可變電阻存儲(chǔ)器件及操作其的方法
【專利摘要】一種可變電阻存儲(chǔ)器件可以包括：存儲(chǔ)區(qū)域和控制器。存儲(chǔ)區(qū)域可以包括多個(gè)單位存儲(chǔ)單元，每個(gè)單位存儲(chǔ)單元電連接在字線與位線之間。控制器可以響應(yīng)于讀取命令來(lái)執(zhí)行字線的驅(qū)動(dòng)操作。控制器可以基本上與字線的驅(qū)動(dòng)操作同時(shí)地執(zhí)行位線的驅(qū)動(dòng)操作以通過(guò)位線輸出單元數(shù)據(jù)。單位存儲(chǔ)單元中的每個(gè)可以包括可變電阻材料。
【專利說(shuō)明】可變電阻存儲(chǔ)器件及操作其的方法
[0001]相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用
[0002]本申請(qǐng)要求2015年3月4日在韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的申請(qǐng)?zhí)枮?0-2015-0030473的韓國(guó)申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán)，通過(guò)引用其全部合并于此。
技術(shù)領(lǐng)域
[0003]各種實(shí)施例總體涉及一種半導(dǎo)體器件，更具體地，涉及一種可變電阻存儲(chǔ)器件和操作該可變電阻存儲(chǔ)器件的方法。
【背景技術(shù)】
[0004]已經(jīng)開發(fā)了具有大儲(chǔ)存容量和快速操作速度同時(shí)仍然消耗較低量的功率的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件。
[0005]半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件通?？梢员环诸悶橐资源鎯?chǔ)器件或非易失性存儲(chǔ)器件。非易失性存儲(chǔ)器件種類的快閃存儲(chǔ)器件可以使用較長(zhǎng)時(shí)間。近來(lái)，非易失性存儲(chǔ)器件種類的可變電阻存儲(chǔ)器件正在被廣泛使用?？勺冸娮璐鎯?chǔ)器件具有根據(jù)數(shù)據(jù)儲(chǔ)存材料的電阻來(lái)確定的數(shù)據(jù)的邏輯電平。
[0006]半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的操作速度由各種因素確定。所述因素中的任意一種可以包括讀取循環(huán)時(shí)間(tRC)。tRC可以與存儲(chǔ)單元之內(nèi)的數(shù)據(jù)響應(yīng)于讀取命令的輸出時(shí)間有關(guān)。
[0007]隨著半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件變得高度集成，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的存儲(chǔ)區(qū)域之內(nèi)的單元的數(shù)量大大增加。tRC的確定可以與位線負(fù)載和字線負(fù)載相關(guān)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]在實(shí)施例中，可以提供一種可變電阻存儲(chǔ)器件。該可變電阻存儲(chǔ)器件可以包括:存儲(chǔ)區(qū)域和控制器。存儲(chǔ)區(qū)域可以包括多個(gè)單位存儲(chǔ)單元，每個(gè)單位存儲(chǔ)單元電連接在字線與位線之間?？刂破骺梢皂憫?yīng)于讀取命令來(lái)執(zhí)行字線的驅(qū)動(dòng)操作?？刂破骺梢耘c字線的驅(qū)動(dòng)操作基本上同時(shí)地執(zhí)行位線的驅(qū)動(dòng)操作以通過(guò)位線輸出單元數(shù)據(jù)。單位存儲(chǔ)單元中的每個(gè)可以包括可變電阻材料。
[0009]在實(shí)施例中，可以提供一種操作包括存儲(chǔ)區(qū)域和控制器的可變電阻存儲(chǔ)器件的方法。存儲(chǔ)區(qū)域可以包括單位存儲(chǔ)單元，每個(gè)單位存儲(chǔ)單元電連接在字線與位線之間并且包括可變電阻材料。控制器可以被配置為控制存儲(chǔ)區(qū)域。在操作可變電阻存儲(chǔ)器件的方法中，控制器可以響應(yīng)于讀取命令來(lái)執(zhí)行字線的驅(qū)動(dòng)操作?？刂破骺梢耘c字線的驅(qū)動(dòng)操作基本上同時(shí)地執(zhí)行位線的驅(qū)動(dòng)操作以通過(guò)位線輸出單元數(shù)據(jù)。
