構(gòu)例。即，圖9A是現(xiàn)有的無引線小型面安裝型晶體管的平面圖，圖9B是圖9A的透視側(cè)面圖，圖9C是圖9A的底面圖。
如圖9A～圖9B中所示，無引線小型面安裝型電子裝置3具有第1上部電極11，在陶瓷基板32的上表面321上具備元件放置部；以及第2上部電極12和第3上部電極13，被與該第1上部電極11分離地配置。
利用金屬蒸鍍等在形成了晶體管14的半導(dǎo)體芯片的背面上例如形成了集電極，通過利用模片鍵合(die bonding)等將晶體管14的集電極固定在第1上部電極11上，將第1上部電極11與晶體管14的集電極導(dǎo)電性地連接起來。
利用金屬導(dǎo)線15連接晶體管14的例如基極與第2上部電極12。同樣，利用金屬導(dǎo)線16連接晶體管14的例如發(fā)射極與第3上部電極13。在陶瓷基板32的下表面322上形成了與第1上部電極11導(dǎo)電性地連接的一對(duì)下部電極21、22。通過貫通陶瓷基板32的導(dǎo)電中繼體、即通路孔17、18，導(dǎo)電性地連接第1上部電極11與下部電極21、22。
同樣，在陶瓷基板32的下表面322上形成了分別與第2上部電極12和第3上部電極13導(dǎo)電性地連接的下部電極23、24，通過貫通陶瓷基板32的通路孔19和通路孔20分別將其連接起來。
而且，如圖9C中所示，在陶瓷基板32的下表面322的四角上配置了下部電極21、22、23和24。
利用焊錫等的導(dǎo)電粘接材料將這些下部電極21～24安裝在未圖示的例如配置在印刷基板上的布線圖形上。


圖10A～圖10B示出在將圖9A～C中示出的電子裝置分割為單個(gè)裝置前的所謂的在其中制成了多個(gè)單個(gè)的電子裝置的母電子裝置。即，如圖10A中所示，在共同的陶瓷基板32上縱橫地制成了m×n個(gè)電子裝置3。在這些電子裝置3中，在陶瓷基板32上已形成的布線圖形(電極)上放置了晶體管、二極管、電阻器等其它電子元件，同時(shí)，將電子元件的預(yù)定的電極、例如晶體管的集電極、基極、發(fā)射極直接地或通過金屬導(dǎo)線等連接到配置在陶瓷基板上的布線圖形(電極)上。
其后，如圖10B中所示，通常利用澆鑄方式、散布方式、真空印刷方式等將液狀樹脂26覆蓋在陶瓷基板32的上面一側(cè)，使其熱硬化，進(jìn)行樹脂封裝。其后，用切割鋸沿切斷線33(圖10A)分割為單個(gè)的電子裝置。
但是，在現(xiàn)有的無引線小型面安裝型的電子裝置中，在利用澆鑄方式、散布方式、真空印刷方式等使液狀樹脂形成為樹脂封裝體之后，一般利用硬化爐等使樹脂硬化，但是，使液狀樹脂硬化時(shí)的玻璃轉(zhuǎn)移點(diǎn)低至約100℃。因此，如果在230℃下進(jìn)行焊錫回流，則已硬化的樹脂再次軟化，存在已軟化的樹脂容易從陶瓷基板剝離的問題。
此外，在澆鑄方式或散布方式中，由于只是使液狀樹脂滴下到或流入到陶瓷基板上，在不進(jìn)行加壓成形的情況下使其硬化，使其作為樹脂封裝體來形成，故如圖9B中所示，在硬化后的樹脂厚度方面不僅產(chǎn)生離散度d1，而且難以使樹脂的密度提高，存在樹脂強(qiáng)度弱、如果受到來自外部的應(yīng)力、則容易發(fā)生樹脂封裝體的變形的問題。
此外，即使在真空印刷方式中，由于也只是使用印刷裝置在陶瓷基板上涂敷液狀樹脂并使其硬化，故存在硬化后的樹脂厚度方面產(chǎn)生離散度d1約為5～15μm的問題。
如上所述，在現(xiàn)有的成形方法中，不僅在電子裝置的樹脂厚度方面產(chǎn)生差別，表面的凹凸變大，而且還在電子裝置與其它電子裝置之間在樹脂厚度方面產(chǎn)生了差別。因此，存在樹脂封裝成形后必須進(jìn)行使用砂紙等對(duì)樹脂表面進(jìn)行磨削等的后加工的問題。
此外，如圖10B中所示，如果使用液狀樹脂，則陶瓷基板的周邊部的樹脂厚度變大，樹脂厚度為均勻的部位限于基板中央附近。陶瓷基板的中央附近與周邊的樹脂厚度的差d2達(dá)到約0．1mm。
此外，即使在形成單個(gè)的封裝體用的切割工序中，由于樹脂硬化后的上述電子裝置表面的凹凸d1和d2，難以將該電子裝置粘貼到固定于樹脂面一側(cè)用的帶上，此外，還存在在切割時(shí)被切斷為單個(gè)的上述電子裝置脫離固定用帶而容易丟失的問題。
此外，由于陶瓷基板與其它樹脂基板或金屬的引線框相比，難以彎曲，故由于因利用上下金屬模夾住陶瓷基板時(shí)的施加壓力引起的變形，在陶瓷基板中容易發(fā)生裂紋或裂痕，故在現(xiàn)有的無引線小型面安裝型晶體管中，未采用由利用迄今為止作為半導(dǎo)體的封裝方法而已知的金屬模的轉(zhuǎn)移模塑方式進(jìn)行的樹脂封裝。
本發(fā)明的目的在于，為了解決上述現(xiàn)有的問題而提供這樣一種電子裝置、其制造方法及其制造裝置，其中，即使用上下金屬模夾住陶瓷基板進(jìn)行加壓，也可對(duì)該施加壓力進(jìn)行緩沖，從而不發(fā)生變形力，由此，可防止陶瓷基板的裂紋或裂痕的發(fā)生。
為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明的電子裝置是在陶瓷基板上安裝多組電子元件、利用熱硬化性樹脂對(duì)上述電子元件進(jìn)行轉(zhuǎn)移密封成形的電子裝置，其特征在于在上述陶瓷基板的周圍且在從上述陶瓷基板的表面一側(cè)和背面一側(cè)中選出的至少一方的面上具備與上述陶瓷基板一體化的金屬薄膜。
再有，金屬薄膜可兼作上部電極。即，在金屬薄膜中還包含電極的用途。
