，先將EMAS配置為O進(jìn)行一輪測試； 22)對(duì)待測存儲(chǔ)器進(jìn)行專項(xiàng)檢測讀動(dòng)作的激勵(lì)灌入，輸出待測存儲(chǔ)器的響應(yīng)結(jié)果； 23)將待測存儲(chǔ)器的響應(yīng)結(jié)果和期望結(jié)果進(jìn)行對(duì)比，然后將待測存儲(chǔ)器是否在專項(xiàng)檢測讀動(dòng)作的激勵(lì)下得到的響應(yīng)和預(yù)期一致，如果一致則輸出檢測通過的結(jié)果，否則輸出測試錯(cuò)誤并且讀操作錯(cuò)誤的結(jié)果； 24)如果測試錯(cuò)誤，表明之前一次的讀相關(guān)配置已經(jīng)是最高配置，則將EMAS值I寫入EEPROM中作為此芯片的最佳EMAS值，如果測試通過則將EMAS值O寫入EEPROM中作為此芯片的最佳EMAS值;然后開始讀寫混合掃描測試； 所述讀寫混合掃描測試具體為: 31)將bist算法改為選擇檢測讀寫混合動(dòng)作的算法，EMAW和EMAS值不再變化，將EMA配置減I開始測試； 32)對(duì)待測存儲(chǔ)器進(jìn)行檢測讀寫動(dòng)作的激勵(lì)灌入，然后輸出待測存儲(chǔ)器的響應(yīng)結(jié)果； 33)將待測存儲(chǔ)器的響應(yīng)結(jié)果和期望結(jié)果進(jìn)行對(duì)比，然后將待測存儲(chǔ)器是否在檢測讀寫動(dòng)作的激勵(lì)下得到的響應(yīng)和預(yù)期一致，如果一致則輸出檢測通過的結(jié)果，否則輸出測試錯(cuò)誤的結(jié)果； 34)如果是測試通過的結(jié)果，則將EMA值減I回到步驟32)繼續(xù)進(jìn)行下一次的測試，直到測試錯(cuò)誤或者已經(jīng)達(dá)到EMA為O; 如果是測試錯(cuò)誤的結(jié)果，表明之前一次的讀相關(guān)配置已經(jīng)是最高配置，則將測試錯(cuò)誤的EMA值加I寫入EEPROM中作為此芯片的最佳EMA值；或者EMA已經(jīng)配置到O仍然通過，則將EMA值O寫入EEPROM中作為此芯片的最佳EMA值;就此EMA最佳配置測試結(jié)束。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的自適應(yīng)產(chǎn)生芯片最佳性能配置的方法，其特征在于:所述步驟14)中如果第一次寫操作測試就測試錯(cuò)誤，則表明最低條件下芯片的mem都無法正常工作，直接在EEPROM中標(biāo)注為不合格有缺陷芯片，并將第一次的EMA配置值寫到EEPROM的EMA最佳配置中。4.一種自適應(yīng)產(chǎn)生芯片最佳性能配置的方法，其特征在于:包括EMA訓(xùn)練控制單元、頻率配置單元、時(shí)鐘產(chǎn)生單元、算法選擇單元、BI ST算法存儲(chǔ)單元、BI ST控制器、缺陷診斷單元、EMA配置掃描單元、EEPROM以及通路選擇單元； 所述EMA訓(xùn)練控制單元依次通過所述頻率配置單元、所述時(shí)鐘產(chǎn)生單元連接待測存儲(chǔ)器;所述EMA訓(xùn)練控制單元還依次通過所述算法選擇單元、BIST控制器連接待測存儲(chǔ)器;且所述算法選擇單元還連接所述BIST算法存儲(chǔ)單元;所述BIST控制器還通過所述缺陷診斷單元連接所述EMA訓(xùn)練控制單元和所述EMA配置掃描單元;所述EMA訓(xùn)練控制單元還通過所述EMA配置掃描單元連接所述通路選擇單元;所述EMA配置掃描單元還通過EEPROM連接所述通路選擇單元;所述通路選擇單元還連接待測存儲(chǔ)器； 