【附圖說(shuō)明】
[0010]圖1是圖示根據(jù)實(shí)施例的可變電阻存儲(chǔ)器件的示例的代表的框圖。
[0011]圖2是圖示根據(jù)實(shí)施例的操作可變電阻存儲(chǔ)器件的方法的示例的代表的電路圖。
[0012]圖3是圖示根據(jù)實(shí)施例的操作可變電阻存儲(chǔ)器件的方法的示例的代表的時(shí)序圖。
[0013]圖4是圖示根據(jù)實(shí)施例的操作可變電阻存儲(chǔ)器件的方法的時(shí)序圖的示例。
[0014]圖5是圖示根據(jù)實(shí)施例的可變電阻存儲(chǔ)器件的示例的代表的框圖。
[0015]圖6是圖不根據(jù)實(shí)施例的電子系統(tǒng)的不例的代表的框圖。
【具體實(shí)施方式】
[0016]在下文中將參照附圖描述各種示例性實(shí)施例，在附圖中圖示了實(shí)施例的一些示例。然而，實(shí)施例可以以很多不同的形式來(lái)實(shí)現(xiàn)并且不應(yīng)當(dāng)被解釋為局限于本文中所闡述的實(shí)施例的示例。更確切地說(shuō)，實(shí)施例的這些示例被提供使得本公開將是徹底和完整的，并且這些實(shí)施例將把本申請(qǐng)的范圍充分地傳達(dá)給本領(lǐng)域技術(shù)人員。在附圖中，為了清楚起見(jiàn)，可以夸大層和區(qū)域的尺寸和相對(duì)尺寸。
[0017]將理解的是，當(dāng)元件或?qū)颖环Q為“在”另一元件或?qū)印吧稀?、被稱為“連接至”或“耦接至”另一元件或?qū)訒r(shí)，其可以直接在另一元件或?qū)由?、直接連接至或耦接至另一元件或?qū)?，或者可以存在中間元件或中間層。相反地，當(dāng)元件被稱為“直接在”另一元件或?qū)印吧稀?、被稱為“直接連接至”或“直接耦接至”另一元件或?qū)訒r(shí)，不存在中間元件或中間層。相同的附圖標(biāo)記自始至終指代相同的元件。如本文中所用，術(shù)語(yǔ)“和/或”包括相關(guān)所列項(xiàng)中的一種或更多種的任意組合和所有組合。
[0018]本文中所使用的術(shù)語(yǔ)是僅出于描述實(shí)施例的特定示例的目的而非意在對(duì)本申請(qǐng)進(jìn)行限制。如本文中所使用的，除非上下文明確指示相反，否則單數(shù)形式“一”、“一個(gè)”和“該”也意在包括復(fù)數(shù)形式。還將理解的是當(dāng)術(shù)語(yǔ)“包括”和/或“包括有”在本說(shuō)明書中被使用時(shí)，其列舉陳述的特征、整體、步驟、操作、元件和/或組件的存在，但是不排除存在或添加一個(gè)或更多個(gè)其他的特征、整體、步驟、操作、元件、組件和/或其群組。
[0019]除非另有定義，否則本文中所使用的所有術(shù)語(yǔ)(包括技術(shù)術(shù)語(yǔ)和科技術(shù)語(yǔ))具有與本申請(qǐng)所屬領(lǐng)域技術(shù)人員通常所理解的相同的意思。還將理解的是除非在本文中明確地這樣定義，否則術(shù)語(yǔ)(諸如在常用字典中定義的那些術(shù)語(yǔ))應(yīng)當(dāng)被解釋為具有與其在相關(guān)領(lǐng)域的環(huán)境中的意思一致的意思，而將不以理想化的或過(guò)于正式的意義來(lái)解釋。
[0020]在下文中，將參照附圖來(lái)解釋示例性實(shí)施例。
[0021]圖1是圖示根據(jù)實(shí)施例的可變電阻存儲(chǔ)器件的示例的代表的框圖。
[0022]參照?qǐng)D1，可變電阻存儲(chǔ)器件10的示例可以包括存儲(chǔ)區(qū)域100、行解碼器(XDEC) 140和列解碼器(YDEC) 150?？勺冸娮璐鎯?chǔ)器件10可以包括讀寫電路(WD/SA) 160、全局位線開關(guān)塊(GYSW) 170和控制器180。