此外，本發(fā)明的電子裝置的制造方法是在陶瓷基板上安裝多組電子元件、利用熱硬化性樹脂對(duì)上述電子元件進(jìn)行轉(zhuǎn)移密封成形的電子裝置的制造方法，其特征在于橫跨轉(zhuǎn)移模塑金屬模的腔的內(nèi)部和外部來配置在上述陶瓷基板的周圍且在從表面一側(cè)和背面一側(cè)中選出的至少一方的面上具備一體化的金屬薄膜的上述陶瓷基板，同時(shí)，在上述金屬模的上金屬模和下金屬模相接的位置上配置上述金屬薄膜，將轉(zhuǎn)移模塑用熱硬化性樹脂注入到上述腔的內(nèi)部進(jìn)行成形并進(jìn)行加熱硬化。
此外，本發(fā)明的電子裝置的制造裝置的特征在于具備對(duì)轉(zhuǎn)移模塑用熱硬化性樹脂進(jìn)行加壓的柱塞；使上述轉(zhuǎn)移模塑用熱硬化性樹脂流動(dòng)的葉輪；與上述葉輪連接的、上述轉(zhuǎn)移模塑用熱硬化性樹脂流入的腔；以及模仿上述腔的上金屬模和下金屬模，橫跨轉(zhuǎn)移模塑金屬模的腔的內(nèi)部和外部來配置在上述陶瓷基板的周圍且在從表面一側(cè)和背面一側(cè)中選出的陶瓷基板的至少一方的面上具備一體化的金屬薄膜的上述陶瓷基板，同時(shí)，在上述金屬模的上金屬模和下金屬模相接的位置上配置上述金屬薄膜，將轉(zhuǎn)移模塑用熱硬化性樹脂注入到上述腔的內(nèi)部進(jìn)行成形并進(jìn)行加熱硬化。
按照本發(fā)明，橫跨轉(zhuǎn)移模塑金屬模的腔的內(nèi)部和外部來配置在陶瓷基板的周圍且在從表面一側(cè)和背面一側(cè)中選出的至少一方的面上具備一體化的金屬薄膜的上述陶瓷基板，同時(shí)，在上述金屬模的上金屬模和下金屬模相接的位置上配置上述金屬薄膜，由此，即使用上下金屬模夾住陶瓷基板進(jìn)行加壓，也可對(duì)該施加壓力進(jìn)行緩沖，不發(fā)生變形力，可防止陶瓷基板的裂紋或裂痕的發(fā)生。
圖1是本發(fā)明的第1實(shí)施形態(tài)的電子裝置的透視側(cè)面圖。
圖2A是表示本發(fā)明的第2實(shí)施形態(tài)的電子裝置的圖，是安裝了多個(gè)電子元件的電子裝置的平面圖，圖2B是其側(cè)面剖面圖，圖2C是其底面圖。
圖3A是制成了多個(gè)本發(fā)明的第1和第2實(shí)施形態(tài)的電子裝置的母電子裝置的平面圖，圖3B是其側(cè)面圖。
圖4表示本發(fā)明的第3實(shí)施形態(tài)，是表示使用了轉(zhuǎn)移模塑金屬模的制造方法的剖面圖。
圖5表示本發(fā)明的第3實(shí)施形態(tài)的另一個(gè)實(shí)施例，是在轉(zhuǎn)移模塑金屬模上使用了樹脂膜的概略剖面圖。
圖6表示本發(fā)明的第3實(shí)施形態(tài)的又一個(gè)實(shí)施例，是在下金屬模中具備滑動(dòng)裝置的轉(zhuǎn)移模塑金屬模的概略剖面圖。
圖7A表示本發(fā)明的第4實(shí)施形態(tài)，是表示轉(zhuǎn)移模塑金屬模的上金屬模與下金屬模被分離的狀態(tài)的圖，圖7B是表示轉(zhuǎn)移模塑金屬模的上金屬模與下金屬模相接、對(duì)電子裝置施加了負(fù)載壓力的狀態(tài)的圖。
圖8是表示利用本發(fā)明的第4實(shí)施形態(tài)進(jìn)行的轉(zhuǎn)移模塑的成形壓力與時(shí)間的關(guān)系的圖。
圖9表示現(xiàn)有的電子裝置，圖9A是平面圖，圖9B是圖9A的剖面圖，圖9C是圖9A的底面圖。
圖10表示制成了多個(gè)現(xiàn)有的電子裝置的母電子裝置，圖10A是平面圖，圖10B是其剖面圖。
在本發(fā)明的電子裝置中，金屬薄膜最好存在于陶瓷基板的表面一側(cè)和背面一側(cè)這兩面上。這是因?yàn)榭蓪?duì)上金屬模和下金屬模這兩方的金屬模的負(fù)載壓力進(jìn)行緩沖。
此外，在本發(fā)明的電子裝置中，較為理想的是，在作為陶瓷基板的原料的半成品薄片上印刷金屬糊劑并對(duì)上述半成品薄片進(jìn)行燒結(jié)時(shí)，將上述金屬薄膜與陶瓷基板進(jìn)行一體化燒結(jié)。這是因?yàn)榭芍\求成本的降低。再有，使用與在陶瓷基板的表面和／或背面上形成的電極相同的材料并在相同的工序中來形成上述金屬糊劑這一點(diǎn)，從成本方面看，是較為理想的。上述金屬薄膜例如可使用鎢。
此外，上述金屬薄膜的厚度最好在10～50μm的范圍內(nèi)。如果在該范圍內(nèi)，則可對(duì)金屬模的施加壓力進(jìn)行緩沖。上述金屬薄膜的寬度最好在1．0～2．5mm的范圍內(nèi)。如果在上述范圍內(nèi)，則在設(shè)置了上下金屬模時(shí)，其端部可與上述金屬薄膜準(zhǔn)確地相接。
關(guān)于上述熱硬化性樹脂，可使用現(xiàn)今在產(chǎn)業(yè)界周知的樹脂，例如可使用環(huán)氧樹脂。作為環(huán)氧樹脂，以眾所周知的雙酚A或甲酚·酚醛清漆型的縮水甘油醚型樹脂為基體，在其中配制芳香族胺硬化劑或酸無水硬化劑和充填劑，進(jìn)行某種程度反應(yīng)，提供適當(dāng)?shù)某尚涡浴Ｗ鳛槌涮顒?，可添加約85重量百分比的二氧化硅粉、滑石粉等的填料。
上述熱硬化性樹脂的覆蓋厚度根據(jù)制品的規(guī)格不同而不同，但作為一例，在0．35～0．6mm的范圍內(nèi)。
上述陶瓷基板的厚度根據(jù)制品的規(guī)格不同而不同，但作為一例，在0．1～0．5mm的范圍內(nèi)。
利用切割將在本發(fā)明中得到的母電子裝置分割為單個(gè)的電子裝置。
其次，在本發(fā)明的方法中，轉(zhuǎn)移模塑成形的條件為溫度為140～190℃的范圍，成形壓力為10～50kg／cm2，硬化時(shí)間為60～100sec，是較為理想的。