電路開機(jī)啟動(dòng)之后，所述EMA訓(xùn)練控制單元將所述頻率配置單元設(shè)置好測試目標(biāo)頻率對(duì)應(yīng)的頻率配置;然后等待所述時(shí)鐘產(chǎn)生單元的輸出時(shí)鐘穩(wěn)定后，所述EMA訓(xùn)練控制單元控制所述算法選擇單元和所述EMA配置掃描單元開始進(jìn)行帶EMA掃描的EMA訓(xùn)練流程;在EMA訓(xùn)練流程完成后，內(nèi)部的EEPROM會(huì)存儲(chǔ)好該頻率下最佳的EMA配置值供芯片正常工作時(shí)配置使用。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的自適應(yīng)產(chǎn)生芯片最佳性能配置的裝置，其特征在于:所述EMA訓(xùn)練流程包括依次進(jìn)行的寫操作掃描測試、讀操作掃描測試及讀寫混合掃描測試； 所述寫操作掃描測試具體為: 11)所述EMA配置掃描單元將EMA配置為111，將EMAW配置為11，將EMAS配置為I，所述算法選擇單元將b i s t算法選擇檢測寫操作的算法； 12)所述BIST控制器對(duì)待測存儲(chǔ)器進(jìn)行專項(xiàng)檢測寫動(dòng)作的激勵(lì)灌入，輸出待測存儲(chǔ)器的響應(yīng)結(jié)果至所述缺陷診斷單元； 13)所述缺陷診斷單元將待測存儲(chǔ)器的響應(yīng)結(jié)果和期望結(jié)果進(jìn)行對(duì)比，然后將待測存儲(chǔ)器是否在專項(xiàng)檢測寫動(dòng)作的激勵(lì)下得到的響應(yīng)和預(yù)期一致，如果對(duì)比一致則輸出檢測通過的結(jié)果至所述EMA配置掃描單元，否則輸出測試錯(cuò)誤并且寫操作錯(cuò)誤的結(jié)果至所述EMA配置掃描單元； 14)如果所述EMA配置掃描單元接到的結(jié)果為測試錯(cuò)誤，表明之前一次的寫相關(guān)配置已經(jīng)是最高配置，則將EMAW值加I寫入EEPROM中作為此芯片的最佳EMAW值供芯片正常工作時(shí)使用，然后開始轉(zhuǎn)到讀操作掃描測試； 如果所述EMA配置掃描單元接到的結(jié)果為測試通過，EMAW已經(jīng)配置到O仍然通過，則將EMAW值O寫入EEPROM中作為此芯片的最佳EMAW值，然后轉(zhuǎn)入讀操作掃描測試;否則將EMAW值降低I，回到步驟12); 所述讀操作掃描測試具體為: 21)所述算法選擇單元將bi st算法改為選擇檢測讀動(dòng)作的算法，EMAW值不再變化，先將EMAS配置為O進(jìn)行一輪測試； 22)所述BIST控制器對(duì)待測存儲(chǔ)器進(jìn)行專項(xiàng)檢測讀動(dòng)作的激勵(lì)灌入，輸出待測存儲(chǔ)器的響應(yīng)結(jié)果至所述缺陷診斷單元； 23)所述缺陷診斷單元將待測存儲(chǔ)器的響應(yīng)結(jié)果和期望結(jié)果進(jìn)行對(duì)比，然后將待測存儲(chǔ)器是否在專項(xiàng)檢測讀動(dòng)作的激勵(lì)下得到的響應(yīng)和預(yù)期一致，如果一致則輸出檢測通過的結(jié)果到所述EMA配置掃描單元，否則輸出測試錯(cuò)誤并且讀操作錯(cuò)誤的結(jié)果到所述EMA配置掃描單元； 