[0023]存儲(chǔ)區(qū)域100可以包括多個(gè)單元塊110、局域位線開關(guān)塊(LYSW) 120和子字線驅(qū)動(dòng)塊(SWD) 130。局域位線開關(guān)塊(LYSW) 120可以布置在單元塊110的一側(cè)。子字線驅(qū)動(dòng)塊(SffD) 130可以布置在單元塊110的另一側(cè)以驅(qū)動(dòng)子字線SWL。子字線驅(qū)動(dòng)塊(SWD) 130可以與局域位線開關(guān)塊120相交。
[0024]單元塊110中的每個(gè)可以包括具有多個(gè)存儲(chǔ)單元的單元陣列CA。存儲(chǔ)單元可以電連接在字線MffL和SWL與位線BL之間。
[0025]雖然未在圖1中描繪，但是參照?qǐng)D2，存儲(chǔ)單元中的每個(gè)(S卩，單位存儲(chǔ)單元112)可以包括可變電阻材料VR和開關(guān)元件SW。
[0026]參照?qǐng)D1，子孔SH可以布置在局域位線開關(guān)塊(LYSW) 120與子字線驅(qū)動(dòng)塊(SWD) 130之間的相交位置。用于驅(qū)動(dòng)子字線驅(qū)動(dòng)塊(SWD) 130的驅(qū)動(dòng)器、輸入/輸出開關(guān)等可以布置在子孔SH中。
[0027]在實(shí)施例的示例中，在單元塊110中的延伸至局域位線開關(guān)塊120的位線可以被稱為位線BL。從局域位線開關(guān)塊120延伸至全局位線開關(guān)塊170的位線可以被稱為局域位線LBL。從全局位線開關(guān)塊170延伸至讀寫電路160的位線可以被稱為全局位線GBL。從行解碼器140延伸至子字線驅(qū)動(dòng)塊130的字線可以被稱為主字線MWL。從子字線驅(qū)動(dòng)塊130延伸至存儲(chǔ)單元塊110的字線可以被稱為子字線(SWL)。
[0028]在下文中，字線的驅(qū)動(dòng)方法可以對(duì)應(yīng)于通過(guò)電連接至要被訪問(wèn)的存儲(chǔ)單元的主字線MffL來(lái)驅(qū)動(dòng)子字線SWL。
[0029]可變電阻存儲(chǔ)器件中的讀取操作可以包括字線的驅(qū)動(dòng)操作(即，子字線SWL的驅(qū)動(dòng)操作)和位線BL的驅(qū)動(dòng)操作。控制器180可以控制彼此基本上同時(shí)執(zhí)行的字線驅(qū)動(dòng)操作和位線BL驅(qū)動(dòng)操作。
[0030]圖2是圖示根據(jù)實(shí)施例的操作可變電阻存儲(chǔ)器件的方法的示例的代表的電路圖。
[0031]參照?qǐng)D1和圖2，連接至單位存儲(chǔ)單元112的主字線MffL (其可以對(duì)應(yīng)于從控制器180提供以用于驅(qū)動(dòng)字線的行地址)可以響應(yīng)于讀取命令而被激活。通過(guò)子字線驅(qū)動(dòng)塊130(見(jiàn)圖1)連接至單位存儲(chǔ)單元112的子字線SWL可以被驅(qū)動(dòng)以將預(yù)定電平的電壓提供給存儲(chǔ)單元112的子字線SffL (即，SffO至SW3) ο
[0032]位線BL ( S卩，BLO至BL3)的驅(qū)動(dòng)操作可以通過(guò)位線BL來(lái)輸出單元數(shù)據(jù)。位線BL的驅(qū)動(dòng)操作可以包括用于預(yù)充電位線BL的操作、用于穩(wěn)定位線BL的操作以及用于感測(cè)并輸出感測(cè)到的數(shù)據(jù)的操作。
[0033]連接至單位存儲(chǔ)單元112 (可以對(duì)應(yīng)于從控制器180 (見(jiàn)圖1)提供的列地址)的全局位線開關(guān)172和局域位線開關(guān)122可以響應(yīng)于讀取命令而導(dǎo)通。預(yù)定電平的預(yù)充電電壓可以通過(guò)全局位線GBL和局域位線LBL被施加至位線BL。
[0034]用于穩(wěn)定位線BL(即，BLO至BL3)的操作可以對(duì)應(yīng)于在將預(yù)充電電壓施加至位線BL之后、位線BL的電壓電平可以被穩(wěn)定的等待時(shí)間，以準(zhǔn)確地確定單元數(shù)據(jù)。
[0035]用于感測(cè)和輸出感測(cè)到的數(shù)據(jù)的操作可以包括通過(guò)位線BL、局域位線LBL和全局位線GBL來(lái)將單元數(shù)據(jù)傳送至讀寫電路160 (見(jiàn)圖1)。