此外，在上述上金屬模和下金屬模的至少一方的金屬模的放置陶瓷基板的一部分上還具備滑動(dòng)裝置，將上述滑動(dòng)裝置配置成為對(duì)于上述陶瓷基板的厚度方向進(jìn)行擠壓，是較為理想的。
此外，如果還使樹脂膜密接在上金屬模和下金屬模的至少一方的樹脂成形面上，則可進(jìn)一步增大對(duì)于陶瓷基板的緩沖作用，是較為理想的。
本發(fā)明的一例的電子裝置由下述部分構(gòu)成具備至少2個(gè)電極的電子元件；陶瓷基板；第1電極，被配置在上述陶瓷基板的一方的面上，與上述電子元件的一側(cè)的電極導(dǎo)電性地連接；第2電極，與上述電子元件的另一側(cè)的電極導(dǎo)電性地連接；金屬導(dǎo)線，導(dǎo)電性地連接上述電子元件的另一側(cè)的電極與上述第2電極；第3電極和第4電極，被配置在上述陶瓷基板的另一方的面上，分別與上述第1和第2電極導(dǎo)電性地連接；多個(gè)導(dǎo)電中繼體，在上述陶瓷基板的一方的面與另一方的面之間被形成，而且分別使上述第1電極與第3電極及第2電極與上述第4電極導(dǎo)電性地連接；以及覆蓋上述電子元件的覆蓋用樹脂，上述電子裝置是除了上述陶瓷基板的另一方的面外被轉(zhuǎn)移模塑用熱硬化性的上述覆蓋用樹脂覆蓋、密封了的電子裝置。利用該結(jié)構(gòu)，被覆蓋的樹脂表面與使用液狀樹脂的情況相比，可使樹脂表面的平坦性及玻璃轉(zhuǎn)移點(diǎn)都得到提高。由此，在焊錫回流時(shí)的高溫時(shí)已硬化了的樹脂不會(huì)再次軟化，可解決從陶瓷基板剝離的問題，并且，可通過使樹脂密度提高來解決因外力引起的樹脂封裝體的變形等。
此外，本發(fā)明的另一例的電子裝置由下述部分構(gòu)成具備至少2個(gè)電極的電子元件；用多個(gè)上述電子元件來構(gòu)成的電路體；陶瓷基板；第1電極，被配置在上述陶瓷基板的一方的面上，與上述電路體的預(yù)定的電極連接；第2電極，與上述電路體的另外的預(yù)定的電極連接；金屬導(dǎo)線，連接上述電路體的另外的預(yù)定的電極與上述第2電極；第3電極和第4電極，被配置在上述陶瓷基板的另一方的面上，分別與上述第1和第2電極連接；多個(gè)導(dǎo)電中繼體，在上述陶瓷基板的一方的面與另一方的面之間被形成，而且分別使上述第1電極與第3電極及第2電極與上述第4電極連接；以及覆蓋上述電路體的覆蓋用樹脂，上述電子裝置是除了上述陶瓷基板的另一方的面外被轉(zhuǎn)移模塑用熱硬化性樹脂的上述覆蓋用樹脂覆蓋了的電子裝置。按照該例，可得到與上述相同的效果。
此外，在本發(fā)明的另一例的電子裝置中，在1個(gè)共同的陶瓷基板上，由至少1個(gè)或多個(gè)上述電子元件構(gòu)成的電路體被縱橫地配置，上述電子元件或上述電路體被覆蓋用樹脂所覆蓋，從上述覆蓋用樹脂到上述陶瓷基板被分割成為大致長(zhǎng)方形的形狀，以便對(duì)于上述電子元件相互間或上述電路體相互間進(jìn)行分割。按照該例，在切割時(shí)能可靠地將樹脂面固定在固定用帶上，各個(gè)電子裝置不會(huì)脫離固定用帶而丟失。
此外，在本發(fā)明的另一例的電子裝置中，在陶瓷基板的一方的面上配置具備至少2個(gè)電極的電子元件，在上述陶瓷基板的一方的面上形成導(dǎo)電性地連接上述電子元件的一側(cè)的電極的第1電極和與上述電子元件的另一側(cè)的電極導(dǎo)電性地連接的第2電極，利用金屬導(dǎo)線連接上述電子元件的另一側(cè)的電極與第2電極，在上述陶瓷基板的另一方的面上形成分別與上述第1和第2電極導(dǎo)電性地連接的第3電極和第4電極，在上述陶瓷基板的一方的面與另一方的面之間分別形成分別導(dǎo)電性地連接上述第1電極與上述第3電極、上述第2電極與上述第4電極用的導(dǎo)電中繼體，橫跨轉(zhuǎn)移模塑金屬模的腔的內(nèi)部和外部來配置上述陶瓷基板的周邊部的至少一部分，在上述腔內(nèi)注入轉(zhuǎn)移模塑樹脂。按照該例，可均勻地對(duì)陶瓷基板上的多個(gè)電子裝置的樹脂封裝體進(jìn)行成形。此外，也可減少在陶瓷基板上被形成的多個(gè)電子裝置間的樹脂厚度的離散度。因此，不僅不需要在成形后使用砂紙等對(duì)樹脂表面進(jìn)行磨削等的后加工，而且也可容易地將樹脂面粘貼到固定用帶上，也可解決在切割加工時(shí)上述電子裝置脫離固定用帶而丟失這樣的問題。此外，由于按照該例樹脂厚度變得均勻，由于不僅可在陶瓷基板的中央附近、而且直到陶瓷基板周邊附近都能形成電子裝置，故可使在陶瓷基板上能被形成的電子裝置的數(shù)量提高。
此外，在本發(fā)明的另一例的電子裝置中，橫跨轉(zhuǎn)移模塑金屬模的腔的內(nèi)部和外部來配置陶瓷基板，在被配置在上述腔的外部的上述陶瓷基板周邊的至少一部分與上述轉(zhuǎn)移模塑金屬模的間隙中介入了金屬薄膜。按照該例，金屬薄膜成為緩沖材料，可排除陶瓷基板受到破損的情況。
此外，按照本發(fā)明的另一例，轉(zhuǎn)移模塑金屬模由上金屬模和下金屬模構(gòu)成，在上述上金屬模和下金屬模的至少一方的金屬模的放置陶瓷基板的一部分上具備滑動(dòng)裝置，該滑動(dòng)裝置在擠壓陶瓷基板的滑動(dòng)方向的方向上滑動(dòng)。按照該例，由于可調(diào)整在高溫下被加熱的上述上下金屬模的微小的傾斜或變形等，可均等地調(diào)整施加到陶瓷基板上的壓力，故在陶瓷基板中不會(huì)發(fā)生裂紋或裂痕。
