專利名稱：形成透明導(dǎo)電膜的方法以及采用該方法形成的透明導(dǎo)電膜的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及在液晶顯示的濾色器的基片上形成透明導(dǎo)電膜的方法以及采用該方法形成的透明導(dǎo)電膜。
添加有錫的氧化銦膜(下面稱為“ITO膜”)通常被用來(lái)作為在液晶顯示的濾色器的基片上形成的優(yōu)秀透明導(dǎo)電膜(透明電極膜)。
已知的用于形成這種ITO膜的常規(guī)方法包括真空蒸發(fā)法，濺射法和RF(射頻)離子鍍膜法。
為了獲得高的分辨率和高的光透過(guò)率，彩色液晶顯示的透明導(dǎo)電膜要求是薄的，另外，為了增加尺寸和提高響應(yīng)速度，要求其具有低的比電阻和高的均勻性。
采用上述方法的任一種，在作為彩色液晶顯示濾色器基片的透明玻璃板或透明樹(shù)脂板的表面上形成ITO膜的過(guò)程中，為了避免通常用由有機(jī)樹(shù)脂——比如環(huán)氧樹(shù)脂或丙烯酸樹(shù)脂與混入的顏料或染料形成的濾色器出現(xiàn)熱退化，ITO膜的形成在將基片溫度設(shè)置到250℃或更低時(shí)進(jìn)行，在該溫度或更低時(shí)形成濾色器的樹(shù)脂的退化不出現(xiàn)。由于基片的溫度低，基片上銦和氧的反應(yīng)以及所要形成的膜的晶化沒(méi)有達(dá)到足夠的程度，造成所形成的膜具有小的晶粒尺寸和許多缺陷，比如，細(xì)孔。這樣形成的ITO膜具有許多能夠捕獲載流子的缺陷或細(xì)孔，結(jié)果使該膜的載流子電子密度下降，從而使比電阻增加。
為了克服上述缺點(diǎn)，已經(jīng)提出了一種采用離子鍍膜方法來(lái)形成ITO膜的設(shè)備。

圖1所示為這種設(shè)備的一個(gè)例子。在該圖中，內(nèi)部構(gòu)成一個(gè)真空室1a的真空容器1具有一個(gè)形成在其側(cè)壁上的安裝口2，通過(guò)該口在真空容器1上安裝了一個(gè)導(dǎo)向件3。安裝在導(dǎo)向件3上的是弧光放電等離子槍4，比如壓力梯度型等離子槍，用來(lái)作為構(gòu)成陰極的放電等離子體生成裝置。在導(dǎo)向件3上還設(shè)有一個(gè)控制線圈5用來(lái)導(dǎo)向等離子束。等離子槍4包括一個(gè)第一中間電極6和一個(gè)第二中間電極7，它們被同心設(shè)置，用來(lái)聚焦等離子束。
等離子槍4進(jìn)一步包括一個(gè)絕緣管8，其內(nèi)部與由第一和第二中間電極6，7所構(gòu)成的通道相連通。在絕緣管8內(nèi)部設(shè)置有一個(gè)由鉬(Mo)制成的鉬(Mo)柱體9，在該柱體內(nèi)部設(shè)置有一個(gè)由鉭(Ta)制成的鉭管10，介于柱體9和管10之間的空間由一個(gè)環(huán)型板11來(lái)隔開(kāi)，該板由LaB6(六硼化鑭)制成。安裝在絕緣管8，鉬柱體9和鉭管10的端面上的是一塊導(dǎo)電板12，在該板上具有一個(gè)載氣進(jìn)氣口13，通過(guò)該進(jìn)氣口引入作為載氣的氬(Ar)氣并通過(guò)鉭管10。
在真空室1a的較上部位，作為被處理對(duì)象的基片14由一個(gè)輸送設(shè)備15來(lái)承載。在真空室1a的較下部位，一個(gè)包含永久磁鐵24的爐床17被設(shè)置在與基片14相對(duì)的位置上，用來(lái)作為主陽(yáng)極。由添加有錫的氧化銦形成的一種蒸發(fā)材料18被置于爐床17中。容納永久磁鐵19的磁鐵盒20通過(guò)一種絕緣材料(未示出)被設(shè)置在爐床17的周圍。永久磁鐵19和磁鐵盒20構(gòu)成一個(gè)輔助陽(yáng)極，用來(lái)修正等離子束的方向。
一個(gè)可變電壓的電源21的負(fù)電極側(cè)被連接到導(dǎo)電板12上。該可變電壓的電源21的正電極側(cè)通過(guò)電阻R1被連接到第一中間電極6上，并通過(guò)電阻R2被連接到第二中間電極7上。電源21的正電極側(cè)還與爐床17相連，并通過(guò)電阻R3接地。