24)所述EMA配置掃描單元在接到缺陷診斷單元的測試診斷結(jié)果后，如果測試診斷結(jié)果為測試錯(cuò)誤，表明之前一次的讀相關(guān)配置已經(jīng)是最高配置，則將EMAS值I寫入EEPROM中作為此芯片的最佳EMAS值； 如果測試診斷結(jié)果為測試通過則將EMAS值O寫入EEPROM中作為此芯片的最佳EMAS值；然后開始讀寫混合掃描測試； 所述讀寫混合掃描測試具體為: 31)所述算法選擇單元將bist算法改為選擇檢測讀寫混合動(dòng)作的算法，EMAW和EMAS值不再變化，將EMA配置減I開始測試； 32)所述BIST控制器對(duì)待測存儲(chǔ)器進(jìn)行檢測讀寫動(dòng)作的激勵(lì)灌入，然后輸出待測存儲(chǔ)器的響應(yīng)結(jié)果至所述缺陷診斷單元； 33)所述缺陷診斷單元將待測存儲(chǔ)器的響應(yīng)結(jié)果和期望結(jié)果進(jìn)行對(duì)比，然后將待測存儲(chǔ)器是否在檢測讀寫動(dòng)作的激勵(lì)下得到的響應(yīng)和預(yù)期一致，如果一致則輸出檢測通過的結(jié)果到所述EMA配置掃描單元，否則輸出測試錯(cuò)誤的結(jié)果到EMA配置掃描單元； 34)所述EMA配置掃描單元在接到缺陷診斷單元的測試診斷結(jié)果后， 如果是測試通過的結(jié)果，則將EMA值減I回到步驟32)繼續(xù)進(jìn)行下一次的測試，直到測試錯(cuò)誤或者已經(jīng)達(dá)到EMA為O; 如果是測試錯(cuò)誤的結(jié)果，表明之前一次的讀相關(guān)配置已經(jīng)是最高配置，則將測試錯(cuò)誤的EMA值加I寫入EEPROM中作為此芯片的最佳EMA值；或者EMA已經(jīng)配置到O仍然通過，則將EMA值O寫入EEPROM中作為此芯片的最佳EMA值;就此EMA最佳配置測試結(jié)束。
【專利摘要】本發(fā)明提供一種自適應(yīng)產(chǎn)生芯片最佳性能配置的方法和裝置，電路開機(jī)啟動(dòng)之后,自動(dòng)設(shè)置好測試目標(biāo)頻率對(duì)應(yīng)的頻率配置；等待輸出到芯片存儲(chǔ)單元的時(shí)鐘穩(wěn)定后，開始進(jìn)行帶EMA掃描的EMA訓(xùn)練流程；在EMA訓(xùn)練流程完成后,內(nèi)部的EEPROM會(huì)存儲(chǔ)好該頻率下最佳的EMA配置值供芯片正常工作時(shí)配置使用。本發(fā)明使設(shè)備一開機(jī)就能自動(dòng)訓(xùn)練查找芯片的最佳性能，其不僅訓(xùn)練算法可選,還可根據(jù)每個(gè)芯片的SRAM測試結(jié)果自動(dòng)調(diào)整EMA配置值并進(jìn)行記錄，可以根據(jù)每個(gè)芯片的不同的SRAM性能進(jìn)行不同的EMA配置,在通過訓(xùn)練的基礎(chǔ)上同時(shí)將每個(gè)芯片的SRAM性能最大化,相比當(dāng)前的技術(shù)有明顯的優(yōu)勢(shì)。
【IPC分類】G11C29/56, G06F17/50
【公開號(hào)】CN105513648
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201610014821
【發(fā)明人】廖裕民, 張旭
【申請(qǐng)人】福州瑞芯微電子股份有限公司
【公開日】2016年4月20日
【申請(qǐng)日】2016年1月11日