專利名稱：薄膜電阻器的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種薄膜電阻器的制造方法。
在微電子產(chǎn)品例如集成電路微電子產(chǎn)品或混合電路微電子產(chǎn)品的制造技術(shù)中，使用薄膜電阻器作為被動(dòng)電子電路元件。
當(dāng)薄膜電阻器被用于混合電路微電子產(chǎn)品的制造時(shí)，其現(xiàn)有制造方法說明如下首先，在一絕緣基板例如玻璃絕緣基板或陶瓷絕緣基板上，按順序形成一層薄膜電阻材料與一層導(dǎo)體材料。之后，通過光刻(photolithography)法將導(dǎo)體材料與接著將電阻材料圖案化，而形成導(dǎo)體層與電阻層的圖案。接著，由激光修整(laser trimming)法，決定電阻材料的電阻值，從而切割絕緣基板而得到各別的薄膜電阻器。
上述的現(xiàn)有制造方法具有以下問題，光刻形成導(dǎo)體材料的圖案與電阻材料的圖案，由于光刻設(shè)備與材料的成本高，故將造成各別的薄膜電阻器的制造成本增加。此外，在現(xiàn)有技術(shù)上通過光刻法形成導(dǎo)體層與電阻層的圖案時(shí)，需使用表面平坦度與光潔度高的絕緣基板，以在形成圖案時(shí)能讓光刻設(shè)備進(jìn)行正確對(duì)準(zhǔn)。一般而言，需使用純度99.6％的氧化鋁基板，且需經(jīng)拋光以增加其表面的平坦度與光潔度。此又造成各別的薄膜電阻器的制造成本增加。
本發(fā)明的目的在于提供一種薄膜電阻器的制造方法，以解決上述問題。
本發(fā)明的目的是這樣實(shí)現(xiàn)的，即提供一種薄膜電阻器的制造方法，包括以下各步驟提供一絕緣基板；以非光刻法在該絕緣基板上方形成一導(dǎo)體圖案層；在該導(dǎo)體圖案層與該絕緣基板上形成一薄膜電阻層；以光刻法將該薄膜電阻層圖案化。
在此情況下，絕緣基板可以為玻璃絕緣基板或陶瓷絕緣基板。在絕緣基板上可以于形成導(dǎo)體圖案層之前，先在絕緣基板上形成一平坦層。
上述的非光刻法可以為網(wǎng)版印刷法。導(dǎo)體圖案層的較佳材料包括銀、銀合金、金、金合金、銅、銅合金、鈀、鈀合金、鎳、或鎳合金。此外，薄膜電阻層的材料較佳材料包括氮化鉭電阻材料、硅化鉭電阻材料、鉭鉻合金電阻材料、鎳鉻合金電阻材料、硅化鉻電阻材料、或上述電阻材料與序數(shù)較高的金屬合金。薄膜電阻層的形成方法可以為熱蒸鍍法、電子束蒸鍍法、化學(xué)氣相沉積法、等離子加強(qiáng)型化學(xué)氣相沉積法、或物理氣相沉積法。
可以在已圖案化的薄膜電阻層上，通過激光修整法調(diào)整其電阻值。此外，也可以在利用光刻法將薄膜電阻層圖案化的同時(shí)，調(diào)整要圖案化的薄膜電阻層的電阻值。
本發(fā)明的制造方法，由于以非光刻法取代現(xiàn)有的光刻法制造薄膜電阻層，故可降低薄膜電阻器的制造成本。此外，在本發(fā)明中，不需如現(xiàn)有制作工藝中使用純度99.6％的氧化鋁基板，使用純度96％的氧化鋁基板即可，故能大大降低各別的薄膜電阻器的制造成本。
下面結(jié)合附圖，詳細(xì)說明本發(fā)明的實(shí)施例，其中

圖1為本發(fā)明中使用的具有刻痕的絕緣基板立體圖；圖2至圖6為依序顯示本發(fā)明制造方法的各步驟剖視圖；圖7為對(duì)應(yīng)于圖6的一部分的立體圖。
首先，如圖1所示，本發(fā)明使用的絕緣基板10具有刻痕，如縱刻線b1、b2、b3、b4與橫刻線a1、a2、a3。上述的刻痕可以通過任何現(xiàn)有方法予以形成，例如利用一般切割工具、或激光光束等。本發(fā)明的絕緣基板10可以是例如玻璃絕緣基板、或陶瓷絕緣基板。
接著，可以在絕緣基板10上形成平坦層12，如圖2所示，用以將絕緣基板10概略平坦化并填補(bǔ)其表面上的凹洞。上述平坦層12可以由任何現(xiàn)有薄膜形成方法例如熱蒸鍍法、電子束蒸鍍法、化學(xué)氣相沉積法、等離子加強(qiáng)型化學(xué)氣相沉積法、或物理氣相沉積法等所形成的二氧化硅層或氮化硅層。此外，平坦層12也可以由厚膜法所形成的釉層，其材料為例如包括氧化硅、氧化鋁、與氧化鈦等成分。此步驟并非必要，但在制作工藝中加入此步驟可增進(jìn)薄膜電阻器的品質(zhì)。此外，也可直接使用已上釉層的基板作為本發(fā)明的絕緣基板10，與接著進(jìn)行下述制作工藝。
之后，如圖3所示，以非光刻法，例如網(wǎng)版印刷法，將上導(dǎo)體圖案層14形成在平坦層12上，與將對(duì)應(yīng)的下導(dǎo)體圖案層16形成在絕緣基板10的背面上。如圖3所示，上導(dǎo)體圖案層14包括各別的上導(dǎo)線14a、14b、與14c，而下導(dǎo)體圖案層16包括各別的下導(dǎo)線16a、16b、與16c。本發(fā)明的上導(dǎo)體圖案層14與下導(dǎo)體圖案層16的材料可以包括銀、銀合金、金、金合金、銅、銅合金、鈀、鈀合金、鎳、或鎳合金等。