在真空容器1的另一側(cè)壁上設(shè)有一個(gè)進(jìn)氣口22和一個(gè)排氣口23。進(jìn)氣口22引入由氬氣和氧氣混合或氧氣形成的載氣。排氣口23將真空室1a中的載氣排出去。
采用上述常規(guī)的離子鍍膜設(shè)備的結(jié)構(gòu)，當(dāng)載氣通過(guò)進(jìn)氣口22被引入時(shí)，在第一中間電極6和鉬柱體9之間產(chǎn)生放電，從而生成等離子束30。等離子束30由控制線圈5和在磁鐵盒20中的永久磁鐵19來(lái)導(dǎo)向并到達(dá)構(gòu)成陽(yáng)極的爐床17和磁鐵盒20。從而，放在爐床17中的蒸發(fā)材料18通過(guò)等離子束30進(jìn)行焦耳加熱而蒸發(fā)。被蒸發(fā)材料18的微粒在通過(guò)等離子束30時(shí)被離子化并附著到基片14相對(duì)于爐床17的一個(gè)表面上，從而在其上面形成一層薄膜(ITO膜)。
圖2是展示已經(jīng)在其表面形成了ITO膜后的基片14之細(xì)節(jié)的垂直剖視圖。如圖所示，一個(gè)用于彩色液晶顯示的濾色器14b形成在透明玻璃片14a上，一層由有機(jī)樹(shù)脂，比如丙烯酸樹(shù)脂形成的保護(hù)膜14c形成在濾色器14b上面。濾色器14b是由有機(jī)樹(shù)脂，比如混入顏料和染料的丙烯酸樹(shù)脂形成的。
在采用上面構(gòu)筑的常規(guī)離子鍍膜設(shè)備形成透明導(dǎo)電ITO膜的過(guò)程中，當(dāng)蒸發(fā)材料18被等離子束30加熱而蒸發(fā)時(shí)，被蒸發(fā)材料18的微粒在通過(guò)等離子束30時(shí)被離子化并附著到基片14上從而在其表面上形成一層薄膜。由于這些被蒸發(fā)材料18的微粒是銦原子，附著到基片14的正離子化銦微粒與通過(guò)進(jìn)氣口22引入到真空室1a的載氣中氧(O2)組分發(fā)生反應(yīng)，從而在基片14的表面上形成ITO膜14d。在這種情況下，由永久磁鐵19和磁鐵盒20形成一個(gè)垂直磁場(chǎng)，從而通過(guò)增加等離子體密度來(lái)提高電子的溫度，這會(huì)促進(jìn)銦和載氣中O2組分的反應(yīng)及其晶體化。結(jié)果，所形成的ITO膜具有一個(gè)足夠的載流子電子密度并由此也具有一個(gè)減小了的比電阻。也即，可以獲得具有150μΩ·cm或更小比電阻的ITO膜。
然而，根據(jù)常規(guī)的離子鍍膜設(shè)備，到達(dá)爐床17的等離子束30的放電電壓是如此的高，從而使被蒸發(fā)的材料18的微粒通過(guò)等離子束30時(shí)所產(chǎn)生的正離子被加速到比要求還要高的程度。結(jié)果，加速后的微粒以太高的速度被注入到形成在基片14表面上的ITO膜中，從而在ITO膜中形成缺陷或細(xì)孔，導(dǎo)致膜的壓應(yīng)力增加(ITO膜的內(nèi)部壓應(yīng)力增加)。例如，在250℃或更低時(shí)形成的ITO膜在230μΩ·cm或更小的比電阻下具有0.55GPa或更高的膜壓應(yīng)力，這比其他膜形成方法，比如真空蒸發(fā)法，濺射法，以及射頻(RF)離子鍍膜法所獲得的數(shù)值要大。
尤其是，在彩色液晶顯示器的加工中本質(zhì)上也要求這樣一個(gè)步驟，即在ITO膜形成在基片表面上后對(duì)用于濾色器且由樹(shù)脂構(gòu)成的基片進(jìn)行加熱。在此步驟中，具有高的膜壓應(yīng)力的ITO膜會(huì)造成破裂。
本發(fā)明的一個(gè)目的是要提供一種能夠獲得低比電阻和低膜壓應(yīng)力的透明導(dǎo)電膜的透明導(dǎo)電膜加工方法和采用該方法加工的透明導(dǎo)電膜。