[0036]在實(shí)施例中，字線的驅(qū)動(dòng)操作和位線BL的驅(qū)動(dòng)操作可以彼此基本上同時(shí)來(lái)執(zhí)行。字線的驅(qū)動(dòng)操作可能需要a納秒(ns)時(shí)間。位線BL的驅(qū)動(dòng)操作可能需要用于預(yù)充電位線BL的b納秒時(shí)間、用于穩(wěn)定位線BL的c納秒時(shí)間以及用于感測(cè)并輸出感測(cè)到的數(shù)據(jù)的d納秒時(shí)間(其中，a、b、c和d通常表示數(shù)字)。
[0037]因此，當(dāng)在字線的驅(qū)動(dòng)操作的執(zhí)行期間位線的驅(qū)動(dòng)操作被執(zhí)行時(shí)，子字線SWL和位線BL可以在(b+c+d)納秒時(shí)間內(nèi)被同時(shí)驅(qū)動(dòng)。
[0038]當(dāng)存儲(chǔ)區(qū)域100(見(jiàn)圖1)中的單元的數(shù)量被加倍時(shí)，RC延遲時(shí)間可以與字線WL ( S卩，Sffl至SW3和/或MffL)負(fù)載增大和位線BL負(fù)載增大成比例地增大。即，當(dāng)字線WL或位線BL的長(zhǎng)度增大時(shí)，寄生在字線WL或位線BL上的電阻(R)和電容(C)也可以被加倍，使得字線WL或位線BL中的RC延遲時(shí)間可以增大四倍。因此，可能需要減小高度集成的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件中的讀取循環(huán)時(shí)間(tRC)。
[0039]在實(shí)施例的示例中，可以通過(guò)同時(shí)執(zhí)行字線WL的驅(qū)動(dòng)操作和位線BL的驅(qū)動(dòng)操作來(lái)顯著地減小讀取循環(huán)時(shí)間(tRC)。結(jié)果，高度集成的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件可以具有快速操作速度。
[0040]參照?qǐng)D2，放電開關(guān)192可以由放電信號(hào)LBLDIS來(lái)驅(qū)動(dòng)。放電開關(guān)192可以對(duì)應(yīng)于用于穩(wěn)定局域位線LBL的電壓和位線BL的電壓的開關(guān)。放電開關(guān)192可以耦接在局域位線LBL與接地電壓VSS端子之間。
[0041]圖3是圖示操作根據(jù)實(shí)施例的可變電阻存儲(chǔ)器件的方法的示例的代表的時(shí)序圖。
[0042]參照?qǐng)D1至圖3，控制器180可以響應(yīng)于讀取命令來(lái)驅(qū)動(dòng)列解碼器150。連接至要被訪問(wèn)的單元的放電開關(guān)192可以響應(yīng)于讀取命令而由放電信號(hào)LBLDIS來(lái)驅(qū)動(dòng)。局域位線開關(guān)122可以由局域位線選擇信號(hào)LY來(lái)驅(qū)動(dòng)以將局域位線LBL和位線BL放電。
[0043]子字線SWL可以與位線BL同時(shí)或基本上同時(shí)被驅(qū)動(dòng)。特別地，控制器180可以通過(guò)行解碼器140和子字線驅(qū)動(dòng)塊130來(lái)執(zhí)行用于驅(qū)動(dòng)連接至要被訪問(wèn)的單元的子字線SWL的操作以a納秒時(shí)間。
[0044]在驅(qū)動(dòng)局域位線開關(guān)122的期間，控制器180可以驅(qū)動(dòng)連接至要被訪問(wèn)的單元的全局位線開關(guān)172來(lái)執(zhí)行位線BL的驅(qū)動(dòng)操作以感測(cè)單元數(shù)據(jù)。全局位線開關(guān)172可以由全局位線選擇信號(hào)GY來(lái)驅(qū)動(dòng)。
[0045]位線BL的驅(qū)動(dòng)操作可以包括用于預(yù)充電位線BL以b納秒時(shí)間的操作、用于在c納秒中使位線BL穩(wěn)定的操作以及用于在d納秒時(shí)間內(nèi)讀取并輸出單元數(shù)據(jù)的操作。因此，位線BL的驅(qū)動(dòng)操作可以需要(b+c+d)納秒時(shí)間。
[0046]如圖3中所示，可以注意到，子字線SWL的驅(qū)動(dòng)操作和位線的驅(qū)動(dòng)操作可以彼此同時(shí)地執(zhí)行。
[0047]考慮到在驅(qū)動(dòng)子字線SWL和位線BL之前的t納秒放電時(shí)間，讀取等待時(shí)間(readlatency)可以是(t+b+c+d)納秒時(shí)間。