此外，按照本發(fā)明的另一例，使樹脂膜密接在上金屬模和下金屬模的至少一方的樹脂成形面上。較為理想的是，該樹脂膜是氟樹脂，其厚度被選擇為50μm以上。按照該例，樹脂膜的緩沖效果使金屬模夾住時(shí)的對(duì)于陶瓷基板的應(yīng)力得到緩和，可謀求防止發(fā)生陶瓷基板的裂紋或裂痕。再者，利用對(duì)于金屬模內(nèi)的樹脂的進(jìn)給壓力，可防止轉(zhuǎn)移模塑用熱硬化性樹脂繞入到陶瓷基板的下面一側(cè)，通過將膜密接在腔的內(nèi)表面上，也可防止樹脂粘到金屬模上。此外，可確保能充分地緩沖施加到陶瓷基板上的壓力的厚度，利用金屬模壓力或樹脂注入壓力等，膜被變形并壓縮，可注入樹脂而被變形并壓縮的部位不會(huì)破損，此外可防止樹脂粘附于金屬模上。再者，為了在金屬模內(nèi)涂敷膜且在腔內(nèi)涂敷膜使之與縮短的引線內(nèi)表面密接的需要和緩和對(duì)于陶瓷基板的應(yīng)力，可使該膜具有柔軟性。
此外，本發(fā)明的另一例是與在陶瓷基板的一側(cè)被形成的電極和在其另一側(cè)被形成的電極的至少一側(cè)的電極同時(shí)地形成金屬薄膜的電子裝置的制造方法。利用該結(jié)構(gòu)，由于預(yù)先在陶瓷基板上與第1電極～第4電極的至少任一個(gè)電極同時(shí)地形成金屬薄膜，故可省略準(zhǔn)備金屬薄膜用的工序。
此外，本發(fā)明的另一例是一種電子裝置的制造裝置，在陶瓷基板上具備電極、電子元件和金屬導(dǎo)線而被構(gòu)成，橫跨轉(zhuǎn)移模塑金屬模的腔的內(nèi)部和外部來配置上述陶瓷基板，在上述腔的內(nèi)部注入轉(zhuǎn)移模塑樹脂，在該制造裝置中，上述轉(zhuǎn)移模塑金屬模由上金屬模和下金屬模構(gòu)成，使上述上金屬模和上述下金屬模的至少一側(cè)的金屬模的負(fù)載壓力對(duì)應(yīng)于上述轉(zhuǎn)移模塑樹脂的注入壓力而變化。按照該例，施加到上金屬模與下金屬模之間的負(fù)載壓力，在樹脂的注入壓力小時(shí)被設(shè)定為比其稍高的壓力，此外，在樹脂的注入壓力較大時(shí)被設(shè)定為其上能耐受的壓力，因此，能始終解除高的壓力被施加到陶瓷基板上的狀態(tài)。由此，能抑制陶瓷基板的裂紋。
此外，在本發(fā)明的另一例中，將上金屬模和下金屬模的至少一方的金屬模的負(fù)載壓力控制為至少2個(gè)階段。按照該例，能與樹脂注入壓力可較小的樹脂注入時(shí)和需要較大的樹脂加壓這2個(gè)工序相對(duì)應(yīng)。
此外，在本發(fā)明的另一例中，上述負(fù)載壓力的至少2個(gè)階段的一方是已將轉(zhuǎn)移模塑樹脂注入到腔的內(nèi)部時(shí)，2個(gè)階段的另一方是轉(zhuǎn)移模塑樹脂的注入結(jié)束后。按照該例，能與樹脂注入壓力可較小的轉(zhuǎn)移模塑樹脂的注入(充填)時(shí)和為了除去腔內(nèi)的氣泡需要較大的樹脂加壓的樹脂注入后這2個(gè)工序相對(duì)應(yīng)。
以下，一邊參照附圖，一邊進(jìn)行說明。
(實(shí)施形態(tài)1)圖1是示出與本發(fā)明的第1實(shí)施形態(tài)有關(guān)的電子裝置的概略結(jié)構(gòu)的圖，是利用切割從圖3A～圖3B的母基板切下來而得到的。具體地說，示出具備集電極、基極和發(fā)射極這3個(gè)電極的3端子無引線小型面安裝型晶體管的透視側(cè)面圖。
如圖中所示，本發(fā)明的第1形態(tài)的電子裝置1具備陶瓷基板32；上部電極11～13；下部電極21～24；被設(shè)置在陶瓷基板32中的通路孔17～20；以及金屬導(dǎo)線15、16。
陶瓷基板32的厚度t定為0．15～0．20mm。在該陶瓷基板32的預(yù)定部位中設(shè)置了直徑大致為0．10mmφ的通路孔17～20。在通路孔17～20的內(nèi)部例如注入導(dǎo)電糊劑，形成了導(dǎo)電體。在這些通路孔中被形成的導(dǎo)電體成為導(dǎo)電性地連接上部電極11～13與下部電極21～24用的導(dǎo)電中繼體。
在陶瓷基板32上的第1～第3上部電極11～13和下部電極21～24上進(jìn)行了鍍金。
將晶體管14的集電極直接以模片鍵合的方式鍵合到第1上部電極11上。利用第1金屬導(dǎo)線15和第2金屬導(dǎo)線16分別導(dǎo)電性地連接與第1上部電極11分離地被配置的第2上部電極12和第3上部電極13與晶體管14的基極和發(fā)射極。
然后，用迄今為止一般地使用的轉(zhuǎn)移模塑用熱硬化性樹脂25(例如以雙酚A或甲酚·酚醛清漆型的縮水甘油醚型樹脂為基體的環(huán)氧樹脂)覆蓋晶體管14、第1金屬導(dǎo)線15和第2金屬導(dǎo)線16。在下述的實(shí)施形態(tài)3中具體地說明覆蓋的方法。模塑樹脂的覆蓋的厚度定為0．35～0．39mm。利用切割分割后的電子裝置1的大小為縱1mm、橫0．8mm、高度0．6mm。
再有，上述的實(shí)施形態(tài)中例示了具有3個(gè)電極的晶體管，但不限于此。例如，也可以是二極管、電阻器等的具備至少2個(gè)電極的電子裝置。此時(shí)，可用較少的數(shù)目來構(gòu)成上部電極11～13、下部電極21～24、通路孔17～20、金屬導(dǎo)線15、16。
(實(shí)施形態(tài)2)圖2A、圖2B、圖2C示出將由2個(gè)晶體管14b、14c構(gòu)成的電子裝置安裝在1個(gè)封裝體上的6端子的小型面安裝型電子裝置的各自的表面圖、透視側(cè)面圖、背面圖。這些電子裝置也是利用切割從圖3A～圖3B的母基板切下來而得到的。
陶瓷基板32的厚度t與實(shí)施形態(tài)1相同，選為0．15～0．20mm。在陶瓷基板32中進(jìn)行穿孔，形成了其直徑大致為0．10mmφ的6個(gè)通路孔17a、17b、19a、19b、20a、20b。在這些通路孔的內(nèi)部，例如注入導(dǎo)電性糊劑，形成了導(dǎo)電體。
