的存儲(chǔ)器單元的閾值電壓分布918。圖9B示出了包括處于第一狀態(tài)中的存儲(chǔ)器單元C(1 h j 1}952，C(1 h D954和C{1 !, j+1)956的第二字線1-1950。在該第一狀態(tài)中，字線i_l的存儲(chǔ)器單元具有閾值電壓分布 958。
[0084]圖10A和10B描述了根據(jù)本公開的實(shí)施例的存儲(chǔ)器單元的閾值電壓分布的實(shí)例。尤其是，圖10A和10B描述了對(duì)應(yīng)于寫入在圖9B中示出的字線1-1950的閾值電壓分布的實(shí)例。這可以對(duì)應(yīng)于在圖5的方框512中寫入數(shù)據(jù)。圖10A示出了包括存儲(chǔ)器單元Cd,, 1}1012,C(1, D1014和C(1, j+1)1016的第一字線i 1010。圖10A進(jìn)一步示出了在第一字線ilOlO中的存儲(chǔ)器單元的閾值電壓分布1018。由于字線i 1010處于相同的第一狀態(tài)中，該電壓分布可以對(duì)應(yīng)于在圖9A中示出的電壓分布918。
[0085]圖10B示出了將數(shù)據(jù)寫入第二字線1-11050的實(shí)例。圖10B示出了包括存儲(chǔ)器單元 C(1 !, j 1}1052, C{1 ^1054 和 C(1 h j+1)1056 的第二字線 1-11050。圖 10B 的字線 1-11050可以對(duì)應(yīng)于在圖9B中示出的字線1-1950。如在圖10B中示出的，由于電荷注入存儲(chǔ)器單元C(1 j 1}1052, C{1 1> 01054和C(1 h j+1)1056內(nèi)，字線i_l從第一閾值電壓分布1058移動(dòng)到第二閾值電壓分布1060。圖10B示出了剛好在寫入數(shù)據(jù)之后并且在發(fā)生快速解陷俘之前的電壓分布1060。
[0086]圖11A和11B描述了根據(jù)本公開的實(shí)施例的存儲(chǔ)器單元的閾值電壓分布的實(shí)例。尤其是，圖11A和11B描述了剛好在寫入圖10B中示出的字線1-11050之后的閾值電壓分布的實(shí)例。這可以對(duì)應(yīng)于圖5的方框512中的寫入數(shù)據(jù)。圖11A示出了包括存儲(chǔ)器單元C(1,i 1}1112，C(1, D1114和C(1, j+1)1116的第一字線i 1110。圖11A進(jìn)一步示出了存儲(chǔ)器單元在第一字線i 1110中的閾值電壓分布1118。該電壓分布可以對(duì)應(yīng)于圖9A中不出的電壓分布918以及圖10A中示出的電壓分布1018。
[0087]圖11B示出了在第二字線1-11150上發(fā)生快速解陷俘的實(shí)例。圖10B示出了包括存儲(chǔ)器單元 C(1 j 1}1152、C{1 ^1154 和 C(1 !, j+1)1156 的第二字線 1-11150。圖 10B 的字線1-11150可以對(duì)應(yīng)于圖9B中示出的字線1-1950和圖10B中示出的字線1-11050。如在圖11B中示出的，存儲(chǔ)器單元在字線1-11150上的電壓分布1160由于快速解陷俘而移動(dòng)?？焖俳庀莘蓮拇鎯?chǔ)器單元隧穿出來(lái)的電子引起，從而使存儲(chǔ)器單元的電壓分布變化。
[0088]圖12A和12B描述了根據(jù)本公開的實(shí)施例的存儲(chǔ)器單元的閾值電壓分布的實(shí)例。尤其是，圖12A和12B描述了閾值電壓分布的實(shí)例，同時(shí)讀取字線1-11250。字線i_11250可以對(duì)應(yīng)于圖11B中示出的字線1-11150。字線1-11250的讀取也可以對(duì)應(yīng)于圖5的方框514中的讀取數(shù)據(jù)以及方框516的分析數(shù)據(jù)。圖12A示出了包括存儲(chǔ)器單元