為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明提供了一種加工透明導(dǎo)電膜的方法，包括以下步驟1)將置于陽(yáng)極相對(duì)位置的基片的溫度設(shè)置在不高于130℃；2)由構(gòu)成陰極的放電等離子體發(fā)生裝置生成等離子束，將該等離子束引導(dǎo)到陽(yáng)極，從而使容納在陽(yáng)極中的蒸發(fā)材料蒸發(fā)并且使被蒸發(fā)材料的微粒離子化，由此在基片的表面上形成透明導(dǎo)電膜；且，3)將由此形成的透明導(dǎo)電膜置于不低于180℃的溫度下進(jìn)行熱處理。
優(yōu)選地，步驟3)中熱處理溫度的上限為240℃。
同樣優(yōu)選地，步驟3)中熱處理所進(jìn)行的時(shí)間長(zhǎng)度為30至60分鐘。
為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明還提供了一種根據(jù)本發(fā)明的上述方法形成的透明導(dǎo)電膜，該膜具有230μΩ·cm或更小的比電阻和0.35GPa或更低的膜壓應(yīng)力。
在下面結(jié)合附圖所進(jìn)行的描述中，本發(fā)明的上述以及其他目的將會(huì)更明顯。
圖1為描述用來(lái)實(shí)施根據(jù)本發(fā)明的形成透明導(dǎo)電膜之方法的設(shè)備結(jié)構(gòu)的垂直剖視圖；圖2為描述用來(lái)實(shí)施根據(jù)本發(fā)明的形成透明導(dǎo)電膜之方法的基片結(jié)構(gòu)的垂直剖視圖；圖3為已經(jīng)在3毫乇環(huán)境氣壓和10分鐘熱處理時(shí)間的條件下對(duì)在室溫下(基片溫度70℃)形成的ITO膜進(jìn)行了熱處理時(shí)，在其上要形成一層ITO膜的基片的溫度與結(jié)晶化程度之間的關(guān)系曲線；以及圖4為通過(guò)在3毫乇環(huán)境氣壓和240℃的熱處理溫度的條件下對(duì)在室溫下(基片溫度70℃)形成的ITO膜進(jìn)行熱處理所獲得的ITO膜的比電阻和膜壓應(yīng)力的曲線。
現(xiàn)在將結(jié)合顯示本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方案的附圖對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)描述。
為了解決上述現(xiàn)有技術(shù)中的問(wèn)題，本發(fā)明的發(fā)明者已經(jīng)進(jìn)行了研究并獲得一項(xiàng)發(fā)現(xiàn)，即實(shí)施一種在基片的表面形成透明導(dǎo)電膜的方法，該方法包括由構(gòu)成陰極的放電等離子體生成裝置生成等離子束，并將等離子束引導(dǎo)到陽(yáng)極，從而使容納在陽(yáng)極中的蒸發(fā)材料蒸發(fā)并且使被蒸發(fā)材料的微粒離子化，由此，被蒸發(fā)材料的離子化后的部分附著到基片的表面，從而在基片的表面形成透明導(dǎo)電膜，如果透明導(dǎo)電膜是在基片溫度被設(shè)置在不高于130℃時(shí)形成在基片表面上的，并且隨后將由此形成的透明導(dǎo)電膜置于不低于180℃的溫度下進(jìn)行熱處理，所形成的透明導(dǎo)電膜具有230μΩ·cm或更小的比電阻和0.35GPa或更低的膜壓應(yīng)力。
本發(fā)明就是基于上述發(fā)現(xiàn)。
當(dāng)根據(jù)本發(fā)明的形成透明導(dǎo)電膜的方法被應(yīng)用于加工用于彩色液晶顯示的濾色器基片時(shí)，該方法可以由圖1所示的常規(guī)離子鍍膜設(shè)備或其他類似設(shè)備來(lái)實(shí)施。在本實(shí)施方案中，形成ITO膜作為透明導(dǎo)電膜。
