于靜態(tài)電流測(cè)試下檢測(cè)全域字符線缺陷的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本發(fā)明涉及一種檢測(cè)裝置，尤指一種檢測(cè)內(nèi)存缺陷的裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)今，由于半導(dǎo)體制程及個(gè)人計(jì)算機(jī)的進(jìn)步，計(jì)算機(jī)內(nèi)存(computer memory)已成為個(gè)人計(jì)算機(jī)不可或缺的電子裝置，計(jì)算機(jī)內(nèi)存是一種藉由半導(dǎo)體制程技術(shù)做成的電子裝置，用以?xún)?chǔ)存資料。
[0003]一般而言，計(jì)算機(jī)內(nèi)存可以根據(jù)儲(chǔ)存能力及電源的關(guān)系分為兩類(lèi):揮發(fā)性?xún)?nèi)存(volatile memory)及非揮發(fā)性?xún)?nèi)存(non-volatile memory)。揮發(fā)性?xún)?nèi)存為當(dāng)電源供應(yīng)中斷時(shí)，內(nèi)存儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)便會(huì)消失。非揮發(fā)性?xún)?nèi)存為即使電源供應(yīng)中斷，內(nèi)存儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)并不會(huì)消失，并且，再重新供應(yīng)電源后，就能夠再讀取內(nèi)存的數(shù)據(jù)。
[0004]此外，揮發(fā)性?xún)?nèi)存主要包括:靜態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存(Statistic Random AccessMemory ；SRAM)及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存(Dynamic Random Access Memory ；DRAM)。靜態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存的優(yōu)點(diǎn)是速度快，但是單元所占用的資源較動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存多。另外，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存的優(yōu)點(diǎn)是單元所占用的資源及空間較小，但是速度比靜態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存慢。一般計(jì)算機(jī)內(nèi)存多由動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存組成。
[0005]然而，在現(xiàn)有技術(shù)中，由于先進(jìn)的半導(dǎo)體制程，使得內(nèi)存中的多個(gè)全域字符線(global word line ;GWL)彼此之間的距離極小，尤其是動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存內(nèi)的多個(gè)全域字符線。因此，對(duì)于上述動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存的測(cè)試變得極為重要，但在實(shí)際環(huán)境中，由于動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存內(nèi)部的多個(gè)晶體管的漏電流極小，無(wú)法準(zhǔn)確地量測(cè)動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存內(nèi)的多個(gè)全域字符線彼此之間是否存在短路的情況，因此，為了解決無(wú)法直接地及準(zhǔn)確地量測(cè)動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存中的多個(gè)全域字符線彼此之間是否存在短路的問(wèn)題，本發(fā)明提出一種有效地量測(cè)動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存中的多個(gè)全域字符線彼此之間是否存在缺陷(如短路)。
[0006]因此，如何提出一種能讓使用者在量測(cè)時(shí)，于實(shí)際環(huán)境中仍能有效地量測(cè)全域字符線彼此之間是否存在缺陷及無(wú)需對(duì)動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存電路作修改的特點(diǎn)，同時(shí)兼顧實(shí)用性及穩(wěn)定性、降低測(cè)試成本及簡(jiǎn)易使用的特性，實(shí)為目前各界亟欲解決的技術(shù)問(wèn)題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]鑒于上述現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)，本發(fā)明的一主要目的為藉由靜態(tài)電流測(cè)試(IDDQtesting)方法具有測(cè)試集成電路缺陷的功能，提供使用者能以原內(nèi)存電路的方式，無(wú)須額外的元件或電路設(shè)計(jì)，可直接對(duì)動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存(Dynamic Random Access Memory ；DRAM)的內(nèi)部全域字符線進(jìn)行測(cè)試，從而減少制造動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存產(chǎn)生的缺陷。