j}1214和C(1, j+1)1216的第一字線i 1210。圖12A進(jìn)一步示出了在第一字線i 1210中的存儲(chǔ)器單元的閾值電壓分布1218。該電壓分布可以對(duì)應(yīng)于圖11A中示出的電壓分布1118。
[0089]圖12B示出了讀取先前寫入字線1-11250上的存儲(chǔ)器單元C(1 s 1}1252、C(l h]}1254和C(1 1> ]+1)1256的數(shù)據(jù)的實(shí)例，以確定是否已發(fā)生快速解陷俘。在一些情況下，可以利用閾值電壓1214讀取來(lái)自字線1-11250的數(shù)據(jù)。該讀取的數(shù)據(jù)可以隨后與存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)副本進(jìn)行比較，以識(shí)別任何錯(cuò)誤。在該情況下，由于在該單元處的電壓分布已經(jīng)降到低于閾值電壓1214，可以確定單元C(1 1^1254遭受快速解陷俘。例如，控制器320可以存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的副本并且將其與讀取的數(shù)據(jù)進(jìn)行比較。在另一種情況下，可以利用讀取閾值電壓(未示出)和對(duì)應(yīng)于檢驗(yàn)電壓的另一個(gè)閾值電壓1214讀取來(lái)自字線1-11250的數(shù)據(jù)。基于利用不同的閾值電壓的兩個(gè)讀取的比較，可以確定單元C(1 ^)1254遭受解陷俘，這是由于其電壓分布低于閾值電壓1214但高于讀取的閾值電壓(未示出)。
[0090]圖13A和13B描述了根據(jù)本公開的實(shí)施例的存儲(chǔ)器單元的閾值電壓分布的實(shí)例。尤其是，圖13A和13B描述了閾值電壓分布的實(shí)例，同時(shí)寫入字線i 1310。尤其是，圖13A和13B示出了編碼并且寫入數(shù)據(jù)的實(shí)例，這對(duì)應(yīng)于圖5的方框518和520。圖13A示出了包括存儲(chǔ)器單元1312、C(1, D 1314和C(1, j+1) 1316的字線i 1310。字線i 1310對(duì)應(yīng)于圖12A 的字線 i 1210。圖 13B 示出了包括單元 C(1 h」1}1352,C{l ^)1354 和 C(1 ^+1)1356 的字線1-11350。字線1-11350對(duì)應(yīng)于圖12B的字線1-11250。
[0091]在該情況下，單元C(1 ^)1354遭受快速解陷俘。因此，數(shù)據(jù)可以被編碼(例如，映射)到字線i 1310的存儲(chǔ)器單元C(1, D 1314，該存儲(chǔ)器單元相鄰于字線1-11350中的單元C(1 ^)1354,以引起刻意的ICI。圖13B示出了寫入字線i 1310并且尤其是存儲(chǔ)器單元C(1,
1314，從而使閾值電壓分布可以從第一狀態(tài)1318移動(dòng)到第二狀態(tài)1320。結(jié)果，由于刻意的ICI，電荷可以被注入單元C(1㈧中，從而使電壓分布可以從降低的分布移動(dòng)到更加準(zhǔn)確地對(duì)應(yīng)于預(yù)期的編程狀態(tài)的分布1362。