在形成ITO膜時(shí)，基片14由安裝在輸送設(shè)備15上的加熱裝置(未示出)加熱到130℃或更低的溫度。更具體地，ITO膜的膜壓應(yīng)力主要受到ITO膜在基片上形成期間出現(xiàn)的膜的晶體化(晶核的形成以及接著發(fā)生的晶體生長(zhǎng))的影響。而膜的晶體化又主要受到在膜形成期間基片溫度的影響(下面稱之為“膜形成基片溫度”)。因此，膜形成基片溫度必須不高于130℃，這是溫度的上限值，在該溫度或低于該溫度時(shí)所形成的ITO膜不會(huì)是晶態(tài)的。圖3為已經(jīng)在3毫乇環(huán)境氣壓和10分鐘熱處理時(shí)間的條件下對(duì)在室溫下(基片溫度70℃)形成的ITO膜進(jìn)行了熱處理時(shí)，在其上要形成一層ITO膜的基片的溫度與結(jié)晶化程度之間的關(guān)系曲線。在該關(guān)系曲線中，沿橫坐標(biāo)表示的是膜成形基片溫度，沿縱坐標(biāo)的是晶體化程度。晶體化程度是以I(222)/d值來(lái)表征的，該值是通過(guò)相對(duì)于(222)平面的X射線衍射強(qiáng)度除以膜厚d而獲得的。如圖中所示，當(dāng)膜形成基片溫度超過(guò)130℃時(shí)，晶體開(kāi)始生長(zhǎng)，且隨著溫度的進(jìn)一步增加，晶體生長(zhǎng)變得更活躍。在150℃時(shí)，可以清楚地發(fā)現(xiàn)晶體的生長(zhǎng)。這就是為何將加熱溫度(膜成形基片溫度)設(shè)置在不高于130℃的原因。另外，加熱溫度的下限被設(shè)置成和室溫一樣，也即，相應(yīng)于基片的未加熱狀態(tài)的溫度。在室溫下，ITO膜的晶體化程度低于在130℃時(shí)的情況，從而使生成的ITO膜是非晶形的且具有一個(gè)高的比電阻，但是，在ITO膜形成后對(duì)其進(jìn)行熱處理可以使該膜成為低比電阻和低膜壓應(yīng)力的狀態(tài)。然而，在實(shí)際加工中，即使沒(méi)有啟動(dòng)加熱裝置將膜成形基片溫度設(shè)置到室溫，由于蒸發(fā)材料的蒸發(fā)而產(chǎn)生的輻射熱輻射到基片14上，從而也會(huì)將基片14加熱到高達(dá)60℃至70℃的溫度。
在ITO膜14d被這樣形成在基片14的表面上后，ITO膜14d在180℃或更高的溫度下進(jìn)行熱處理。更具體地，在ITO膜14d形成后，氬和氧的混合氣體或氧氣作為載氣被引入到真空室1a中，且真空容器1中氣溫被加熱到180℃或更高，由此在真空室1a中對(duì)ITO膜14d進(jìn)行熱處理。采用180℃或更高的溫度進(jìn)行熱處理，由于ITO膜從無(wú)晶體結(jié)構(gòu)生成的狀態(tài)開(kāi)始的晶體生長(zhǎng)而在ITO膜14d上形成的晶體結(jié)構(gòu)中的應(yīng)變可以被釋放，從而使ITO膜具有低的膜應(yīng)力和低的比電阻。這樣，可以獲得具有230μΩ·cm或更小的比電阻和0.35GPa或更低的膜壓應(yīng)力的ITO膜。熱處理可以用其他方式來(lái)實(shí)施，即將其上形成有ITO膜14d的基片14從真空容器1中取出且置于溫度為180℃至240℃的空氣中進(jìn)行熱處理。
如上所述，熱處理溫度應(yīng)為180℃或更高，因?yàn)閮H當(dāng)熱處理溫度180℃或更高時(shí)，通過(guò)將由于ITO膜的晶體生長(zhǎng)而在ITO膜上形成的晶體結(jié)構(gòu)中的應(yīng)變釋放，ITO膜從無(wú)晶體結(jié)構(gòu)生成的狀態(tài)開(kāi)始的充分晶體生長(zhǎng)可以實(shí)現(xiàn)，且可獲得能夠滿足實(shí)用程度的低比電阻值和低膜壓應(yīng)力值。
熱處理溫度的上限應(yīng)當(dāng)優(yōu)選240℃。如果熱處理溫度超過(guò)240℃，形成濾色器基片的有機(jī)樹(shù)脂會(huì)熱退化。通過(guò)將熱處理溫度的上限設(shè)置為240℃可以避免基片的熱退化，電極布線圖案的形成實(shí)際上能夠確信地實(shí)現(xiàn)，且生成的ITO膜能夠耐化學(xué)品，比如堿。