此外，在陶瓷基板上利用鍍金形成了第1～第6上部電極11a、11b、12a、12b、13a、13b和下部電極22a、22b、23a、23b、24a、24b。
將晶體管14b的集電極以模片鍵合的方式鍵合到第1上部電極11a上。將晶體管14c的集電極以模片鍵合的方式鍵合到與第1上部電極11a分離地被配置的第2上部電極11b上。利用金屬導(dǎo)線15a、15b分別導(dǎo)電性地連接被配置在第1上部電極11a與第2上部電極11b之間的第3上部電極12a、12b與晶體管14b和晶體管14c的例如發(fā)射極。
利用金屬導(dǎo)線16a分別導(dǎo)電性地連接與第1上部電極11a分離地被配置的第5上部電極13a與晶體管14b的例如基極。利用金屬導(dǎo)線16b導(dǎo)電性地連接與第2上部電極11b分離地被配置的第6上部電極13b與晶體管14c的例如基極。
陶瓷基板32的上表面321的各上部電極11a、11b、12a、12b、13a、13b通過各通路孔17a、17b、19a、19b、20a、20b與陶瓷基板32的下表面322的各下部電極22a、22b、24a、24b、23a、23b導(dǎo)電性地連接。對(duì)這些下部電極進(jìn)行了鍍金。
通路孔17a、17b等是導(dǎo)電性地連接在陶瓷基板的一方的面和另一方的面上分別被形成的上述上部電極和下部電極用的導(dǎo)電中繼體。
利用轉(zhuǎn)移模塑用熱硬化性樹脂25在陶瓷基板32的上面一側(cè)，覆蓋第1～第6上部電極11a、11b、12a、12b、13a、13b、晶體管14b和晶體管14c以及金屬導(dǎo)線15a、15b、16a、16b。
再有，在實(shí)施形態(tài)2中，以分別取出2個(gè)具備3個(gè)電極的晶體管的方式示出了6端子的結(jié)構(gòu)，但不限于此。例如可內(nèi)置比較器或運(yùn)算放大器等的集成電路體，取出其輸入端子、輸出端子、電源端子等的預(yù)定的電極。
圖3A～圖3B示出在制成本發(fā)明的單個(gè)的電子裝置前的所謂的母電子裝置。在該母電子裝置中，在已形成了布線、電極的1個(gè)共同的陶瓷基板32中，縱橫地配置了例如m×n個(gè)圖1或圖2、未進(jìn)而圖示的集成電路體。然后，用轉(zhuǎn)移模塑樹脂25覆蓋并密封該母電子裝置。沿切斷線33切斷進(jìn)行了樹脂密封的母電子裝置，制成單個(gè)的電子裝置1。再有，在陶瓷基板32的周邊的一部分上形成了金屬薄膜2，但關(guān)于這一點(diǎn)，在下面敘述。
(實(shí)施形態(tài)3)其次，說明本發(fā)明的電子裝置的制造方法的一例。本發(fā)明特別是涉及制成圖3A～圖3B中示出的母電子裝置之前的制造方法。
如圖4中所示，在轉(zhuǎn)移模塑金屬模的上金屬模30與下金屬模31之間夾住陶瓷基板32。在該陶瓷基板32上已形成了上部電極11～13、下部電極21～24。而且，也已通過導(dǎo)線15、16對(duì)晶體管14的預(yù)定的電極與上部電極進(jìn)行了連線。
再者，雖然在圖4中未示出，但也形成了連接上部電極11～13與下部電極21～24用的通路孔。
橫跨設(shè)置在上金屬模30一側(cè)的腔38的內(nèi)部和外部配置了陶瓷基板32。即，配置成陶瓷基板32的周邊部從腔38延伸出來，該延伸出來的部位與上金屬模30和下金屬模31這兩者相接。
再者，在上金屬模30與下金屬模31相接的部位上形成了金屬薄膜2。金屬薄膜2具有由上金屬模30和下金屬模31進(jìn)行夾持并加壓時(shí)的緩沖材料的作用。
再有，如圖3A中所示，與利用導(dǎo)電性糊劑材料在陶瓷基板32的周邊部上印刷形成上部電極和下部電極同時(shí)地進(jìn)行燒結(jié)，形成了金屬薄膜2。金屬薄膜的材料定為鎢，厚度定為20μm，寬度定為1．0mm。
此外，可只在陶瓷基板32的上表面或下表面的某一個(gè)面上形成起到緩沖材料的作用的金屬薄膜2。再有，也可將金屬薄膜兼用作上部電極。即，在金屬薄膜中還包含電極的利用。在上部電極間具有臺(tái)階差，由于該電極的臺(tái)階差與氣孔大致相同，故電極厚度發(fā)揮與模塑的金屬模中所使用的氣孔相同的效果，可進(jìn)行模塑。再有，圖4中的虛線的圓的部分表示圖1的電子裝置1。
這樣，在上金屬模30與下金屬模31之間平行地保持陶瓷基板32并以預(yù)定的壓力對(duì)其加壓之后，利用柱塞36經(jīng)由葉輪35使熔融的轉(zhuǎn)移模塑用熱硬化性樹脂25流入腔38中，用轉(zhuǎn)移模塑樹脂25進(jìn)行了覆蓋(圖5)。
轉(zhuǎn)移模塑成形的條件定為溫度175℃、成形壓力15kg／cm2，硬化時(shí)間90秒。
圖5示出了在轉(zhuǎn)移模塑金屬模的下金屬模31的內(nèi)表面上密接了樹脂膜34的本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例。
在圖5中，例如利用減壓泵等的抽真空的裝置，使樹脂膜34均勻地密接在下金屬模31的上表面上。該樹脂膜使用了厚度約為100μm的聚四氟乙烯樹脂膜，但只要厚度為50μm以上，就可得到充分的緩沖效果。
再有，在圖5中，使樹脂膜34密接在下金屬模31的內(nèi)表面上，但不限于下金屬模，可使其密接在上金屬模上，或者，使其密接在上下金屬模的全部?jī)?nèi)表面上。作為樹脂膜34，如果例如采用聚四氟乙烯等的氟樹脂的膜，則對(duì)于柔軟性或耐熱性來說，都是有效的。