[0092]圖14描述了根據(jù)本公開的實(shí)施例的存儲(chǔ)器單元的輸入/輸出概念的實(shí)例。傳統(tǒng)地，二進(jìn)制的存儲(chǔ)器單元如果其單元值被卡(stuck)在預(yù)期值(0或1)而與溝道輸入無(wú)關(guān)，則可以被視為有缺陷的。這被顯示在圖14的1410中，示出了輸入0和1并且輸出1。基于該概念，根據(jù)本公開的編碼方案，相鄰于遭受解陷俘的單元C(1 h 的單元C(1, D可以視為被卡住。例如，如果編碼方案需要超過(guò)閾值的電壓對(duì)應(yīng)于“0”，則C(1, ]}可以視為被卡在“0”。因此，當(dāng)編碼新數(shù)據(jù)到存儲(chǔ)器時(shí)，C(1,D可以被編碼為“0”，從而當(dāng)數(shù)據(jù)被寫入時(shí)，電壓被注入單元中，并且ICI增加遭受解陷俘的單元(1 ^力的閾值電壓。
[0093]圖15描述了根據(jù)本公開的實(shí)施例的單元間干擾的另一實(shí)例。在該實(shí)例中，圖15示出了包括存儲(chǔ)器單元1}1512，C(1+1, D1514 和 C(1+1, j+1)1516 的字線 i+11510。圖 15 進(jìn)一步示出了包括存儲(chǔ)器單元Ch 4552^^1550^(^^156的字線i 1550。在該情況下，字線i 1550上包括的單元C(1, 01554已經(jīng)通過(guò)讀出字線而被識(shí)別為遭受快速解陷俘，如上所述。基于對(duì)遭受解陷俘的單元C(1, D 1554的識(shí)別，數(shù)據(jù)可以被編碼并且被寫入C(1+1, D 1514，從而使單元C(1, D的閾值電壓可以由于刻意的ICI而增加。
[0094]圖16描述了根據(jù)本公開的實(shí)施例的存儲(chǔ)器單元。尤其是，圖16示出了多級(jí)單元(MLC)存儲(chǔ)器的多個(gè)字線。多級(jí)單元存儲(chǔ)器能夠每單元存儲(chǔ)多個(gè)比特(例如，兩個(gè))。MLC存儲(chǔ)器可以通過(guò)全位線(ALB)架構(gòu)中的下頁(yè)和上頁(yè)而被寫入，從而使一個(gè)字線中的所有位線立刻被編程。這種方案被顯示在圖16中，該圖示出了以如下順序?qū)懭氪鎯?chǔ)器的實(shí)例:1)處于字線0的下頁(yè)中的第0頁(yè)；2)處于字線1的下頁(yè)中的第1頁(yè)；3)處于字線0的上頁(yè)中的第2頁(yè)；4)處于字線2的下頁(yè)中的第3頁(yè)；5)處于字線1的上頁(yè)中的第4頁(yè)等。根據(jù)本公開的實(shí)施例，當(dāng)相鄰字線中的頁(yè)被寫入時(shí)，在該方案中可以實(shí)現(xiàn)刻意的ICI。
[0095]圖17描述了根據(jù)本公開的實(shí)施例的存儲(chǔ)器單元的閾值電壓分布的實(shí)例。尤其是，圖17示出了根據(jù)上述方案的基于到MLC存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器單元的閾值電壓分布。如在圖17中示出的，具有下頁(yè)(低頁(yè))和上頁(yè)(高頁(yè))的字線可以最初處于第一狀態(tài)1710中，其電壓分布1712為被擦除的狀態(tài)。字線可以移動(dòng)到第二狀態(tài)1720，其中下頁(yè)被編程并且提供對(duì)應(yīng)于邏輯值10的電壓分布1722。寫入下頁(yè)之后，字線可以移動(dòng)到第三狀態(tài)1730，其中上頁(yè)(高頁(yè))被編程并且提供對(duì)應(yīng)于高頁(yè)中的邏輯值1001和低頁(yè)中的1100的電壓分布 1732。
[0096]圖18描述了根據(jù)本公開的實(shí)施例的存儲(chǔ)器單元的閾值電壓分布的實(shí)例。尤其是，圖18示出了用于執(zhí)行刻意的ICI，以更正字線的下頁(yè)(i)上的解陷俘單元的時(shí)機(jī)。圖18示出了多個(gè)字線:WL01810, WL11820，WL21830和WL31840。每個(gè)字線具有下頁(yè)(低頁(yè))和上頁(yè)(高頁(yè))。在該情況下，數(shù)據(jù)已經(jīng)被寫入