一種具有壽命警示功能的固態(tài)硬盤的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及固態(tài)硬盤，尤其地涉及一種具有壽命警示功能的固態(tài)硬盤。
【背景技術(shù)】
[0002]固態(tài)硬盤日益成為人們普遍使用的存儲設(shè)備，其具有速度快，壽命長，功率低的優(yōu)點，固態(tài)硬盤是將大容量閃存通過裝在線路板上，其體積小，存儲量大，使用方便，而且方便電腦組裝，從而得到用戶的歡迎。
[0003]用戶操作現(xiàn)有的固態(tài)硬盤時，由于固態(tài)硬盤壽命將近，固態(tài)硬盤無法及時通知用戶對固態(tài)硬盤中的數(shù)據(jù)進行備份，而使用戶損失慘重。
[0004]此問題亟需改變。
【實用新型內(nèi)容】
[0005]本實用新型為了克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，目的旨在提供一種具有壽命警示功能的固態(tài)硬盤，該固態(tài)硬盤可在壽命將近之時，自動閃燈以警告用戶開始對固態(tài)硬盤中的數(shù)據(jù)進行備份。
[0006]為了解決上述的技術(shù)問題，本實用新型提出的基本技術(shù)方案為:
[0007]一種具有壽命警示功能的固態(tài)硬盤，其包括電源模塊、主控芯片、DRAM芯片、NAND閃存陣列以及響應(yīng)裝置；所述電源模塊分別和主控芯片、DRAM芯片、NAND閃存陣列連接，主控芯片分別和DRAM芯片、NAND閃存陣列連接，主控芯片還通過DASP引腳和響應(yīng)裝置連接。
[0008]優(yōu)選的，所述固態(tài)硬盤包括兩個DRAM芯片，所述電源模塊分別和主控芯片、第一DRAM芯片、第二 DRAM芯片、NAND閃存陣列連接，主控芯片分別和第一 DRAM芯片、第二 DRAM芯片、NAND閃存陣列連接，主控芯片還通過DASP引腳和響應(yīng)裝置連接。
[0009]進一步，所述電源模塊包括四個電源芯片，NAND閃存陣列具有閃存輸入輸出電源接口和閃存存儲電源接口，第一電源芯片產(chǎn)生第一電壓并將第一電壓輸入第一 DRAM芯片和第二 DRAM芯片，第二電源芯片產(chǎn)生第二電壓并將第二電壓輸入第一主控芯片，第三電源芯片產(chǎn)生第三電壓并將第三電壓通過閃存存儲電源接口輸入NAND閃存陣列，第四電源芯片產(chǎn)生第四電壓并將第四電壓通過閃存輸入輸出電源接口輸入NAND閃存陣列。
[0010]進一步，所述第一電壓為1.5V，第二電壓為1.2V，第三電壓為1.8V，第四電壓為3.3V。
[0011]進一步，所述響應(yīng)裝置為LED燈或蜂鳴器。
[0012]本實用新型的有益效果是:
[0013]1、通過檢測固態(tài)硬盤的壽命狀態(tài)，當固態(tài)硬盤壽命超過壽命預(yù)警閥值時，固態(tài)硬盤不斷的閃動LED燈，以警告用戶開始對固態(tài)硬盤中的數(shù)據(jù)進行備份。因此，本實用新型固態(tài)硬盤安全性高。
[0014]2、本實用新型設(shè)有兩個DRAM芯片，避免采用單個DRAM和主控芯片電路設(shè)計而導致寫入NAND的數(shù)據(jù)出現(xiàn)錯誤的情況，并且主控芯片更加可靠和高效率的對NAND寫入正確的數(shù)據(jù)。
【附圖說明】
[0015]圖1為本實施例提供的一種具有壽命警示功能的固態(tài)硬盤電路結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實施方式】
[0016]以下將結(jié)合附圖1對本實用新型做進一步的說明，但不應(yīng)以此來限制本實用新型的保護范圍。為了方便說明并且理解本實用新型的技術(shù)方案，以下說明所使用的方位詞均以附圖所展示的方位為準。