再有，在本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)中，使用了3端子晶體管，但也可應(yīng)用于3端子以外的其它的電子裝置。
圖6示出了本發(fā)明的另一實(shí)施例，示出了配置了在轉(zhuǎn)移模塑金屬模的下金屬模31上滑動(dòng)的滑動(dòng)裝置的實(shí)施例。
在圖6中，在接受陶瓷基板32的下金屬模31的至少放置陶瓷基板32的部位上構(gòu)成了可相對(duì)于陶瓷基板的厚度方向進(jìn)行擠壓的滑動(dòng)裝置311。該滑動(dòng)裝置311在下金屬模31中具備預(yù)定的空間312，在該空間內(nèi)，例如通過線圈狀的彈簧37由下金屬模31進(jìn)行支撐。
滑動(dòng)裝置311的動(dòng)作是相對(duì)于陶瓷基板的厚度方向施加壓力。再有，雖然示出了在下金屬模31一側(cè)配置滑動(dòng)裝置311，但也可在上金屬模一側(cè)設(shè)置滑動(dòng)裝置311。
(實(shí)施形態(tài)4)圖7A～圖7B示出具備與本發(fā)明有關(guān)的轉(zhuǎn)移模塑金屬模的制造裝置。本實(shí)施形態(tài)在下述的方面與實(shí)施形態(tài)3不同，即，上金屬模30與下金屬模31間的負(fù)載壓力與轉(zhuǎn)移模塑樹脂的注入壓力、即在圖5、圖6中示出的柱塞36的動(dòng)作相對(duì)應(yīng)。
上金屬模30和下金屬模31由沖程調(diào)整用的制動(dòng)器42和支柱43來支撐。此外，在上金屬模30一側(cè)，配置了將轉(zhuǎn)移模塑用熱硬化性樹脂25注入到腔38內(nèi)用的葉輪35；將熱硬化性樹脂25送出到腔38用的柱塞36；以及儲(chǔ)存熱硬化性樹脂25用的柱塞罐40。此外，在上金屬模30一側(cè)，具備伺服電機(jī)41。
雖然未詳細(xì)地圖示，但準(zhǔn)備了伺服電機(jī)41，它對(duì)應(yīng)于柱塞36的動(dòng)作而動(dòng)作，用于使上金屬模30、下金屬模31的至少一側(cè)的金屬模動(dòng)作。
在柱塞罐40內(nèi)已熔融的轉(zhuǎn)移模塑用熱硬化性樹脂25由柱塞36經(jīng)由葉輪35充填到腔38內(nèi)。在腔38中預(yù)先配置了用熱硬化性樹脂25進(jìn)行密封的電子裝置1。
在圖7A中，沒有示出電子裝置1的細(xì)節(jié)，但在被熱硬化性樹脂25覆蓋前，接近于在實(shí)施形態(tài)3的說明中使用的圖4中示出的狀態(tài)，在被熱硬化性樹脂25覆蓋后，大致與實(shí)施形態(tài)3的說明中使用的圖3中示出的狀態(tài)相同。
電子裝置1的周邊部從腔38的端部開始延伸L1、L2而被配置。即，橫跨腔38的內(nèi)部和外部配置了電子裝置1。以該L1、L2延伸的電子裝置1的周邊部與上金屬模30和下金屬模31這兩金屬模相接，此外，被夾持在兩金屬模30、31之間。因此，如果構(gòu)成電子裝置1的例如陶瓷基板被兩金屬模30、31夾持，則電子裝置1的周邊部接受來自兩金屬模30、31的負(fù)載壓力(圖7B的箭頭X)。如果該負(fù)載壓力超過電子裝置1的陶瓷基板的極限負(fù)載壓力，則電子裝置1中就產(chǎn)生變形或裂紋。
一般來說，樹脂流入速度因樹脂材料、腔的容量等不同而不同，但如果樹脂材料、腔的容量已確定，則樹脂流入速度顯示出大致恒定的值。由此，確定在轉(zhuǎn)移模塑工序中所需要的時(shí)間。
圖8示出本發(fā)明的轉(zhuǎn)移模塑方式的成形圖形。橫軸表示時(shí)間，縱軸表示壓力。實(shí)線S1示出柱塞36將熱硬化性樹脂25送出到腔38中時(shí)的壓力。虛線S2示出在上金屬模30、下金屬模31之間負(fù)載的壓力。為了正常地進(jìn)行轉(zhuǎn)移模塑，將施加到該金屬模30、31間的負(fù)載壓力S2設(shè)定、保持為總是比柱塞36的送出壓力S1大，即S2＞S1的關(guān)系。
實(shí)線S1示出了，在時(shí)間T1處，開始注入轉(zhuǎn)移模塑用熱硬化性樹脂25，在時(shí)間T2處，樹脂的充填結(jié)束，與此同時(shí)開始樹脂加壓，在時(shí)間T3處，加壓充填結(jié)束的情況。樹脂的充填時(shí)間(T2-T1)為數(shù)秒，充填結(jié)束時(shí)的壓力P1為數(shù)kg重。此外，在樹脂的注入(充填)剛結(jié)束(T2)后，為了除去腔38內(nèi)的氣泡，再施加數(shù)百kg重的壓力，進(jìn)行樹脂加壓(加壓充填)。將除去該氣泡用的加壓充填的時(shí)間(T3-T2)設(shè)定為1秒以下。
再有，將樹脂的加壓時(shí)間(T3-T2)設(shè)定為1秒以下，樹脂的注入加壓結(jié)束時(shí)的壓力P3為150～300kg重。
另一方面，如虛線S2所示，在比樹脂注入開始時(shí)T1早的時(shí)間(T0)處，在上金屬模30與下金屬模31之間施加比樹脂注入壓力P1稍大的壓力P2，設(shè)定成能耐受樹脂注入壓力P1。在此，樹脂注入壓力相當(dāng)于柱塞36的送出壓力。然后，與樹脂加壓開始時(shí)間(T2)同時(shí)地在上金屬模30與下金屬模31之間進(jìn)行負(fù)載加壓，施加比在樹脂加壓方面所需要的壓力P3稍大的壓力P4。
此時(shí)的壓力P4為200～400kg重，設(shè)定成保持S4＞S3的關(guān)系。由此，可排除在兩者的金屬模30、31間始終施加過剩的負(fù)載壓力這樣的狀態(tài)。即，以往必須始終將上金屬模30與下金屬模31之間的壓力固定于最高的壓力P4，但在本發(fā)明中，可使其根據(jù)轉(zhuǎn)移模塑樹脂的注入壓力、即柱塞36的送出壓力而變化。即，將上金屬模30與下金屬模31之間的負(fù)載壓力控制為P2和P4這2個(gè)階段。當(dāng)然，也可進(jìn)行3個(gè)階段以上的控制。