[0048]在完成字線WL的驅(qū)動(dòng)操作和位線BL的驅(qū)動(dòng)操作之后，可以彼此同時(shí)或基本上同時(shí)禁止子字線SWL和位線BL。因此，當(dāng)子字線SWL和位線BL的完全禁止時(shí)間是e納秒時(shí)，讀取循環(huán)時(shí)間(tRC)可以是(t+b+c+d+e)納秒。
[0049]電流可以通過(guò)同時(shí)驅(qū)動(dòng)子字線SWL和位線BL來(lái)流過(guò)全局位線GBL、局域位線LBL和位線BL。位線BL上的電荷可以通過(guò)開關(guān)元件SW被引入至可變電阻材料VR中。
[0050]在實(shí)施例的示例中，當(dāng)位線BL上的電荷被快速引入至可變電阻材料VR中時(shí)，高電壓可以被快速施加至可變電阻材料VR而丟失存儲(chǔ)單元中的數(shù)據(jù)。
[0051]為了防止數(shù)據(jù)丟失，如圖4中所示，在驅(qū)動(dòng)子字線SWL之后，可以在等待f納秒時(shí)間之后執(zhí)行位線BL的驅(qū)動(dòng)操作。f納秒的等待時(shí)間可以大大地短于用于驅(qū)動(dòng)子字線SWL的時(shí)間。因此，可以在等待f納秒時(shí)間之后執(zhí)行位線BL的驅(qū)動(dòng)操作以防止高電壓被快速施加至存儲(chǔ)單元。
[0052]在實(shí)施例的示例中，f納秒的等待時(shí)間與用于驅(qū)動(dòng)位線BL的(b+c+d)納秒的時(shí)間之和可以與用于驅(qū)動(dòng)字線的a納秒的時(shí)間基本上相同。f納秒的等待時(shí)間可以起到通過(guò)預(yù)定命令或恪絲選擇(fuse opt1n)來(lái)控制局域位線開關(guān)122和全局位線開關(guān)172的導(dǎo)通時(shí)間的作用。
[0053]圖5是圖示根據(jù)實(shí)施例的可變電阻存儲(chǔ)器件的示例的代表的框圖。
[0054]參照?qǐng)D5，釋放電路200可以通過(guò)釋放信號(hào)LBLDIS2來(lái)驅(qū)動(dòng)。釋放電路200可以包括電連接在局域位線LBL與釋放電壓Vrelease的供應(yīng)端子之間的開關(guān)元件。釋放電壓Vrelease可以包括，例如但不限于，接地電壓或讀取電壓。
[0055]釋放信號(hào)LBLDIS2可以與字線WL的驅(qū)動(dòng)操作同時(shí)或基本上同時(shí)地被使能以驅(qū)動(dòng)釋放電路200以f納秒的等待時(shí)間，從而降低位線BL中的電流。在f納秒等待時(shí)間之后，釋放信號(hào)LBLDIS2可以被禁止并且位線BL的驅(qū)動(dòng)操作可以被執(zhí)行。
[0056]如上所述，f納秒的等待時(shí)間可以大大地短于用于驅(qū)動(dòng)子字線SWL的時(shí)間。f納秒的等待時(shí)間與用于驅(qū)動(dòng)位線的(b+c+d)納秒的時(shí)間之和可以與用于驅(qū)動(dòng)字線的a納秒的時(shí)間基本上相同。
[0057]在實(shí)施例的示例中，釋放電路200中的開關(guān)元件可以包括MOS晶體管。MOS晶體管可以具有比局域位線開關(guān)122和全局位線開關(guān)172的開關(guān)元件的溝道長(zhǎng)度長(zhǎng)的溝道長(zhǎng)度。
[0058]在實(shí)施例的示例中，當(dāng)釋放電壓Vrelease包括讀取電壓時(shí)，可以不需要準(zhǔn)確地控制f納秒的等待時(shí)間。
[0059]在實(shí)施例的示例中，釋放電路200可以布置在子孔SH(見(jiàn)圖1)的區(qū)域、局域位線開關(guān)塊120的區(qū)域或者存儲(chǔ)區(qū)域100的上部區(qū)域或下部區(qū)域處?？商娲?，當(dāng)釋放電路200布置在局域位線開關(guān)塊120的區(qū)域中時(shí)，釋放電路200可以連接至位線BL( S卩，BLO至BL3等)中的每個(gè)。當(dāng)釋放電路200布置在存儲(chǔ)區(qū)域100的上部區(qū)域或下部區(qū)域處時(shí)，釋放電路200可以連接至全局位線GBL中的每個(gè)。