[0017]如圖1所示，本實施例提供的一種具有壽命警示功能的固態(tài)硬盤包括電源模塊、主控芯片、DRAM芯片、NAND閃存陣列以及響應(yīng)裝置。電源模塊分別和主控芯片、DRAM芯片、NAND閃存陣列連接，主控芯片分別和DRAM芯片、NAND閃存陣列連接，主控芯片還通過DASP引腳和響應(yīng)裝置連接。其中，響應(yīng)裝置可為蜂鳴器或LED燈。
[0018]主控芯片統(tǒng)計NAND閃存陣列的擦/寫操作計數(shù)，并且主控芯片還分析此計數(shù)是否超過固態(tài)硬盤壽命預(yù)警閥值，一方面，如果超過固態(tài)硬盤壽命預(yù)警閥值，則主控芯片通過DASP引腳觸發(fā)響應(yīng)裝置產(chǎn)生動作，比如觸發(fā)蜂鳴器持續(xù)的發(fā)出響聲，觸發(fā)LED燈持續(xù)閃動。當然，響應(yīng)裝置還可以是其他產(chǎn)生預(yù)警信號的裝置。另一方面，如果未超過固態(tài)硬盤壽命預(yù)警閥值，主控芯片不產(chǎn)生動作。
[0019]本實施例提供的固態(tài)硬盤通過檢測固態(tài)硬盤的壽命狀態(tài)，當固態(tài)硬盤壽命超過壽命預(yù)警閥值時，固態(tài)硬盤不斷的閃動LED燈，以警告用戶開始對固態(tài)硬盤中的數(shù)據(jù)進行備份。因此，本實用新型固態(tài)硬盤安全性高。
[0020]作為優(yōu)選，固態(tài)硬盤包括兩個DRAM芯片，電源模塊分別和主控芯片、第一 DRAM芯片、第二 DRAM芯片、NAND閃存陣列連接，主控芯片分別和第一 DRAM芯片、第二 DRAM芯片、NAND閃存陣列連接，主控芯片還通過DASP引腳和LED燈連接。
[0021]電源模塊包括四個電源芯片，NAND閃存陣列具有閃存輸入輸出電源接口和閃存存儲電源接口，第一電源芯片產(chǎn)生第一電壓并將第一電壓輸入第一 DRAM芯片和第二 DRAM芯片，第二電源芯片產(chǎn)生第二電壓并將第二電壓輸入第一主控芯片，第三電源芯片產(chǎn)生第三電壓并將第三電壓通過閃存存儲電源接口輸入NAND閃存陣列，第四電源芯片產(chǎn)生第四電壓并將第四電壓通過閃存輸入輸出電源接口輸入NAND閃存陣列。其中，第一電壓為1.5V，第二電壓為1.2V，第三電壓為1.8V，第四電壓為3.3V。
[0022]本實施例設(shè)有兩個DRAM芯片，避免采用單個DRAM和主控芯片電路設(shè)計而導致寫入NAND的數(shù)據(jù)出現(xiàn)錯誤的情況，并且第一主控芯片更加可靠和高效率的對NAND寫入正確的數(shù)據(jù)。
[0023]固態(tài)硬盤數(shù)據(jù)錯誤保護的處理流程如下所述:
[0024]首先編寫n pair page的數(shù)據(jù)，并將該數(shù)據(jù)預(yù)先以η_1，η~2, η_3，η = 1，η+2，η+3的形式載入第二 DRAM芯片，第一主控芯片分析第二 DRAM芯片的數(shù)據(jù)狀態(tài)，一方面，如果第二 DRAM芯片的數(shù)據(jù)狀態(tài)未出現(xiàn)錯誤，則第一主控芯片擦除存儲在DRAM芯片中的數(shù)據(jù)?’另一方面，如果第二 DRAM芯片的數(shù)據(jù)狀態(tài)出現(xiàn)錯誤，重新編寫配置到NAND閃存陣列的DRAM芯片數(shù)據(jù)。完成數(shù)據(jù)的處理后，返回到第一步，即首先編寫n pair page的數(shù)據(jù)這一步，直至正確的數(shù)據(jù)全部寫入NAND閃存陣列。第一 DRAM芯片存儲物理邏輯鏈路表，第一主控芯片可根據(jù)第一 DRAM芯片的存儲數(shù)據(jù)操作NAND閃存陣列。傳統(tǒng)的固態(tài)硬盤是沒有錯誤保護功能的，并且電路設(shè)計上只采用單個DRAM芯片，因此本實用新型設(shè)有兩個DRAM芯片，第二DRAM芯片存儲編程數(shù)據(jù)，主控芯片預(yù)先對第二 DRAM芯片進行分析是否存在錯誤數(shù)據(jù)以及決定第二 DRAM芯片是否需要重新寫入數(shù)據(jù)，之后第一主控芯片可分別通過第一 DRAM芯片和第二 DRAM芯片對NAND閃存陣列寫入數(shù)據(jù)。
