一種芯片修復方法和裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及電子技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種芯片修復方法和裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著工藝節(jié)點的降低，芯片面積的增大，芯片的容量的顯著提升，芯片的良率面臨著巨大的挑戰(zhàn)?，F(xiàn)在的芯片中，有幾千到幾十億個Flash存儲單元，由于工藝的不一致性，以及其他各種各樣的外界因素，將不可避免的導致其中的個別存儲單元性能較差甚至無法使用。遇到這種情況，若芯片中沒有修復功能，將導致整個芯片無法工作，被當作廢片。當加入修復功能后，可以自動利用冗余資源替換出錯單元，實現(xiàn)壞點的自動修復，從而將壞點較少的芯片變?yōu)榭捎玫恼Ｐ酒?，從而提聞廣品的良率。
[0003]早期的芯片產(chǎn)品中，工藝節(jié)點通常較為落后，而芯片容量不是很大，存儲單元個數(shù)也相對不多，因此多為采用全局位線(GBL)修復，能夠修復的壞點個數(shù)和位置均有一定限制，當在局部有多個壞點時，會超過GBL修復的范圍，出現(xiàn)局部GBL修復資源不夠用，而其他位置GBL修復資源未使用的情況，從而在修復資源未能完全使用的情況下，芯片出現(xiàn)失效無法工作的狀態(tài)，未能通過GBL修復來提升產(chǎn)品的良率。當工藝節(jié)點進一步降低，存儲單元的離散性進一步增大，容量增大導致芯片面積增加后，僅用GBL修復已經(jīng)無法滿足芯片良品率提升，以及性能提升的要求。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明提供一種芯片修復方法和裝置，以解決GBL修復無法滿足芯片良品率提升，以及性能提升要求的問題。
[0005]為了解決上述問題，本發(fā)明提供了一種芯片修復方法，包括:
[0006]對芯片中的主陣列存儲單元進行測試，得到發(fā)生故障的存儲單元的地址信息；
[0007]根據(jù)所述發(fā)生故障的存儲單元的地址信息與所述芯片中的冗余存儲單元，對所述芯片進行修復；
[0008]其中，所述冗余存儲單元包括第一存儲單元和第二存儲單元；所述第一存儲單元與所述主陣列存儲單元共用阱、位線和高位地址；所述第二存儲單元與所述主陣列存儲單元不共用阱、位線和高位地址。
[0009]優(yōu)選地，所述對芯片中的主陣列存儲單元進行測試，得到發(fā)生故障的存儲單元的地址信息，包括:
[0010]寫入測試信息至所述主陣列存儲單元；
[0011]讀取所述寫入測試信息之后的主陣列存儲單元中的存儲信息；
[0012]確定讀取失敗或存儲信息與測試信息不同的主陣列存儲單元為發(fā)生故障的存儲單元；
[0013]保存所述發(fā)生故障的存儲單元的地址信息至鎖存器中；所述鎖存器中的發(fā)生故障的存儲單元的地址信息與所述冗余存儲單元的地址信息具有映射關(guān)系。
[0014]優(yōu)選地，所述根據(jù)所述發(fā)生故障的存儲單元的地址信息與所述芯片中的冗余存儲單元,對所述芯片進行修復，包括:
[0015]根據(jù)所述發(fā)生故障的存儲單元的地址信息和所述第一存儲單元，對所述芯片進行第一修復；
[0016]若所述第一修復之后，所述主陣列存儲單元中仍存在發(fā)生故障的存儲單元，根據(jù)仍存在的發(fā)生故障的存儲單元的地址信息和所述第二存儲單元，對所述芯片進行第二修復。
[0017]優(yōu)選地，所述第一修復為全局位線修復；
[0018]所述根據(jù)仍存在的發(fā)生故障的存儲單元的地址信息和所述第二存儲單元，對所述芯片進行第二修復，包括:
[0019]確定所述仍存在的發(fā)生故障的存儲單元集中所在的故障塊；