[0060]圖6是圖不根據(jù)實(shí)施例的電子系統(tǒng)的不例的代表的框圖。
[0061]參照?qǐng)D6，電子系統(tǒng)30可以包括處理器310、存儲(chǔ)器控制器320和存儲(chǔ)器件321。電子系統(tǒng)30可以包括I/O控制器330、I/O設(shè)備331、盤控制器340和盤驅(qū)動(dòng)器341。
[0062]處理器310可以包括單個(gè)處理器或多個(gè)處理器。處理器310可以獨(dú)立地操作?？商娲兀幚砥?10可以依賴于其他處理器來(lái)操作。處理器310可以通過(guò)總線(諸如控制總線、地址總線、數(shù)據(jù)總線等)與其他器件(諸如存儲(chǔ)器控制器320、I/O控制器330和盤控制器340)通信。
[0063]存儲(chǔ)器控制器320可以電連接至存儲(chǔ)器件321。存儲(chǔ)器控制器320可以從處理器310接收命令。存儲(chǔ)器控制器320可以基于所述命令來(lái)控制存儲(chǔ)器件321。存儲(chǔ)器件321可以包括參照?qǐng)D1至圖5所圖示的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件。
[0064]I/O控制器330可以電連接在處理器310與I/O設(shè)備331之間。I/O控制器330可以將輸入從I/O設(shè)備331傳送至處理器310。I/O控制器330可以將處理器310的處理的結(jié)果傳送至I/O設(shè)備331。I/O設(shè)備331可以包括輸入設(shè)備(諸如鍵盤、鼠標(biāo)、觸摸屏、麥克風(fēng)等)和輸出設(shè)備(諸如顯示器、揚(yáng)聲器等)。
[0065]盤控制器340可以通過(guò)處理器310來(lái)控制盤驅(qū)動(dòng)器341。
[0066]當(dāng)在電子系統(tǒng)30中讀取命令被處理器310提供至存儲(chǔ)器件321時(shí)，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件321可以同時(shí)執(zhí)行字線的驅(qū)動(dòng)操作和位線的驅(qū)動(dòng)操作，使得半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件321可以對(duì)于短讀取循環(huán)時(shí)間來(lái)執(zhí)行快速讀取操作。
[0067]雖然以上已經(jīng)描述了各種實(shí)施例，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員將理解的是，描述的實(shí)施例僅作為示例。因此，本文中所描述的電路和方法不應(yīng)當(dāng)基于描述的實(shí)施例而受到限制。通過(guò)以上實(shí)施例可以看出，本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘韵碌募夹g(shù)方案:
[0068]技術(shù)方案1.一種可變電阻存儲(chǔ)器件，包括:
[0069]存儲(chǔ)區(qū)域，包括多個(gè)單位存儲(chǔ)單元，每個(gè)單位存儲(chǔ)單元電連接在字線與位線之間；以及
[0070]控制器，被配置為與用于通過(guò)位線輸出單元數(shù)據(jù)的位線的驅(qū)動(dòng)操作同時(shí)地響應(yīng)于讀取命令來(lái)執(zhí)行字線的驅(qū)動(dòng)操作，
[0071]其中，單位存儲(chǔ)單元中的每個(gè)包括可變電阻材料。
[0072]技術(shù)方案2.如技術(shù)方案I所述的可變電阻存儲(chǔ)器件，其中，每個(gè)單位存儲(chǔ)單元的可變電阻材料耦接在位線與字線之間。
[0073]技術(shù)方案3.如技術(shù)方案I所述的可變電阻存儲(chǔ)器件，其中，位線的驅(qū)動(dòng)操作包括預(yù)充電所述位線、穩(wěn)定所述位線以及感測(cè)并輸出單元數(shù)據(jù)。
[0074]技術(shù)方案4.如技術(shù)方案I所述的可變電阻存儲(chǔ)器件，其中，控制器將用于驅(qū)動(dòng)所述字線的時(shí)間控制成基本上與用于驅(qū)動(dòng)所述位線的時(shí)間相同。