熱處理時(shí)間應(yīng)優(yōu)選為3至60分鐘。圖4為通過(guò)在3毫乇環(huán)境氣壓和240℃的熱處理溫度的條件下對(duì)在室溫下(基片溫度70℃)形成的ITO膜進(jìn)行熱處理所獲得的ITO膜的比電阻和膜壓應(yīng)力的曲線。如圖4所示，從一旦開(kāi)始進(jìn)行熱處理起直到隨后的3分鐘內(nèi)，比電阻和膜壓應(yīng)力突然減小，3分鐘后，可以獲得ITO膜從其非晶態(tài)開(kāi)始的充分晶體生長(zhǎng)和晶體結(jié)構(gòu)中應(yīng)變的充分釋放。這樣，熱處理時(shí)間的下限應(yīng)為3分鐘。另一方面，如果熱處理時(shí)間超過(guò)60分鐘，晶體結(jié)構(gòu)應(yīng)變釋放的作用成為飽和，從而不能使比電阻和膜壓應(yīng)力進(jìn)一步減小。這樣，熱處理時(shí)間的上限是60分鐘。實(shí)施例本發(fā)明的實(shí)施例將在下面描述。
基片14，用于液晶顯示的RGB濾色器(由混入顏料和染料的丙烯酸樹(shù)脂構(gòu)成)分別形成在透明玻璃片上，然后，由有機(jī)樹(shù)脂，比如丙烯酸樹(shù)脂形成的保護(hù)膜又分別形成在這些濾色器上，從而制備出按照本發(fā)明的實(shí)施例1至10和對(duì)比例1至6的基片。
然后，在下列條件下，在這些基片的每塊上形成一層ITO膜蒸發(fā)材料含4wt.％氧化錫的氧化銦燒結(jié)體用于膜成形的環(huán)境氣體在總壓力0.027Pa下的氬和氧的混合氣體氧氣的分壓0.0027Pa放電電流150A放電電壓70V膜成形基片溫度70℃至180℃更具體地，采用加熱裝置，將實(shí)施例1至10的基片14預(yù)先加熱到30℃至130℃，并將對(duì)比例1至6的基片14加熱到70℃至180℃，然后，真空容器1的內(nèi)部通過(guò)一臺(tái)真空泵抽真空至0.0027Pa或更低。然后，氬氣通過(guò)弧光發(fā)電等離子槍4被引入到真空容器1中，加上放電電流產(chǎn)生弧光放電等離子束，該等離子束被輻射到蒸發(fā)材料18上從而使其蒸發(fā)。在ITO膜形成的過(guò)程中，作為載氣的氬氣和氧氣的混合氣體通過(guò)進(jìn)氣口22被引入到真空容器1中，用來(lái)調(diào)節(jié)氣體環(huán)境從而將真空容器1中的氣壓維持在上面所注明的值。膜的形成是在預(yù)先確定的時(shí)間中進(jìn)行的，該時(shí)間是憑經(jīng)驗(yàn)事先確定的，從而在每塊基片的表面上形成150nm厚的ITO膜。所形成的ITO膜的特征如表1所示。
然后，在ITO膜被這樣形成后，對(duì)根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例和除了對(duì)比例3至6以外的對(duì)比例的基片進(jìn)行熱處理。更具體地，就實(shí)施例1至6和對(duì)比例1而言，氬氣和氧氣的混合氣體被引入到真空容器1中，氣壓被調(diào)節(jié)到0.002乇至0.003乇的范圍，基片14在180℃至240℃的熱處理溫度和3至60分鐘的熱處理時(shí)間下被加熱，由此在真空室1a中對(duì)每塊基片的ITO膜14d進(jìn)行熱處理。另外，就實(shí)施例7至10和對(duì)比例2而言，在其上形成有ITO膜14d的基片14是在760乇(空氣)的大氣壓力條件下被熱處理的，由此在180℃至240℃的熱處理溫度和15至60分鐘的熱處理時(shí)間下對(duì)ITO膜14d進(jìn)行熱處理。
然后，采用下述方法，對(duì)經(jīng)過(guò)如此熱處理的實(shí)施例1至10和對(duì)比例1和2的基片的ITO膜和沒(méi)經(jīng)過(guò)熱處理的對(duì)比例3至6的ITO膜的一項(xiàng)電特性和膜壓應(yīng)力進(jìn)行評(píng)價(jià)。
即，就其電特性而言，ITO膜的薄膜電阻采用四探針?lè)▉?lái)測(cè)量，而膜的比電阻是基于所測(cè)的薄膜電阻和膜的厚度來(lái)測(cè)得的。