[0025]根據(jù)上述說明書的揭示和教導，本實用新型所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員還可以對上述實施方式進行變更和修改。因此，本實用新型并不局限于上面揭示和描述的【具體實施方式】，對本實用新型的一些修改和變更也應(yīng)當落入本實用新型的權(quán)利要求的保護范圍內(nèi)。此外，盡管本說明書中使用了一些特定的術(shù)語，但這些術(shù)語只是為了方便說明，并不對本實用新型構(gòu)成任何限制。
【主權(quán)項】
1.一種具有壽命警示功能的固態(tài)硬盤，其特征在于:包括電源模塊、主控芯片、DRAM芯片、NAND閃存陣列以及響應(yīng)裝置； 所述電源模塊分別和主控芯片、DRAM芯片、NAND閃存陣列連接，主控芯片分別和DRAM芯片、NAND閃存陣列連接，主控芯片還通過DASP引腳和響應(yīng)裝置連接。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種具有壽命警示功能的固態(tài)硬盤，其特征在于:所述固態(tài)硬盤包括兩個DRAM芯片，所述電源模塊分別和主控芯片、第一 DRAM芯片、第二 DRAM芯片、NAND閃存陣列連接，主控芯片分別和第一 DRAM芯片、第二 DRAM芯片、NAND閃存陣列連接，主控芯片還通過DASP引腳和響應(yīng)裝置連接。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種具有壽命警示功能的固態(tài)硬盤，其特征在于:所述電源模塊包括四個電源芯片，NAND閃存陣列具有閃存輸入輸出電源接口和閃存存儲電源接口，第一電源芯片產(chǎn)生第一電壓并將第一電壓輸入第一 DRAM芯片和第二 DRAM芯片，第二電源芯片產(chǎn)生第二電壓并將第二電壓輸入第一主控芯片，第三電源芯片產(chǎn)生第三電壓并將第三電壓通過閃存存儲電源接口輸入NAND閃存陣列，第四電源芯片產(chǎn)生第四電壓并將第四電壓通過閃存輸入輸出電源接口輸入NAND閃存陣列。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種具有壽命警示功能的固態(tài)硬盤，其特征在于:所述第一電壓為1.5V，第二電壓為1.2V，第三電壓為1.8V，第四電壓為3.3V。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種具有壽命警示功能的固態(tài)硬盤，其特征在于:所述響應(yīng)裝置為LED燈或蜂鳴器。
【專利摘要】本實用新型涉及固態(tài)硬盤，尤其地涉及一種具有壽命警示功能的固態(tài)硬盤。其包括電源模塊、主控芯片、DRAM芯片、NAND閃存陣列以及響應(yīng)裝置。電源模塊分別和主控芯片、DRAM芯片、NAND閃存陣列連接，主控芯片分別和DRAM芯片、NAND閃存陣列連接，主控芯片還通過DASP引腳和響應(yīng)裝置連接。其中，響應(yīng)裝置可為蜂鳴器或LED燈。該固態(tài)硬盤可在壽命將近之時，自動閃燈以警告用戶開始對固態(tài)硬盤中的數(shù)據(jù)進行備份。
【IPC分類】G06F11/14, G11B33/10
【公開號】CN205028659
【申請?zhí)枴緾N201520754455
【發(fā)明人】蔡詩國
【申請人】深圳創(chuàng)久科技有限公司
【公開日】2016年2月10日
【申請日】2015年9月28日