[0075]技術(shù)方案5.如技術(shù)方案I所述的可變電阻存儲(chǔ)器件，其中，控制器在執(zhí)行所述位線的驅(qū)動(dòng)操作之前，與所述字線的驅(qū)動(dòng)操作同時(shí)地將所述位線放電預(yù)定時(shí)間。
[0076]技術(shù)方案6.如技術(shù)方案5所述的可變電阻存儲(chǔ)器件，其中，控制器在所述字線的驅(qū)動(dòng)期間操作而將所述位線放電并驅(qū)動(dòng)所述位線。
[0077]技術(shù)方案7.如技術(shù)方案I所述的可變電阻存儲(chǔ)器件，還包括:
[0078]釋放電路，電連接至所述位線以響應(yīng)于釋放信號(hào)來(lái)將釋放電壓供應(yīng)至所述位線。
[0079]技術(shù)方案8.如技術(shù)方案7所述的可變電阻存儲(chǔ)器件，其中，在驅(qū)動(dòng)所述位線之前，與所述字線的驅(qū)動(dòng)操作同時(shí)，釋放電路被使能預(yù)定時(shí)間。
[0080]技術(shù)方案9.如技術(shù)方案7所述的可變電阻存儲(chǔ)器件，其中，在所述字線的驅(qū)動(dòng)期間，釋放電路被使能以將釋放電壓供應(yīng)至所述位線并驅(qū)動(dòng)所述位線。
[0081]技術(shù)方案10.如技術(shù)方案7所述的可變電阻存儲(chǔ)器件，其中，釋放電壓包括接地電壓或讀取電壓。
[0082]技術(shù)方案11.如技術(shù)方案7所述的可變電阻存儲(chǔ)器件，其中，釋放電路包括MOS晶體管，所述MOS晶體管耦接在位線與釋放電壓的供應(yīng)端子之間并且具有被配置為接收釋放信號(hào)的柵極。
[0083]技術(shù)方案12.如技術(shù)方案11所述的可變電阻存儲(chǔ)器件，還包括:
[0084]局域位線開關(guān)，通過(guò)局域位線耦接至釋放電路并且通過(guò)相應(yīng)的位線耦接至單位存儲(chǔ)單元；以及
[0085]全局位線開關(guān)，耦接至局域位線并且被配置為通過(guò)耦接至全局位線開關(guān)的全局位線來(lái)將預(yù)定電平的預(yù)充電電壓施加至位線，
[0086]其中，MOS晶體管具有比局域位線開關(guān)和全局位線開關(guān)的開關(guān)元件的溝道長(zhǎng)度長(zhǎng)的溝道長(zhǎng)度。
[0087]技術(shù)方案13.如技術(shù)方案11所述的可變電阻存儲(chǔ)器件，還包括:
[0088]單元塊，位于存儲(chǔ)區(qū)域中，單元塊包括單位存儲(chǔ)單元；以及
[0089]局域位線開關(guān)塊，位于每個(gè)單元塊的一側(cè)；
[0090]其中，釋放電路位于局域位線開關(guān)塊的區(qū)域之內(nèi)。
[0091]技術(shù)方案14.如技術(shù)方案I所述的可變電阻存儲(chǔ)器件，其中，控制器在字線的驅(qū)動(dòng)操作和位線的驅(qū)動(dòng)操作之后同時(shí)禁止所述字線和所述位線。
[0092]技術(shù)方案15.—種操作可變電阻存儲(chǔ)器件的方法，可變電阻存儲(chǔ)器件包括存儲(chǔ)區(qū)域和控制器，存儲(chǔ)區(qū)域包括多個(gè)單位存儲(chǔ)單元，每個(gè)單位存儲(chǔ)單元電連接在字線與位線之間并且包括可變電阻材料，以及控制器用于控制所述存儲(chǔ)區(qū)域，所述方法包括:
[0093]由控制器響應(yīng)于讀取命令來(lái)執(zhí)行字線的驅(qū)動(dòng)操作，
[0094]其中，字線的驅(qū)動(dòng)操作與用于通過(guò)所述位線輸出單元數(shù)據(jù)的位線的驅(qū)動(dòng)操作同時(shí)地執(zhí)行。
[0095]技術(shù)方案16.如技術(shù)方案15所述的方法，其中，位線的驅(qū)動(dòng)操作包括預(yù)充電所述位線、穩(wěn)定所述位線以及感測(cè)并輸出單元數(shù)據(jù)。
[0096]技術(shù)方案17.如技術(shù)方案15所述的方法，其中控制器將用于驅(qū)動(dòng)所述字線的時(shí)間控制成基本上與用于驅(qū)動(dòng)所述位線的相同。
[0097]技術(shù)方案18.如技術(shù)方案15所述的方法，其中，在執(zhí)行所述位線的驅(qū)動(dòng)操作之前，與所述字線的驅(qū)動(dòng)操作同時(shí)，控制器將所述位線放電預(yù)定時(shí)間。