[0008]為達(dá)上述目的及其它目的，本發(fā)明提供一種檢測(cè)內(nèi)存缺陷的裝置，包括:一第一全域字符線(global word line),包括一寄生電容；一第二全域字符線；一全域字符線前端電路；一全域字符線驅(qū)動(dòng)電路，連接至該全域字符線前端電路及驅(qū)動(dòng)該第一全域字符線；一區(qū)域字符線驅(qū)動(dòng)電路，連接至該第一全域字符線及驅(qū)動(dòng)一區(qū)域字符線；以及一壓控電流晶體管，包括一第一端、一第二端及一第三端，其中，該第一端連接至該第一全域字符線，該第二端連接至該全域字符線前端電路及該全域字符線驅(qū)動(dòng)電路之間，以及該第三端輸出測(cè)試電流。
[0009]此外，依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例，該全域字符線前端電路包括多個(gè)全域字符線前端晶體管，該全域字符線驅(qū)動(dòng)電路包括多個(gè)全域字符線驅(qū)動(dòng)晶體管，以及該區(qū)域字符線驅(qū)動(dòng)電路包括多個(gè)區(qū)域字符線驅(qū)動(dòng)晶體管。
[0010]另外，依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例，該壓控電流晶體管可為場(chǎng)效晶體管，且該壓控電流晶體管的該第二端及該第三端可互換。
[0011]再者，依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例，在檢測(cè)內(nèi)存缺陷時(shí)，該壓控電流晶體管操作于飽和區(qū)，用以線性放大該測(cè)試電流。
[0012]基于此檢測(cè)裝置，當(dāng)浮接該全域字符線驅(qū)動(dòng)電路時(shí)，該壓控電流晶體管的該第三端將輸出測(cè)試電流。
[0013]此外，依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例，除了該第一全域字符線及該第二全域字符線之外，該裝置亦可包括多個(gè)全域字符線。
[0014]相較于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明不但可以檢測(cè)內(nèi)存內(nèi)的全域字符線的缺陷(例如，由于半導(dǎo)體制程，導(dǎo)致兩全域字符線之間短路)，亦可檢測(cè)內(nèi)存內(nèi)的全域字符線與電源供給線之間的缺陷，而且在檢測(cè)多個(gè)全域字符線的缺陷時(shí)，能夠使使用者基于本身內(nèi)存電路直接進(jìn)行檢測(cè)，無(wú)需另行設(shè)計(jì)額外的測(cè)試電路。因此，本發(fā)明的檢測(cè)裝置具有降低測(cè)試成本及簡(jiǎn)易操作的優(yōu)點(diǎn)。
【附圖說(shuō)明】
[0015]圖1為說(shuō)明依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的檢測(cè)內(nèi)存缺陷的裝置的方塊圖；以及
[0016]圖2為說(shuō)明依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的檢測(cè)內(nèi)存缺陷的裝置的波形圖。
[0017]其中，附圖標(biāo)記說(shuō)明如下:
[0018]10全域字符線前端電路
[0019]20全域字符線驅(qū)動(dòng)電路
[0020]30區(qū)域字符線驅(qū)動(dòng)電路
[0021]32全域字符線的寄生電容
[0022]40壓控電流晶體管
[0023]42 第一端
[0024]44 第二端
[0025]46第三端
[0026]50兩全域字符線之間短路或電源供給線及全域字符線之間短路
[0027]60 電流
[0028]GWL0第一全域字符線
[0029]GWL1第二全域字符線
【具體實(shí)施方式】
[0030]以下藉由特定的具體實(shí)施例說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式，熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員可由本說(shuō)明書(shū)所揭示的內(nèi)容輕易地了解本發(fā)明的其它優(yōu)點(diǎn)及功效。本發(fā)明亦可藉由其它不同的具體實(shí)例加以施行或應(yīng)用，本發(fā)明說(shuō)明書(shū)中的各項(xiàng)細(xì)節(jié)亦可基于不同觀點(diǎn)與應(yīng)用在不悖離本發(fā)明的精神下進(jìn)行各種修飾與變更。
[0031]須知，本說(shuō)明書(shū)所附圖式繪示的結(jié)構(gòu)、比例、大小等，均僅用以配合說(shuō)明書(shū)所揭示的內(nèi)容，以供熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員了解與閱讀，并非用以限定本發(fā)明可實(shí)施的限定條件，故不具有技術(shù)上的實(shí)質(zhì)意義，任何結(jié)構(gòu)的修飾、比例關(guān)系的改變或大小的調(diào)整，在不影響本發(fā)明所能產(chǎn)生的功效及所能達(dá)成的目的下，均應(yīng)落在本發(fā)明所揭示的技術(shù)內(nèi)容所能涵蓋的范圍內(nèi)。
[0032]為了解決上述問(wèn)題，如圖1所示，藉由靜態(tài)電流測(cè)試(IDDQ testing)方法，本發(fā)明提供一種檢測(cè)內(nèi)存缺陷的裝置，包括一第一全域字符線(global word line)GWL0，包括一寄生電容；一第二全域字符線GWL1 全域字符線前端電路10 全域字符線驅(qū)動(dòng)電路20，連接至該全域字符線前端電路10及驅(qū)動(dòng)該第一全域字符線GWL0 ;—區(qū)域字符線驅(qū)動(dòng)電路30，連接至該第一全域字符線GWL0及驅(qū)動(dòng)一區(qū)域字符線；以及一壓控電流晶體管40，包括一第一端42、一第二端44及一第三端46,其中，該第一端42連接至該第一全域字符線GWL0，該第二端44連接至該全域字符線前端電路10及該全域字符線驅(qū)動(dòng)電路20之間，以及該第三端46輸出測(cè)試電流Ipp。
[0033]此外，本發(fā)明