由于利用這樣的負(fù)載壓力的控制、轉(zhuǎn)換，可減少對(duì)于被夾持且配置在兩者的金屬模30、31間的陶瓷基板的過剩的壓力，故可防止陶瓷基板的變形或裂紋。
利用施加壓力可變裝置來控制上金屬模30與下金屬模31之間的負(fù)載壓力的可變。該施加壓力可變裝置的主體是伺服電機(jī)41，下金屬模31利用該伺服電機(jī)41而起作用，以便與該下金屬模31具備的下板44一起，如箭頭A所示在上下方向上移動(dòng)，電子裝置1的周邊部與下金屬模31相接。再有，符號(hào)45表示引導(dǎo)下板44用的板導(dǎo)軌，46表示支撐上金屬模30和下金屬模31用的基臺(tái)。
關(guān)于樹脂充填時(shí)間(T2-T1)，如上所述，可得到大致恒定的時(shí)間。因而，檢測(cè)該時(shí)間，通過例如定時(shí)器等的設(shè)定，來控制伺服電機(jī)41，可使轉(zhuǎn)移模塑金屬模30、31的負(fù)載壓力變化為從樹脂的充填時(shí)的一次壓力(P2)到加壓充填時(shí)的二次壓力(P4)這2個(gè)階段。
即，關(guān)于與轉(zhuǎn)移模塑樹脂注入壓力或柱塞36的動(dòng)作相對(duì)應(yīng)的情況，不一定需要直接檢測(cè)其大小或動(dòng)作，通過如上所述那樣使用定時(shí)器來控制伺服電機(jī)41，可謀求簡(jiǎn)便化。
再有，在本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)4中，如在實(shí)施形態(tài)3中已說明并在圖4中已示出那樣，可在上金屬模30與下金屬模31相接的部位上介入金屬薄膜2，使其具有緩沖材料的作用。此外，如圖5中所示，可使樹脂膜34密接在上金屬模30和下金屬模31的至少一方的樹脂成形面上。此外，如圖6中所示，可采用滑動(dòng)裝置311。當(dāng)然，也可將這些方法組合起來。
此外，在本實(shí)施形態(tài)中，使用3端子晶體管進(jìn)行了說明，但當(dāng)然也可應(yīng)用于3端子以外的其它的電子裝置。
如以上所說明的那樣，按照本發(fā)明，橫跨轉(zhuǎn)移模塑金屬模的腔的內(nèi)部和外部來配置在陶瓷基板的周圍且從表面一側(cè)和背面一側(cè)中選出的至少一方的面上具備一體化的金屬薄膜的上述陶瓷基板，同時(shí)，在上述金屬模的上金屬模和下金屬模相接的位置上配置上述金屬薄膜，由此，即使用上下金屬模夾住陶瓷基板進(jìn)行加壓，也可對(duì)該施加壓力進(jìn)行緩沖，不發(fā)生變形力，可防止陶瓷基板的裂紋或裂痕的發(fā)生。
此外，按照本發(fā)明的電子裝置，可提高印刷基板安裝時(shí)的回流時(shí)的陶瓷基板與樹脂的密接性，也可提高樹脂強(qiáng)度。再者，通過使用0．2mm以下的陶瓷基板，可貫通0．1mmφ的通路孔，可謀求輕量化，通過改進(jìn)轉(zhuǎn)移模塑金屬模結(jié)構(gòu)，可實(shí)現(xiàn)使用轉(zhuǎn)移模塑用熱硬化性樹脂的樹脂覆蓋。
再者，按照本發(fā)明的電子裝置的制造方法，即使是0．2mm以下的陶瓷基板，也可實(shí)現(xiàn)利用轉(zhuǎn)移模塑方式的樹脂模塑，由于能利用金屬模成形以一定時(shí)間內(nèi)的硬化時(shí)間進(jìn)行模塑成形，故也沒有液狀樹脂那樣的處理方面的困難、或在樹脂硬化之前的時(shí)間內(nèi)的漂浮垃圾的除去、或必須放置在平板上等的麻煩、或長(zhǎng)時(shí)間的樹脂硬化時(shí)間，可謀求工序的縮短。
此外，在液狀樹脂中，為了均勻地維持樹脂厚度，必須通過進(jìn)行樹脂模塑面的研磨來確保元件間的精度，此外，在陶瓷基板上能形成的電子裝置的個(gè)數(shù)也存在極限。在切割時(shí)，由于樹脂膜的凹凸，難以將樹脂面粘貼到固定用的薄片上，但通過用轉(zhuǎn)移方式的金屬模來成形，可解決這樣的問題，可謀求縮短工序及防止電子裝置的丟失。
再者，按照本發(fā)明的電子裝置的制造方法及其制造裝置，由于可根據(jù)柱塞的壓力使得在上下金屬模間負(fù)載的壓力可變，故可緩和被夾持在上述上下金屬模間的電子裝置的基板上負(fù)載的過度的壓力。由此，可抑制陶瓷等的基板的變形或裂紋。
權(quán)利要求
1．一種電子裝置，該電子裝置是在陶瓷基板上安裝多組電子部件、利用熱硬化性樹脂對(duì)上述電子部件進(jìn)行轉(zhuǎn)移密封成形的電子裝置，其特征在于在上述陶瓷基板的周圍且在從上述陶瓷基板的表面一側(cè)和背面一側(cè)中選出的至少一方的面上具備與上述陶瓷基板一體化的金屬薄膜。
2．如權(quán)利要求1中所述的電子裝置，其特征在于上述金屬薄膜存在于上述陶瓷基板的表面一側(cè)和背面一側(cè)這兩面上。
3．如權(quán)利要求1中所述的電子裝置，其特征在于在作為陶瓷基板的原料的半成品薄片上印刷金屬糊劑并對(duì)上述半成品薄片進(jìn)行燒結(jié)時(shí)，上述金屬薄膜與陶瓷基板進(jìn)行一體化燒結(jié)。
4．如權(quán)利要求1中所述的電子裝置，其特征在于上述金屬薄膜是鎢。
5．如權(quán)利要求1中所述的電子裝置，其特征在于上述金屬薄膜的厚度在10～50μm的范圍內(nèi)。
6．如權(quán)利要求1中所述的電子裝置，其特征在于上述金屬薄膜的寬度在1．0～2．5mm的范圍內(nèi)。