另外，膜壓應(yīng)力是通過(guò)X射線衍射方法來(lái)測(cè)量的。更具體地，將通過(guò)X射線衍射方法測(cè)量的由晶格間隔所確定的衍射角度值與從無(wú)應(yīng)力的ITO粉末測(cè)得的衍射角度值相比較，衍射角度之差即為晶體應(yīng)變，從而確定晶體結(jié)構(gòu)的應(yīng)變量。基于所確定的應(yīng)變量，采用ITO膜物理性質(zhì)的數(shù)值可以計(jì)算出應(yīng)變量和膜壓應(yīng)力之間的關(guān)系。更具體地，由Rigaku公司生產(chǎn)的RAD-γC型(采用功率為40Kv和200mA的鉻燈λ＝2.289A)儀器作為測(cè)量?jī)x，膜壓應(yīng)力是由儀器所附的壓力測(cè)量程序來(lái)測(cè)量的。至于上面所述的ITO膜物理性質(zhì)，采用的楊氏模量為116GPa，泊松比為0.350，應(yīng)力常數(shù)為-659.89MPa。另外，無(wú)應(yīng)變晶體結(jié)構(gòu)情形的衍射角度值設(shè)定為97.3022°。
表1中也列出了由此獲得的電氣特征值(比電阻)和膜壓應(yīng)力值。表1
從表1中將可獲悉，對(duì)比例1至2盡管在ITO膜形成后進(jìn)行了熱處理，但不具有下降到滿意程度的膜壓應(yīng)力，因?yàn)樵谀ば纬善陂g基片的溫度超過(guò)了本發(fā)明的范圍，而對(duì)比例3至5具有下降到滿意程度的膜壓應(yīng)力，但是具有高的比電阻，因?yàn)樵贗TO膜形成后沒(méi)有進(jìn)行熱處理。與此相反，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例1至10與對(duì)比例相比在比電阻和膜壓應(yīng)力方面均顯示出優(yōu)異的值。
權(quán)利要求
1.一種制造透明導(dǎo)電膜的方法，包括以下步驟1)將置于陽(yáng)極相對(duì)位置的基片的溫度設(shè)置在不高于130℃；2)由構(gòu)成陰極的放電等離子體發(fā)生裝置生成等離子束，將該等離子束引導(dǎo)到所述陽(yáng)極，從而使容納在陽(yáng)極中的蒸發(fā)材料蒸發(fā)并且使被蒸發(fā)材料的微粒離子化，由此在基片的表面上形成透明導(dǎo)電膜；且，3)將由此形成的透明導(dǎo)電膜置于不低于180℃的溫度下進(jìn)行熱處理。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述步驟3)中熱處理溫度的上限為240℃。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述步驟3)中熱處理所進(jìn)行的時(shí)間為30至60分鐘。
4.一種如權(quán)利要求1所述的方法形成的透明導(dǎo)電膜，其中，該透明導(dǎo)電膜具有230μΩ·cm或更小的比電阻和0.35GPa或更低的膜壓應(yīng)力。
全文摘要
一種能夠獲得低比電阻和低膜壓應(yīng)力的透明導(dǎo)電膜制造方法和所得到的透明導(dǎo)電膜。將置于陽(yáng)極相對(duì)位置的基片溫度設(shè)置在不高于130℃。由構(gòu)成陰極的放電等離子體發(fā)生裝置生成等離子束,將該等離子束引導(dǎo)到陽(yáng)極,從而使容納在陽(yáng)極中的蒸發(fā)材料蒸發(fā)并使被蒸發(fā)材料的微粒離子化,由此在基片的表面上形成透明導(dǎo)電膜。再將該透明導(dǎo)電膜置于不低于180℃的溫度下進(jìn)行熱處理。所形成的透明導(dǎo)電膜具有230μΩ·cm或更小的比電阻和0.35GPa或更低的膜壓應(yīng)力。
文檔編號(hào)H01B5/14GK1269609SQ0010601
公開(kāi)日2000年10月11日 申請(qǐng)日期2000年3月31日 優(yōu)先權(quán)日1999年4月1日
發(fā)明者和田俊司, 矢川博士, 峰尾元久, 青木裕一, 筑后了治, 吉井明彥 申請(qǐng)人:日本板硝子株式會(huì)社, 住友重機(jī)械工業(yè)株式會(huì)社