[0098]技術(shù)方案19.如技術(shù)方案18所述的方法，其中，控制器在所述字線的驅(qū)動(dòng)期間操作而將位線放電并驅(qū)動(dòng)所述位線。
[0099]技術(shù)方案20.如技術(shù)方案15所述的方法，還包括:
[0100]在由控制器執(zhí)行所述位線的驅(qū)動(dòng)操作之前，與所述字線的驅(qū)動(dòng)操作同時(shí)地將釋放電壓供應(yīng)至所述位線以預(yù)定時(shí)間。
[0101]技術(shù)方案21.如技術(shù)方案20所述的方法，其中，控制器在所述字線的驅(qū)動(dòng)期間控制將釋放電壓供應(yīng)至所述位線并驅(qū)動(dòng)所述位線。
[0102]技術(shù)方案22.如技術(shù)方案20所述的方法，其中，釋放電壓包括接地電壓或讀取電壓。
[0103]技術(shù)方案23.如技術(shù)方案15所述的方法，其中，控制器在所述字線的驅(qū)動(dòng)操作和所述位線的驅(qū)動(dòng)操作之后同時(shí)禁止所述字線和所述位線。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種可變電阻存儲(chǔ)器件，包括: 存儲(chǔ)區(qū)域，包括多個(gè)單位存儲(chǔ)單元，每個(gè)單位存儲(chǔ)單元電連接在字線與位線之間；以及控制器，被配置為與用于通過(guò)位線輸出單元數(shù)據(jù)的位線的驅(qū)動(dòng)操作同時(shí)地響應(yīng)于讀取命令來(lái)執(zhí)行字線的驅(qū)動(dòng)操作， 其中，單位存儲(chǔ)單元中的每個(gè)包括可變電阻材料。2.如權(quán)利要求1所述的可變電阻存儲(chǔ)器件，其中，每個(gè)單位存儲(chǔ)單元的可變電阻材料耦接在位線與字線之間。3.如權(quán)利要求1所述的可變電阻存儲(chǔ)器件，其中，位線的驅(qū)動(dòng)操作包括預(yù)充電所述位線、穩(wěn)定所述位線以及感測(cè)并輸出單元數(shù)據(jù)。4.如權(quán)利要求1所述的可變電阻存儲(chǔ)器件，其中，控制器將用于驅(qū)動(dòng)所述字線的時(shí)間控制成基本上與用于驅(qū)動(dòng)所述位線的時(shí)間相同。5.如權(quán)利要求1所述的可變電阻存儲(chǔ)器件，其中，控制器在執(zhí)行所述位線的驅(qū)動(dòng)操作之前，與所述字線的驅(qū)動(dòng)操作同時(shí)地將所述位線放電預(yù)定時(shí)間。6.如權(quán)利要求5所述的可變電阻存儲(chǔ)器件，其中，控制器在所述字線的驅(qū)動(dòng)期間操作而將所述位線放電并驅(qū)動(dòng)所述位線。7.如權(quán)利要求1所述的可變電阻存儲(chǔ)器件，還包括: 釋放電路，電連接至所述位線以響應(yīng)于釋放信號(hào)來(lái)將釋放電壓供應(yīng)至所述位線。8.如權(quán)利要求7所述的可變電阻存儲(chǔ)器件，其中，在驅(qū)動(dòng)所述位線之前，與所述字線的驅(qū)動(dòng)操作同時(shí)，釋放電路被使能預(yù)定時(shí)間。9.如權(quán)利要求7所述的可變電阻存儲(chǔ)器件，其中，在所述字線的驅(qū)動(dòng)期間，釋放電路被使能以將釋放電壓供應(yīng)至所述位線并驅(qū)動(dòng)所述位線。10.一種操作可變電阻存儲(chǔ)器件的方法，可變電阻存儲(chǔ)器件包括存儲(chǔ)區(qū)域和控制器，存儲(chǔ)區(qū)域包括多個(gè)單位存儲(chǔ)單元，每個(gè)單位存儲(chǔ)單元電連接在字線與位線之間并且包括可變電阻材料，以及控制器用于控制所述存儲(chǔ)區(qū)域，所述方法包括: 由控制器響應(yīng)于讀取命令來(lái)執(zhí)行字線的驅(qū)動(dòng)操作， 其中，字線的驅(qū)動(dòng)操作與用于通過(guò)所述位線輸出單元數(shù)據(jù)的位線的驅(qū)動(dòng)操作同時(shí)地執(zhí)行。
【文檔編號(hào)】G11C13/00GK105938722SQ201510781826
【公開日】2016年9月14日
【申請(qǐng)日】2015年11月13日
【發(fā)明人】慶箕明
【申請(qǐng)人】愛(ài)思開海力士有限公司