7．如權(quán)利要求1中所述的電子裝置，其特征在于上述熱硬化性樹脂是環(huán)氧樹脂。
8．如權(quán)利要求1中所述的電子裝置，其特征在于上述熱硬化性樹脂的覆蓋厚度在0．35～0．6mm的范圍內(nèi)。
9．如權(quán)利要求1中所述的電子裝置，其特征在于上述陶瓷基板的厚度在0．1～0．5mm的范圍內(nèi)。
10．一種電子裝置，其特征在于利用切割將權(quán)利要求1的電子裝置分割為單個(gè)的電子裝置。
11．一種電子裝置的制造方法，該方法是在陶瓷基板上安裝多組電子部件、利用熱硬化性樹脂對(duì)上述電子部件進(jìn)行轉(zhuǎn)移密封成形的電子裝置的制造方法，其特征在于橫跨轉(zhuǎn)移模塑金屬模的腔的內(nèi)部和外部來配置在上述陶瓷基板的周圍且在從表面一側(cè)和背面一側(cè)中選出的至少一方的面上具備一體化的金屬薄膜的上述陶瓷基板，同時(shí)，在上述金屬模的上金屬模和下金屬模相接的位置上配置上述金屬薄膜，將轉(zhuǎn)移模塑用熱硬化性樹脂注入到上述腔的內(nèi)部進(jìn)行成形并進(jìn)行加熱硬化。
12．如權(quán)利要求11中所述的電子裝置的制造方法，其特征在于上述金屬薄膜存在于上述陶瓷基板的表面一側(cè)和背面一側(cè)這兩面上。
13．如權(quán)利要求11中所述的電子裝置的制造方法，其特征在于在作為陶瓷基板的原料的半成品薄片上印刷金屬糊劑并對(duì)上述半成品薄片進(jìn)行燒結(jié)時(shí)，上述金屬薄膜與陶瓷基板進(jìn)行一體化燒結(jié)。
14．如權(quán)利要求11中所述的電子裝置的制造方法，其特征在于上述金屬薄膜是鎢。
15．如權(quán)利要求11中所述的電子裝置的制造方法，其特征在于上述金屬薄膜的厚度在10～50μm的范圍內(nèi)，寬度在1．0～2．5mm的范圍內(nèi)。
16．如權(quán)利要求11中所述的電子裝置的制造方法，其特征在于上述熱硬化性樹脂是環(huán)氧樹脂。
17．如權(quán)利要求11中所述的電子裝置的制造方法，其特征在于上述成形的條件為溫度為140～190℃的范圍，成形壓力為10～50kg／cm2，硬化時(shí)間為60～100sec。
18．如權(quán)利要求11中所述的電子裝置的制造方法，其特征在于在上述上金屬模和下金屬模的至少一方的金屬模的放置陶瓷基板的一部分上還具備滑動(dòng)裝置，將上述滑動(dòng)裝置配置成在對(duì)于上述陶瓷基板的厚度方向上進(jìn)行擠壓。
19．如權(quán)利要求11中所述的電子裝置的制造方法，其特征在于還使樹脂膜密接在上金屬模和下金屬模的至少一方的樹脂成形面上。
20．如權(quán)利要求11中所述的電子裝置的制造方法，其特征在于上述金屬薄膜在與陶瓷基板的至少一方的面的電極的燒結(jié)同時(shí)地以一體化的方式被形成。
21．如權(quán)利要求11中所述的電子裝置的制造方法，其特征在于使上述上金屬模和上述下金屬模的至少一側(cè)的金屬模的負(fù)載壓力對(duì)應(yīng)于上述轉(zhuǎn)移模塑用熱硬化樹脂的注入壓力而變化。
22．如權(quán)利要求21中所述的電子裝置的制造方法，其特征在于將上金屬模和下金屬模的至少一方的金屬模的負(fù)載壓力至少控制為2個(gè)階段。
23．如權(quán)利要求22中所述的電子裝置的制造方法，其特征在于至少2個(gè)階段的一方是轉(zhuǎn)移模塑樹脂被注入到腔的內(nèi)部時(shí)，另一方是轉(zhuǎn)移模塑樹脂的注入結(jié)束后。
24．一種電子裝置的制造方法，其特征在于將利用權(quán)利要求11的方法得到的母電子裝置再利用切割而分割為單個(gè)的電子裝置。
25．一種電子裝置的制造裝置，其特征在于具備對(duì)轉(zhuǎn)移模塑用熱硬化性樹脂進(jìn)行加壓的柱塞；使上述轉(zhuǎn)移模塑用熱硬化性樹脂流動(dòng)的葉輪；與上述葉輪連接的、上述轉(zhuǎn)移模塑用熱硬化性樹脂流入的腔；以及模仿上述腔的上金屬模和下金屬模，橫跨轉(zhuǎn)移模塑金屬模的腔的內(nèi)部和外部來配置在陶瓷基板的周圍且在從表面一側(cè)和背面一側(cè)中選出的至少一方的面上具備一體化的金屬薄膜的上述陶瓷基板，同時(shí)，在上述金屬模的上金屬模和下金屬模相接的位置上配置上述金屬薄膜，將轉(zhuǎn)移模塑用熱塑性樹脂注入到上述腔的內(nèi)部進(jìn)行成形并進(jìn)行加熱硬化。
26．如權(quán)利要求25中所述的電子裝置的制造裝置，其特征在于還具備使施加在上述上金屬模與下金屬模之間的壓力可變的施加壓力可變裝置，上述施加壓力可變裝置對(duì)應(yīng)于上述柱塞的加壓而動(dòng)作。
全文摘要
提供這樣一種半導(dǎo)體裝置等的電子裝置、其制造方法及其制造裝置,在該半導(dǎo)體裝置中,橫跨轉(zhuǎn)移模塑金屬模的腔的內(nèi)部和外部來配置在陶瓷基板的周圍且在從表面一側(cè)和背面一側(cè)中選出的至少一方的面上具備一體化的金屬薄膜的上述陶瓷基板,同時(shí),在上述金屬模的上金屬模和下金屬模相接的位置上配置上述金屬薄膜,由此,即使用上下金屬模夾住陶瓷基板進(jìn)行加壓,也可對(duì)該施加壓力進(jìn)行緩沖,不發(fā)生變形力,可防止陶瓷基板的裂紋或裂痕的發(fā)生。
文檔編號(hào)H01L23/13GK1290962SQ0011792
公開日2001年4月11日 申請(qǐng)日期2000年5月29日 優(yōu)先權(quán)日1999年5月27日
發(fā)明者小林健, 荒木隆志 申請(qǐng)人:松下電子工業(yè)株式會(huì)社