為并將最佳EMA配置值送往EEPROM單元進行存儲。
[0067]其中，所述EMA訓練流程包括依次進行的寫操作掃描測試、讀操作掃描測試及讀寫混合掃描測試；
[0068]如圖3所示，所述寫操作掃描測試具體為:
[0069]11)所述EMA配置掃描單元109通過所述EMA配置控制單元1091對所述EMAW配置值存儲單元1092、EMAS配置值存儲單元1093以及EMA配置值存儲單元1094進行配置，將EMA配置為111，將EMAW配置為11，將EMAS配置為I;其中:
[0070]EMA可以控制增加存儲器的額外讀寫時間，配置值越大時間越長，訪問越慢，設(shè)置000最快，器件可正常的風險最高，設(shè)置111訪問最慢，器件可正常的風險最低；
[0071]EMAW單獨控制寫操作周期的延遲，配置值越大時間越長，寫訪問越慢(配置為11最慢)，器件可正常的風險越低；
[0072]EMAS控制可以控制延長存儲器內(nèi)部enable信號的長度，O是正常enable時間長度，I是延長enable時間長度.延長enable后訪問速度變慢但是器件可靠性增強；
[OO73 ]所述算法選擇單元104將b i s t算法選擇檢測寫操作的算法；
[0074]12)所述BIST控制器106對待測存儲器200進行專項檢測寫動作的激勵灌入，輸出待測存儲器200的響應(yīng)結(jié)果至所述缺陷診斷單元107;
[0075]13)所述缺陷診斷單元107將待測存儲器200的響應(yīng)結(jié)果和期望結(jié)果進行對比，然后將待測存儲器200是否在專項檢測寫動作的激勵下得到的響應(yīng)和預(yù)期一致，如果對比一致則輸出檢測通過的結(jié)果到EMA所述配置掃描單元109，否則輸出測試錯誤并且寫操作錯誤的結(jié)果到所述EMA配置掃描單元109 ；
[0076]14)所述EMA配置掃描單元109在接到缺陷診斷單元107的測試診斷結(jié)果后，如果測試診斷結(jié)果為測試錯誤，表明之前一次的寫相關(guān)配置已經(jīng)是最高配置，則將所述EMAW配置值存儲單元1092中的EMAW值加I寫入EEPROM中作為此芯片的最佳EMAW值供芯片正常工作時使用，然后開始轉(zhuǎn)到讀操作掃描測試(如果第一次寫操作測試就測試錯誤，則表明最低條件下芯片的mem都無法正常工作，則直接作為壞片篩除);
[0077]如果所述EMA配置掃描單元109接到的結(jié)果為測試通過，EMAW已經(jīng)配置到O仍然通過，則將EMAW值O寫入EEPROM中作為此芯片的最佳EMAW值，然后轉(zhuǎn)入讀操作掃描測試；否則將EMAW值降低I，回到步驟12)，直到測試錯誤，再將測試錯誤的EMAW值加I寫入EEPROM中作為此芯片的最佳EMAW值；
[0078]如圖4所示，所述讀操作掃描測試具體為:
[0079]21)所述算法選擇單元104將bist算法改為選擇檢測讀動作的算法，EMAW值不再變化，先將EMAS配置為O進行一輪測試；
[0080]22)所述BIST控制器106對待測存儲器200進行專項檢測讀動作的激勵灌入，輸出待測存儲器200的響應(yīng)結(jié)果至所述缺陷診斷單元107;
[0081]23)所述缺陷診斷單元107將待測存儲器200的響應(yīng)結(jié)果和期望結(jié)果進行對比，然后將待測存儲器200是否在專項檢測讀動作的激勵下得到的響應(yīng)和預(yù)期一致，如果一致則輸出檢測通過的結(jié)果到所述EMA配置掃描單元，109否則輸出測試錯誤并且讀操作錯誤的結(jié)果到所述EMA配置掃描單元109 ；
[0082]24)所述EMA配置掃描單元109在接到缺陷診斷單元107的測試診斷結(jié)果后，如果測試診斷結(jié)果為測試錯誤，表明之前一次的讀相關(guān)配置已經(jīng)是最高配置，則將所述EMAW配置值存儲單元1092中的EMAS值I寫入EEPROM中作為此芯片的最佳EMAS值；
[0083]如果測試診斷結(jié)果為測試通過則將所述EMAS配置值存儲單元1093中的EMAS值O寫入EEPROM中作為此芯片的最佳EMAS值;然后開始讀寫混合掃描測試；
[0084]如圖5所示，所述讀寫混合掃描測試具體為:
[0085]31)所述算法選擇單元104將bist算法改為選擇檢測讀寫混合動作的算法,EMAW和EMAS值不再變化，將EMA配置減I開始測試；
[0086]32)所述BIST控制器106待測存儲器200進行檢測讀寫動作的激勵灌入，然后輸出待測存儲器200的響應(yīng)結(jié)果至所述缺陷診斷單元107;
[0087]33)所述缺陷診斷單元107將待測存儲器200的響應(yīng)結(jié)果和期望結(jié)果進行對比，然后將待測存儲器200是否在檢測讀寫動作的激勵下得到的響應(yīng)和預(yù)期一致，如果一致則輸出檢測通過的結(jié)果到所述EMA配置掃描單元109，否則輸出測試錯誤結(jié)果到EMA配置掃描單元 109;
[0088]34)所述EMA配置掃描單元109在接到缺陷診斷單元107的測試診斷結(jié)果后，如果是測試通過的結(jié)果，則將EMA值減I回到步驟32)繼續(xù)進行下一次的測試，直到測試錯誤或者已經(jīng)達到EMA為O;
[0089]如果是測試錯誤的結(jié)果，表明之前一次的讀相關(guān)配置已經(jīng)是最高配置，則將EMA配置值存儲單元1094中的測試錯誤的EMA值加I寫入EEPROM中作為此芯片的最佳EMA值;或者EMA已經(jīng)配置到O仍然通過，則將EMA值O寫入EEPROM中作為此芯片的最佳EMA值;就此EMA最佳配置測試結(jié)束。
[0090]最后，當芯片從測試模式切換回正常工作模式后，所述通路選擇單元110的選通路徑改為EEPROM的三項EMA配置，使芯片能工作在自己特定最佳的EMA值下，得到最佳的存儲器性能和穩(wěn)定性的平衡點。
[0091]雖然以上描述了本發(fā)明的【具體實施方式】，但是熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)當理解，我們所描述的具體的實施例只是說明性的，而不是用于對本發(fā)明的范圍的限定，熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員在依照本發(fā)明的精神所作的等效的修飾以及變化，都應(yīng)當涵蓋在本發(fā)明的權(quán)利要求所保護的范圍內(nèi)。
【主權(quán)項】
1.一種自適應(yīng)產(chǎn)生芯片最佳性能配置的方法，其特征在于: 電路開機啟動之后，自動設(shè)置好測試目標頻率對應(yīng)的頻率配置； 等待輸出到芯片存儲單元的時鐘穩(wěn)定后，開始進行帶EMA掃描的EMA訓練流程； 在EMA訓練流程完成后，內(nèi)部的EEPROM會存儲好該頻率下最佳的EMA配置值供芯片正常工作時配置使用。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的自適應(yīng)產(chǎn)生芯片最佳性能配置的方法，其特征在于:所述EMA訓練流程包括依次進行的寫操作掃描測試、讀操作掃描測試及讀寫混合掃描測試； 所述寫操作掃描測試具體為: 11)將EMA配置為111，將EMAW配置為11，將EMAS配置為I，將bist算法選擇檢測寫操作的算法； 12)對待測存儲器進行專項檢測寫動作的激勵灌入，輸出待測存儲器的響應(yīng)結(jié)果； 13)將待測存儲器的響應(yīng)結(jié)果和期望結(jié)果進行對比，然后將待測存儲器是否在專項檢測寫動作的激勵下得到的響應(yīng)和預(yù)期一致，如果對比一致則輸出檢測通過的結(jié)果，否則輸出測試錯誤并且寫操作錯誤的結(jié)果； 14)如果測試錯誤，表明之前一次的寫相關(guān)配置已經(jīng)是最高配置，則將EMAW值加I寫入EEPROM中作為此芯片的最佳EMAW值供芯片正常工作時使用，然后開始轉(zhuǎn)到讀操作掃描測試； 如果測試通過，EMAW已經(jīng)配置到O仍然通過，則將EMAW值O寫入EEPROM中作為此芯片的最佳EMAW值，然后轉(zhuǎn)入讀操作掃描測試;否則將EMAW值降低I，回到步驟12)； 所述讀操作掃描測試具體為: 21)將bist算法改為選擇檢測讀動作的算法，EMAW值不再變化