接著，如圖4所示，在上導(dǎo)體圖案層14與平坦層12上形成薄膜電阻層18。本發(fā)明薄膜電阻層18的材料可以為例如氮化鉭電阻材料、硅化鉭電阻材料、鉭鉻合金電阻材料、鎳鉻合金電阻材料、硅化鉻電阻材料、或上述電阻材料與序數(shù)較高的金屬合金。此外，形成薄膜電阻層18可以通過任何現(xiàn)有薄膜形成方法，例如熱蒸鍍法、電子束蒸鍍法、化學(xué)氣相沉積法、等離子加強(qiáng)型化學(xué)氣相沉積法、或物理氣相沉積法等。在此情況下，薄膜電阻層18的較佳厚度范圍為介于100至1000埃之間。
之后，如圖5所示，以光刻法將薄膜電阻層18圖案化，從而形成薄膜電阻的圖案18a、18b、18c、與18d。接著，由激光修整法修整薄膜電阻的圖案1 8a、18b、18c、與18d，用以得到切痕20a、20b、20c、22a、22b、與22c，如圖6的剖視圖及與之對(duì)應(yīng)的圖7的立體圖所示，用以精確控制電阻值，從而得到具有所需的電阻值薄膜電阻器。
接著，形成保護(hù)層(未圖示)將薄膜電阻的圖案18a、18b、18c、與18d密封，其中可以使用薄膜電阻器制造業(yè)中任何現(xiàn)有的密封材料，例如環(huán)氧樹脂密封劑、胺基甲酸酯密封劑、或硅氧烷密封劑等。最后，將絕緣基板10沿著刻痕斷裂，而得到各別的薄膜電阻器。
以上所述，僅為了用于方便說明本發(fā)明的較佳實(shí)施例，而并非將本發(fā)明狹義地限制于該較佳實(shí)施例。凡依本發(fā)明所做的任何變更，都屬本發(fā)明權(quán)利要求的保護(hù)范圍。例如，切痕20a、20b、20c、22a、22b、與22c除了可以由激光修整法修整薄膜電阻的圖案18a、18b、18c、與18d而得到之外，也可以在形成薄膜電阻的圖案18a、18b、18c、與18d的同時(shí)予以形成。此僅需改變光掩模的圖案即可達(dá)成。
權(quán)利要求
1．一種薄膜電阻器的制造方法，包括以下各步驟提供一絕緣基板；以非光刻法在該絕緣基板上方形成一導(dǎo)體圖案層；在該導(dǎo)體圖案層與該絕緣基板上形成一薄膜電阻層；以光刻法將該薄膜電阻層圖案化。
2．如權(quán)利要求1所述的制造方法，其中該絕緣基板選自于由玻璃絕緣基板與陶瓷絕緣基板所構(gòu)成的群組。
3．如權(quán)利要求1所述的制造方法，還包括以下步驟在形成該導(dǎo)體圖案層于該絕緣基板上之前，在該絕緣基板上形成一平坦層。
4．如權(quán)利要求3所述的制造方法，其中該平坦層的形成方法選自于由熱蒸鍍法、電子束蒸鍍法、化學(xué)氣相沉積法、等離子加強(qiáng)型化學(xué)氣相沉積法、以及物理氣相沉積法所構(gòu)成的群組。
5．如權(quán)利要求3所述的制造方法，其中該平坦層是由厚膜方法所形成。
6．如權(quán)利要求1所述的制造方法，其中該非光刻法為網(wǎng)版印刷法。
7．如權(quán)利要求1所述的制造方法，其中該導(dǎo)體圖案層的材料選自于由銀、銀合金、金、金合金、銅、銅合金、鈀、鈀合金、鎳、以及鎳合金所構(gòu)成的群組。
8．如權(quán)利要求1所述的制造方法，其中該薄膜電阻層的厚度為介于100至1000埃之間。
9．如權(quán)利要求1所述的制造方法，其中該薄膜電阻層的材料選自于由氮化鉭電阻材料、硅化鉭電阻材料、鉭鉻合金電阻材料、鎳鉻合金電阻材料、硅化鉻電阻材料以及上述電阻材料與序數(shù)較高的金屬合金所構(gòu)成的群組。
10．如權(quán)利要求1所述的制造方法，其中該薄膜電阻層的形成方法選自于由熱蒸鍍法、電子束蒸鍍法、化學(xué)氣相沉積法、等離子加強(qiáng)型化學(xué)氣相沉積法以及物理氣相沉積法所構(gòu)成的群組。
11．如權(quán)利要求1所述的制造方法，還包括以下步驟在已圖案化的薄膜電阻層上，以激光修整法調(diào)整其電阻值。
12．如權(quán)利要求1所述的制造方法，其中以光刻法將該薄膜電阻層圖案化，同時(shí)調(diào)整要圖案化的該薄膜電阻層的電阻值。
全文摘要
一種薄膜電阻器的制造方法,包括以下各步驟:提供一絕緣基板;以非光刻法在絕緣基板上形成一導(dǎo)體圖案層;在導(dǎo)體圖案層與絕緣基板上形成一薄膜電阻層;以光刻法將薄膜電阻層圖案化。通過本發(fā)明的制造方法制造薄膜電阻器,可以降低薄膜電阻器的制造成本。
文檔編號(hào)H01C17/06GK1323044SQ00108558
公開日2001年11月21日 申請(qǐng)日期2000年5月16日 優(yōu)先權(quán)日2000年5月16日
發(fā)明者林弘彬, 郭獻(xiàn)章 申請(qǐng)人:光頡科技股份有限公司