[0020]根據(jù)所述鎖存器中的發(fā)生故障的存儲單元的地址信息與所述冗余存儲單元的地址信息的映射關(guān)系，確定與所述仍存在的發(fā)生故障的存儲單元相對應的第二存儲單元集中所在的修復塊；
[0021]將所述修復塊對所述故障塊進行替換。
[0022]優(yōu)選地，所述第二存儲單元設(shè)置有冗余子存儲單元，所述冗余子存儲單元用于對所述第二存儲單元進行第一修復。
[0023]優(yōu)選地,所述芯片包括Nor Flash。
[0024]本發(fā)明還提供了一種芯片修復裝置，包括:
[0025]測試模塊，用于對芯片中的主陣列存儲單元進行測試，得到發(fā)生故障的存儲單元的地址信息；
[0026]修復模塊，用于根據(jù)所述發(fā)生故障的存儲單元的地址信息與所述芯片中的冗余存儲單元，對所述芯片進行修復；
[0027]其中，所述冗余存儲單元包括第一存儲單元和第二存儲單元；所述第一存儲單元與所述主陣列存儲單元共用阱、位線和高位地址；所述第二存儲單元與所述主陣列存儲單元不共用阱、位線和高位地址。
[0028]優(yōu)選地，所述測試模塊，包括:
[0029]測試信息寫入子模塊，用于寫入測試信息至所述主陣列存儲單元；
[0030]存儲信息讀取子模塊，用于讀取所述寫入測試信息之后的主陣列存儲單元中的存儲信息；
[0031]故障單元確定子模塊，用于確定讀取失敗或存儲信息與測試信息不同的主陣列存儲單元為發(fā)生故障的存儲單元；
[0032]地址信息保存子模塊，用于保存所述發(fā)生故障的存儲單元的地址信息至鎖存器中；所述鎖存器中的發(fā)生故障的存儲單元的地址信息與所述冗余存儲單元的地址信息具有映射關(guān)系。
[0033]優(yōu)選地，所述修復模塊，包括:
[0034]第一修復子模塊，用于根據(jù)所述發(fā)生故障的存儲單元的地址信息和所述第一存儲單元，對所述芯片進行第一修復；
[0035]第二修復子模塊，用于若所述第一修復子模塊進行所述第一修復之后，所述主陣列存儲單元中仍存在發(fā)生故障的存儲單元，根據(jù)仍存在的發(fā)生故障的存儲單元的地址信息和所述第二存儲單元，對所述芯片進行第二修復。
[0036]優(yōu)選地，所述第一修復為全局位線修復；
[0037]所述第二修復子模塊，包括:
[0038]故障塊確定分模塊，用于確定所述仍存在的發(fā)生故障的存儲單元集中所在的故障塊；
[0039]修復塊確定分模塊，用于根據(jù)所述鎖存器中的發(fā)生故障的存儲單元的地址信息與所述冗余存儲單元的地址信息的映射關(guān)系，確定與所述仍存在的發(fā)生故障的存儲單元相對應的第二存儲單元集中所在的修復塊；
[0040]替換分模塊，用于將所述修復塊對所述故障塊進行替換。
[0041]優(yōu)選地，所述第二存儲單元設(shè)置有冗余子存儲單元，所述冗余子存儲單元用于對所述第二存儲單元進行第一修復。
[0042]優(yōu)選地,所述芯片包括Nor Flash。
[0043]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明包括以下優(yōu)點:
[0044]本發(fā)明中的芯片內(nèi)設(shè)置有冗余存儲單元，冗余存儲單元包括第一存儲單元和第二存儲單元；第一存儲單元與主陣列存儲單元共用阱、位線和高位地址，第一存儲單元可以用于對主陣列存儲單元中發(fā)生故障的存儲單元進行GBL修復；第二存儲單元與主陣列存儲單元不共用阱、位線和高位地址，第二存儲單元可以對主陣列存儲單元中發(fā)生故障的存儲單元進行塊修復。通過在芯片中增加第二存儲單元，增加了一種對芯片進行修復的方式，在GBL修復無法完全對芯片進行修復時，可以進行第二修復，滿足了芯片良品率提升，以及性能提升的要求。
【附圖說明】
[0045]圖1是本發(fā)明實施例一中的一種芯片修復方法